авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |
-- [ Страница 1 ] --

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И

ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А.В.

ШУБНИКОВА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА

НОВГОРОДСКИЙ ФИЛИАЛ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО

УНИВЕРСИТЕТА СЕРВИСА И ЭКОНОМИКИ

При поддержке РФФИ и ООО «Брукер»

СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ

АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (дифракционные методы для нанотехнологии) Сборник материалов и программа Третьей международной молодёжной научной школы-семинара 12 – 16 сентября 2011 года ВЕЛИКИЙ НОВГОРОД 2011 A.F. IOFFE PHYSICO-TECHNICAL INSTITUTE RAS INSTITUTE OF MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND HIGH PURITY MATERIALS RAS A.V. SHUBNIKOV INSTITUTE OF CRYSTALLOGRAPHY RAS M.V. LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY NOVGOROD BRANCH OF ST. PETERSBURG STATE UNIVERSITY OF SERVICE AND ECONOMY Supported by Russian Foundation for Basic Research and LTD «BRUKER»

MODERN METHODS OF DIFFRACTION DATA ANALYSIS (Diffraction Methods for Nanotechnology) Programme and Materials of the 3nd International Scientific School-Seminar 12 – 16 September, VELIKY NOVGOROD

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И

ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А.В.

ШУБНИКОВА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА

НОВГОРОДСКИЙ ФИЛИАЛ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО

УНИВЕРСИТЕТА СЕРВИСА И ЭКОНОМИКИ

При поддержке РФФИ и ООО «Брукер»

СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ

АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (дифракционные методы для нанотехнологии) Сборник материалов и программа Третьей международной молодёжной научной школы-семинара 12 – 16 сентября 2011 года ВЕЛИКИЙ НОВГОРОД УДК 548.0:539.1:539.2:535 Печатается по решению С56 Программного и Организационного комитетов школы-семинара Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии): сборник материалов С и программа Третьей международной молодежной научной школы семинара, 12–16 сентября 2011 г. / Состав.: В.А. Ткаль;

НФСПбГУСЭ. – Великий Новгород, 2011. – 150 с.

Материалы печатаются в авторской редакции ISBN 978-5-98769-086- Семинар проводится при финансовой поддержке РФФИ, грант № 11-02- УДК 548.0:539.1:539.2: ISBN 978-5-98769-086-4 © Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, © Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, © Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, © Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, © Новгородский филиал Санкт Петербургского государственного университета сервиса и экономики, © Авторы статей, ОГЛАВЛЕНИЕ Стр.

ПРОГРАММНЫЙ И ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТЫ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА РЕКЛАМА ПРОДУКЦИИ ООО «БРУКЕР» ПРОГРАММА СЕМИНАРА ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ СПИСОК ОРГАНИЗАЦИЙ-УЧАСТНИКОВ СЕМИНАРА АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ АВТОРОВ ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ Сорокин Л.М., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН – 1.

председатель Боргардт Н.И., МИЭТ – зам. председателя 2.

Бушуев В.А., МГУ им. М.В. Ломоносова 3.

Асадчиков В.Е., ИК РАН 4.

Данильчук Л.Н., НовГУ 5.

Ломов А.А., ИК РАН 6.

Пунегов В.И., Коми НЦ УрО РАН 7.

Суворов Э.В., ИФТТ РАН 8.

ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТ Парфеньев Р.В., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН – 1.

сопредседатель Ткаль В.А., СПбГУСЭ – сопредседатель 2.

Донина И.А. – СПбГУСЭ 3.

Мягкова Ю.А. – СПбГУСЭ 4.

Окунев А.О., – НовГУ 5.

СОВРЕМЕННЫЕ РЕНТГЕНОВСКИЕ ДИФРАКТОМЕТРЫ www.bruker-axs.ru Bruker AXS Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVER Фазовый и структурный анализ твердых тел (порошки, поли- и монокристаллы) Исследование морфологии межслойных границ в многослойных структурах, с толщинами слоев вплоть до нескольких монослоев Изучение особенностей морфологии поверхности и приповерхностных слоев по глубине (от десятых долей нанометра) Изучение структурных превращений в твердых растворах ПРОГРАММА ТРЕТЬЕЙ МЕЖДУНАРОДНОЙ МОЛОДЕЖНОЙ НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (ДИФРАКЦИОННЫЕ МЕТОДЫ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИИ) И АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОПТИКИ»

Регистрация участников школы-семинара и направление на поселение проводится в конференц-зале Новгородского филиала Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики (НФ СПбГУСЭ) 12 сентября 2011 года с 8.30 до 14.00 часов по адресу: Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3.

Заседания школы-семинара проходят ежедневно с 14. до 19.00 часов в конференц-зале НФ СПбГУСЭ. В перерывах заседания организовано Coffee-break.

Продолжительность заказных лекций – 40 мин., устных докладов – 20 мин., кратких сообщений – 10 мин.

Стендовые доклады вывешиваются участниками семинара 13 сентября в специально отведённых местах и снимаются сентября.

Программный и Организационный комитеты проводят конкурс докладов молодых учёных, возраст которых не превышает 35 лет.

Культурная программа включает в себя экскурсии по Великому Новгороду, Кремлю, окрестным монастырям, посещение исторического музея, музея В.И. Поветкина.

Приём статей для рецензирования и опубликования в журнале «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» и «Заводская лаборатория.

Диагностика материалов» проводится Программным и Организационным комитетами в период работы семинара.

Решение о публикации статьи принимается Программным комитетом семинара и согласовывается с редакцией журнала.

Статьи должны быть оформлены в соответствии с требованиями журналов.

ПЕРВЫЙ ДЕНЬ Понедельник, 12 сентября 08.30-14.00 Регистрация участников и поселение в гостиницы 10.00-13.00 Автобусная экскурсия по Великому Новгороду 13.00-14.00 обед Председатель: В.А. Ткаль 14.00-14.30 Открытие школы-семинара Вступительное слово директора НФСПбГУСЭ И.Р. Кормановской Вступительное слово председателя Программного комитета Л.М.

Сорокина 14.30-19.30 Участие в работе Пятого международного семинара ВТОРОЙ ДЕНЬ Вторник, 13 сентября 08.00-09.00 Завтрак Председатель: Л.М. Сорокин 09.00-9.40 Лекция 1. ДИНАМИЧЕСКАЯ ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ПУЧКОВ И ИМПУЛЬСОВ В. А. Бушуев (лекция) Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 9.40-10.20 Лекция 2. МАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕЗОНАНСНОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ М.А.Андреева1 (лекция) Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 10.20-10.40 Доклад 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ОБЛАСТИ L23 КРАЕВ ПОГЛОЩЕНИЯ SI В УСЛОВИЯХ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ ОТ СТРУКТУРЫ SIO2/ SI/ SIO М.А. Андреева1, Е.Е. Одинцова1, Э.П. Домашевская2, В.А. Терехов2, С.Ю. Турищев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 10.40-11.00 Перерыв Coffee-break Председатель: Е.Е. Одинцова 11.00-11.20 Доклад 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СИЛЬНО ВЫТЯНУТЫХ В ПРОДОЛЬНОМ НАПРАВЛЕНИИ ОБЪЕКТОВ МЕТОДОМ ЦЕРНИКЕ В ЖЕСТКОМ РЕНТГЕНОВСКОМ ИЗЛУЧЕНИИ В.Г. Кон1, М.А. Орлов Российский научный центр «Курчатовский институт», Москва, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 11.20-11.40 Доклад 3. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА УПОРЯДОЧЕННОЙ ФАЗЫ Ba4Lu3F К. А. Кедало Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Институт Кристаллографии РАН, Москва, Россия 11.40-12.00 Доклад 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ СТОЙКОСТИ ОРГАНИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ М.А. Чембелеева, Ю.А. Дьякова, А.Ю. Серегин, Т.В. Букреева, Е.Ю. Терещенко Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия 12.00-12.20 Доклад 5. ВЛИЯНИЕ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ПОГЛОЩЕНИЯ В УСЛОВИЯХ РАССЕЯНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ НА МНОГОСЛОЙНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ А.В. Карпов Отдел математики Коми НЦ УрО РАН 167001, г. Сыктывкар, Россия 12.20-12.40 Доклад 6. СОВМЕСТНЫЙ АНАЛИЗ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СЕРИИ МЁССБАУЭРОВСКИХ СПЕКТРОВ МАГНИТНЫХ НАНОЧАСТИЦ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ В ИССЛЕДОВАНИЯХ МЕТАБОЛИЗМА В ЖИВЫХ ОРГАНИЗМАХ И.Н. Мищенко 1,2, М.А. Чуев 2, Физический факультет МГУ, Воробьёвы Горы, д. 1, стр. 2, Москва, Россия ННЦ «Курчатовский институт», площадь Курчатова, д. 1, Москва, Россия Физико-технологический институт РАН, Нахимовский просп., д. 36/1, Москва, Россия 12.40-13.00 Доклад 7. РАСПРЕДЕЛЕНИЯ СИЛ ОСЦИЛЛЯТОРОВ В ОБЛАСТИ NEXAFS C1S – СПЕКТРА НАНООБРАЗУЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ О.В. Петрова1, С.В. Некипелов2, В.Н. Сивков Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия Коми педагогический институт, Сыктывкар, Россия 13.00-14.00 Обед 14.00-16.30 Экскурсия по Новгородскому Кремлю и его окрестностям Председатель: И.Н. Мищенко 16.30-17.10 Лекция 3. ДИАГНОСТИКА ПОРИСТЫХ СЛОЕВ И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР ПОЛУПРОВОДНИКОВ РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫМИ МЕТОДАМИ А.А. Ломов Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия 17.10-17.50 Лекция 4. ОСНОВЫ РЕЗОНАНСНОГО РАССЕЯНИЯ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ А.П.Орешко1, В.Е.Дмитриенко2, Е.Н.Овчинникова МГУ имени М.В.Ломоносова, Москва, Россия ИК РАН имени А.В.Шубникова, Москва, Россия 17.50-18.10 Доклад 8. СОЗДАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ТОНКИХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ В.В. Антипов1, А.С. Быков1, М.Д. Малинкович1, О. Камалов НИТУ МИСиС, Ленинский проспект д. Министерство народного образования Узбекистана, 742000, Нукус, Каракалпакстан 18.10-18.30 Перерыв Coffee-break Председатель: А.О. Окунев 18.30-18.50 Доклад 9. АНАЛИЗ МИКРОДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ ZnGeP2 МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ НА ОСНОВЕ ЭФФЕКТА БОРМАНА А.О. Окунев1, В.А. Стащенко1, Г.А. Верозубова2, А.Ю. Трофимов Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия Учреждение Российской академии наук Институт мониторинга климатических и экологических систем Сибирского отделения РАН, Томск, Россия 18.50-19.10 Доклад 10. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ NAX-SE НА ОСНОВЕ ЦЕОЛИТОВ Ю.А. Кумзеров1, В.Г. Соловьев, С.В. Трифонов, А.В. Фокин1, А.Г. Григорьева, М.Н.Кондратьева ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Псковский государственный педагогический университет имени С.М. Кирова, Псков, Россия ТРЕТИЙ ДЕНЬ Среда, 14 сентября 08.00-09.00 Завтрак Председатель: Д.А. Золотов 09.00-9.40 Лекция 5. MODERN X-RAY SOURCES (PETRA3 AND FELS) A. Efanov, E.Weckert DESY, Notkestr. 85, D-22607 Hamburg, Germany 9.40-10.20 Лекция 6. COHERENT X-RAY DIFFRACTIVE IMAGING A. Efanov, I.Vartanyants DESY, Notkestr. 85, D-22607 Hamburg, Germany 10.20-10.40 Доклад 11. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ УСТОЙЧИВОСТИ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ СЕМЕЙСТВА ЛАНГАСИТА Уварова С.С., Кугаенко О.М.1, Петраков В.С.1, Сагалова Т.Б. 1, Крылов С.А.1,, Бузанов О.А.2, Егоров В.Н.2, Сахаров С.А. НИТУ «МИСиС», Москва, Россия 10.40-11.00 Перерыв Coffee-break Председатель: А.В. Бузмаков 11.00-11.40 Лекция 7. ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ А.Л. Васильев, В.В. Роддатис НИЦ «Курчатовский институт», Москва, Россия 11.40-12.20 Лекция 8. УПРАВЛЕНИЕ ПАРАМЕТРАМИ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ ПРИ ИХ ДИФРАКЦИОННОМ ДЕЛЕНИИ В ЛИНЕЙНЫХ И НЕЛИНЕЙНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ В.А. Бушуев, Б.И. Манцызов, А.А. Скорынин Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 12.20-12.40 Доклад 12. ИЗМЕРЕНИЕ КРИВЫХ ДИФРАКЦИОННОГО ОТРАЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ АДАПТИВНОГО РЕНТГЕНОАКУСТИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА – АНАЛИЗАТОРА Благов А.Е., Ковальчук М.В., Писаревский Ю.В., Просеков П.А. Таргонский А.В.

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия 12.40-13.00 Доклад 13. ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ В GAN/ALN/SIC/SI(111) ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА СТРУКТУРНОЕ КАЧЕСТВО РАБОЧЕГО СЛОЯ ПО ДАННЫМ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ А.В.Мясоедов1, Л.М. Сорокин1, А.Е.Калмыков1, Н.В.Веселов1, Н.А. Феоктистов1, А.В. Осипов2, С.А. Кукушкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Институт проблем механики РАН, Санкт-Петербург, Россия 13.00-14.00 Обед Председатель: В.Г. Анисимов 14.00-14.40 РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ ОПТИКА Лекция 9.

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СРЕД В.И. Пунегов Коми Научный Центр УрО РАН, Сыктывкар,Россия 14.40-15.20 Лекция 10. ДИФРАКТОМЕТРИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ИЗУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ОБРАТНОГО ПРОСТРАНСТВА (ОДНО-, ДВУХ- И ТРЕХ КРИСТАЛЬНЫЕ ДИФРАКТОМЕТРЫ) Суворов Э.В.

ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия 15.20-16.00 Перерыв Coffee-break Председатель: Д.В. Иржак 16.00-16.40 Лекция 11. ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ОДНОРОДНО ИЗОГНУТОМ КРИСТАЛЛЕ И.А. Смирнова ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия 16.40-17.20 Лекция 12. ПРИМЕНЕНИЕ УМР-СПЕКТРОСКОПИИ ДЛЯ СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ Сивков В. Н.

Отдел математики Коми НЦ УрО РАН, Сыктывкар, Россия 17.20-18.00 Лекция 13. РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ В ХАРАКТЕРИЗАЦИИ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК И.А. Прохоров НИЦ “Космическое материаловедение” Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Калуга, Россия 18.00-18.30 Перерыв Coffee-break Председатель: Я.

Л. Шабельникова 18.30-18.50 Доклад 14. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ МИКРОННЫХ СЛОЁВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ МЕТОДАМИ В ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН 0,071 – 0,194 НМ В.А. Балин, А.А. Ломов, А.Л. Васильев Физико-технологический институт РАН, Нахимовский проспект, 36/1, Москва, Россия Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, Россия 18.50-19.10 Доклад 15. ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ В ТОМОГРАФИИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГИБРИДНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ А.В. Бузмаков, М.В. Чукалина, В.Е. Асадчиков Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия ЧЕТВЕРТЫЙ ДЕНЬ Четверг, 15 сентября 08.00-09.00 Завтрак Председатель: А.О. Окунев 09.00-9.40 Лекция 14. МЕТОДЫ АВТОМАТИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ Д.П. Николаев Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича РАН, Москва, Россия 9.40-10.20 Лекция 15. АНАЛИЗ СИГНАЛОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ ВСПЛЕСК ПРЕОБРАЗОВАНИЯ М.В. Чукалина Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия 10.20-11.00 Лекция 16. СРАВНЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ РАЗЛИЧНЫХ МЕТОДИК ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В.А. Ткаль, М.Н. Петров, К.Г. Лукин, И.А. Жуковская Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики, Великий Новгород, Россия 11.00-11.30 Перерыв Coffee-break Председатель: И.В. Якимчук 11.30-12.10 Лекция 17. ОБРАТНЫЕ ЗАДАЧИ В ТЕОРИИ МНОГОСЛОЙНЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ ЗЕРКАЛ И. В. Кожевников Институт кристаллографии им. А.В Шубникова РАН, Москва, Россия 12.10-12.50 Лекция 18. РЕНТГЕНОВСКАЯ МИКРОТОМОГРАФИЯ НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ В.Е. Асадчиков Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия 13.00-14.00 Обед 14.00-14.20 Доклад 16. ИССЛЕДОВАНИЕ КАЧЕСТВА ВОГНУТЫХ СФЕРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СКОЛЬЗЯЩИМ ПУЧКОМ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И.В. Якимчук1, А.В. Бузмаков1, А.В. Андреев2, В.Е. Асадчиков Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 14.20-14.40 Доклад 17. ИССЛЕДОВАНИЕ ВНУТРЕННЕГО СТРОЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПО-ТОМОГРАФИИ Д.А. Золотов1, В.Е. Асадчиков1, А.В. Бузмаков1, А.Э. Волошин1, В.Ю. Карасев Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия ООО «ПТЦ УралАлмазИнвест», Москва, Россия 14.40-15.20 Лекция 19. СТРУКТУРНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ ТИПА IIA С РЕКОРДНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С.Н. Поляков1,2, В.Н. Денисов2,3, М.А. Кузнецов2, С.Ю. Мартюшов2, С.А.Терентьев2, В.Д. Бланк2, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Московская обл., Россия Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Московская обл., Россия 15.20-15.40 Перерыв Coffee-break Председатель: Н.В. Цвигун 15.40-16.20 Лекция 20. СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В КОСМИЧЕСКОМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИИ И. Л. Шульпина2, В. И. Стрелов1, Ю. А. Серебряков1, И. А. Прохоров НИЦ “Космическое материаловедение” Института кристаллографии им. А.В.

Шубникова РАН, Калуга, Россия ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 16.20-16.40 Доклад 18. КОМПЛЕКСНАЯ ДИАГНОСТИКА МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ С НАНО-РАЗМЕРНЫМИ СЛОЯМИ НА ПРИМЕРЕ СТРУКТУР MO/SI Г.А. Вальковский, М.В. Байдакова, С.Г. Конников, А.А. Ситникова, М.А. Яговкина, Ю.М. Задиранов ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 16.40-17.20 Лекция 21. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР Н.И. Боргардт Московский государственный институт электронной техники, Москва, Зеленоград, Россия 17.20-17.40 Перерыв Coffee-break Председатель: Г.А. Вальковский 17.40-18.00 Доклад 19. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК AL НА ПОДЛОЖКЕ GAAS(001) М.В. Ловыгин Московский государственный институт электронной техники, Москва, Зеленоград, Россия 18.00-18.20 Доклад 20. СОЗДАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ НАНОСТРУКТУР С ПРИМЕНЕНИЕМ ФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ А.С. Приходько, Р.Л. Волков Московский государственный институт электронной техники, Москва, Зеленоград, Россия 18.20-19.00 Обсуждение стендовых докладов ПЯТЫЙ ДЕНЬ Пятница, 16 сентября 08.00-09.00 Завтрак Председатель: К.М. Подурец 09.00-13.00 Участие в работе 5 международного научного семинара 13.00-14.00 Обед 14.00-17.00 Участие в работе 5 международного научного семинара Председатель: В.А. Бушуев 17.00-17.30 Подведение итого работы школы-семинара. Принятие решение.

19.00-22.00 Отъезд участников школы-семинара СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ 1. В.Г. Анисимов, Л.Н. Данильчук ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТИЧНЫХ ДИСЛОКАЦИЙ С ОСЯМИ 112 МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, 173003, г. Великий Новгород, Россия.

Ю. О. Волков1, И. В. Кожевников1, Б. С. Рощин1, А. Л. Мезенцев2, Е. О. Филатова3, 2.

В. Е. Асадчиков ИССЛЕДОВАНИЕ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА В СИСТЕМАХ HFO2/SI И TIO2/SI МЕТОДАМИ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ И РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ Институт Кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН Физический факультет МГУ им. Ломоносова Институт Физики СПБГУ 3. Н.В. Марченков, А.Ю. Серегин, А.Е. Благов ИЗУЧЕНИЕ ЛОКАЛЬНОЙ ВАРИАЦИИ ПАРАМЕТРА РЕШЕТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИГОНАЛЬНОЙ СИНГОНИИ МЕТОДОМ КОМПЛАНАРНЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ РЕФЛЕКСОВ Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия 4. Е.В. Минеев, Н.В. Цвигун, И.Н. Букреева, И.В. Якимчук, В.Е. Асадчиков, В.В. Котляр, А.Г. Налимов, М.И. Шанина, В.А. Сойфер, Л. О'Фаолайн (стендовый) ИССЛЕДОВАНИЕ ЗОННЫХ ПЛАСТИНОК ДЛЯ ЖЕСТКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЛАБОРАТОРНЫХ ИСТОЧНИКАХ»

Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии РАН, 119333 г. Москва, Ленинский проспект, Институт систем обработки изображений РАН, Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Школа физики и астрономии Университета Сент-Эндрюса, Шотландия 5. Г.Т.Мулявко 1, А.П.Орешко 1, Е.Н.Овчинникова 1, В.Е.Дмитриенко 2, Г.Бютье 3, С.П.Коллинз 4, Г.Нисбет ИЗУЧЕНИЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ KH2PO4 С ПОМОЩЬЮ РЕЗОНАНСНОЙ ДИФРАКЦИИ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Москва, Россия Институт кристаллографии РАН им. А.В.Шубникова, Москва, Россия SIMaP, CNRS-Grenoble-INP, 38402 Saint-Martin d’Heres, France Diamond Light Source, Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, UK 6. А.Г. Налимов, В.В. Котляр ФОРМИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ В РЕНТГЕНОВСКОМ КОГЕРЕНТНОМ ИЗЛУЧЕНИИ ЗОННОЙ ПЛАСТИНКОЙ Учреждение Российской академии наук Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия 7. Н.В. Сафрюк, В.П.Кладько, А.В.Кучук, А.И.Гудыменко, А.Е.Беляев, В.Ф.Мачулин, П.М.Литвин, Yu I Mazur КОМПЛЕКСНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КОРОТКОПЕРИОДНЫХ СВЕРХРЕШЕТОК AlN/GaN ИФПНАНУ, Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева, Киев, Украина 8. В.А. Ткаль, А.В. Шараева, И.А. Жуковская КОМПЬЮТЕРНАЯ ЭКСПРЕСС-ДИАГНОСТИКА, ОСНОВАННАЯ НА РЕГИСТРАЦИИ ИЗМЕНЕНИЙ ЦВЕТОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВЕЩЕСТВ РАЗЛИЧНОЙ ФИЗИКО ХИМИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики, Великий Новгород, Россия 9. В.А. Ткаль, А.В. Шараева, И.А. Жуковская ЭКСПРЕСС-ДИАГНОСТИКА ВОДЫ, ОСНОВАННАЯ НА РЕГИСТРАЦИИ ИЗМЕНЕНИЙ ЦВЕТОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики, Великий Новгород, Россия ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ МАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕЗОНАНСНОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ М.А.Андреева Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991, Москва, Ленинские горы e-mail: Mandreeva1@yandex.ru Рентгеновская резонансная рефлектометрия особенностью спектров отражения является их вблизи краев поглощения приобрела новое асимметрия («дихроизм» в отражении) по качество. Метод обладает уникальной поляризации или по направлению поля.

чувствительностью к особенностям магнитного В случае периодических мультислоев упорядочения в многослойных структурах и асимметрия спектров отражения в брэгговских составляет мощную конкуренцию нейтронным максимумах зависит от распределения экспериментам, дополняя их элементной магнитных моментов резонансных атомов по селективностью. Кроме того, объем получаемой глубине периода. Теоретическая иллюстрация информации существенно расширяется за счет такой зависимости была представлена в [3].

исследования энергетических спектров Экспериментальные исследования распре отражения в дополнение к угловым деления по периоду наведенного магнитного зависимостям, а также за счет варьирования момента на атомах церия и лантана в структурах поляризации излучения. Исследования [Ce/Fe]n и [La/Fe]n соответственно были магнитной структуры разнообразных объектов, проведены на ESRF (BeamLine ID12) [4] по многокомпонентных структур, многослойных асимметрии спектров отражения, измеренных в пленок с различными типами межслойного нескольких порядках брэгговского отражения.

упорядочения методом рентгеновской Профиль изменения наведенных магнитных резонансной магнитной рефлектометри вблизи моментов на атомах Pt в интерфейсе Pt/Co краев поглощения на поляризованном излучении исследовался в работе [5] (XRMR – X-ray resonant magnetic reflectivity) Наведенные магнитные моменты на атомах активно ведется на многих станциях всех W исследовались в ПМС [Fe(3 нм)/W(1.1 нм)]n, в действующих синхротронов. которой при обработке спектров асимметрии Одной из первых работ, где наблюдался отражения в 4х брэгговских максимумах впечатляюще большой «дихроизм» в отражении обнаружено АФ упорядочение для атомных (до ~ 80%), была работа C.-С. Kao, et al. [1]. слоев W в каждом периоде структуры [6].

Эксперимент проводился на NSLS (Bell Для магнитных исследований представляют laboratories) в L-MOKE геометрии (магнитное интерес исследования петель магнитного поле в плоскости рассеяния). Исследуемая ОЦК гистерезиса, измеряемых по изменению пленка Со была составной частью многослойной асимметрии магнитных брэгговских максимумов структуры GaAs/ZnSe(56нм)/Fe(0.5нм)/Со(3.7нм) от ПМС, а также в диффузном рассеянии [7].

/Al2O3(36нм). Однако, ввиду сложной трансформации формы Зависимость отражения от направления брэгговских максимумов при изменении энергии намагниченности (или, что то же самое, от знака падающих фотонов [8], такие исследования круговой поляризации) приводит к могут давать противоречивые результаты. В возникновению брэгговских максимумов с работе [8] показано, что сложная форма (даже полуцелыми индексами на кривых отражения, минимум вместо максимума) «магнитных»

если исследуемая периодическая многослойная максимумов отражения от структур с АФМ структура (ПМС) имеет антиферромагнитное упорядочением определяется интерференцией межслойное (АФМ) упорядочение, приводящее к брэгговского магнитного отражения и удвоению магнитного периода по сравнению с остаточного немагнитного рассеяния [9].

химическим. Такие максимумы впервые Анализ влияния распределения магнитного наблюдались в работе [2] для АФМ структуры момента атомов железа по глубине периода на [Ag(1.1 нм/Ni80Fe20(1.3 нм)]n на излучении асимметрию резонансных спектров линейной поляризации, перпендикулярной интегральной интенсивности брэгговских плоскости рассеяния (T-MOKE геометрия) максимумов проведен в [10].

вблизи L3 края поглощения Ni (Eph=707 эВ). Исследование профилей распределения Наибольший интерес вблизи краев магнитных моментов Co и Mn в мультилоях, поглощения представляют энергетические включающих полуметаллические соединения спектры отражения. Форма спектров отражения Гейслера с немагнитными прослойками существенным образом трансформируется с [Co2MnGe/Au]n и [Co2MnGe/V]n, проведено в работе [11].

изменением угла скольжения [1]. Важной Спиральные развороты магнитных орбитальный и спиновый магнитный момент моментов в слоях Gd при приложении внешнего резонансных атомов. В работе [21] решалась поля в направлении, перпендикулярном к более сложная задача – определение раздельных жесткой оси намагничивания для структуры профилей распределения величины и [Fe/Gd]n, предложены для интерпретации данных направления спинового и орбитального момента XRMR в работах [12-13]. В работе [13] атомов Со при изменении знака внешнего поля обработка результатов была осложнена вблизи границы раздела с антиферромагнетиком предположением, что бислои в малопериодной FeMn в структуре Co/FeMn. Для этой структуры структуре не идентичны. имел место большой эффект сдвига обменного Эффект линейного дихроизма для - взаимодействия. Обработка данных XRMR позволила установить, что точечный пининг поляризованного излучения в отражении, то есть имеет место только для орбитальной эффект изменения интенсивности отражения при 90о-повороте образца исследовался в работе [14] состаляющей магнитного момента атомов Со.

Таким образом оказалось, что спиновй и на образце Ta/MnNi/Co/Ta/Cu в L3 резонансе Ni.

орбитальный моменты атомов Со могут быть Эксперимент подтвердил наличие AF непараллельными.

упорядоченной структуры в одиночном слое Ряд приведенных примеров разнообразных MnNi, находящемся в глубине многослойной магнитных исследований характеризуют метод структуры («buried layers»).

XRMR как исключительно эффективный и Экваториальный эффект Керра (T-MOKE).

плодотворный метод, позволяющий решать измерен для очень мягкого излучения в фундаментальные проблемы в теории окрестности 3р краев поглощения Fe (для магнетизма и проводить расшифровку энергий фотонов 56.5 эВ и 51.8 эВ) [15]. Образец магнитной структуры многослойных пленок, в представлял собой тонкую пленку железа на том числе и тех, которые являются базовыми GaAs. Эффект достигал 55 %.

элементами спинтроники. В то же время Определение оптических констант, включая интерпретация и обработка экспериментальных магнитные добавки, методом XRMR для L2, резонансных спектров отражения и их краев поглощения иттрия (то есть в асимметрии по поляризации или по направлению энергетических интервалах 2071 – 2095 эВ и поля представляет значительные трудности и 2145 – 2185 эВ) проведено на образце требует дальнейшего развития теории и Nb(4 nm)/YFe2(40 nm110)/Fe(1.5 nm)/Nb(50nm) совершенствования способов подгонки /сапфир [16].

экспериментальных данных.

Задача восстановления профиля изменения Главной особенностью теории резонансной наведенного магнитного момента резонансных магнитной рефлектометрии является атомов Au решалась для структуры необходимость учитывать эффект смешивания [Co (4.8 нм) / Au (1.2 нм)]10, изготовленной в условиях UHV (10 -9 мбар) на Si/SiO2 подложке поляризаций при отражении. Соотношения Паррата при обобщении на случай (Институт физики г. Братислава). Обработка анизотропного рассеяния формулируются для спектров асимметрии отражения по знаку векторных амплитуд тангенциальных компонент круговой поляризации, измеренных в 4х поля, а их преобразования при распространении порядках брэгговского отражения, позволила в каждом слое и при прохождении границы восстановить профили изменения по глубине раздела задаются 2х2-матрицами. Общий вид одного периода наведенного магнитного этих матриц определен в [22]. Другой подход в момента на атомах Au, которое оказалось теории рефлектометрии базируется на матрицах несимметричным и осциллирующим [17].

распространения, описывающих изменение Возможность АФМ упорядочения между тангенциальных компонент электрического и атомными слоями Au можно предположить, магнитного суммарного поля с глубиной z, и с исходя из данных об AF межслойном учетом смешивания поляризаций эти матрицы упорядочении, наблюдавшемся для структуры имеют размерность 4х4. В ряде работ [12,23,24] Co/Au/Co [18].

для нахождения такой матрицы используют Исследования аналогичной структуры собственные волны, различные в каждом слое, [Fe/Au]n в [19,20] привели к противоположному для которых известны волновые векторы и, заключению: о монотонном убывании следовательно, закон их изменения с глубиной.

наведенного магнитного момента атомов Au с Но процедура нахождения собственных векторов удалением от границы раздела Fe/Au.

для тензора диэлектрической проницаемости в Исследования в [20] были дополнены каждом слое довольно громоздкая, кроме того, в приложением внешнего поля. К сожалению, каждом слое требуется преобразование интерпретация данных XRMR достаточно собственных волн в их тангенциальные сложна и дает неоднозначные результаты, компоненты и обратно. В то же время из оптики которые, очевидно, следует перепроверять с общий вид дифференциальных 4х4-матриц помощью дополнительных методов.

распространения для любого тензора Известно, что анализ спектров XMCD (X-ray диэлектрической проницаемости известен magnetic circular dichroism) вблизи L2,3 краев поглощения позволяет раздельно определять давно [25,26], а в [22,27] подход детализирован для случая резонансного магнитного отражения [5] Geissler J., Goering E., Justen M., et.al., Phys.

Rev. B 65, 020405 (2001).

рентгеновских лучей. Соответствующий пакет программ имеется в [28]. [6] Jaouen N., Van der Laan G., Johal T. K., Необходимость работать с 4 Wilhelm F., Rogalev A., Mylonas S., Ortega L., дифференциальными уравнениями (или с 4х4 Phys. Rev.B 70, 094417 (2004).

дифференциальной матрицей распространения) [7] Marrows C. H., Steadman P., Hampson A. C., et для описания взаимодействия излучения с al., Phys. Rev. B 72, 024421 (2005).

анизотропными слоями следует из числа [8] Valvidares S. M., Quirs C., Mirone A., et al., неизвестных: Для волны любой падающей Phys. Rev. B 78, 064406 (2008).

поляризации (за исключением собственной) [9] Андреева М.А., Одинцова Е.Е., Письма в следует найти две независимые компоненты (x,y ЖЭТФ, т.93, с.78-82, 2011.

или, ) отраженной волны и две компоненты [10] Andreeva M.A., Smekhova A.G., Lindgren B., Bjrck M., Andersson G., JMMM 300, e прошедшей, то есть 4 неизвестных. из 4х (2006).

уравнений. Выбор же переменных в системе [11] Bergmann A., Grabis J., Nefedov A., уравнений может быть разным: это могут быть Westerholt K., Zabel H., J. Phys. D: Appl. Phys.

кроме тангенциальных компонент поля, 39, 842 (2006).

векторные амплитуды волн в прямом и обратном [12] Ishimatsu N., Hashizume H., Hamada S., et.al., направлении.

Phys. Rev. B 60, 9596 (1999).

Если в задаче на отражение от системы [13] Kravtsov E., Haskel D., te Velthuis S.G.E., слоев удается найти общие собственные et.al., Phys. Rev. B. 79, 1334438 (2009).

поляризации, то задача решается для [14] Oppeneer P.M., Mertins H.-Ch., Abramsohn собственных поляризаций также, как для случае D., et al., Phys. Rev. B 67, 052401 (2003).

изотропной среды (с 2х2 матрицами [15] Kleibert A., Valencia S., Mertins H.-Ch., распространения или по формуле Паррата), но со Bansmann J., BESSY- Annual reports 2003, p.163.

специфическими для каждой поляризации [16] Смехова А.Г., Andreeva M.A., Одинцова значениями восприимчивости. Найти Е.Е. и др. Кристаллография 55, 883 (2010).

собственные поляризации задачи достаточно [17] Andreeva M., Rogalev A., Smekhova A., et al.

сложно, но для отдельных случаев они известны.

“Fourth Seeheim Conference on Magnetism (SCM Это случай намагниченности среды - 2010)”, Program and Abstracts, P-07, p.168.

перпендикулярно плоскости рассеяния, когда [18] Grolier V., Renard D., Bartenlian B., et al.,, собственные поляризации – это Phys. Rev. Lett. 71, 3023 (1993).

поляризации, и для скользящих углов падения [19] Ohkochi T., Mibu K., Hosoito N., Journal of случай, когда намагниченность в плоскости the Physical Society of Japan, 75, 104707 (2006).

рассеяния и в плоскости поверхности, в этом [20] Hosoito N., Ohkochi T., Kodama K., случае собственными поляризациями можно Yamagishi R., Journal of the Physical Society of приблизительно считать круговые поляризации. Japan, 78, 094716 (2009).

Для обработки экспериментальных рефлек- [21] Goering E., Brck S., et al., “Fourth Seeheim тометрических данных желательно максимально Conference on Magnetism (SCM - 2010)”, упросить решения задачи на отражения. Поэтому Program and Abstracts, I-24., p.126-127.

во многих работах делаются попытки найти [22] Смехова А.Г. «Развитие метода приемлемые приближенные решения задачи, резонансного рентгеновского отражения используя, например, малость магнитной вблизи краев поглощения для исследования добавки к тензору восприимчивости магнитных мультислоев», Канд. дисс., физфак [12,13,29,30]. МГУ, 2006.

При углах скольжения, существенно [23] Zak J., Moog E.R., Liu C., Phys. Rev. B. 43, больших критического угла полного отражения, р. 6423, 1991.

наиболее постое решение дает кинематическая [24] Stepanov S.A., Sinha S.K., Phys. Rev. B 61, р.

теория. Переход к кинематическому пределу из 15302 (2000).

общих формул в анизотропном случае следует [25] Борздов Г.Н., Барковский Л.М., Лаврукович проводить аккуратно, поскольку в резонансной В.И,. Журнал прикладной спектроскопии 25, области энергий фотонов нельзя пренебречь с. 526 (1976).

анизотропным поглощением и преломлением. [26] Аззам Р., Башара Н., Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.

Работа поддержана РФФИ (гранты № 09-02 [27] Andreeva M.A., Smekhova A.G., Applied 01293-а, №10-02-00768-а) Surface Science 252, pp. 5619-5621 (2006).

[28] http://kftt.phys.msu.ru/personalii/Andreeva/XRMR.zip [29] Одинцова Е.Е., Андреева М.А., Поверх [1] Kao C.-С., Chen C.T., Johnson E. D. et al., Phys.

ность, рентгеновские, синхр. и нейтронные Rev. B 50, 9599 (1994).

исследования, № 11, с. 46–56 (2010).

[2] Tonnerre J.-M. et al., PRL 75, 740 (1995).

[30] Фраерман А.А., Татарченко Д.А., Известия [3] Sacchi M., Rassegna Scientifica 4, 3 (1999).

РАН, сер. физическая, 2011, в печати.

[4] Sve L., Jaouen N., Tonnerre J.M. et al., Phys.Rev. B 60, 9662 (1999).

Моделирование энергетических спектров выхода вторичных электронов в области L23 краев поглощения Si в условиях зеркального отражения от структуры SiO2/ Si/ SiO М.А. Андреева1, Е.Е. Одинцова1, Э.П. Домашевская2, В.А. Терехов2, С.Ю. Турищев Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия e-mail: katya.iney@gmail.com Влияние стоячих рентгеновских волн на Целью нашей работы являлось угловые зависимости выхода вторичного моделирование наблюдаемых вариаций формы излучения исследовалось во многих работах спектров.

[1-3]. По угловым зависимостям вторичного Главной сложностью в моделировании был излучения, измеренным в геометрии зеркального выбор абсолютных значений резонансных или брэгговского отражения определяют зависимостей оптических констант кремния и элементный состав многослойных структур его оксида. На рис. 2 приведены данные из селективно по глубине. Однако аналогичные различных источников для восприимчивостей Si исследования энергетических спектров до и SiO2 в области L23 краев поглощения кремния.

последнего времени не проводились.

Cущественные изменения формы 0.06 Si Re(), абс. ед. Im(), абс. ед.

0. резонансных энергетических спектров выхода 0.04 вторичных электронов в условиях зеркального 0. отражени впервые в рентгеновской оптике 0. 0. 4 llnl наблюдались в работе [4] (рис. 1). В этой работе 4 windt 0. исследовался выход фотоэлектронов из 0. многослойной пленки SiO2/Si/SiO2 в области L23 0. -0. 90 95 100 105 110 краев поглощения кремния. 90 95 100 105 110 Энергия фотонов, эВ Энергия фотонов, эВ o SiO2 Im(), абс. ед.

Re(), абс. ед.

L2,3 SiO2 0. -0. -0. L2,3 Si 0. -0. 1;

7;

-0. табл. Хенке;

0. 2;

6:

-0.06 3;

Эксперимент;

o Выход фотоэлектронов, отн. ед.

4;

из 2;

-0.07 0. o 90 95 100 105 110 7 90 95 100 105 110 Энергия фотонов, эВ Энергия фотонов, эВ o o Рис. 2. Спектральные зависимости реальной и o мнимой частей восприимчивости Si и SiO o вблизи L2,3 краев поглощения Si. Жирные o линии – зависимости, использованные в o качестве входных данных при численном o моделировании. Данные взяты из следующих o источников: 1 – [5], 2 – [6], 3 – [6], 4 – [7], 5 – [8], 6 – [8], 7 –[10].

90 95 100 105 Энергия фотонов, эВ Ввиду большого разброса табличных Рис. 1. Экспериментальные спектры выхода ФЭ значений, в качесве входных данных были для углов скольжения 5, 7, 9, 11, 13, 15, 17, 19, 21 использованы зависимости оптических констант и 25о (символы) из работы [4] и результат нашей кремния и его оксида из работы [5], а в подгонки (сплошные линии). Сверху – спектр программе расчета для этих зависимостей выхода вторичных электронов, измеренный при вводились варьируемые множители (независимо нормальном падении. Штриховкой отмечена для действительной и мнимой частей в каждом энергетическая область, в пределах которой слое). С помощью отдельной программы производилась подгонка.

варьировались асимптотические зависимости качественное согласие теории с экспериментом восприимчивости вдали от края поглощения (90 (рис. 1, сплошные линии).

Eph 99 эВ) для Si и SiO2, поскольку именно в Первоначально мы предполагали, что этой области энергий наблюдались наблюдаемые противофазные изменения формы спектров при изменении угла скольжения на 2о специфические осцилляции выхода вторичного излучения. объясняются тем, что фотоэлестроны выходят из При подгонке экспериментальных спектров резонансного слоя кремния, поскольку наиболее (Рис.3) варьировались также толщины слоев и яркие изменения («клювик» - вверх, «клювик» глубины выхода ФЭ. Выход фотоэлектронов вниз на спектрах) происходят для энергии (ФЭ) рассчитывали по формуле [12,13] фотонов ~100 эВ в крае поглощения для монокристаллического кремния. Однако, из Y = T(z, el )A(z)dz (1) оценок параметра el в функции выхода фотоэлектронов в статье [5] следовало, что основной вклад в экспериментальные спектры где A(z) – число ФЭ, образовавшихся в слое dz дает только верхний слой окисла. Это на глубине z, T (z, el ) – функция выхода ФЭ с предположение подтвердилось при глубиной выхода el. моделировании послойного выхода ФЭ в Число образовавшихся на глубине z ФЭ функции энергии (рис. 3).

пропорционально поглощению излучения в слое Эксперимент, отн.ед.

dz и квадрату амплитуды полного поля Результат фита излучения |E(z)|2 на этой глубине [12,13]: Выход из 1-го слоя o A(z) ~ Im((z)) E (z), (2) В условиях зеркального отражения поле излучения E(z) является суммой волн в прямом и обратном направлениях (стоячая волна). Для 0. вычисления E(z) сначала вычисляют отраженную 0. волну и суммарное поле на поверхности E(0), а 0. затем с помощью матриц распространения в |E(0)| 0. изотропной среде последовательно находят E(z) 0. [12]. Отметим, что мнимая часть o восприимчивости (z) связана с линейным коэффициентом поглощения излучения (z) :

= Im().

1. Функцию выхода ФЭ T (z, el ) мы 0. определяем в соответствии с работой [5]. |E(0)| 0. Дифференциальный выход ФЭ из слоя dz равен:

0. z 90 92 94 96 98 100 102 dS = exp cos sin dzdd, (3) Энергия фотонов, эВ el где - угол скольжения, – азимутальный угол.

Рис. 3. Результаты обработки энергетических После интегрирования (3) по углам получаем спектров выхода фотоэлектронов (сплошная функцию выхода ФЭ в виде:

линия) и моделирования выхода вторичных фотоэлектронов из первого слоя (пунктир) и z exp( t ) поля на поверхности пленки (2 и 4 панель, z el dt. (4) z сплошная линия) для 5о и 7о. Точки – T (z) = 2exp el el 1 t эксперимент.

Интересным представляется вопрос, каким Интеграл в (4) не вычисляется же образом нижележащий слой кремния аналитически, а является специальной функцией формирует свое влияние на спектр выхода («экспоненциальный интеграл»). Мы находим фотоэлектронов их верхнего слоя. На рис. его значения численно. Варьируемым представлено изменение суммарного поля параметров является глубина выхода ФЭ el. излучения с глубиной (стоячие волны) для К сожалению, в эксперименте не были выделенных энергий по спектру. Из этих измерены соответствующие спектры отражения, зависимостей следует, что в возникновении подгонка которых обычно является начальным пучности или провала на энергетическом спектре этапом обработки угловых или энергетических выхода фотоэлектронов ответственны зависимостей выхода вторичных излучений. Тем волноводные моды в слое кремния, не менее было получено удовлетворительное обеспечивающие увеличение поля в слое верхнего окисла для моды полуцелого порядка увеличение поглощения в слое кремния (узел суммарного поля на границе раздела со волноводная структура поля в слое кремния слоем окисла) и уменьшение для моды целого резко гасится (отраженная от нижней порядка (пучность поля на этой границе). поверхности слоя кремния волна становится Возникновение «клювика» на спектрах несущественной) и намечающаяся осцилляция выхода фотоэлектронов в области ~ 100 эВ на спектре выхода фотоэлектронов обрывается.

следует из того факта, что вследствие резкого Выход фотоэлектронов, отн. ед.

SiO2 Si SiO2 o |E(z)| o T(z) 90 92 94 96 98 100 102 Энергия фотонов, эВ Рис. 4. Экспериментальные спектры выхода вторичных электронов из [4] (символы) и их теоретическая подгонка (сплошные кривые). На вставках - изменение суммарного поля излучения с глубиной (стоячие волны) для выделенных энергий.

Таким образом, подгонка [6] http://henke.lbl.gov/optical_constants/ экспериментальных спектров выхода getdb2.html.

фотоэлектронов для многослойной пленки [7] Filatova E., Lukyanov V, et.al., J. Phys.:

SiO2/Si/SiO2 и модельные расчеты показали, что Condens. Matter, 11, 3355 (1999).

яркие вариации формы этих спектров с углом [8] http://www.esrf.eu/computing/scientific/xop2.0.

скольжения объясняются формированием [9] Windt D.L., Appl.Opt., 30, 15 (1991).

волноводного режима в слое кремния (или его [10] Tripathi P., Lodha G.S., et.al., Opt.Comm., 211, подавлением с увеличением поглощения), 215 (2002).

обеспечивающего существенные изменения [11] Filatova E., Stepanov A., et.al., J. Phys.:

амплитуды суммарного поля на поверхности Condens. Matter, 7, 2731 (1995).

структуры, с которой и происходит регистрация [12] Андреева М.А., Гитцович В.А., и др., Изв вторичных электронов. Эффект влияния АН, сер.физическая, 62, 406 (1998).

рентгеновских стоячих волн на энергетические [13] Бушуев В.А., Кузьмин Р.Н. // Вторичные спектры выхода вторичного излучения процессы в рентгеновской оптике. М.: Изд-во исследуется теоретически в нашей работе Моск.ун-та. 1990. 112 с.

впервые.

Работа выполнена при поддержке грантов 09-02-12207-офи_м, 09-02-01293-а, 10-02-00768-а [1] Henke B.L., Phys. Rev. A., 6, 94 (1972).

[2] Чумаков А. И., Смирнов Г.В., ЖЭТФ, 89, 1810 (1985).

[3] Круглов М.В., Соломин И.К., ФТТ, 28, (1986).

[4] Домашевская Э.П, Терехов В.А., Турищев С.Ю., тезисы докладов конференции РСНЭ НБИК, с.119 (2009).

[5] Karsai M., Lennard W.N., et.al., Appl.Surf.Sci., 99, 303 (1996).

ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТИЧНЫХ ДИСЛОКАЦИЙ С ОСЯМИ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ В.Г. Анисимов, Л.Н. Данильчук Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, 173003, г. Великий Новгород, Россия.

E-mail: v.anisimov@bk.ru В работах [1;

2] авторами для определения обеспечивалось приближение “толстого” кристалла с t10, где - линейный коэффициент природы и структуры ростовых дефектов фотоэлектрического поглощения (см-1), t упаковки (ДУ) в монокристаллах кремния использовалась новая методика, основанная на толщина кристалла (см). По розеткам идентификации частичных дислокаций, интенсивности вокруг частичных дислокаций в ограничивающих ДУ. Идентификация случае эффекта Бормана определялись все осуществлялась по розеткам интенсивности, основные параметры: тип дислокации, которые формируются вокруг дислокаций, кристаллографическое направление ее оси, выходящих на поверхность образца под углом, величина, направление и знак вектора Бюргерса.

Применялся так же секционный метод близким к 90°, в случае осуществления эффекта Бормана. Для подтверждения Ланга. Объектом исследования секционным экспериментальных результатов, полученных с методом Ланга была пластина кремния, помощью этой методики, было проведено вырезанная по плоскости (111).

исследование другими независимыми методами Топограммы получены на сканирующей [2]. рентгеновской камере установки ДРОН-0,5 и В работах [1;

2] было обнаружено, что УРС-50И в CuK1,2- излучении. Эти фотоснимки большинство ДУ в монокристаллах кремния, как топограмм (далее просто топограмм) имеют и в гомоэпитаксиальных слоях Ge и Si, были одинаковый контраст с исходными ограничены частичными дислокациями с осями топограммами. Светлый контраст на 101 (рис.1, ДУ2 и частичная дислокация d). топограммах соответствует интенсивности ниже Однако в монокристаллах Si впервые были уровня фона (отрицательному контрасту), а обнаружены ДУ, ограниченные частичными темный контраст – интенсивности выше уровня дислокациями с осями 112. Ни в одной фона (положительному контрасту).

теоретической работе не предполагалось Индексы Миллера плоскостей ДУ, существование частичных дислокаций с таким частичных и полных дислокаций определялись с кристаллографическим направлением. помощью стереографической проекции Поэтому исследование таких дефектов кристалла с кубической гранецентрированной упаковки представляет большой интерес. решеткой в направлениях 111 и 112.

Исследовался монокристалл кремния, На рис.1, рис.2, представлены фрагменты выращенный по методу Чохральского в топограмм, с одним и тем же ДУ 1, полученные направлении [111], с ростовыми дефектами методами РТБ и Ланга на отражениях типа r упаковки, возникшими при срыве g = 220 от пластин кремния вырезанных бездислокационного роста. В процессе перпендикулярно осям 111.

дальнейшего роста происходило разращивание На рисунках 1-1 и 2-1 представлен один и ДУ до размеров, соизмеримых с диаметром тот же дефект упаковки, ограниченый слева слитка. Потом из слитка нарезались пластины частичной дислокацией (а) с осью [112]. На рис. толщиной ~0,152мм с ориентациями ДУ1 от неё наблюдается отчетливый двойной поверхности (111).

черно-белый контраст интенсивности, то есть Для съемок методом рентгеновской она либо являются краевыми дислокациями, топографии на основе эффекта Бормана (РТБ) либо имеет большую краевую компоненту использовались сканирующая рентгеновская вектора Бюргерса. Правая частичная дислокация камера, лауэвская геометрия дифракции не видна из-за находящейся вблизи полной рентгеновских лучей, отражения 220 и 224 и дислокации (с).

характеристическое CuK1,2-излучение от трубки Таким образом, частичная дислокация с с линейчатым фокусом. При использовании осью [112] может быть идентифицирована или отражений 220 и 224 и толщин образцов ~2mm как частичная краевая дислокация Франка или излучении. Фотоснимки топограмм имеют как частичная краевая дислокация Шокли. одинаковый контраст с исходной топограммой.

На рис.3 приведён фрагмент топограммы, На рисунке 5 показана экспериментальная полученной с помощью кососимметричной топограмма от того же ДУ 1 в той же пластине сьёмки методом РТБ, от пластины Si с ДУ, кремния, полученные секционным методом вырезанной из слитка по плоскости (111) с тем Ланга в приближении сферической волны, же самым ДУ.

отражения [ 2 02], t=1,6, ширина щели На этом рисунке отчётливо видны розетки составляла 20 мкм.

интенсивности как от левой частичной Определение природы ДУ в данной работе дислокации (a), так и от полных дислокаций, было возможно только по полосам на выходной застрявших в ДУ (b,c).

поверхности.

Левая частичная дислокация (а) в ДУ Так как в работе Отье и Пателя [3] было имеет направление [211] и формирует хорошо доказано, что на секционных изображениях ДУ видимую достаточно симметричную вычитания первая полоса на выходной многолепестковую розетку интенсивности, поверхности имеет положительный (чёрный) характерную для частичных дислокаций контраст, а для ДУ внедрения первая полоса на краевого типа.

выходной поверхности имеет отрицательный По стереографическим проекциям с осями (белый) контраст и поскольку первая полоса на [111] и [112] видно, что такой краевой частичной выходной поверхности ДУ1 на рис.5 имеет дислокацией может быть только дислокация положительный (чёрный) контраст, то ДУ1 будет ra дефектом упаковки типа вычитания.


Франка с вектором Бюргерса b = [1 1 1 ], 3 Приведенные данные подтверждают ограничивающая ДУ вычитания, или экспериментальные результаты определения ra природы частичных дислокаций с осью [112], b = [ 1 11], ограничивающая ДУ внедрения. полученные при анализе экспериментальных изображений с помощью метода РТБ.

Детальное исследование контраста розетки Таким образом, в монокристалле Si, интенсивности показывает, что левая частичная выращенном из расплава в направлении [111], дислокация (а) сформировала симметричную обнаружены ДУ типа вычитания, ограниченные многолепестковую черно-белую розетку частичными дислокациями Франка с осью [112].

интенсивности с линией нулевого контраста, совпадающей с направлением [11 1 ] и вектором r g. Такие розетки характерны для краевых дислокаций.

Линия нулевого контраста совпадает с линией вектора Бюргерса, т.е. указывает на положение плоскости скольжения дислокации, а зона сжатия вблизи экстраполуплоскости g = [2 02 ] r характеризуется на топограмме положительным d контрастом.

Для частичной дислокации (а) зона сжатия вблизи экстраполуплоскости частичной c дислокации находится за пределами ДУ, что соответствует частичной краевой дислокации с плоскостью скольжения (1 10 ). Единственно b возможным вектором Бюргерса у таких (111) 300мк a частичных дислокаций в решетке алмаза может быть вектор типа с вектором Бюргерса ra b = [1 1 1 ], ограничивающая ДУ типа Рис.1 Фрагмент топограммы от пластины 3 Si, вырезанной из слитка по плоскости (111).

вычитания. Направление пучка лучей в кристалле [111].

Метод РТБ.

С целью подтверждения результатов, полученных с помощью метода АПРЛ, было проведено исследование тех же пластин кремния контрольным методом секционной топографии Ланга.

Топограммы были получены на сканирующей рентгеновской камере в МоK1 g = [2 02 ] r c b 300мк a Рис.2 Фрагмент топограммы пластины Si, вырезанной из слитка по плоскости (111). б Направление пучка лучей в кристалле [111]. Рис.4 Стереографические проекции Метод Ланга. кристалла с гранецентрированной кубической решеткой в направлениях: а - [111];

б - [112].

r g = [224] g = [2 02] r a b c ra b = [11 1] 3 300мк Рис.3 Фрагмент топограммы пластины Si с ДУ, вырезанной из слитка по [111]. Направление пучка лучей в кристалле [211], кососимметричная сьёмка, метод РТБ.

положение плоскости скольжения и экстраполуплоскости частичной дислокации 55 мкм показаны значком.

Рис.5 Экспериментальная топограмма от того же дефекта упаковки, полученная секционным методом Ланга в приближении сферической волны, МоК1 - излучение, [] 202, t=1,6. Белой стрелкой отражения показана первая полоса на выходной поверхности Список литературы 1. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 7, 92 (2002).

2. Анисимов В.Г., Данильчук Л.Н., Шульпина И.Л. Заводская лаборатория.

Диагностика материалов. 9, 44 (2007).

3. Authier A. Dynamical Theory of X- Ray Diffraction. New York. Oxford University Press а Inc.. 556 (2003).

_ СОЗДАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ТОНКИХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ В.В. Антипов1), А.С. Быков1), М.Д. Малинкович1), О. Камалов2) 1) НИТУ МИСиС, Ленинский проспект д. 2) Министерство народного образования Узбекистана, 742000, Нукус, Каракалпакстан e-mail: alex1349@gmail.com, тел.(495)236-65- струнами и толщина сапфировых направляющих предварительно были Получены бидоменные структуры в подобраны при помощи программы-модели, пластинах ниобата лития с одной доменной рассчитывающей теоретическое распределение границей разбивающей монокристалл на два полей в пластине и учитывающей влияние ряда объема с разными знаками пьезомодулей в факторов возникающих в процессе соседних доменах. Модуляция по объему эксперимента. Результаты опытов проведенных пьзомодулей позволяет получать при помощи струнных электродов показали их упругонеоднородную среду и при наложении несовершенство. Доменная граница не была электрического поля за счет обратного плоскопараллельной, имелись также и другие пьезоэффекта возникает упругая деформация дефекты границы, связанные с точностью разного знака – сжатие одного домена и установки электродов. Исходя из этого, в растяжение другого. Использование таких дальнейшем решено было применять электроды кристаллов в качестве биморфных на основе нанесенной на сапфировые пластины кристаллических элементов с продольно проводящей палладиевой пасты. Система изгибной деформацией позволит получать полосчатых электродов формировалась при прецизионные актюаторы микро- и нано помощи многофункциональной лазерной перемещения и позиционирования при прямом системы. Пластина с отожженным слоем преобразовании электрической энергии в палладиевой пасты подвергалась облучению по механическую деформацию [1].

предварительно созданному массиву линий, Высокая эффективность который задавал обрабатываемое лазером преобразования электрического сигнала в пространство пластины. Облучение механическую деформацию определяется проводилось со стороны без покрытия «на выбором направления поляризации с просвет» в режиме модулированной максимальным значением пьезомодуля и добротности на частоте 2=532 нм. Время непрерывностью кристаллической решетки задержки и раствор диафрагмы подбирались междоменной границы. При этом биморфы из опытным путем для достижения минимального монокристаллов не обладают механическим диаметра пятна при мощности достаточной для гистерезисом и остаточной деформацией даже удаления пасты с облучаемой области.

после многих циклов изгибов в широком Электроды позволяют управлять температурном интервале.

положением доменной границы, скоростью ее В настоящее время методы формирования зарождения и прорастания в объеме кристалла.

двухдоменной структуры в тонких пластинах Переполяризация происходит не сразу во всем ниобата лития не позволяют получить объеме, а постепенно в результате зарождения плоскопараллельные междоменные границы. В нанодоменов, затем их прорастания в полярном данной работе исследовалась возможность направлении и последующего расширения формирования двухдоменной структуры при путем бокового разращивания т.е. доменная помощи неоднородного электрического поля, кинетика связана с гистерезисным механизмом создаваемого специально созданной переполяризации за счет подвижности конструкцией электродов, которая позволяет доменных границ при высоких температурах.

добиться высокой точности эксперимента и При движении доменной стенки происходит возможности проводить процесс на образцах взаимодействие с дефектами структуры, большего размера.

которые тормозят движение и искажают форму Бидоменная структура создается путем границы.

отжига при температуре выше температуры Опыты, проведенные с использованием Кюри монодоменной пластины электродов на основе палладиевого покрытия, монокристаллического ниобата лития в показали значительное улучшение качества неоднородном электрическом поле, доменных границ и повышение создаваемом системой полосчатых электродов.

воспроизводимости результатов в сравнении со Температура Кюри для конгруэнтного ниобата струнными электродами.

лития составляет примерно 1147°С. В качестве проводящего и не окисляющегося материала [1] V.V.Antipov, A.S.Bykov, была выбрана платиновая проволока, M.D.Malinkovich, Y.N.Parkhomenko. Formation направляющие изготавливались из сапфира для of bidomain structure in lithium niobate single исключения реакции с образцом. Электрод crystals by electrothermal method// Ferroelectrics. представляет собой систему равноудаленных 2008.-V.374.Part2.-P.65.

параллельных струн. Расстояние между РЕНТГЕНОВСКАЯ МИКРОТОМОГРАФИЯ НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ В.Е.Асадчиков Институт кристаллографии РАН Email: asad@crys.ras.ru В работе описаны как возможности проведения рентгеновских томографических исследований в лабораторных условиях, так и основные алгоритмы реконструкции.

Представлен подход к выбору длины волны рентгеновского излучения для исследования образцов, различающихся по линейным размерам и составу. Показано, что для исследования биологических объектов с разрешением на уровне от единиц до десятков микрон оптимальны длины волн в диапазоне 0,5 – 2,5.

Приведены результаты исследования некоторых объектов биологической природы.

Описаны возможности исследования реальной структуры кристаллов методом рентгеновской топотомографии. Впервые представлено количественное описание дефектов на вогнутых полированных поверхностях с использованием эффекта «шепчущей галереи» и томографического подхода для локализации этих дефектов.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ МИКРОННЫХ СЛОЁВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ МЕТОДАМИ В ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН 0,071 – 0,194 НМ В.А. Балин, А.А. Ломов, А.Л. Васильев Физико-технологический институт РАН, Нахимовский проспект, 36/1, Москва, Россия Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, Россия e-mail vasily.balin@gmail.com Перспективы развития фотонной оптики эллипсометрией, комбинационным связывают с появлением материалов с рассеянием света, термопорометрией и т.д.

Для определения плотности ПК или новыми свойствами, у которых диэлектрическая проницаемость меняется с пористости Р слоев ПК при помощи периодом близким к длине волны излучения. рентгеновских лучей обычно используют Аналогом таких структур являются пористые величину критического угла полного слои, формируемые на полупроводниковых внешнего отражения с. Обычно считают [5], подложках. В настоящее время наибольший что для адекватного использования этой интерес связан с пористым кремнием из-за методики необходимо, чтобы шероховатость его совместимости с кремниевой подложки h не превышала критической технологией. величины hс:


Среди способов получения пористого hс= / (8 r01/2), (1) кремния (ПК) выделяется электрохимическое где -длина волны используемого травление (ЭХТ) в режиме анодирования. излучения, r0 –нулевая Фурье-компонента Популярность этого способа формирования поляризуемости образца. Поскольку r0 2, пор и кристаллитов кроме дешевизны связана то можно ожидать, что форма кривых ПВО не свозможностью формирования больших по будет изменяться в зависимости от длины площади пористых слоёв и с легкостью волны на подложках с шероховатостями управления целым рядом свойств ПК в одном меньше hс. В частности, для объемного процессе путем изменения величины и формы кремния из (1) получаем допустимую анодного тока [1, 2]. В дальнейшем поры максимальную величину hс 5нм. Может могут быть заполнены другим показаться, без учета морфологии пор, что полупроводниковым материалом для для пористых структур высота получения низкоразмерных гетероструктур шероховатости может быть больше.

[3,4].

Пористые слои кремния, как и других Важнейшей характеристикой ПК, полупроводниковых подложек представляют определяющей большинство его физических собой 3D- локально неоднородные по параметров, является величина пористости плотности материалы с шероховатой где VP – суммарный объем пор в поверхностью. Искажения только структуре с объемом V. В модели поверхности (без учета пор), ее присутствия в слое только кремниевых шероховатость, как в латеральном, так и в кристаллитов и пор пористость может быть нормальном к поверхности направлении выражена как P=1-ПК, где ПК = ПК/Si - сильно зависит от способа формирования пористой структуры. Величина относительная плотность пористого слоя. С шероховатости может меняться от единиц до учетом особенностей ПК (окружение десятков нанометров [6]. Сами же поры кристаллитов кремния аморфными окисными простираются на глубину всей структуры.

слоями, свободными радикалами, адсорбцией Настоящая работа посвящена влаги и т.п.) средняя плотность кристаллитов определению величин плотности может отличаться от Si. Важное значение для однослойных и многослойных пористых описания пористых структур имеет структур кремния методом ПВО с распределение величины пористости P(z) и использованием методов кривых типа пор по толщине слоев.

дифракционного отражения (КДО) и В случае толстых пленок пористость абсорбции в спектральном диапазоне 0.07 может быть измерена гравиметрическим 0.19 нм. Для контроля толщины и методом. Размер пор и их форма изучаются особенностей структуры использована методами электронной микроскопии, растровая электронная микроскопия (РЭМ).

изотермического поглощения газа, слоев толщиной порядка 6мкм представлены Эксперименты выполнялись на образцах ПК, полученных методом ЭХТ на подложках на рис. 2. Видно, что они сильно отличаются Si(111) (Sb) n+-типа проводимости ( ~ 0.01 от кривых для исходной подложки. #F0. Из-за конечного размера образцов форма Омсм). Исследовались как исходные коэффициента отражения имеет искаженную подложки, так и слои ПК. Однослойные слои «область» ПВО. Однако наиболее ПК (образцы #Lj8 и #Lj9) формировались в отличительной чертой является сильная растворе C2H5OH: HF(49%) = 1:1 при постоянном токе и времени 50 мА/см2 и 1мин спектральная зависимость формы кривых вблизи критического угла ПВО. Если для соответственно. При анодировании образца образца #Lj8 (крив.1) можно выделить один #Lj9 в электролит добавлялся йод.

угол с, то для #Lj9 (крив.3) наблюдается два Многослойные структуры #F4 и #F8 были сформированы при периодическом скачка на коэффициенте отражения.

изменении тока и времени травления в Поскольку слой ПК для #Lj9 имеет меньшую электролите C2H5OH: HF(49%) = 1:2. плотность, часть излучения отражается от границы ПК-подложка. Этот эффект Таблица пропадает при переходе к излучению с большей длиной волны (крив.3).

№ Толщина (РЭМ) N LПК, Обр субслоя, мкм бислоев мкм.

#F4 0,2 0,43 45 28, #F8 0,12 0,19 89 27, Рентгенодифракционные и рефлекто метрические исследования выполнялись на трехкристальном рентгеновском спектро метре ТРС- (СКБ ИКРАН). Работа выпол нялась при использовании излучения характеристических линий CuK1, MoK1, FeK1 от рентгеновских трубок. Пучок Рис. 2. Экспериментальные кривые ПВО излучения формировался кристаллом от образцов #LJ8 (1,2), #LJ9 (3,4).

монохроматором Si(111). Кривые ПВО (в Излучение Fe K1 (3), Cu K1 (1,4), Mo режиме /2 с приемной щелью 160 угл.с ) и K1 (2).

КДО от отражений 111 записывались в бездисперсионной геометрии. Для контроля При записи кривых с меньшей длиной были проведены дифракционные волны (образец #Lj8, крив.2), казалось бы, исследования исходной подложки #F должна появиться на кривой ПВО кремния.

дополнительная «ступенька», На рис. 1 показаны кривые ПВО, соответствующая с для подложки кремния.

записанные при различных длинах волн.

Однако, она не наблюдается. Форма кривой Видно, что резкое уменьшение деформируется как при сильном поглощении интенсивности наблюдается при углах или появившемся изгибе образца.

равных с, соответствующих отражению от Переходя к анализу кривых (рис.3) от монокристаллического кремния. При многослойной структуры #F4 толщиной меньших углах падения кривые имеют ярко 30мкм, видим, что в рассматриваемом выраженную область полного отражения.

спектральном диапазоне форма кривых практически не меняется, и среднюю плотность можно оценить достаточно надежно. Она оказалась равна 35%.

Рис.1. Экспериментальные кривые ПВО в режиме /2 от образца от образца #F излучение Fe K1 (1), Cu K1 (2), Mo K1 (3).

Кривые ПВО от исследуемых пористых Рис. 3. Экспериментальные кривые ПВО от образец #F4.

Проверка плотности слоя была проведена за счет эффекта абсорбции, который приводит к уменьшению интенсивности брэгговского максимума КДО (рис.4) от подложки при наличии на ней пленки. Видно, что на кривых КДО от образцов помимо максимума от подложки (=0) на кривых наблюдаются интенсивные и достаточно узкие ( = 10-20) максимумы (PS) от одиночных слоев ПК и размытые максимумы от модулированных структур ПК. Рис. 6. РЭМ изображение скола Определенная таким образом толщина слоя в пористого слоя образца #Lj9..

пределах ошибки совпала с данными РЭМ.

Рис. 4. Экспериментальные КДО Si (111) Рис. 7. РЭМ изображение скола от образцов F0 (0), 3LJ8 (1), 3LJ9 (2), F модулированной пористой структуры (3), F8 (4). Излучение Cu K1.

образца #F8.

Таким образом, комплексное Авторы выражают благодарность В.А.

применение нескольких рентгенодифрак Караванскому для предоставление образцов ционных методов позволяет проводить для исследований.

измерение средней плотности слоев и многослойных пористых структур кремния.

Работа выполнена при частичной финан Показано, что форма кривых ПВО очень совой поддержке гранта Российского фонда сильно зависит как от толщины микронных фундаментальных исследований (№ 10-02 слоев ПК, так и от морфологии 00527-а).

сформированных пор. Использование в эксперименте различных длин волн позволяет [1] Trifonov, T., Rodriguez, A., Marsal, L.F. et более надежно судить об особенностях al, Sens. Actuators A, 141, 662 (2008).

строения ПК. Наблюдаемые для толстых [2] Lomov, A.A., Karavanskii, V.A., Vasiliev, слоев «скачки» интенсивности вблизи с для A.L., et al., Crystallography Reports, 53, №5, подложки, по-видимому, связаны, с частью 742 (2008).

излучения, отраженного выходящими на [3] Sorokinh, L. M., Bogomolov V.N., поверхность кристаллитами кремния, а не с Hutchison J.L. et al., Nanostructured Materials, границей пористый слой-подложка. Для 12, 1081(1999).

выяснения этого эффекта необходимы [4] Ogata, Y.H., Kobayashi, K., Motoyama, М., дополнительные исследования.

Curr. Opin. Solid Statr Matter. Sci.,10, (2006).

[5] Блохин, М.А., Физика рентгеновских лучей. ГИТТЛ, Москва, 1953. 456 с.

[6] Voloshina, T.V., Kavetskaya, I.V., Karavanskii, V.A., J. Appl. Spectr., 71, №1, (2004).

Р ис. 5. РЭМ изображение поверхности пористого слоя образца #F4.

ИЗМЕРЕНИЕ КРИВЫХ ДИФРАКЦИОННОГО ОТРАЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ АДАПТИВНОГО РЕНТГЕНОАКУСТИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА – АНАЛИЗАТОРА Благов А.Е., Ковальчук М.В., Писаревский Ю.В., Просеков П.А.

Таргонский А.В.

Институт кристаллографии РАН, Москва E-mail:blagov@ns.crys.ras.ru ВВЕДЕНИЕ рентгеновским излучением в кристаллах, особенности которых описаны в [3].

Измерение кривых дифракционного МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ отражения (КДО) является одной из важнейших операций, проводимых при исследовании Для реализации немеханического измерения кристаллических объектов методами КДО с помощью рентгеноакустического элемента рентгеновской дифрактометрии [1], так как была собрана экспериментальная установка на позволяет получить богатую информацию как о базе трёхкристального рентгеновского физике взаимодействия рентгеновского спектрометра ТРС-1. Установка включала в себя излучения с веществом, так и о дефектной систему возбуждения и контроля ультразвуковых структуре исследуемых объектов. колебаний в кристаллах и систему регистрации В течение многих лет, начиная с 1927 года дифрагированного рентгеновского пучка, по настоящее время, измерения КДО проводятся позволяющую вести счет рентгеновских квантов по так называемой двухкристальной схеме [2], стробоскопически – только для определенной когда пучок рентгеновских квантов формируется фазы колебаний кристалла. На рис. 1.

монохроматором и щелями, а исследуемый представлена схема эксперимента.

кристалл устанавливается на гониометр, В качестве образца, используемого для позволяющий прецизионно поворачивать измерения КДО, был выбран кристалл Si, образец, изменяя угол падения рентгеновского который помещался в расходящийся пучок пучка.

Такие системы сложны в производстве и Детектор Рентгеноакустический Щель NaI анализатор обслуживании, а необходимость механической S (440) i [110] перестройки существенно ограничивает Исследуемый кристалл KS возможности использования такой техники для Щель Источник Система MoK возбуждения изучения быстро протекающих процессов или ультразвука нестабильных объектов с временным Система стробоскопической разрешением. регистрации КДО В настоящей работе впервые предложен и Рис. 1. Общая схема эксперимента по измерению КДО с помощью рентгеноакустического реализован метод немеханического измерения анализатора.

КДО за счет ультразвуковой модуляции практически сразу после рентгеновского параметра решетки одного из элементов источника. Далее пучок направлялся на рентгенооптической схемы. Метод основан на рентгеноакустический элемент – составной взаимодействиях длинноволнового ультразвука с кристалл-анализатор, установленный в геометрии дифракции по Лауэ и позволяющий ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ измерять угловую зависимость интенсивности На рис. 3 представлен контур кривой дифрагированного пучка. дифракционного отражения с включенным ультразвуком при интегральной схеме Распределение амплитуды деформации регистрации (жирная кривая) и образующие а) компоненты кривых дифракционного отражения S iO Si [110] при нескольких фазах периода ультразвука. Эти кривые могут быть зарегистрированы Рент. пучок экспериментально традиционным способом (т.е.

d/ d поворотом кристалла) в режиме стробоскопической регистрации рентгеновского б) - -/ 2 0 / 2 пучка. В этом случае колеблющийся кристалл можно рассматривать как статический объект с Рис. 2. а) Распределение амплитуды деформации и положение рентгеновского пучка в области фиксированной деформацией.

пространственно-однородной деформации;

б) изменение во времени параметра решетки за счет ультразвуковой упругой деформации. = -/ = -3/ -1/ /2 / 1/4 = -1/ 0, = -1/ Рентгеноакустический элемент (рис. 2), = 0, Интенсивность Отн./ед.

= 1/ состоял из кристалла-резонатора (SiO2) и = 1/ 0,4 = 3/ = / кристалла-анализатора (Si). Резонатор под integral 0, воздействием низкочастотных электрических 0, колебаний, за счет обратного пьезоэффекта 0, возбуждает в анализаторе ультразвуковые волны. 0, -40 -20 0 20 Геометрические параметры кристаллов Угловое положение, " подбираются исходя из условия совпадения Рис. 3. Интегральная КДО записанная собственных частот. В этом случае реализуется традиционным способом с помощью поворота кристалла при включенном ультразвуке (жирная синусоидальный характер распределения упругой кривая), и «мгновенные» стробоскопические деформации по длине кристалла (рис. 2а), а кривые качания для нескольких характерных значений фаз периода ультразвукового колебания.

амплитуда ультразвуковой деформации решетки Расстояние между пиками кривых измеренных в изменяется во времени с частотой ультразвука по фазах –/2 и /2 определяет диапазон углового сканирования при данной амплитуде ультразвука.

закону синуса (рис. 2б). Т.е. длинноволновый ультразвук позволяет создавать градиентные и Если механический поворот исключить, то однородные деформации кристаллической каждое фиксированное значение фазы решетки и динамически управлять параметром ультразвуковых колебаний будет соответствовать кристаллической решетки [4]. В настоящей определенному углу на кривой КДО работе для сканирования параметров дифракции и (определенной угловой отстройке кристалла от записи кривых дифракционного отражения точного брэгговского положения).

рентгеновский пучок был направлен на область Следовательно, для регистрации КДО с помощью кристалла с пространственно однородной, рентгеноакустического анализатора в переменной во времени акустической эксперименте необходимо измерить деформацей. интенсивность дифрагированного пучка в зависимости от фазы ультразвуковых колебаний.

На рис. 5 представлены КДО рефлекса (440) При достаточной интенсивности образца Si, измеренные путем электронной рентгеновского источника возможно измерение перестройки фазы колебаний и кривые, КДО за время равное половине периода полученные традиционным методом. колебаний рентгеноакустического анализатора.

Частота собственных колебаний используемого в 1.0 Рентгенооакустический метод Гауссова апроксимация работе рентгеноакустического элемента 0. a) 0. составляет 160,5 кГц, следовательно, время I/I 0. регистрации кривой может достигать 3*10- 0. 0. секунд.

-4 -2 0 2 Таким образом, в настоящей работе впервые Традициононный способ 1. Гауссова апроксимация предложен и реализован принципиально новый б) 0. 0. рентгеноакустический метод измерения КДО.

I/I 0. Отличительной особенностью данного метода 0. 0. является возможность проведения прецизионных -4 -2 0 2 измерений на достаточно простых '' Рис. 5. КДО измеренная рентгеноакустическим неавтоматизированных гониометрах, с высоким а) и традиционным способом - поворотом разрешением по времени.

исследуемого кристалла б).

Работа выполнена при поддержке Минобрнауки (ГК №16.740.11.0095) и совета по ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ грантам Президента РФ (грант № МК156.2.2010).

Экспериментальные результаты позволяют утверждать, что предложенная методика измерения кривых дифракционного отражения [1] И.Я. Никифоров, Ю.Ф. Мальцев.

является достоверной и при определенных Аппаратура и методы рентгеновского анализа, № условиях более удобна и точна. 17, 64, В настоящем эксперименте максимальный [2] S.K. Allison, J.H. Williams. Phys. Rev., 35, диапазон сканирования составлял 70". Такой 1476, угловой диапазон достаточен для исследования [3] А.Е. Благов, М.В.Ковальчук, В.Г. Кон, В.В.

большого числа монокристаллических образцов.

Лидер, Ю.В. Писаревский. Исследование Однако, для более сложных объектов возможностей управления рентгеновским пучком перспективным выглядит проведение с помощью кристалла, подвергнутого экспериментов с применением поперечных длинноволновым ультразвуковым колебаниям. // акустических колебаний, что позволит в ЖЭТФ, 128, вып. 5(11), 2005, с. 893-903.

несколько раз увеличить диапазон углового сканирования. [4] А.Е. Благов, М. В. Ковальчук, В. Г. Кон, Угловое разрешение метода определяется Ю. В. Писаревский. Динамическое изменение быстродействием регистрирующей аппаратуры и параметра решетки кристалла с помощью зависит от таких параметров, как частота ультразвука в рентгенодифракционных ультразвука и его амплитуда. Угловое разрешение экспериментах. // Кристаллография, 51, вып. 5, метода может достигать 0,05". 2006, с. 779- ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР Н.И. Боргардт (МИЭТ, Зеленоград) 1. Характеристика электронно-микроскопических методов Растровая и просвечивающая электронная микроскопия. Системы с электронным и фокусированным ионным пучком. Возможности и ограничения электронно микроскопических методов.

2. Растровая электронная микроскопия Устройство растрового и принцип работы электронного микроскопа. Формирование контраста в растровом электронном микроскопе.

Рентгеноспектральный химический микроанализ.

3. Система с фокусированным ионным пучком Устройство системы с фокусированным ионным пучком. Взаимодействие ионного пучка с образцом.

Основные приемы модификации и препарирования наноразмерных структур с применением ионного пучка. Приготовление тонких фольг для просвечивающей электронной микроскопии.

4. Просвечивающая электронная микроскопия Устройство и режимы работы просвечивающего электронного микроскопа. Получение изображений и дифракционных картин.

Упругое и неупругое рассеяние электронов. Возникновение дифрагированных электронных волн. Изображения с дифракционным контрастом. Дифракционный контраст на изображениях кристаллических образцов с дефектами.

Высокоразрешающая электронная микроскопия. Распространение электронных волн в тонком образце. Влияние оптической системы на формирование контраста на изображении. Высокоразрешающие изображения кристаллических и некристаллических образцов.

Аналитические исследования на основе анализа характеристического рентгеновского излучения и спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов.

5. Исследование полупроводниковых структур электронно-микроскопическими методами Приготовление поперечных сечений СБИС с применением фокусированного ионного пучка. Исследование поперечных сечений методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии.

Химический микроанализ слоев СБИС.

ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ В ТОМОГРАФИИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГИБРИДНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ А.В. Бузмаков, М.В. Чукалина, В.Е. Асадчиков Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия e-mail: buzmakov@gmail.com Применение современных алгебраические методы основаны на решении вычислительных систем, сочетающих в себе систем линейных алгебраических уравнений и несколько CPU и GPU (графические процессоры) являются итерационными. Суть внесённых позволяют эффективно реализовывать новые улучшений состоит во введении этапа методы обработки данных рентгеновской нелинейной фильтрации между итерациями томографии и микроскопии. метода SART. На этапе фильтрации применялся Разрешение современных медианный фильтр с размером анализируемой микротомографов зачастую ограничено области 3 на 3 пикселя. Причём влияние этого пространственным разрешением детектора и фильтра уменьшалось по мере увеличения составляет 6-10 мкм.[1] На синхротронных номера итерации. Это позволило на начальных источниках часто используют детекторы, где шагах работы алгоритма отсеять резкие шумовые рентгеновское изображение конвертируется в пики, а в конце работы алгоритма выявить видимый диапазон, которое затем оптическим тонкие детали изображения.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.