авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 | 2 ||

«Государственное научное учреждение «ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ИМЕНИ Б.И. СТЕПАНОВА НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК БЕЛАРУСИ» На правах рукописи УДК ...»

-- [ Страница 3 ] --

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК Список использованных источников 1. Eye-safe laser scanner for range imaging / M. Rioux [et al.] // Applied Optics. – 1991. – Vol. 30, № 16. – Р. 2219–2223.

2. Kruapech, S. Laser range finder using Gaussian beam range equation / S. Kruapech, J. Widjaja // Optics & Laser Technology. – 2010. – Vol. 42. – Р. 749– 754.

3. Lupton, J.R. Nonablative laser skin resurfacing using a 1540 nm erbium glass laser: a clinical and histologic analysis / J.R. Lupton, C.M. Williams, T.S. Alster // Dermatologic Surgery. – 2002. – Vol. 28, № 9. – Р. 833–835.

4. Исследование характеристик эрбиевого мини лазера для микродвигателя космического назначения / А.Н. Чумаков [и др.] // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: сб. ст. 8-го Бел.–Рос. семинара, Минск, 17–20 мая 2011 г. / Институт физики НАН Беларуси;

под ред. В.З. Зубелевича, В.К.

Кононенко, Г.П. Яблонского. – Минск, 2011. – С. 104–109.

5. Two-dimensional velocity measurements with self-mixing technique in diode pumped Yb: Er glass laser / L. Kervevan // IEEE Photonics Technology Letters. – 2004. – Vol. 16, № 7. – Р. 1709–1711.

6. Steen, W.M. Laser material processing / W.M. Steen, J. Mazumder. – London: Springer-Verlag, 2010. – 558 p.

7. The HITRAN 2008 molecular spectroscopic database / L.S. Rothman [et al.] // Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer. – 2009. – Vol. 110, № 9–10. – Р. 533–572.

8. Сверчков, С.Е. 1,5 мкм иттербий-эрбиевые лазеры с диодной накачкой – элементная база и генерационные возможности: дис.... д-ра физ.-мат. наук:

01.04.21 / С.Е. Сверчков. – Москва, 2005. – 238 л.

9. Diode-pumped CW bulk Er:Yb:glass laser / P. Laporta [et al.] // Optics Letters. – 1991. – Vol. 16, № 24. – Р. 1952–1954.

10. High efficiency diode-pumped Q-switched Yb:Er:Glass lasers / V. Boutchenkov [et al.] // Optics Communications. – 2000. – Vol. 177. – Р. 383–388.

11. Шачкин, Л.В. Yb, Er-лазер на фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности резонатора / Л.В. Шачкин // Квантовая электроника. – 2006. – Т. 36, № 2. – С. 106–1033.

12. Калинин, В.Н. О тепловыделении в иттербий-эрбиевых стеклах при лазерной и ламповой накачке / В.Н. Калинин, В.А. Фромзель // Журнал технической физики. – 1980. – Т. 50, № 5. – С. 1030–1033.

13. Линейки лазерных диодов непрерывного режима работы, тип ЛЛД-10 // ОАО «Научно-производственное предприятие «Инжект» [Электронный ресурс]. – 2013. – Режим доступа: http://www.inject-laser.ru/products/oscillators/ subpage3.ivp. – Дата доступа: 01.05.2013.

14. Спецификация на лазерные линейки // ЗАО «Полупроводниковые приборы» [Электронный ресурс]. – 2013. – Режим доступа: http://www.atcsd.ru/ rus/prod1_3.php. – Дата доступа: 01.05.2013.

15. AB098C20W technical data // Roithner Lasertechnik GmbH [Electronic resource]. – 2013. – Mode of access: http://www.roithner-laser.com/datasheets/ ld_array/ab098c20w.pdf. – Date of access: 01.05.2013.

16. Diehl, R. High-power diode lasers: fundamentals, technology, applications / R. Diehl. – Amsterdam: Springer-Verlag Heidelberg, 2000. – 408 с.

17. Кейси, Х. Лазеры на гетероструктурах: в 2 т. / Х. Кейси, М. Паниш. – Москва: Мир, 1981. – Т. 2. – 364 с.

18. Diode-pumped bulk erbium-ytterbium lasers / S. Taccheo [et al.] // Applied Physics B. – 1996. – Vol. 63. – Р. 425–436.

19. Investigation of the roundtrip cavity loss in laser diode pumped erbium:

ytterbium-phosphate glass microchip lasers / S. Liu [et al.] // Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol. 102. – Р. 103101-1–4.

20. Rate equation model analysis on the infrared and upconversion emission of Er/Yb co-doped borate-silicate glass / S. Li [et al.] // Journal of Rare Earths. – 2010. – Vol. 28, № 2. – Р. 237–242.

21. Тепловой баланс в малогабаритных импульсных лазерах на эрбиевых стеклах с диодной накачкой / Ю.Н. Батов [и др.] // Оптический журнал. – 2002. – Т. 69, № 9. – С. 5–10.

22. Tanguy, E. Modelling of the erbium–ytterbium laser / E. Tanguy, C. Larat, J.P. Pocholle // Optics Communications. – 1998. – Vol. 153. – Р. 172–183.

23. Мощные высокоэффективные квазинепрерывные лазерные линейки для накачки твердотельных лазеров на основе Yb-содержащих активных сред / Н.И. Кацавец [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2004. – Т. 30, № 24. – С. 43–48.

24. 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами / А.Ю. Абазадзе [и др.] // Квантовая электроника. – 2001. – Т. 31, № 8. – С. 659–660.

25. Кононенко, В.К. Влияние радиационного шума на порог и мощность генерации инжекционного лазера / В.К. Кононенко, В.П. Грибковский // Физика и техника полупроводников. – 1971. – Т. 5, № 10. – С. 1875–1881.

26. Chuang, S.L. Amplified spontaneous emission and carrier pinning in laser diodes / S.L. Chuang, J. O’Gorman, A.F. Levi // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1993. – Vol. 29, № 6. – Р. 1631–1639.

27. Amplified luminescence and threshold current temperature dependencies of ZnSe and GaN laser diodes / L.I. Burov [et al.] // Applied Physics B. – 2002. – Vol. 75. – Р. 63–66.

28. Bleaching effect in passive regions of powerful 1.02 µm InGaAs/AlGaAs DQW laser diodes with ridged waveguide structure / G.I. Ryabtsev [et al.] // Applied Physics B. – 2008. – Vol. 90. – Р. 471–476.

29. Tsang, W.T. The effects of lateral current spreading, carrier out-diffusion, and optical mode losses on the threshold current density of GaAs-AlxGa1xAs stripe geometry DH lasers / W.T. Tsang // Journal of Applied Physics. – 1978. – Vol. 49, № 3. – P. 1031–1044.

30. Gity, F. Numerical analysis of void-induced thermal eects on GaAs/ Al xGa1-xAs high power single-quantum-well laser diodes / F. Gity, V. Ahmadi, M. Noshiravani // Solid-State Electronics. – 2006. – Vol. 50. – Р. 1767–1773.

31. Sommers, H.S. Spontaneous power and the coherent state of injection lasers / H.S. Sommers, D.O. North // Journal of Applied Physics. – 1974. – Vol. 45. – Р. 1787–1793.

32. Sommers, H.S. The power spectrum of injection lasers: the theory and experiment on a nonlinear model of lasing / H.S. Sommers, D.J. North // Solid-State Electronics. – 1976. – Vol. 19. – Р. 675–699.

33. Paoli, T.L. Saturation behavior of the spontaneous emission from double heterostructure junction lasers operating high above threshold / T.L. Paoli // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. – 1973. – Vol. 9, №2. – Р. 267– 272.

34. Rate equations analysis of phase-locked semiconductor laser arrays under steady state conditions / J. Katz [et al.] // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1984. – Vol. QE-20, № 8. – Р. 875–879.

35. Hadley, G.R. Comprehensive modeling of diode arrays and broad-area devices with applications to lateral index tailoring / G.R. Hadley, J.P. Hohimer, A.

Owyoung // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1988. – Vol. 24, № 11. – Р. 2138–2152.

36. Facet heating and axial temperature profiles in high-power GaAlAs/GaAs laser diodes / U. Menzel [et al.] // Microelectronics Reliability. – 1998. – Vol. 38. – Р. 821–825.

37. Высоцкий, Д.В. Уравнение для огибающей поля в линейке полупроводниковых лазеров и анализ нелинейных эффектов / Д.В. Высоцкий, А.П. Напартович // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 1999. – Т. 115, № 2. – С. 416–430.

38. Botez, D. Diode laser arrays / D. Botez, D.R. Scifres. – Cambridge:

Cambridge University Press, 1994. – 448 p.

39. Murdick, D.A. Low-temperature atomic assembly of stoichiometric gallium arsenide from equiatomic vapor / D.A. Murdick, X.W. Zhou, H.N.G. Wadley // Journal of Crystal Growth. – 2006. – Vol. 286. – Р. 197–204.

40. Study of n type porous GaAs by photoluminescence spectroscopy: effect of the etching time on the deep levels / T. Abdellaoui [et al.] // Applied Surface Science. – 2010. – Vol. 256. – Р. 5946–5951.

41. Performance of high-power laser diode arrays for spaceborne lasers / Y.

Durand [et al.] // Applied Optics. – 2006. – Vol. 45, № 22. – Р. 5752–5757.

42. Bandgap tuning of semiconductor quantum well laser structures using high energy ion implantation / S. Charbonneau [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 1995. – Vol. 106. – Р. 457–460.

43. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации / С.А. Ахлестина [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2010. – Т. 36, № 4. – С. 81–87.

44. Gradual degradation in 980 nm InGaAs/AlGaAs pump lasers / M. Bettiati [et al.] // Materials Science and Engineering B. – 2002. – Vol. 91–92. – Р. 486–490.

45. Long-term reliability prediction of 935 nm LEDs using failure laws and low acceleration factor ageing tests / Y. Deshayes [et al.] // Quality and Reliability Engineering International. – 2005. – Vol. 21. – Р. 571–594.

46. Potential sources of degradation in InGaAs/GaAs laser diodes / I.

Rechenberg [et al.] // Materials Science and Engineering B. – 1994. – Vol. 28. – Р. 310–313.

47. Landsberg, P.T. Evidence of no k-selection in gain spectra of quantum well AlGaAs laser diodes / P.T. Landsberg, M.S. Abrahams, M. Osinski // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1985. – Vol. 21, № 1. – Р. 24–28.

48. Taylor, G.W. Theory of operation of the quantum-well injection laser without k selection / G.W. Taylor // Journal of Applied Physics. – 1991. – Vol. 70, № 5. – Р. 2508–2535.

49. Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правил отбора / А.А. Афоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1997. – Т. 31, № 9. – С. 1087–1091.

50. Афоненко, А.А. Теория полупроводниковых лазеров / А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак. – Минск: Белгосуниверситет, 1995. – 108 с.

51. Lau, W.S. General theory of acceptor-oxygen-vacancy complex single donor in high-dielectric-constant metallic oxide insulators/ W.S. Lau, T. Han // Applied Physics Letters. – 2005. – Vol. 86. – Р. 152107-1–3.

52. Optimal output mirror reflection coefficient for powerful InGaAs/AlGaAs laser diode arrays / M.V. Bogdanovich [et al.] // Optics & Laser Technology. – 2013. – Vol. 45. – Р. 177–180.

53. The effects of indium segregation on the valence band structure and optical gain of GaInAs/GaAs quantum wells / S. Wu [et al.] // Physica E. – 2009. – Vol. 41. – Р. 1656–1660.

54. Spectroscopy of Er and Er–Yb-doped phosphate glasses / R. Francini [et al.] // Optical Materials. – 2000. – Vol. 13. – Р. 417–425.

55. Spectra and laser properties of Er+3, Yb+3: phosphate glasses / Z. Liu [et al.] // Optical Materials. – 2003. – Vol. 21. – Р. 789–794.

56. Spectral and temporal properties of diode-pumped Er, Yb: glass laser / G.I.

Ryabtsev [et al.] // Optics Communications. – 2005. – Vol. 252. – Р. 301–306.

57. Грибковский, В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В.П. Грибковский. – Минск: Наука и техника, 1975. – 464 с.

58. Suhara, T. Semiconductor laser fundamentals / T. Suhara. – New York:

Marcel Dekker, Inc., 2004. – 306 p.

59. Non-radiative current in InGaAs/AlGaAs laser diodes as a measure of facet stability / G. Beister [et al.] // Solid-State Electronics. – 1998. – Vol. 42, № 11. – Р. 1939–1945.

60. Metalorganic chemical vapor deposition growth of high-quality and highly uniform strained InGaAs quantum wells in a high-speed rotating-disk reactor / S.

Karakida [et al.] // Journal of Crystal Growth. – 1994. – Vol. 145. – Р. 662–667.

61. Reliable high-efficiency high-brightness laser diode bars at 940 nm / H. Li [et al.] // Optics & Laser technology. – 2004. – Vol. 36. – Р. 327–329.

62. 0.78- and 0.98-pm ridge-waveguide lasers buried with AlGaAs confinement layer selectively grown by chloride-assisted MOCVD / A. Shima [et al.] // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. – 1995. – Vol. 1, № 2. – Р. 102– 108.

63. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребневой конструкцией оптического волновода / В.В. Поповичев [и др.] // Квантовая электроника. – 2002. – Т.32, № 12. – С. 1099–1104.

64. Comprehensive semiconductor science and technology: 6 vol. / editors-in chief: P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura. – Amsterdam: Elsevier, 2011. – Vol. 5: Devices and Applications / L.J. Mawst, N. Tansu. – 2011. – 743 p.

65. Zory, P. Quantum well lasers / P. Zory. – London: Academic Press, Inc., 1993. – 504 p.

66. Chow, W.W. Semiconductor-laser fundamentals / W.W. Chow, S.W.

Koch. – New York: Springer-Verlag Heidelberg, 1999. – 245 p.

67. Coldren, L.A. Diode lasers and photonic integrated circuits / L.A. Coldren, S.W. Corzine. – New York: John Willey & Sons, Inc., 1995. – 594 p.

68. Соколова, З.Н. Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера / З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, № 8. – С. 1067–1073.

69. Слэб-лазер на эрбиевом стекле с поперечной диодной накачкой / Г.И. Рябцев [и др.] // Оптический журнал. – 2008. – Т. 75, № 11. – С. 21–25.

70. Рябцев, Г.И. Мощные диодные лазеры / Г.И. Рябцев // Наука и инновации. – 2003. – № 7-8. – С. 32–39.

71. Кабанов, В.В. Генерационные и нелинейно-оптические свойства микрорезонаторов / В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок // Лазерная физика и оптические технологии: сб. науч. трудов VII Междунар. конф., Минск, 17– июня 2008 г.: в 3 т. / Национальная Академия наук Беларуси;

под ред. В.А.

Орловича [и др.]. – Минск, 2008. – Т. 3. – С. 507–510.

72. Epler, J. E. Dependence of central-lobe output power on fill factor of an in phase laser array / J. E. Epler, R.L. Thornton, T.L. Paolig // Electronics Letters. – 1987. – Vol. 23, № 14. – Р. 754–755.

73. Leger, J.R. External diode laser array cavity with mode selecting mirror / J.R. Leger, G. Mowry // Applied Physics Letters. – 1993. – Vol. 63, № 21. – Р. 3884–3886.

74. Фазировка линейки мощных лазерных диодов / В.В. Апполонов [и др.] // Квантовая электроника. – 1999. – Т. 29, № 1. – С. 1–3.

75. Кандидов, В.П. Фазовая фильтрация синфазной моды лазерной линейки в резонаторе Тальбо / В.П. Кандидов, И.В. Терехова // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 6. – С. 531–536.

76. Transient thermal analysis of InGaAsP-InP high-power diode laser arrays with different fill factors / A. Gourevitch [et al.] // Journal of Applied Physics. – 2005. – Vol. 97. – Р. 084503-1–6.

77. Thermal resistance and optimal ll factor of a high power diode laser bar / B. Laikhtman [et al.] // Semiconductor Science and Technology. – 2005. – Vol. 20. – Р. 1087–1095.

78. Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах / А.А. Петухов [и др.] // Журнал технической физики. – 2011. – Т. 81, № 4. – С. 91–96.

79. Auger recombination in bulk and quantum well InGaAs / S. Hausser [et al.] // Applied Physics Letters. – 1990. – Vol. 56. – Р. 913–915.

80. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров ( = 1.0 – 1.9 мкм) / А.В. Лютецкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42, № 1. – С. 106–112.

81. A time-domain model for high-speed quantum-well lasers including carrier transport effects / L.V.T. Nguyen [et al.] // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. – 1995. – Vol. 1, № 2. – Р. 484–504.

82. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs / В.В. Кабанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, № 10. – С. 1339–1343.

83. Lasher, G. Comprehensive modeling of diode arrays and broad-area devices with applications to lateral index tailoring / G. Lasher, F. Stern // Physical Review. – 1964. – Vol. 133, № 2A. – Р. A553–A563.

84. Кононенко, В.К. Влияние легирования на пороговый ток в инжекционном лазере / В.К. Кононенко, В.П. Грибковский // Весцi АН БССР. – 1968. – № 3. – С. 98–107.

85. Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP / В.В. Кабанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 4. – С. 522–526.

86. Чертов, А.Г. Единицы физических величин. Учебное пособие для вузов / А.Г. Чертов. – Москва: Высшая школа, 1977. – 287 с.

87. Gribkovskii, V.P. Injection lasers / V.P. Gribkovskii [et al.] // Progress in Quantum Electronics. – 1995. – Vol. 19. – Р. 41–88.

88. Trapped radiation in injection lasers / V.P. Gribkovskii [et al.] // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1976. – Vol. 12, № 6. – Р. 322–326.

89. The effect of cavity trapped amplified luminescence on the dynamics of laser diodes / L.I. Burov [et al.] // Nonlinear Phenomena in Complex Systems. – 2004. – Vol. 7, № 3. – P. 273–282.

90. Влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных лазеров / Л.И. Буров [и др.] // Квантовая электроника. – 2002. – Т. 32, № 3. – С. 260–263.

91. Грибковский, В.П. Полупроводниковые лазеры / В.П. Грибковский. – Минск: Университетское, 1988. – 304 с.

92. Рябцев, Г.И. Расчет коэффициента потерь усиленной люминесценции в активном слое лазерного диода / Г.И. Рябцев, А.С. Смаль // Журнал прикладной спектроскопии. – 2003. – Т. 70, № 4. – С. 490–495.

93. Chow, W.W. Amplified spontaneous emission effects in semiconductor laser amplifiers / W.W. Chow, R.R. Craig // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1990. – Vol. 26, № 8. – Р. 1363–1368.

94. Svelto, O. Analysis of amplified spontaneous emission: some corrections to the Linford formula / O. Svelto, S. Taccheo, C. Svelto // Optics Communications. – 1998. – Vol. 149. – Р. 277–282.

95. Talli, G. Amplied spontaneous emission in semiconductor optical ampliers: modelling and experiments / G. Talli, M.J. Adams // Optics Communications. – 2003. – Vol. 218. – Р. 161–166.

96. Методы расчета оптических квантовых генераторов: в 2 т. / Б.И.

Степанов [и др.];

под ред. Б.И. Степанова. – Минск: Наука и техника, 1966. – Т. 1. – 404 с.

97. Design of high power pump source of eye safe laser for geo-scientific application / P.K. Singh [et al.] // Indian Journal of Pure & Applied Physics. – 2005. – Vol. 43. – Р. 517–521.

98. Investigation of indium segregation in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells grown by MOCVD / A.A. Marmalyuk [et al.] // Journal of Crystal Growth. – 2002. – Vol. 237-239. – Р. 264–268.

99. Indium distribution in InGaAs quantum wires observed with the scanning tunneling microscope / M. Pfister [et al.] // Applied Physics Letters. – 1995. – Vol. 67. – Р. 1459–1461.

100. Handbook series on semiconductor parameters: 2 vol. / ed. by M.E.

Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. – London: World Scientic Publishing Co., 1996–1999. – Vol. 2: Ternary and quaternary III-V compounds / M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. – 1999. – 300 p.

101. Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия / Т.В. Безъязычная [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, № 2. – С. 213–217.


102. Schultz, P.A. Simple intrinsic defects in gallium arsenide / P.A. Schultz, O.A. von Lilienfield // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. – 2009. – Vol. 17. – Р. 084007-1–35.

103. Schick, J.T. First-principles study of As interstitials in GaAs: Convergence, relaxation and formation energy / J.T. Schick, C.G. Morgan, P. Papoulias // Physical Review B. – 2002. – Vol. 66. – Р. 195302-1–10.

104. Komsa, H.P. Comparison of vacancy and antisite defects in GaAs and InGaAs through hybrid functional / H.P. Komsa, A. Pasquarello // Journal of Physics:

Condensed Matter. – 2012. – Vol. 24. – Р. 045801-1–4.

105. Structures, energetics and electronic properties of complex III–V semiconductor systems / M. Haugk [et al.] // Physica Status Solidi (b). – 2000. – Vol. 217. – Р. 473–511.

106. Исследование “из первых принципов” энергетических характеристик и магнитных свойств точечных дефектов в GaAs / В.И. Байков [и др.] // Физика твердого тела. – 2005. – Т. 47, № 10. – С. 1762–1767.

107. Amore Bonapasta, A. Defect engineering in III–V ternary alloys: effects of strain and local charge on the formation of substitutional and interstitial native defects / A. Amore Bonapasta, P. Giannozzi // Physica B. – 2001. – Vol. 308-310. – Р. 846–849.

108. Du, Y.A. As vacancies, Ga antisites, and Au impurities in zinc blende and wurtzite GaAs nanowire segments from first principles / Y.A. Du, S. Sakong, P.

Kratzer // Physical Review B. – 2013. – Vol. 87. – Р. 075308-1–11.

109. Кейси, Х. Лазеры на гетероструктурах: в 2 т. / Х. Кейси, М. Паниш. – Москва: Мир, 1981. – Т. 1. – 300 с.

110. Seel, M. Atomic clusters and cluster models in solid state physics / M. Seel // International Journal of Quantum Chemistry. – 1988. – Vol. 34, № S22. – Р. 265–274.

111. Yip, S. Handbook of materials modelling / S. Yip. – Dordrecht: Springer, 2005. – 2965 с.

112. Larkins, F.P. Point defect calculations in diamond-type crystals by the extended Huckel method 1: General theory and the vacancy problem / F.P. Larkins // Journal of Physics C: Solid State Physics. – 1971. – Vol. 4. – Р. 3065–3076.

113. Ruo-Zhuang, L. LCAO-MO treatment for deep levels produced by ion implantation of oxygen in gallium arsenide / L. Ruo-Zhuang, F. Wen-Lin // International Journal of Quantum Chemistry. – 1980. – Vol. 18. – Р. 601–605.

114. Saito, B. Cluster calculations of rare-earth ions in semiconductors / B.

Saito, T. Kimura // Physical Review B. – 1992. – Vol. 46, № 3. – Р. 1423–1428.

115. Kwong, H.H. Composition dependent properties of GaAs clusters / H.H.

Kwong, Y.P. Feng, T.B. Boo // Computer Physics Communications. – 2001. – Vol.

142. – Р. 290–294.

116. Effect of Coulomb charge on properties of arsenic vacancy in GaAs-based quantum dots / T.V. Bezyazychnaya [et al.] // Physica B. – 2003. – Vol. 340-342. – Р. 1133–1136.

117. Пушкарчук, В.А. Строение, электронные и спиновые свойства наноразмерных алмазов, содержащих NV-центры: дис.... канд. физ.-мат. наук:

05.16.08 / В.А. Пушкарчук. – Минск, 2012. – 117 л.

118. Энергетические состояния примесей и дефектов в активном слое InAs/InAsSbP гетеролазеров / Т.В. Безъязычная [и др.] // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: сб. ст. 7-го Бел.–Рос. семинара, Минск, 1– июня 2009 г. / Институт физики НАН Беларуси;

под ред. В.З. Зубелевича, В.К.

Кононенко, Г.П. Яблонского. – Минск, 2009. – С. 72–74.

119. Параметры зонной структуры InAs и температурная зависимость порога генерации InAs/InAsSbP гетеролазеров среднего ИК-диапазона / Е.В.

Лебедок [и др.] // Lasers and optical nonlinearity: Program of XVIII Lithuanian Belarusian seminar [Электронный ресурс]. – 2009. – Режим доступа:

http://www.fi.lt/LON2009/files/Band_structure_Lebiadok.pdf. – Дата доступа:

01.05.2013.

120. General atomic and molecular electronic structure system / M.W. Schmidt [et al.] // Journal of Computational Chemistry. – 1993. – Vol. 14, № 11. – Р. 1347– 1363.


121. GAMESS Documentation // Mark Gordon's Quantum Theory Group [Electronic resource]. – 2013. – Mode of access: http://www.msg.chem.iastate.edu/ gamess/documentation.html. – Date of access: 01.05.2013.

122. Stewart, J.J.P. Application of the PM6 method to modeling the solid state / J.J.P. Stewart // Journal of Molecular Modelling. – 2008. – Vol. 14. – Р. 499–535.

123. MOPAC // Stewart Computational Chemistry [Electronic resource]. – 2013. – Mode of access: http://openmopac.net/home.html. – Date of access:

01.05.2013.

124. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем / Г.Б. Галиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т. 37, № 5. – С. 599–603.

125. Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-x As/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции / В.И. Зубков // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 3. – С. 331–337.

126. Numerical recipes: the art of scientific computing / W.H. Press [et al.]. – 3d ed. – New York: Cambridge University Press, 2007. – 1235 p.

127. Sujecki, S. Stability of steady-state high-power semiconductor laser models / S. Sujecki // Journal of the Optical Society of America B. – 2007. – Vol. 24, № 5. – Р. 1053–1060.

128. Кононенко, В.К. Эффект насыщения в полупроводниковых усилителях света и фильтрах / В.К. Кононенко, В.П. Грибковский // Оптика и спектроскопия. – 1970. – Т. 29, № 5. – С. 975–984.

129. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys / I.

Vurgaftman [et al.] // Journal of Applied Physics. – 2001. – Vol. 89, № 11. – Р. 5815–5875.

130. Determination of the Gibbs free energy of formation of Ga vacancies in GaAs by positron annihilation / J. Gebauer [et al.] // Physical Review B. – 2003. – Vol. 67. – Р. 235207-1–8.

131. Measuring properties of point defects by electron microscopy: The Ga vacancy in GaAs / J-L. Rouviere [et al.] // Physical Review Letters. – 1992. – Vol. 68, № 18. – Р. 2798–2803.

132. Gaussian basis sets for molecular calculations / S. Huzinaga [et al.]. – Amsterdam: Elsevier, 1984. – 426 p.

133. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В.Г. Мокеров [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, № 9. – С. 1060–1063.

134. High-power transverse micro-stack weakly coupled laser diode bars / Z.

Lei [et al.] // Microelectronics Journal. – 2008. – Vol. 39. – Р.1580–1582.

Список публикаций соискателя 1–А. LD-pumped erbium and neodymium lasers with high energy and output beam quality / V.V. Kabanov, T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, A.V.

Grigor'ev, Y.V. Lebiadok, K.V. Lepchenkov, A.G. Ryabtsev, G.I. Ryabtsev, M.A.

Shchemelev // Proceedings of SPIE. – 2013. – Vol. 8780. – P. 8780K-1–8.

2–А. Усиленная люминесценция в лазерных диодных линейках на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs при высоких уровнях накачки / М.В.

Богданович, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, А.Г. Рябцев, Г.И.

Рябцев, М.А. Щемелев, С.К. Мехта // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 78, № 6. – С. 868–873.

3–А. Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов / В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, С.К. Мехта // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 2. – С. 95–98.

4–А. Коэффициент потерь усиленной люминесценции для лазерных диодных линеек / В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, А.С. Смаль, С.К. Мехта // Журнал прикладной спектроскопии. – 2010. – Т. 77, № 6. – С. 874–881.

5–А. High-performance LD-pumped solid-state lasers for range finding and spectroscopy / M.V. Bogdanovich, V.V. Kabanov, G.I. Ryabtsev, A.G. Ryabtsev, Y.V. Lebiadok // Proceedings of SPIE. – 2013. – Vol. 8677. – P. 86770X-1–6.

6–А. Нелинейные оптические эффекты в активных и пассивных областях мощных InGaAs/AlGaAs линеек лазерных диодов / В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев, А.А. Романенко // Лазерная физика и оптические технологии: сб.

науч. трудов VIII Междунар. конф., Минск, 27–30 сент. 2010 г.: в 2 т. / Национальная академия наук Беларуси;

под ред. В.А. Орловича [и др.]. – Минск, 2010. – Т. 2. – С. 5–8.

7–А. Усиленная люминесценция и эффект растекания носителей заряда в мощных линейках лазерных диодов / Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, Г.И. Рябцев // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: сб. ст. 8-го Бел.-Рос.

семинара, Минск, 17–20 мая 2011 г. / Институт физики НАН Беларуси;

под ред.

В.З. Зубелевича, В.К. Кононенко, Г.П. Яблонского. – Минск, 2011. – С. 83–86.

8–А. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в мощных лазерных диодных линейках / М.В. Богданович, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, Г.И. Рябцев, А.Г. Рябцев, М.А. Щемелев // Полупроводниковые лазеры: физика и технология: материалы 2-го симпозиума, Санкт-Петербург, 10-12 ноября 2010 г. / Физико-технический институт им. А.Ф.

Иоффе;

редкол.: И.С. Тарасов [и др.]. – Санкт-Петербург, 2010. – С. 36.

9–А. Усиленная люминесценция в линейках лазерных диодов, используемых для накачки импульсных твердотельных лазеров / В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев // Физика импульсных pазpядов в конденсированных средах: материалы XV Междунар. науч. конф., Николаев, Украина, 15–19 авг.

2011 г. / Институт импульсных процессов и технологий НАН Украины;

редкол.:

Н.И. Кускова [и др.]. – Николаев, Украина, 2011. – С. 175–178.

10–А. Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs гетероструктур / Т.В. Безъязычная, М.В. Богданович, А.В. Григорьев, В.М.

Зеленковский, В.В. Кабанов, Д.М. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.Г. Рябцев, Г.И.

Рябцев, М.А. Щемелев // Физика твердого тела. – 2013. – Т. 55, № 10. – С. 2051– 2054.

11–А. Применение квантово-химических методов для исследования радиационных дефектов в активных слоях лазерных диодов и полупроводниковых фотоэлементов / Т.В. Безъязычная, М.В. Богданович, В.М.

Зеленковский, В.В. Кабанов, Д.М. Кабанов, В.С. Калинов, Е.В. Лебедок, А.Г.

Рябцев, Г.И. Рябцев // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: сб.

ст. 9-го Бел.-Рос. семинара, Минск, 28–31 мая 2013 г. / Институт физики НАН Беларуси;

под ред. И.В. Дулевич, Г.П. Яблонского. – Минск, 2013. – С. 175–177.

12–А. Влияние содержания индия на свойства дефектов в соединениях InGaAs, InGaN / Е.В. Лебедок, Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, В.В.

Кабанов, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев // Полупроводниковые лазеры: физика и технология: материалы 3-го симпозиума, Санкт-Петербург, 13-16 ноября 2012 г. / Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе;

редкол.:

И.С. Тарасов [и др.]. – Санкт-Петербург, 2012. – С. 42.

13–А. Optimal ll factor for laser diode arrays applied to transversally pumped erbium laser / T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, A.V. Grigor'ev, V.V.

Kabanov, Y.V. Lebiadok, A.G. Ryabtsev, G.I. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, S.K.

Mehta // Optics Communications. – 2012. – Vol. 285. – P. 2397–2401.

14–А. Твердотельный лазер с диодной накачкой: пат. 8226 Республики Беларусь, МПК H 01S 3/08 / Т.В. Безъязычная, М.В. Богданович, А.В.

Григорьев, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев, А.Г. Рябцев, Л.Л.

Тепляшин, М.А. Щемелев;

заявитель Институт физики НАН Беларуси. – № U 20110921;

заявл. 16.11.11;

опубл. 30.04.12 // Афіцыйны бюл. / Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці. – 2012. – № 2. – С.274.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Pages:     | 1 | 2 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.