авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 || 3 |

«Джаманбалйн Садыргали Корыспаещгч * », -т "•Щ-Ь А УДК 621 31 ББК 31.15 Монография ...»

-- [ Страница 2 ] --

- Подобные гетероструктуры с тонкими (несколько нанометров) слоями называют «квантовыми ямами».

- Энергетический спектр определяет спектр излучения структуры.

- Энергия испускаемого фотона [Е(1) и Е(2)] испускаемого при рекомбинации электрона и дырки определяется уже не только ширинами запрещенных зон E(g) материалов А и В, но и шириной слоя (потенциальной ямы, поэтому Е(2) Е(1).

Исследование свойств гетероперехода GaAs / AlGaAs и усовершенствование технологии выращивания структур дало возможность реализовать непрерывный режим лазерной генерации при комнатной температуре и создать полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре. При этом инверсная населенность для получения стимулированного излучения достигнута инжекционным способом. Инжекцией называют процесс введения неравновесных носителей заряда. Образование неравновесных носителей заряда в зоне проводимости возможно, например в результате облучения фотонами или частицами с энергией большей E(g). Концентрация носителей заряда, вызванная термическим возбуждением называют равновесной.

—+-Е(1) свет Рисунок.3.6. Энергетическая зонная диаграмма двойной гетероструктуры.

Е(с) и E(v) - края зоны проводимости и валентной зоны.

Е(е) и E(h) - уровни размерного квантования для электронов и дырок.

Е(1) и Е(2) - энергия испускаемого фотона при рекомбинации электрона и дырки.

3.6 Физические основы формирования наноструктур Согласно существующим представлениям об электропроводности твердых тел, между зоной проводимости и валентной зоной находится запрещенная зона энергий E(g). У одних полупроводников она может быть шире, а у других - более узкой.

Граница таких полупроводников называется гетероструктурой.

Гетероструктуры можно определить как неоднородные полупроводниковые структуры, изготовленные из двух или более различных материалов таким образом, что переходный слой, или граница раздела двух материалов играет важную роль в любом протекающем в приборе процессе.

Материалы, из которых делаются гетероструктуры, относятся к центральной части Периодической системы элементов. В середине находится кремний - основа современной электроники. Под кремнием находится германий. Хотя сам германий используют редко, сплавы Ge - Si разного состава играют все возрастающую роль в современной технологии гетероструктур. Результаты проводимых в течении последнего десятилетия исследований структур Si-Ge с квантовыми точками, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксией, существенно изменили представления о возможности использования кремния в фотоэлектронике.

Изучение механизма образования квантово- размерных структур в системе Si-Ge при нанесении атомов Ge на поверхность Si подложки из молекулярного пучка включает в себя в первую очередь переход от послойного роста пленки к образованию трехмерных (3D) островков.

• Наноструктурирование кремния - формирование нанокристаллов (квантовых точек) в широкозонных диалектических матоииах.

Рисунок 3.7 - Зонная структура и схематическое изображение квантовых точек кремния в широкозонной матрице Si02.

Механизм люминесценции в системе Si-Ge выглядит следующим образом (рисунок 3.7). Поскольку структуры обладают р типом проводимости и островки являются потенциальными ямами для дырок, последние аккумулируются в островках, заряжая их положительно. В результате кулоновского отталкивания дырки внутри островков должны сосредоточиться вдоль гетерограниц.

Положительный заряд островков создает квантовые ямы для фотоэлектронов в кремнии вблизи гетероперехода. В этом случае межзонные оптические переходы оказываются прямыми в импульсном пространстве, однако в координатном пространстве переходы являются непрямыми, так как электроны и дырки локализованы по разные стороны гетерограниц.

3.7 Лазеры на двойных гетероструктурах Исключительно важная роль играют полупроводниковые гетероструктуры в современной электронике и оптоэлектронике, связи, компьютерной технике. За создание полупроводниковых гетероструктур Ж. И. Алферову совместно с Г. Кремером и Дж. Килби (США) была присуждена в 2000 г. Нобелевская премия. Наиболее широко гетероструктуры используются в оптоэлектронике, например для создания гетеролазеров, фотоприемников, светодиодов, тепловизионных систем. На рисунке 3.8 представлены структура (а).

зависимость коэффициента преломления п от х в структуре и энергетические диаграммы: классического лазеры на двойных гетероструктурах (ДГС-лазера) (в) и ДГС-лазера с квантовой ямой (г).

На энергетической диаграмме показаны зависимость от х энергии краев валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ес) для случая микронной (сі|=(1-1.5)мкм) и наноразмерной (ё2=(5-10)нм) толщины слоя GaAs. Диаграммы соответствуют прямому смещению на 69 " структуре;

GaAs узкозонный полупроводник, AIGaAs широкозонный.

ау /IV, ч р-тип л-тип GaAs AIGaAs AIGaAs iGaAs AIGaAs AIGaAs d л-AGaAs p-GaAs p-AIGaAs n-AIGaAs p-GaAs p-AIGaAs Ее » « «' \ ЛЕ* hv 'AEV ооо Е "о о о vL 5-10 H M 1-1,5 мкм Рисунок 3.8 - Геометрические и энергетические диаграммы полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре При прямом смещении в активный слой (GaAs) инжектируются электроны из n-AlGaAs и дырки из p-AIGaAs (двойная инжекция), что показано искривленными стрелками. Электроны и дырки не могут покинуть активный слой, так как: он ограничен потенциальными барьерами, и все процессы рекомбинации идут в активном слое. На рисунке 3.8 в штриховкой показаны энергетические области, занятые инжектированными зарядами. При рекомбинации испускается квант электромагнитной волны hv = AEg. Показатель преломления у GaAs больше, чем у AIGaAs (рисунок 3.8 б). Поэтому свет идет по активному слою, как по волновод)', за счет эффекта полного внут реннего отражения значительной части индуцированных фотонов (рисунок 3.8 а). Таким образом, в ДГС-лазерах происходит накопление неравновесных носителей (дырок и пространственное электронов) в слое GaAs;

увеличивается также вероятность их рекомбинации и интенсивность рекомбинационного излучения.

Волноводный эффект обеспечивает направленность лазерного луча.

Если активный слой (GaAs) представляет собой квантовую яму (рисунок 3.8 г), то инжектированные прямым током электроны и дырки располагаются на размерных энергетических уровнях.

Рекомбинационные переходы, показанные вертикальной стрелкой, дают излучение hv = AEg + ДЕС1 +AEV| (3.12) Одно из преимуществ лазеров на квантовых ямах - возможность перестройки частоты излучения изменением толщины активного слоя d. С уменьшением величины d увеличиваются расстояния от краев зон до первых размерных уровней, увеличивается и частота излучения.

Другое преимущество - снижение порогового тока. Пороговый ток это ток, при котором начинается лазерная генерация. Генерация начинается при такой степени инверсии населенности верхних и нижних уровней, когда усиление излучения при взаимодействии с активным слоем превосходит потери энергии, обусловленные выходом излучения наружу и поглощением в гетероструктуре.

У лазеров на квантовых ямах есть и другие преимущества, связанные с размерным квантованием, например, более слабая температурная зависимость порогового тока, большее дифференциальное усиление.

Структура полупроводникового лазера, представленная на рисуноке 3.8 г, относится к двухмерным системам. В двухмерных системах условия для создания инверсной населенности более благоприятны, чем в трехмерных.

Глава IV Методы формирования наноэлектронных структур 4.1.Эпитаксия Формирование наноразмерных структур для электроники осуществляется с использованием как традиционных микроэлектронных технологий, так и нанотехнологий.

Напотехнология - это совокупность методов и средств, обеспечивающих создание структур, состоящих из отдельных атомов, молекул с размерами от единиц до сотен нанометров.

В нанотехнологиях различают два основных подхода, позволяющих формировать наноструктуры. Это - технологии, реализующие принцип «сверху - вниз». И технологии, построенные на принципе «снизу-вверх». Принцип «сверху - вниз» предполагает создание структур с требуемыми размерами и конфигурацией путем избирательного удаления материала, заранее нанесенного на подложку. Принцип «снизу - вверх» предполагает формирование требуемых структур путем селективного осаждения атомов и молекул на заданные участки поверхности подложки.

Два метода осаждения пленок, первоначально разработанных для технологии микроэлектроники, нашли широкое применение при создании наноэлектронных приборов и интегральных схем на их основе. Это - химическое осаждение из газовой фазы и молекулярно лучевая эпитаксия.

Эпитаксия (от греч. Ері - на, над, при й taxis-рэсположение, порядок) - процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки. Эпитаксия позволяет получать такие тонкие ( нм-10 мкм) однородные монокристаллические слои - так называемые э п и т а к с и а л ь н ы е с л о и (ЭС) - любого типа проводимости и любого удельного электрического сопротивления, какие невозможно создать иным способом. Различают г е г е р о э п и т а к с и ю, когда вещества подложки и наращиваемого слоя различны по хим. Составу и кристаллической структуре, и г о го м о э п и т а к с и ю, когда подложка и наращиваемый слой одинаковы по химическому составу или отличаются только примесным составом. Эпитаксия используется в технологии производства широкого класса электронных приборов и устройств для получения (в виде плёнок и многослойных структур) эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников, соединений типа A1" BV, A11 BVI, A,V B vi и др. материалов. Эпитаксия возможна из любой фазы: газовой (газофазная Э.- ГФЭ), жидкой (жидкостная, или жидкофазная, Э,- ЖФЭ) и твёрдой (твердофазная Э.- ТФЭ).

Преимуществ. Развитие получили ГФЭ и ЖФЭ. Методы ГФЭ делятся на химические и физические.

4.2 Химическое осаждение из газовой фазы Химическое осаждение из газовой фазы включает рост ориентированной монокристаллической пленки на подходящей для этих целей монокристаллической подложке. Материал пленки при этом поступает из газовой фазы. Газовая среда может содержать как пары кристаллизующегося материала, так газообразные реагенты, способные в процессе химической реакций на подложке образовать необходимый для эпитаксиального роста материал. Химический состав, давление газа и температура подложки являются главными параметрами, контролирующими процесс осаждения пленок и их свойства.

Использование металлорганических соединений (химические связи металл-углерод, мегалл-кислород-углерод) в качестве исходных газообразных реагентов дает наилучший результат при создании совершенных сверхрешеток с резкой границей раздела и толщиной до одного монослоя, В качестве примера рассмотрим химическое осаждение GaAs гетероструктур GaAlAs. Триметилгаллий ((CH3)3Ga) и триметилалюминий ((СН3)3А1) служат источниками металла третьей группы. Элементы пятой группы обычно вводятся в форме гидридов, таких как AsH3. В качестве газо-носителя чаще всего используют водород. Химическое превращение, происходящее на нагретой поверхности подложки, схематический можно представить следующей реакцией:

650 "С (CH3)3Ga + AsH;

;

-» GaAsj + 3CHL, (4.1) Химическое осаждение из газообразных металлорганических соединений обеспечивает осаждение практически всех бинарных, тройных и четверных полупроводниковых соединений АЫВУ с высокой степенью их стехиометричности.

К физическим методам относят методы термического осаждения из молекулярных пучков в вакууме, мгновенного испарения, «горячей стенки», а также методы катодного распыления и осаждения. По методу термического. Осаждения из молекулярных пучков испаряемое вещество нагревается до требуемой температуры (выше или ниже температуры плавления испаряемого вещества в зависимости от упругости пара в точке плавления) в сверхвысоком вакууме (=1,3 10" Па), при этом его атомы и молекулы попадают на подложку, где и происходит их конденсация. Наиболее совершенным является электронно-лучевой способ нагрева, отчего такой метод получил название молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Этот метод позволяет в процессе осаждения контролировать структуру и состояние поверхности подложек, регулировать плотность молекулярного потока, т. Е. скорость роста кристаллов, обеспечивать возможность при помощи маски выполнять локальную кристаллизацию, получать резкие межслойные границы, выращивать сверхтонкие (1 -100 нм) эпитаксиальные слои (плёнки) полупроводников, диэлектриков и металлов, создавать сверхрешётки (последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава толщиной 5-10 нм), осуществлять многослойную застройку решётки. На основе плёнок, полученных методом молекулярно лучевой эпитаксии, создают оптоэлектронные интегральные схемы, сверхбыстродействующие большие интегральные схемы, фотоприёмники и лазеры на гетероструктурах, др. приборы и устройства.

4.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)- эпитаксиальный рост в условиях высокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами. МЛЭ заключается в осаждении испаренных элементарных компонентов на подогретую монокристаллическую подложку. Этот метод позволяет в процессе осаждения контролировать структуру и состояние поверхности подложек, регулировать плотность молекулярного потока, т. Е. скорость роста кристаллов, обеспечивать возможность при помощи маски выполнять локальную кристаллизацию, получать резкие межслойные границы, выращивать сверхтонкие (1 -100 нм) эпитаксиальные слои (плёнки) полупроводников, диэлектриков и металлов, создавать сверхрешётки (последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава толщиной 5-10 нм), осуществлять многослойную застройку решётки. На основе плёнок, полученных методом молекулярно лучевой эгшта-ксии, создают оптоэлектронные интегральные схемы, сверхбыстродействующие большие интегральные схемы, фотоприёмники и лазеры на гетероструктурах, фотокатоды с отрицат.

Электронным сродством, др. приборы и устройства. Этот процесс иллюстрируется с помощью рисунка 4.1, на котором приведены основные элементы для получения соединения (GaAs). Каждый нагреватель содержит тигель, являющийся источником одного из составных элементов пленки. Температура нагревателей подбирается таким образом, чтобы давление паров испаряемых материалов было достаточным для формирования соответствующих молекулярных пучков. Испаряемое вещество с относительно высокой скоростью переносится на подложку в условиях вакуума. Нагреватели располагаются так, чтобы максимумы распределений интенсивности пучков пересекались на подложке. Подбором температуры нагревателей и подложки получают пленки со сложным химическим составом. Дополнительное упраЕіление процессом наращивания осуществляется с помощью заслонок, расположенных между нагревателем и подложкой. Использование этих заслонок позволяет резко прерывать или возобновлять попадание любого из молекулярных пучков на подложку.

l / v V s i нагреватель монокристаллическая подложка GaAs затворы легирующие примеси легирующие р-типа принеси п-типа Мп \ источники Ga нагреватели Рисунок 4.1 - Основные элементы для получения соединения AlxGaj.xAs Предэпитаксиальная обработка подложки при использовании метода МЛЭ осуществляется двумя способами.

1. Высокотемпературный отжиг при температуре 1000 - 1250 °С длительностью до 10 минут. При этом за счет испарения или диффузии внутрь подложки удаляется естественный окисел и адсорбированные примеси.

2. Очистка поверхности с помощью пучка низкоэнергетичных ионов инертного газа. Этот способ дает лучшие результаты. Для устранения радиационных дефектов проводится кратковременный отжиг при температуре 800 - 900 "С.

Особенности легирования при МЛЭ.

Одной из отличительных особенностей МЛЭ является низкая скорость роста пленки: приблизительно 1 монослой/с или 1 мкм/час, что позволяет легко модулировать молекулярные пучки, попадающие на подложку, если время управления движением заслонки менее секунды.

Легирование при МЛЭ имеет несколько особенностей. По сравнению д эпитаксией из, газовой фазы расширен выбор легирующих ••: I'. ЛП •э соединений, возможно управление профилем легирования.

Легирующая примесь может быть как р-, так и n-типа. Возможны два способа легирования.

„4* После.испарения примесные атомы достигают поверхности и встраиваются в кристаллическую решетку. Наиболее часто применяемые примеси (As, Н, В) испаряются или слишком быстро или слишком медленно для эффективного управления. В результате чаще прибегают к употреблению Sb, Ga или А1.

2. В другом способе легирования используется ионная имплантация. В этом случае применяются слаботочные (1 мкА) ионные пучки с малой энергией. Низкая энергия этого процесса позволяет внедрять примесь на небольшую глубину под поверхность растущего слоя, где она встраивается в кристаллическую решетку. Этот способ позволяет использовать такие примеси как В, Р и As.

Глава V Нанолитография 5.1 Оптическая литография Литографией называют совокупность фото- и физико химических процессов, используемых для послойного формирования топологического рисунка интегральных схем и наноструктур.

Конечная цель литографического процесса - получение контактной маски для формирования одного из топологических слоев изготовляемой структуры. Литография основана на использовании высокомолекулярных соединений - резистов, обладающих способностью изменять свои свойства под действием определенного вида излучения. Применительно к области нанотехнологий под литографией чаще всего понимают технологию микроэлектроники, включающую в себя набор нескольких этапов:

1. Нанесение фоточувствительной полимерной пленки (фоторезиста) на кремневую пластину;

2. 2. Сушку и последующее облучение (экспонирование) пленочного покрытия пластины с определенным рисунком через соответствующую маску;

3. Проявление (травление) экспонированного покрытия в специальном растворе;

4. Формирование на подложке физической структуры элементов электронной схемы.

В последнее десятилетие термин "литография" используется в более широком значении - как метод формирования на поверхности подложки не только электронных схем, но и наноструктур (или рисунков с нанометровым разрешением) путем переноса их изображения с помощью маски или штампа, или же непосредственным воздействием на поверхность образца (литография с помощью СТМ или АСМ).

В зависимости от длины волны используемого излучения различают оптическую, ультрафиолетовую, рентгеновскую, электронно-лучевую и ионно-лучевую литографию. Суть литографии можно уяснить на примере фотолитографии, простейшего вида литографии. Фотолитография представляет собой метод фотохимической микрогравировки металлических, диэлектрических п полупроводниковых слоев.

SiO, SO, -SI -Si, Пт « юлучіио»

ео Ф т рз с оо еит ЖНННЖН 22E -зю, -Si PTWC IOO HT -8Ю, -SI Рисунок 5.1 - Основные этапы контактной фотолиографии Основные этапы фотолитографии на пластине кремния:

нанесение на пластину слоя диэлектрика, обычно диоксида кремния Si0 2 (рисунок 5.1 а);

нанесение на слой диэлектрика фоточувствительного слоя фоторезиста (рисунок 5.1 б);

наложение (при контактной фотолитографии) на слой фоторезиста фотошаблона, который отображает соответствующую часть топологической схемы ИМС, например размеры, форму и взаимное расположение эмиттеров всех транзисторов, которые должны быть сформированы на данной пластине;

в таком случаефотошаблон представляет собой непрозрачную пластину с прозрачными участками, дублирующими форму и местоположение будущих эмиттеров (рисунок 5.1 в);

- экспонирование фоторезиста (в простейшем варианте видимым или ультрафиолетовым светом);

экспонирование изменяет скорость последующего растворения фоторезиста в специальном травителе (на рисунке 5.1 в экспонирование отображено системой стрелок);

- удаление фотошаблона;

- проявление (травление) фоторезиста;

участки, подвергнутые воздействию света, вытравливаются до слоя окисла (рисунок 5.1 г);

- вытравливание отверстий («окон») в слое диэлектрика через отверстия в фоторезисте (1 и 2 на рисунке 5.1 д);

- удаление фоторезиста (рисунок 5.1 е).

Полученные окна в диэлектрике используются для формирования соответствующих элементов на пластине, например эмиттеров всех транзисторов.

Оптическая литография технология микроэлектроники, включающий перенос изображения элементов электронной схемы с маски (шаблона) на полупроводниковую подложку с пленочным покрытием из фоторезиста (материала, чувствительного к облучению светом) с последующим травлением покрытия и легированием подложки через окна в слое фоторезиста. Обычный материал подложки - кремниевые пластины с окисленной поверхностью.

Тонкая поверхностная пленка Si0 2 защищает кремний от дальнейшего окисления, служит непроницаемым барьером для большинства примесей и является хорошим диэлектриком. Достоинством системы Si-Si02 является возможность селективного травления при использовании травителей, действующих только на один из этих двух материалов.

Фотолитографический процесс включает химическую очистку поверхности подложки от следов различных (органических, ионных, металлических) примесей, окисление очищенной поверхности подложки с созданием защитного слоя Si0 2, нанесение на окисленную поверхность тонкой пленки фоточувствительного материала (фоторезиста), экспонирование (облучение) фоторезиста через маску и удаление (травление) негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков.

Наиболее часто используют позитивные фоторезисты, позволяющие точнее передавать очень мелкие геометрические детали изображения.

В оптической литографии все детали схемы экспонируются одновременно. Пластина кремния с нанесенным рисунком помещается в среду, из которой в кремний через окна в слое фоторезиста вводятся атомы легирующей примеси. Повторение операций окисления, фотолитографии и легирования позволяет селективно вводить атомы легирующих примесей р- и n-типа в очень малые по размеру области на поверхности кристалла. Наименьшие размеры элементов, которые можно получить с помощью классической оптической фотолитографии, принципиально ограничены длиной волны света.

Фотолитография с помощью света с длиной волны -400 нм позволяет серийно изготовлять интегральные схемы с минимальным размером 2 3 мкм, содержащие до 105 транзисторов.

5.2 Электронно-лучевая литография Электронно-лучевая литография - метод литографии с использованием электронного пучка. Электронный пучок сканирует поверхность электронного резиста, повторяя шаблон, заложенный в управляющий компьютер, и позволяя достигать разрешения 1 нм благодаря более короткой длине волны электронов по сравнению со светом. Электронная литография используется для создания масок для фотолитографии, производстве штучных компонентов, где требуется манометровое разрешение, в промышленности и научной деятельности., Системы электронной литографии для коммерческого применения очень дорогостоящие ( $4 млн.). Для научных исследований обычно используют электронный микроскоп.

Электронный микроскоп (ЭМ) - прибор, позволяющий получать изображение объектов с максимальным увеличением до раз, благодаря использованию вместо светового потока пучка электронов с энергиями (30+200) кЭв и более. Разрешающая способность электронного микроскопа в 1000+10000 раз превосходит разрешение светового микроскопа и для лучших современных приборов может составлять несколько ангстрем. Для получения изображения в электронном микроскопе используются специальные магнитные линзы, управляющие движением электронов в колонне прибора при помощи магнитного поля.

Фотолитография - метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии.

Один из основных приёмов плаяарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.

Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка - половина длины волны (определяется дифракционным пределом).

Процесс фотолитографии происходит следующим образом:

1. На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.

2. Производится экспонирование через фотошаблон (контактным или проекционным методом).

3. Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления).

Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.

4. Заключительная стадия - удаление остатков фоторезиста.

Если после экспонирования становятся растворимыми засвеченные области фоторезиста, то процесс фотолитографии называется негативным. Иначе - позитивным.

Фоторезист - специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.

Фотошаблон - пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излучения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.

5.3. Рентгеновская литография Рентгеновская литография - метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикронным разрешением зашитной маски заданного профиля на поверхности подложки;

осуществляется при помощи рентг. излучения длиной волны L ~ (0,4 5) нм. Маска изготовляется из стойкого к технологическим воздействиям материала - полимерного резиста;

необходимый рисунок формируется с помощью рентгеношаблона. Поток рентгеновского излучения направляют на рентгеношаблон (рисунок 5.2), который этот поток пространственно модулирует.

Рисунок 5.2 - Схема рентгеновской литографии Излучение рентгеновского источника 1 с размером излучающей области d попадает на рентгеношаблон, расположенный на расстоянии L от него и состоящий из прозрачной для излучения мембраны 2 и сильнопоглощающего покрытия 3, в н-ром сформирован рисунок.

Пройдя через свободные от маскирующего покрытия участки шаблона, излучение экспонирует плёнку резисга 4, покрывающую поверхность подложки 5. S- расстояние между шаблоном и подложкой. Резист поглощает попавшее на него излучение, и таким образом в нём формируется скрытое изображение рентгеношаблона:

под действием излучения в резисте образуются высокоэнергетичные фото- и оже-электроны, которые вызывают сшивание молекул резиста.

В зависимости от того, какой из процессов преобладает, при проявлении на подложке остаются либо облучённые, либо необлучённые участки, т. е. получается негативное или позитивное изображение рисунка шаблона. Соответственно резисты делятся на негативные и позитивные. Благодаря малой длине волны L рентгеновского излучения методы рентгеновской литографии обладают высокой разрешающей способностью (~ 10 нм).

Рентгеновская литография отличается большой глубиной резкости и малым влиянием материала подложки и её топографии на разрешающую способность. Благодаря большой проникающей способности рентгеновского излучения, малости эффектов рассеяния и высокого контраста при экспонировании рентгеновская литография позволяет формировать в резистах субмикронные структуры с большим отношением высоты к ширине, а также формировать в однослойных резистах структуры со сложным профилем края.

5.4 Ионно-лучевая литография Ионно-лучевая литография по своим технологическим принципам близка к электронно-лучевой литографии. Она применяется для экспонирования резистов толщиной до 20 нм. В ионно-лучевой литографии для экспонирования полимерных резистов обычно используют легкие ионы - протоны, ионы гелия.

Использование более тяжелых ионов позволяет легировать подложку или создавать на ней тонкие слои новых химических соединений.

Различия между электронной и ионной литографией обусловлены большей массой иона по сравнению с массой электрона и тем, что ион является многоэлектронной системой. Тонкий пучок ионов имеет более слабое угловое рассеяние в мишени, чем пучок электронов, поэтому ионно-лучевая литография обладает более высоким разрешением, чем электронно-лучевая. Потери энергии ионного пучка в полимерных резистах примерно в 100 раз выше, чем потери энергии электронного пучка, поэтому чувствительность резистов к ионному пучку тоже выше. Это означает, что экспонирование резиста тонким ионным пучком происходит быстрее, чем электронным лучом.

Образование ионным пучком дефектов типа френкелевских пар «вакансия - межузельный атом» меняет скорость растворимости диэлектриков и металлов в некоторых растворителях примерно в пять раз. Это позволяет отказаться от полимерного резиста, так как слои материалов сами ведут себя как неорганические резисты. Ионно лучевые системы литографии обеспечивают разрешение до 10 нм.

5.5 Атомная нанолитография В настоящее время полупроводниковые приборы микроэлектроники создаются главным образом методом оптической литографии. Создание структур с меньшими размерами является технологической задачей, имеющей как практическое значение, так и представляющей фундаментальный интерес, поскольку создание структур с размерами в области порядка 10 нм образует мост между классическим и квантовым миром. Существует несколько подходов в реализации наноструктур с размерами в несколько десятков нанометров, каждый из которых обладает как достоинствами так и недостатками.

Среди многих применений атомной оптики - атомная литография - потенциально важна для микро и нанофабрикации материальных структур. В атомной литографии внутренние и внешние степени свободы индивидуальных атомов контролируются с нанометровой точностью внешними электромагнитными полями и нанообъект "собирается" из индивидуальных атомов, молекул, биологических клеток и т.п.

Поскольку этот метод использует нейтральные атомы, то он обладает рядом преимуществ по сравнению с другими методами.

Прежде всего, в данном методе весьма малым является фундаментальный предел пространственного - разрешения, накладываемый дифракцией, поскольку атомы имеют относительно большие массы и, соответственно, малые де-Бройлевские длины волн.

Кроме того, поскольку используются нейтральные атомы, то отсутствуют кулоновские силы отталкивания. Наконец, манипулирование атомами может быть реализовано параллельно, что позволяет одновременную обработку относительно больших поверхностей.

А. Атомная наноперьевая нанолитография Наноперьевая литография - это способ построения произвольных структур на поверхности, в точности аналогичный написанию на бумаге чернильной линии с помощью перьевой ручки.

Чтобы сделать такие линии в наномасштабе, необходимо создать наноручку. Первые наноручки в качестве пера использовали зонды атомного силового микроскопа. В таком методе нанолитографии резервуар чернил-атомов хранится на кончике сканирующего зонда, который передвигается по поверхности, оставляя за собой линии атомных размеров.

Предложенное и реализованное нами атомное перо, представляет собой нанометровое отверстие в экране на который падает атомный пучок. Число отверстий может быть очень большим (~107), что позволяет осуществлять параллельную нанофабрикацию атомов. Перемещение наноотверствия позволяет создать наноструктуры произвольного профиля. Нами было продемонстрирована возможность создания наноструктур из атомов О. lit н /;

/ с помощью атомного нанопера. Ширина образованных наноструктур на полувысоте составляет 50 нм.

Б. Атомная камера-обскура с нанометровым разрешением.

В лаборатории впервые экспериментально реализован иной подход к проблеме фокусировки и построения изображения в атомной оптике, основанный на идее «камеры-обскуры», используемой как в световой оптике так и в современной экспериментальной физике в тех случаях, когда создание фокусирующего потенциала затруднительно В оптике «камера-обскура» - это камера без линзы.

Формирующий изображение свет проходит через малое отверстие. Для получения достаточно четкого изображения апертура такой камеры должна быть отверстием малого диаметра. В атомной «камере обскура» пучок атомов пропускается через металлическую маску, формируя таким образом «светящийся объект» заданной геометрии (рисунок 5.3). Атомы, прошедшие через маску, поступают на см"2) трековую мембрану, содержащую большое количество (3« отверстий с диаметром 50 нм. Каждое из отверстий является «камерой-обскурой», формирующей своё индивидуальное изображение «объекта» на поверхности подложки, размещённой на расстоянии 5 мкм, В результате, на подложке формируется массив идентичных наноструктур.

'if Рисунок 5.3 - В атомной «камере-обскура» пучок атомов пропускается через маску, формируя таким образом «светящийся объект» заданной геометрии. Каждое из отверстий мембраны является «камерой-обскурой», формирующей изображение «объекта» па поверхности подложки.

5.6 Диоды на основе углеродных нанотрубок Если углеродный шестиугольник заменить на пятиугольник или семиугольник, то нанотрубка изогнется. При этом изменяется ориентация шестичленных колец по отношению к оси нанотрубки, а значит меняется положение уровня Ферми, ширина запрещенной зоны и проводящие свойства. При замене шестичленного кольца на пяти - и семичленное приводит к изменению потенциального барьера для электронов проводимости.

Слева относительно изгиба нанотрубка будет металлической, а справа - полупроводниковой. Таким образом, изогнутая нанотрубка представляет собой гетеропереход металл-полупроводник. Теперь, если рассмотреть левый и правый отрезок нанотрубки изолированно с разных сторон относительно ее изгиба, то электроны на уровне Ферми обладают разной энергией. При объединении отрезков выигрыш в энергии приведет к перетеканию заряда и образованию потенциального барьера. Электрический ток будет течь только в том случае, если электроны переходят из области нанотрубки с большей энергией Ферми в область с меньшей энергией.

а металл иэгмб полулрсяодник Рисунок 5.4 - Диод на основе УНТ В результате ток потечет только в одном направлении. Эта односторонняя проводимость используется для создания выпрямляющего диода. На рисунке 5.4 представлены схемы искревления нанотрубки при замене шестичленного кольца на пяти и семичленное (а) и изменение потенциального барьера для электронов проводимости (б).

5.7 Полевой транзистор на основе углеродных нанотрубок Полевые транзисторы - устройства, позволяющие регулировать перенос заряда с помощью управляющего электрического поля, что используется для усиления сигнала, в переключателях и.т.д. В транзисторах на полупроводниковой УНТ электрическое поле управляет концентрацией носителей в зонах делокализованных состояний. На основе полупроводниковой или металлической нанотрубки удалось сделать полевые транзисторы, работающие при комнатной (в первом случае) и сверхнизкой (во втором) температуре.

Полевые транзисторы (триоды) - электронные устройства, на перенос заряда через которые оказывает сильное влияние внешнее (управляющее) электрическое поле, что используется в усилителях электрического сигнала, переключателях и т.п. На рисунке 5. представлена схема полевого транзистора на полупроводниковой нанотрубке. Нанотрубка лежит на непроводящей (кварцевой) подложке в контакте с двумя сверхтонкими проводами, в качестве третьего электрода (затвора) используется кремниевый слой (а);

и зависимость проводимости в цепи от потенциала затвора (б).

В наноустройстве (транзисторе) нанотрубка помещается на два тонких платиновых (Pt) электрода, на которые подается основное напряжение для прохождения тока. В качестве третьего управляющего электрода (затвора) используется слой кремния Si02/ Si (рисунок 5.5).

I 10» 10« -з ог б • и,в Рисунок 5.5 - Схема полевого транзистора на полупроводникевойнанотрубке.

В полупроводниковой нанотрубке состояния валентной зоны отделены от зоны проводимости энергетической щелью, поэтому в отсутствии внешнего поля концентрация насителей в зоне проводимости мала и нанотрубка обладает высоким сопротивлением.

При подаче на третьи электрод электрического поля U в области нанотрубки возникает электрическое поле, что изменяет энергетическое распределение в зонах, и края зон смещаются относительно поверхности Ферми. При этом концентрация дырок в валентной зоне и электропроводность возрастает. Для потенциала затвора около U= -6В концентрация дырок достигает максимума, сопротивление минимума и нанотрубка становится металлической.

Одноэлектронный транзистор представляет собой переключающее устройство, способное соединять или разъединять электрические цепи за счет управления движением одного электрона.

Одноэлектронный транзистор внешне выглядит как два металлических электрода, разделенных очень тонкой (Юнм, наноматровой) изолирующей перегородкой, через которое могут происходить туннельные переходы электронов. Структуры на основе эффекта одноэлектронного туннелирования (кулоновской блокады) является перспективным для создания широкого спектра твердотельных приборов, в том числе интегральных схем нового поколения сверхвысокой степени интеграции.

Пока напряжение между управляющим электродом и истоком остается меньше некоторого порогового значения, электрон остается изолированным, однако при дальнейшем повышении напряжения (выше порогового) «кулоновская блокада» электрона прорывается, в результате чего устройство в целом срабатывает подобно обычному транзистору.

Тунншьнью перехода Затвор Наночастаца Рисунок 5.6 - Схематическое изображение одноэлектронного транзистора.

Кулоновская блокада - блокирование прохождения электронов через квантовую точку, включенную между двумя туннельными контактами, обусловленное отталкиванием электронов в контактах от электрона на точке, а также дополнительным кулоновским потенциальным барьером, который создает электрон, закрепившийся на точке. Кулоновский барьер препятствует вылету электрона из точки, а также попаданию новых электронов на нее.

Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны. Количество электронов в наночастице должно быть не более 10. Это может быть достигнуто в квантовых структурах с размером порядка 10 нм.

. Глава VI Технология производства наносистем 6.1 Пламарная технология Технологии производства интегральных микросхем (ИМ) основана на пленарной технологии - совокупность технологических операций, используемая при изготовлении пленарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Особенность планарной технологии состоит в том, чтобы после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.

На вход технологии производства ИМ поступают пластины, называемыми подложками. Состав материала подложек, кристаллическая структура (вплоть до межатомных расстояний в подложках для современных процессоров) и кристаллографическая ориентация строго контролируются. В ходе технологического процесса в приповерхностном слое полупроводникового материала, являющегося подложкой или нанесённого на подложку, создают области с различным типом или величиной проводимости, определяемой в конечном счёте различной концентрацией донорных и акцепторных примесей, а также материалом слоя. Поверх слоя полупроводникового материала, с использованием в нужных местах прослоек диэлектрического материала, наносятся слои проводящего материала, образующего контактные площадки и необходимые соединения между областями. Области и слои проводника, полупроводника и диэлектрика в совокупности образуют структуру полупроводникового прибора или интегральной микросхемы.

Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем _ на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость Также в случае изготовления на одной пластине идентичных приборов параметры всех приборов оказываются близкими. Ограничителем является только площадь подложки, поэтому диаметр подложек по мере развития технологий производства подложек стремятся увеличивать.

Для контроля качества выполнения промежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малых областей (обычно в центре и на периферии), на которых в ходе штатного технологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки и элементарные приборы (конденсаторы, диоды, транзисторы и т.п.). В этих же областях формируют контактные площадки относительно большой площади для тестирования годности пластин перед скрабированием (разделением на отдельные приборы). Для совмещения изображений при фотолитографии также в специально выделенной области формируются знаки совмещения, подобные тем, какие можно встретить на многоцветной печатной продукции.

6.2 Основные технологические операции планарной технологии Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии:

используются электронная литография, ионная литография, фотолитографии.

Технологическая цепочка состоит из серии циклов, включающих в себя следующие основные операции :

подготовка подложки: применяется механическая и химическая полировка для получения плоской поверхности без механических дефектов (выполняется 1 раз, при поступлении подложки в техпроцесс);

формирование на поверхности подложки слоя необходимого материала с заданной структурой: эпитаксиальное наращивание.

осаждение диэлектрических или металлических плёнок;

создание на поверхности подложки защитного слоя: в случае кремниевых подложек для этого используется окисление поверхности, в случае других подложек может использовать эпитаксиальное наращивание слоя диоксида или нитрида кремния либо другого материала с низким коэффициентом диффузии легирующих примесей Толщина слоя подбирается так, чтобы за время, необходимое для создания легированной области необходимой конфигурации в подложке, легирующий элемент не достиг подложки сквозь защитный слой;

нанесение слоя фоторезиста, обладающего устойчивостью к используемым травителям;

совмещение изображений по знакам совмещения и экспонирование рисунка окон на слой фоторезиста;

стравливание исключительно засвеченных (либо незасвеченных - зависит от фоторезиста) участков слоя фоторезиста;

стравливание защитного слоя с подложки на участках, не закрытых фоторезистом;

удаление остатков слоя фоторезиста;

внедрение легирующих примесей нередко проводят в двухстадийном процессе, разделяя фазы загонки примеси в приповерхностную область и разгонки загнанной примеси по требуемому объёму;

загонка производится путём локальной диффузии или ионной имплантации легирующих примесей через окна в защитном слое в поверхность подложки;

плазменное или химическое травление поверхности подложки для удаления излишков слоя ранее осаждённого материала.

Основные циклы, выполняемые при создании полупроводниковых приборов, следующие:

- формирование областей р-типа (локальное внедрение примесей) - формирование областей n-типа (локальное внедрение примесей) - формирование проводящих дорожек и контактных площадок (удаление излишков слоя металла) Порядок циклов определяется зависимостями коэффициентов диффузии примесей от температуры. Стараются сначала производить загонку и разгонку примесей менее подвижных, и для сокращения времени процесса использовать более высокие температуры. Затем при меньших температурах загоняют и разгоняют более подвижные примеси. Это связано с быстрым (экспоненциальным) падением коэффициента диффузии при понижении температуры. К примеру, в кремнии сначала при температуре до ~950С создают области р-типа легированные бором и только потом при температуре менее ~750С создают области n-типа, легированные фосфором.

По завершении операций по формированию приборов на пластине производится разделение пластины на малые кристаллы, содержащие единственный готовый прибор.

Изначально разделение пластины на отдельные кристаллы велось путём процарапывания её на глубину 2/3 от толщины пластины алмазным резцом с последующим раскалыванием по процарапанной линии. Этот принцип разделения дал название всей операции разделения пластин на кристаллы: «скрабирование» (или скрайбирование от англ. Scribe - царапать).

В настоящее время скрабирование может выполняться как с прорезанием на полную толщину пластины с образованием отдельных ристаллов, так и на часть толщины пластины с последующим раскалыванием на кристаллы.

6.3 Самоорганизация квантово-размерных структур Одним из важнейших вопросов, стоящих перед нанотехнологией - как заставить молекулы группироваться определенным способом, самоорганизовываться, чтобы в итоге получить новые материалы или устройства.

При ионном синтезе дисилицида кобальта (CoSi2) удалось формировать квантово-размерные структуры - квантовые точки и квантовые проволоки.

«Самоорганизация» наноструктур понимается в широком смысле, как самопроизвольное возникновение макроскопического порядка в первоначально однородной системе. Среди спонтанно упорядоченных наноструктур, можно выделить четыре большие класса, представленных на графике 1, приведенном ниже. Это:

- структуры с периодической модуляцией состава в эпитаксиальных пленках твердых растворов полупроводников;

- периодически фасетированные поверхности;

- периодические структуры плоских доменов (например, островков монослойной высоты);

- упорядоченные массивы трехмерных когерентно напряженных островков в гетероэпитаксиальных рассогласованных системах.

Хотя причина неустойчивости однородного состояния различна для каждого класса наноструктур, причина упорядочения в неоднородном состоянии общая для всех классов наноструктур. Во всех этих системах соседние домены различаются постоянной кристаллической решетки и (или) структурой поверхности, и, следовательно, доменные границы являются источниками дальнодействующих полей упругих напряжений.

в г Рисунок 6.1 - Различные классы спонтанно возникающих наноструктур:

а - структуры с модуляцией состава твердого раствора;

б - периодически фасетированные поверхности;

в - периодические структуры плоских упругих доменов;

г - упорядоченные массивы трехмерных когерентно напряженных островков (2) на подложке (1).

Это позволяет использовать единый подход ко всем четырем классам упорядоченных наноструктур и рассматривать их как равновесные структуры упругих доменов, соответствующие минимуму свободной энергии.

Качественный прорыв в данной области связан с использованием эффектов самоорганизации полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных полупроводниковых системах.

Таким образом, были реализованы идеальные гетероструктуры с квантовыми точками с высоким кристаллическим совершенством, высоким квантовым выходом излучательной рекомбинации и высокой однородностью по размерам (~ 10 %). В полученных структурах были впервые продемонстрированы уникальные физические свойства, исследованы электронный спектр квантовых точек, и получены первые оптоэлектронные приборы, такие как, например, гетеролазеры на квантовых точках.

Самоорганизация - это процесс, приводящий к определенному упорядоченному расположению взаимодействующих атомов в твердом теле, соответствующему минимуму потенциальной энергии данной атомной системы.

Спонтанная самоорганизация в объеме и на поверхности твердого тела является эффективным нанотехнологическим средством создания квантовых шнуров и квантовых точек. Из числа таких процессов наиболее значимым и часто используемым является процесс спонтанной кристаллизации. Кристаллическое состояние вещества более устойчиво, чем аморфное, поэтому любая аморфная фаза имеет тенденцию к кристаллизации.

Одним из типов самоупорядочения является образование полупроводниковых островков при гетероэпитаксии. Он заключается в осаждении одного материала, образующего островок на подложке, состоящего из другого материала с близкой структурой и значениями параметров решетки. При этом возможны три варианта формирования поверхностных структур. Это - послойный (двухмерный) рост сплошной пленки в режиме, называемой модой Франка-Ван-дер Мерве, образование и рост островков (трехмерный рост) - мода Волмера-Вебера) и комбинированный режим - мода Странского Крастанова, когда пленка сначала растет послойно, а затем трансформируется в оетровковую структуру. Режим (мода) формирования поверхностных структур определяется рассогласованием параметров решеток подложки и наносимого материала, а также соотношением между поверхностной энергией границы раздела этих материалов.

1. Механизм Франка-Ван дер Мерее.

Осаждаемый материал смачивает подложку, постоянные решеток практически совпадают. Происходит послойный двухмерный рост (рисунок 6.2 а).

2. Механизм Фольмера-Вебера.

Осаждаемый материиал не смачивает подложку (это материалы, различные по свойствам, или с большим различием постоянных решеток). Происходит островковый (трехмерный) рост. Материал В стягивается в наноостровки на поверхности подложки А (рисунок 6. 2 б).

3. Механизм Странского-Крастанова (рисунок 6.1 в) Осаждаемый материал смачивает подложку, но имеется рассогласование постоянных решеток (порядка нескольких процентов). Именно этот механизм роста используется для получения массивов квантовых точек, например квантовых точек InAs в матрице GaAs (рассогласование решеток 7%) или квантовых точек германия в кремниевой матрице (рассогласование 4%). На начальном этапе идет послойный рост материала В на подложке А с образованием смачивающего слоя, а затем происходит переход к формированию трехмерных островков из материала В на покрытой подложке. Каждая вертикальная атомная плоскость подложки продолжается в объеме островка, но из-за различия постоянных решетки материалов А и В островок становится напряженным (используется термин «когерентно напряженный»).


Рисунок 6.2 - Схемы трех типов начальной стадии гетероэиитаксиального роста. Материал В осаждается на подложку А Постоянная решетки InAs больше, чем у GaAs. При осаждении InAs на подложку GaAs сначала формируется слой InAs. Этот слой из за различия решеток - напряженный (ячейки как бы стремятся выгнуться). По мере увеличения толщины слоя упругая энергия растет, связи между атомами слоя начинают рваться, некоторые атомы частично освобождаются. Происходит перераспределение материала и образуются трехмерные островки (рисунок 6.2 в). Когда образуется островок, решетка InAs частично распрямляется и получается выигрыш в энергии. Образование трехмерных островкоБ начинается после осаждения (1,6-1,7) слоев InAs.

После осаждения четырех монослоев получается плотный массив островков правильной формы. Если на островки InAs снова нарастить GaAs, получатся квантовые точки InAs (узкозонный полупроводник) в матрице GaAs (широкозонный).

6.4 Самоорганизованные квантовые точки в системе Si-Ge полученные методом ионного синтеза Развитие новых направлений электроники, в частности, наноэлектроники, где реализуются принципиально новые приборные структуры, сдерживается в настоящее время, не отсутствием новых идей, а совершенно недостаточными возможностями технологической реализации отдельных элементов и устройств в целом.

Современные национальные программы выхода на проектные нормы по элементам ИС 0.1 мкм /103/ базируются главным образом на существующих (традиционных) технологических подходах и процессах, хотя совершенно очевидно, что достижение таких параметров потребует создания высокопрецизионного (и соответственно, очень дорогого) оборудования, использования новых материалов и технологических сред. Для такого оборудования существенным становится и снижение производительности процессов.

Достаточно упомянуть, что практически единственная в настоящее время технология, позволяющая создавать квантово-размерные элементы, молекулярно-лучевая эпитаксия, обладает всеми выше перечисленными недостатками, является достаточно уникальной и мало распространена даже в наиболее богатых и развитых странах мира (США, Япония).

Глобальная тенденция уменьшения размеров элементов ИС сочетается в то же время с другими отчетливо наблюдаемыми особенностями развития:

- для кремниевой технологии резко увеличивается размер исходных пластин: в настоящее время уже реально используются пластины диаметром 300 мм;

- планарная (т. е. «двумерная») технология постепенно становится трехмерной (3D) и на первый план выходят задачи, становящиеся в некоторых странах предметом национальных программ, в частности, программа многоуровневой металлизации (США);

- все более актуальной становится программа создания и применения гетероструктур, сочетающих не только использование дополнительных к полупроводниковым, например, на кремниевой основе, материалов (проводники, диэлектрики), но и других полупроводников, например Si-Ge структур.

Выше перечисленные требования и тенденции развития заставляют обращать внимание на опыт и идеи, накопленные в ходе разработки других физико-технологических направлений, к которым относится ионный синтез, т.е. создание гетероструктур при внедрении в подложку, например кремниевую пластину, ионов другого вещества, что может приводить к образованию химического соединения.

Типичными примерами таких соединений кремния могут служить силициды, оксиды и нитриды кремния, и, наконец, карбид кремния.

Особенности процесса ионного синтеза:

- процесс образования кремний-кислородных связей происходит непосредственно при облучении, тогда как внедрение ионов азота в обычных условиях (комнатная температура, средние плотности ионного тока) приводит к миграции атомов азота и накоплению пузырей;

- сплошной стехиометрический слой образуется при высокотемпературных обработках, однако для создания столообразного профиля распределения новой фазы с резкими границами необходимы тепловые обработки после имплантации при температурах вблизи точки плавления кремния;

- возникающие по обе стороны от захороненного слоя структурные дефекты и поля упругих напряжений требуют пристального внимания и специальных усилий для преодоления связанных с этим проблем.

Ионный синтез слоев переходных металлов (Ni, Cr, Со, Mn, ТІ, Pt, Pd, Mo, W) разработан и исследован в различных вариантах технической реализации, включая прямую имплантацию ионов металла в кремниевую подложку, вбивание атомов металла из нанесенной на поверхность Si-пластин металлической пленки путем облучения ее ионами либо нейтрального по электрической активности вещества (Si+, Аг+), либо вещества, в кремнии образующего легированный слой под пленкой формирующего силицида - метод вбивания - «knock on implantation».

Все квантовые объекты являются гетерофазными, т. е., как правило, имеют разные параметры решетки. Это в свою очередь приводит к возникновению деформаций сопряжения. С ними связанные напряжения меняют полную энергию системы. Кроме того, разность параметров решетки влияет на адсорбционные свойства, уже варьирующиеся из-за различных химических потенциалов. Это может приводить к различным явлениям неустойчивости и самоорганизации при выращивании таких объектов.

В наиболее общем виде термин «самоорганизация» понимается как самопроизвольное возникновение в системе новых пространственных и/или временных компонентов симметрии, включая трансляционные.

При рассмотрении физических механизмов спонтанного возникновения упорядоченных наноструктур принято различать две принципиальные возможности. Во-первых, упорядоченные наноструктуры могут возникать в замкнутых системах, например, при отжиге образцов или при длительном прерывании роста. Такие структуры являются равновесными, и для их описания используется термодинамический подход. Во-вторых, упорядоченные структуры могут возникать в открытых системах в процессе роста кристалла. Эти структуры не являются равновесными, и для их описания применяется кинетическое рассмотрение.

В течение долгого времени во всем мире предпринимались попытки изготовления квантовых точек и приборов на их основе «традиционными способами», например путем селективного травления структур с квантовыми ямами, роста на профилированных подложках, на сколах, или конденсации в стеклянных матрицах. При этом приборно-ориентированные структуры так и не были созданы, а принципиальная возможность реализации атомоподобного спектра плотности состояний в макроскопической полупроводниковой структуре не была продемонстрирована в явном виде.

Качественный прорыв в данной области связан с использованием эффектов самоорганизации полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных полупроводниковых системах.

Таким образом, были реализованы идеальные гетероструктуры с квантовыми точками с высоким кристаллическим совершенством, высоким квантовым выходом излучательной рекомбинации и высокой однородностью по размерам (~ 10 %). В полученных структурах были впервые продемонстрированы уникальные физические свойства, ожидавшиеся для идеальных квантовых точек в течение многих лет, исследованы электронный спектр квантовых точек, эффекты, связанные с энергетической релаксацией и излучательной рекомбинацией неравновесных носителей, и т. д. и получены первые оптоэлектронные приборы, такие как, например, инжекционные, гетеролазеры на квантовых точках.

Гетероструктуры с квантово-размерными элементами в настоящее время получают главным образом с помощью молекуляро лучевой эпитаксии (МЛЭ). Наибольшие успехи были получены при создании квантово-размерных систем на полупроводниках AUBV и на твердых растворах Si-Ge. При выращивании систем Si-Ge возможно формирование островков различной формы. При изменённом режиме роста при молекуляро-лучевой эпитаксии молекуляро-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на поверхности Si(lll) образуются квантовые проволоки (рисунок 6.3). Разориентация составляла 0,5°. Проволоки вытянуты вдоль [112] и период 110нм вдоль[110]. Они образуются в результате слияния квантовых точек, Г а б Рисунок 6.3 - Трёхмерное АСМ изображение начальной стадии формирования самоорганизованных проволок Ge на подложке Si(lll): а) с 7 монослоями Ge;

б) с 10 монослоями Ge.

Имплантация ионов Ge+ с дозой D = 1016 см "2 проводилась в пластины кристаллического кремния p-Si ориентации (111) на сильноточном ускорителе в двух режимах: 1) с энергией ионов 50 кэВ, проецированный пробег при этом был равен Rp= 35,5 нм, а толщина скрытого слоя ARP= 13 нм, и 2) с энергией 150 кэВ, Rp= 89 нм, ARP= 30,6 нм. Отжиг проводился при 1000 °С в течении 15 минут. Топографию поверхности изучали па атомно-силовом микроскопе. Для исследования формы наноразмерных структур и элементного состава поверхность образцов обрабатывали раствором КОН (33%) в течении 25с при 100°С, что позволило выявить области с максимальным содержанием германия.

Химическое травление поверхности исследуемых образцов выявило упорядоченную по размерам структуру, рельеф которой обусловлен различной скоростью травления кремния и германия ( германий в указанных выше условиях травиться медленнее).

Таким образом, использование ионной модификации материалов и ионного синтеза для формирования наноразмерных элементов и структур является одним из наиболее перспективных задач наноэлектроники.

Глава VII Зондовые нанотехнологии 7.1 Основные методы создания наноструктур К настоящему времени наиболе широко применяют четыре метода создания наноструктур:


1. электронолитографию и наноииримитинг;

2. локальную эпитаксию и эпитаксию поверхностно напряженных структур;

3. самоформирование в синтез в матрицах ;

4. зондовые методы литографии.

Электронояитография по сравнению с оптической и рентгеновской литографией является наиболее эффективным методом создания топологии манометровых размеров. В качестве электронорезщиста в настоящее время наиболее широко применяют полиметилметакрилат (ПММА), растворимый в трихлрбензоле (при позитивной литографии) либо в хлорметилстироле (при негативной литографии).Электронная пушка сканирующего или просвечивающегося электронного микроскопа является основным источником фокусированного электронного воздействия. Несмотря на то что получить ускоренные электроны с длиной волны порядка ОД нм относительно несложно, рассеяние электронов в резистной маске не позволяет создавать элементы размерами менее 10 нм. Низкая производительность электронолитографии является другим сдерживающим фактором широкого внедрения ее в производство наноструктур.

С промышленной точки зрения интерес представляют методы наноимпритинга, которые эксплатируют созданные электронолитографией твердые штампы для переноса изображения в полимерные резисты. Этот метод является экономически более эффективным, так епе один штамй может использоватся многократно.

Предельное разрешение нанойпринтинга в настоящее время не привышает нескольких десятков нанометров при теоритичеСкбм пределе 10-20 нм.

Методы прециозонного на атомарном уровне нанесения материалов, молекулярно- лучевая эпитаксия и осаждение из парогазовой смеси металлоорганических соединений являются эффективными для создания квантовых структур для лазеров, фотоприемников, резонансно- туннельных диодов и т.д. Этими методами наиболее просто получают квантовые слои и сверхрешетки.

Наряду с этим эпитаксиальиая технология обеспечивает получение квантовых проводов и точек. Для создания квантовых точек и нитей применяют эпитаксиальное наращивание на структурированных поверхностях, которые создают элекгронолитографией, сколом или травлением. В последнее время широкое распостронение получили методы самоорганизации растущих нанокристаллов за счет механических напряжений между растущим материалом и подложкой.

Получаемые нанокристаллы имеют размеры менее 30 нм.Методы самоформирования включают агрегацию наночастиц в структуры с заданной формой и размером. Такая агрегация может протекать спонтанно (энтропийная агрегация) в направлении минимизации полной энергии системы либо за счет химичиского связывания органических молекул и супрамолекул. Другим технологическим направлением в создании наноструктур «снизу вверх» является осаждение материалов (электрохимическое, из газовой фазы, и расплава или раствора и др.)в наноструктурированные матрицы, так называемое темплотное осаждение. Как правило, минимально достижимые в этих методах размеры наноструктур значительно превышают велечину 10 нм.

Среди наиболее доступных методов создания наноструктур можно выделить зондовые метода нанолитографии. С момента создания сканирующего туннельного, а затем и атомно- силового микроскопов (АСМ) сканирующие зондовые микроскопы (СЗМ) из аналитических приборов превратились в инструменты локального модифицирования и структурирования материалов на нанометровом уровне.Методы локального зондового воздействия можно классифицировать в зависимости от вида физического и химического воздействия, определяемого средой, которая разделяет зонди подложку.

Сканирующие зондовые микроскопы- это системы, способные контролировать перемещение атомарно- острого зонда в непосредственной близости от поверхности с субнанометровой точностью.Зондовые микроскопы обычно используют в атмосферных условиях или в вакууме, В атмосферных условиях вода,адсорбированная на поверхности, формирует мениск между зондом и поверхностью, который играет важную роль в зондовых методах нанолитографии, рассмотренных ниже. В большинстве методов локального зондового модифицирования поверхности требуется создание напряженности поля между зондом и подложкой, достаточной для активации физико- химичиских процессов.

7.2 Зондовые методы исследований поверхности полупроводников Формирование нанометровых объектов с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа или кантилевера атомно силового микроскопа становится определяющим способом создания элементной базы наноэлектроники. Зондовые методы исследования и нанотехнолий применяются в диагностике полупроводниковых структур, исследований процессов эпитаксиального роста, структурном анализеповерхности.

Одним из основных методов исследований поверхности полупроводниковых наноструктур является сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). СТМ- уникальный инструмент для исследования поверхностных дефектов и примесей в полупроводниках, диагностики полупроводниковых эпитаксиальных пленок и структур. С помощью СТМ проводятся исследования магнитных материалов, в том числе с использованием спин- поляризованных туннельных токов, что, например, открывает возможность изучения распределения поляризации спинов электронов на поверхностях ферромагнетиков и антиферромагнетиков.

Рассмотрим некоторые применения СТМ для исследования полупроводниковых материалов и структур.

Исследование поверхности полупроводников.

В объеме идеального кристалла все валентные связи наеьнцены.У атомов поверхностного слоя имеются оборванные (так называемые ненасыщенные) связи, что увеличивает энергию поверхностного слоя.Для уменьшения этой энергии поверхностные атомы перестраиваются таким образом, чтобы число оборванных связей сократилось.В результате на поверхности изменяется структура кристаллической решетки, происходит так называемая реконструкция поверхности.Существует оптимальное расположение атомов на поверхности, которому соответствует минимум поверхностной энергии.

С помощью СТМ впервые было получено изображение с атомным разрешением поверхности кремния и исследованы различные типы ее реконструкции. Установлены условия, при которых одни поверхностные структуры (менее стабильные) превращаются в другие (более стабильные), например при нагревании или под влиянием примесных атомов. Реконструкция поверхности была обнаружена на поверхности германия, арсенида галлия и других полупроводниковых кристаллов.

Диагностика полупроводниковых эпитаксиальных пленок.

С помощью-СТМ можно проследить процесс роста тонких слоев от момента образования на подложке кристаллитов- зародышей до образования слоя необходимой толщины. Это позволяет выяснить особенности роста при различных технологических условиях, подобрать оптимальные режимы получения как тонких пленок, так и наноразмерных слоистых структур. Большой практический интерес представляет гетероэпитаксия германия на кремнии. Такие гетеропереходы дают возможность создавать новые приборы наноэлектроники и оптоэлектроники. На начальной стадии гетероэпитаксии атомы германия накапливаются в ячейках поверхностной структуры в виде кластеров. При достижении некоторого критического размера кластеры начинают сливаться в треугольные островки. Предпочтительными центрами встраивания атомов германия на поверхности кремния являются границы зерен и края ступеней. Исследования показывают, что средний размер кластера германия пирамидальной формы составил 15 нм (в основании пирамиды), высота пирамиды 1,5 нм, разброс размеров не превышал 17%.

При МЛЭ осаждении Ge на Si(lll) при 500 °С и последующем отжиге при той же температуре образуются структуры типа «атолл».

«Атоллы» имеют вид неправильных шестиугольников и ограничены образованиями, вытянутыми в направлениях [110]. Возможное образование «атоллов» в результате смыкания линейных образований [110] (рисунок 7.1).

щшш ЗшШШзШ ШШж Рисунок 7.1 - СТМ изображение 0.5x0.5 мкм2 релаксированного островка Ge на поверхности Si При этом толщина образовавшейся структуры «атолл»

составляет 0,6 нм (2 монослоя). Это показывает, что истощение центральной части островка получается посредством послойного роста.

7.3 Применение АСМ для диагностики полупроводниковых структур В настоящее время АСМ широко используется как многофункциональный аналитический инструмент для исследования структуры поверхностей, распределения приповерхностных силовых и температурных полей, распределений величин-характеристик физических свойств с нонометровым или даже с атомным разрешением. Кроме исследовательских и диагностических целей, ЛСМ применяется в качестве инструмента для локальных модификаций поверхностей и для нанолитографии.

С помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) - электронно силового микроскопа (ЭСМ) - на поперечных скалах слоистых структур определяется распределение электрического поля и емкости с привязкой к топографическим изображениям. Например, таким способом определяют положение и протяженность р-п-переход в лазерных гетероструктурах, а также распределение инжектированных носителей в волноводный области. Для успешной работы лазера р-п переход должен находиться в волноводной области.

В электронной промышленности АСМ используется для контроля качества матриц цифровых видеодисков и выборочного контроля качества матриц цифровых видеодисков и выборочного контроля самих дисков, а также пластин для ИМС.

Диагностика эпитаксиальных пленок. Это одна из важнейших областей применения АСМ, так как атомно-силовой микроскоп дает изображение реального микрорельефа поверхности. Данные о структуре поверхностей эпитаксиальных пленок, границ между слоями, типах и распределениях дефектов, их зависимости от условий роста позволяют исследовать механизмы роста и определять оптимальные режимы роста.

С помощью АСМ получены важные данные о процессах образования и роста самоорганизованных квантовых точек. Метод АСМ позволяет определить размеры и форму квантовых точек, их распределение по размерам и их количество на единицу площади. Эти данные очень важны для исследования механизмов самоорганизации и контролируемого выращивания квантовых точек для приборных структур.

В качестве примера рассмотрим анализ имплантированных поверхностей квантово-размерных структур Si-Ge полученных с помощью АСМ.. Образцы измерялись либо непосредственно после имплантации ионов германия, либо после последующего отжига.

После облучения и отжигов поверхность кремния претерпевает изменения, представленные на рисунке 7.2.

Рисунок7.2 - АСМ-изображение слоя Ge-Si, после отжига в сверхвысоком вакууме при 980 °С.

Образцы p-Si(l 11) подвергались имплантации ионами Ge (доза D=1014 см"2, энергия Е=30 кэВ, плотность пучка j=5 мкА/см2).

На рисунке 7.2 показана топография образцов в трехмерном виде а) после печного отжига при температуре Т=980 °С в течение t=30 мин;

б) после 2-х последовательных печных отжигов: 1- при температуре Т=980 °С в течение t=30 мин;

2- при температуре 1=1100 °С в течение t=30 мин.

Как видно из представленных рисунков, облученная поверхность становится шероховатой, причем размеры характерных элементов возрастают после проведенных отжигов. Формирование шероховатости (в том числе упорядоченной) на поверхности кремния после внедрения ионов германия связано с образованием обогащенных атомами германия кластеров внутри слоя внедрения, что приводит к деформированию облученной поверхности кремния.

Глава VIII Методы исследования углеродных нанотрубок У;

каждого материала есть несколько уровней структуры, которые связаны между собой и влияют на свойства материала.

Первый уровень структуры - кристаллический, показывающий, как распложены ионы, атомы или молекулы в кристаллическои peiuetKe относительно друг друга. Этот уровень организации вещества называется дальним порядком и характеризует упорядоченность, повторяющуюся на неограниченно больших расстояниях. Ближний порядок характеризует упорядоченность на расстояниях, сравнимых с межатомными. К основным структурным параметрам двумерной цилиндрической поверхности УНТ можно отнести диаметр трубки (трубок для МСНТ) и хиральность (индексы хиральности и/или угол хиральности). Совершенство кристаллической структуры графеновых слоев, состоящих из атомов углерода, расположенных в узлах соединения правильных шестиугольников (гексагонов), определяет качество (свойства) реальных УНТ и зависит от многих факторов.

8.1 Электронна» микроскопия Морфологию и структуру поверхности таких материалов, как УНТ, можно визуализировать несколькими способами. Растровая электронная микроскопия (РЭМ) и просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) позволяют изучать материалы с атомным разрешением. Они дают качественно различную информацию об объекте исследования и часто применяются совместно. В растровых электронных микроскопах электронный луч, сжатый магнитными линзами в тонкий (1 -10 нм) зонд, сканирует поверхность образца, формируя на ней растр из нескольких тысяч параллельных линий.

Возникающее при электронной бомбардировке поверхности вторичное излучение (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируется различными детекторами и преобразуется в видеосигналы, модулирующие электронный луч в электроннолучевой трубке (ЭЛТ). Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой поверхности образца. Разработка методов компьютерной обработки РЭМ-изображений позволяет определять морфологические параметры поверхности образцов с помощью программно-аппаратурных комплексов. Трёхмерная реконструкция микрорельефа поверхности образца проводится с помощью специально разработанного пакета прикладных программ "СТЕРЕКОН" (стереореконструкция). Детальный анализ полученных таким образом изображений поперечного сечения УНТ, выполненный методом фурье-преобразования, показывает, что лишь незначительная часть исследованных трубок соответствует традиционной модели, согласно которой трубка представляет собой свёрнутый слой графита, не имеющий швов. С помощью ПЭМ высокого разрешения можно оценить диаметры отдельных однослойных нанотрубок' и их пучков и определить, пустые они или наполненные, одиночные или вложенные одна в другую.

Трансмиссионная (просвечивающая) электронная микроскопия (transmission electron microscopy) реализуется с помощью электронных микроскопов, в которых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией (50-200) кэВ. Разрешение и информативность ПЭМ-изображений во многом определяются характеристиками объекта и способом его подготовки. Обычно применяют очень тонкие (не более 0,01 мкм) срезы, повышая контраст их изображения химической обработкой соединениями тяжёлых металлов.

Сверхтонкие срезы образцов 10 -100 нм) получают с помощью ультрамикротомов - приборов, в которых используются стеклянные или алмазные ножи, причём массивы УНТ предварительно подвергают специальной обработке и заливают в эпоксидные компаунды.

При исследованиях в ПЭМ образцы с трубками обычно располагаются в фокальной плоскости электронного пучка и ориентированы перпендикулярно его оси. Такие эксперименты служат источником информации о продольной структуре трубок и практически не позволяют получать данные об особенностях их поперечной структуры.

Особенно словно интерпретировать результаты исследования структуры многослойных УНТ. Это связано с тем, что получить электронномикроскопические изображения торцевых срезов многослойных угреродных нанотрубок (МСНТ) достаточно сложно, а изображения боковых сечений допускают различные толкования.

МСНТ могут иметь одну из двух структурных разновидностей. Первая из возможных структур - в виде русской матрёшки, т.е. многослойная нанотрубка состоит из вложенных друг в друга однослойных УНТ.

Вторая структурная модель предполагает, что каждая многослойная нанотрубка - это один графеновый лист, скрученный в свиток или рулон.

8.2 Сканирующая зоидовая микроскопия Другим мощнейшим инструментом в нанотехнологии является изобретённый Г. Биннингом и Г. Рорером в 1982 г. сканирующий туннельнный микроскоп (СТМ) Как видно из названия, общее у этих методов - наличие зонда (чаще всего, это хорошо заострённая игла с радиусом при вершине ~ 10 нм) и сканирующего механизма, способного перемещать зонд над поверхностью образца в трёх измерениях. Грубое позиционирование осуществляется трёхкоординатными моторизированными столами.

Тонкое сканирование реализуется с помощью трёхкоординатных пьезоактюаторов, позволяющих перемещать иглу или образец с точностью в доли ангстрема на десятки микрометров в направлениях х и у и на единицы микрометров по оси г.

Все известные в настоящее время методы сканирующей зондовой микроскопии можно условно разбить на три основные группы:

сканирующая туннельная микроскопия;

между элект ропроводящим остриём и образцом прикладывается небольшое напряжение (~ 0,01 - 10 В) и в зазоре р е г и с т р и р у е т с я туннельный ток, зависящий от свойств и расположения атомов на исследуемой поверхности образца.

СТМ позволяет не только измерять диаметры и длину элементов, но и даёт информацию о спиральности (угле закрутки) каждой нанотрубки, её деформации и о взаимном расположении трубок в пучках. Наилучшее пространственное разрешение приборов составляет сотую долю нанометра по нормали к поверхности.

Действие СТМ основано на туннелировании электронов через вакуумный барьер. Высокая разрешающая способность обусловлена тем, что туннельный ток изменяется на три порядка при изменении ширины барьера на величину порядка размера атома;

атомно-силовая микроскопия;

регистрируются изменения силы притяжения иглы к поверхности от точки к точке поверхности образца. Игла расположена на конце консольной балочки (кантилевера), имеющей определённую жёсткость и способной изгибаться под действием небольших ван-дер-ваальсовых сил, которые возникают между исследуемой поверхностью и кончиком острия. Деформацию кантилевера регистрируют по отклонению лазерного луча, падающего на его тыльную поверхность, или с помощью пьезорезистивного эффекта, возникающего в самом кантилевере при изгибе;

ближнепольная оптическая микроскопия;

в этом случае зондом служит оптический волновод (световолокно), сужающийся на том конце, который обращен к образцу, до диаметра меньше длины волны света. Световая волна при этом не выходит из волновода на большое расстояние, а лишь слегка "вываливается" из его кончика. На другом конце волновода установлены лазер и приёмник отражённого от свободного торца излучения. При малом расстоянии между исследуемой поверхностью и кончиком зонда амплитуда и фаза отражённой световой волны меняются, что и служит сигналом, используемым при построении трёхмерного изображения поверхности.

8.3 Рентгеноструктурный анализ Описанные выше методики позволяют исследовать либо только поверхность образца (сканирующая микроскопия), либо сам образец очень малой толщины (просвечивающая микроскопия).

Однако одной из ключевых задач нанодиагностики является определение атомной структуры нанообъектов с точностью, существенно превышающей их характерные размеры. Заметные изменения свойств наблюдаются при изменениях межатомных расстояний даже на 5 х 10" нм, но современные методы микроскопии такую точность получить не позволяют.

Для неразрушающего исследования материала в объёме, дающего количественную информацию об элементном и химическом составе в наномасштабе, в большей степени подходят рентгеновские лучи благодаря большой глубине проникновения их в материал и специфическим взаимодействиям с электронами вещества. В настоящее время широко распространены микроскопические методы, основанные на рентгеновской фотоэмиссии электронов, рентгеновской флуоресценции, а также сканирующие и просвечивающие рентгеновские микроскопы.



Pages:     | 1 || 3 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.