авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РФ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального ...»

-- [ Страница 5 ] --

197. Effect of density of Ge nanocrystals on violet—blue photoluminescence of Ge+-implanted SiO2 film / J.-Y. Zhang, Y.-H. Ye, X.-L. Tan, X.-M. Bao // J. Appl. Phys. – 1999. – Vol.86, №11. – P.6139-6142.

198. Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фёльсков, В. Скору па, Х. Фрёб // ФТП. – 2000. – Т.34, №1. – С.23-27.

199. An electron microscopy study of the growth of Ge nanoparticles in SiO2 / C. Bonafos, B. Gar rido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, Y. Kihn, G. Ben Assayag, A. Claverie // Appl.

Phys. Lett. – 2000. – Vol.76, №26. – P.3962-3964.

200. Photoluminescence from Si1-xGex alloy nanocrystals / S. Takeoka, K. Toshikiyo, M. Fujii, S.

Hayashi, K. Yamamoto // Phys. Rev. B. – 2000. – Vol.61, №23. – P.15988-15992.

201. Breakdown of the k-conservation rule in Si1-xGex alloy nanocrystals: Resonant photolumines cence study / M. Fujii, D. Kovalev, J. Diener, F. Koch, S. Takeoka, S. Hayashi // J. Appl. Phys. – 2000. – Vol.88, №10. – P.5772-5776.

202. Electron spin resonance study of defects in Si1-xGex alloy nanocrystals embedded in SiO2 ma trices: Mechanism of luminescence quenching / K. Toshikiyo, M. Tokunaga, S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // J. Appl. Phys. – 2001. – Vol.89, №9. – P.4917-4920.

203. Raman scattering and x-ray absorption studies of Ge–Si nanocrystallization / A. Kolobov, H.

Oyanagi, N. Usami, S. Tokumitsu, T. Hattori, S. Yamasaki, K. Tanaka, S. Ohtake, Y. Shiraki // Appl. Phys. Lett. – 2002. – Vol.80, №3. – P.488-490.

204. Visible photoluminescence of co-sputtered Ge–Si duplex nanocrystals / Z.W. Xu, A.H.W.

Ngan, W.Y. Hua, X.K. Meng // Appl. Phys. A. – 2005. – Vol.81, №3. – P.459-463.

205. C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, S.J. Pennycook, D.M. Hembree, D.S. Zhou, T. Vo Dinh, R.H. Magruder // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. – 1994. – Vol.316. – P.487.

206. Evans, B.D. Optical properties of the F+-center in crystalline Al2 O3 / B.D. Evans, M. Stapel broek // Phys. Rev. B. – 1978. – Vol.18, №12. – P.7089-7098.

207. Evans, B.D. Optical properties of lattice defects in -Al2O3 / B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y.

Chen // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. – 1994. – Vol.91. – P.258-262.

208. Draeger, B.G. Defects in unirradiated -Al2O3 / B.G. Draeger, G.P. Summers // Phys. Rev. B.

– 1979. – Vol.19, №2. – P.1172-1177.

209. Структурные, оптические и ЭПР исследования голубого корунда, окрашенного имплан тацией ионов кобальта / Р.И. Хайбуллин, О.Н. Лопатин, Б.З. Рамеев, Э.А. Королев, Р. Муста фин, А.И. Бахтин, И.Б. Хайбуллин // Материалы 5-ой международной конф. "Взаимодейст вие излучений с твердым телом", Минск, Беларусь, 6-9 окт. 2003. – Мн., БГУ, 2003. – С.203 205.

210. F+ and F centers in -Al2O3 by electron-induced x-ray emission spectroscopy and cathodolu minescence / P. Jonnard, C. Bonnelle, G. Blaise, G. Remond, C. Roques-Carmes // J. Appl. Phys. – 2000. – Vol.88, №11. – P.6413-6417.

211. Influence of gamma-irradiation sterilization on the structural defects of sapphire single crystals (-Al2O3) / J.C. Dubois, C. Jardin, P. Exbrayat, M. Lissac, D. Treheux // Bio-Med. Mat. Eng. – 2001. – Vol.11. – P.265-273.

212. Luminescence studies of Ti-doped Al2O3 using vacuum ultraviolet synchrotron radiation / V.B.

Mikhailik, H. Kraus, D. Wahl, M.S. Mykhaylyk // Appl. Phys. Lett. – 2005. – Vol.86. – P.101909.

213. Radiation-induced conductivity of Al2O3: Experiment and theory / R.W. Klaffky, B.H. Rose, A.N. Goland, G.J. Dienes // Phys. Rev. B. – 1980. – Vol.21, №8. – P.3610-3634.

214. Changes in the properties of polycrystalline corundum during bombardment by intermediate energy hydrogen and helium ions / S.I. Anisimov, O.N. Gorshkov, V.K. Vasil'ev // Sov. Phys. Tech.

Phys. – 1981. – Vol.26, №3. – P.374-377.

215. Kck, S. Laser-related spectroscopy of ion-doped crystals for tunable solid-state lasers / S.

Kck // Appl. Phys. B. – 2001. – Vol.72. – P.515-562.

216. Ultraviolet laser excited luminescence of Ti-sapphire / L.E. Bausa, I. Vergara, F. Jaque, J.

Garcia Sole // J. Phys.: Condens. Matter. – 1990. – Vol.2. – P.9919-9925.

217. Meldrum, A. Nanocomposites formed by ion implantation: Recent developments and future opportunities / A. Meldrum, L.A. Boatner, C.W. White // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. – 2001. – Vol.178. – P.7-16.

218. Origin of luminescence from Si--implanted (102) Al2O3 / C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R.G. Elliman // Appl. Phys. Lett. – 2004. – Vol.84, №14. – P.2667-2669.

219. Structural and electrical characteristics of Ge nanoclusters embedded in Al2O3 gate dielectric / Q. Wan, C.L. Lin, W.L. Liu, T.H. Wang // Appl. Phys. Lett. – 2003. – Vol.82, №26. – P.4708-4710.

220. Self-formed silicon quantum wires on ultrasmooth sapphire substrates / S.-I. Yanagiya, S.

Kamimura, M. Fujii, M. Ishida, Y. Moriyasu, M. Matsui, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, K. Yoshida, K. Sasaki, H. Koinuma // Appl. Phys. Lett. – 1997. – Vol.71, №10. – P.1409-1411.

221. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников / А.И. Ансельм. – М.: Наука, 1978.

– 616 с. – ISBN 10238.

222. Копылов, А.А. «Двухгорбовая» структура и параметры X-минимума в зоне проводимо сти полупроводников III-V групп / А.А. Копылов // ФТП. – 1982. – Т.16, №12. – С.2141-2144.

223. Бурдов, В.А. Электронные и дырочные спектры кремниевых квантовых точек / В.А.

Бурдов // ЖЭТФ. – 2002. – Т.121, №2. – С.480-488.

224. Н.Н. Герасименко. «Способ ионного внедрения в кристаллические подложки» Автор ское свидетельство СССР № 906304, приоритет от 02.10.1980.

225. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O.

Kaitasov, H. Bernas // ФТП. – 2000. – Т.34, №8. – С.1004-1009.

226. Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, им плантированном ионами Si / Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К.

Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков // ФТП. – 1998. – Т.32, №11. – С.1371 1377.

227. Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра крем ниевых наноструктур / Э.П. Домашевская [и др.] // ФТТ. – 2004. – Т.46, №2. – С.335-340.

228. Blue luminescence from Si+-implanted SiO2 films thermally grown on crystalline silicon / L. S. Liao, X.-M. Bao, X.-Q. Zheng, N.-S. Li, N.-B. Min // Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol.68, №6. – P.850-852.

229. The nitrogen as the doping impurity in silicon and germanium / P.V. Pavlov, E.I. Zorin, D.I.

Tetelbaum, A.F. Khokhlov // Phys. Stat. Sol. A. – 1976. – Vol.35, №11. – P.11-36.

230. Short-wavelength photoluminescence from silicon and nitrogen coimplanted SiO2 films / J.

Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, G.Q. Yang // Appl. Phys.

Lett. – 1999. – Vol.74, №10. – P.1403-1405.

231. Lannoo, M. Theory of radiative and nonradiative transitions for semiconductor nanocrystals / M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan // J. Lum. – 1996. – Vol.70, №1-6. – P.170-184.

232. Ultraviolet-radiation-induced chemical reactions through one- and two-photon absorption processes in GeO2–SiO2 glasses / J. Nishii, N. Kitamura, H. Yamanaka, H. Hosono, H. Kawazoe // Opt. Lett. – 1995. – Vol.20, №10. – P.1184-1186.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ [A1] The formation modeling and properties of nanocrystals in insulator matrices (SiO2:Si, ZrO2(Y):Zr) by ion implantation / W. Eckstein, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, V.A.

Novikov, D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.S. Ostashov, A.N. Mikhailov // Proc. of XIII International Conf. on Ion Implantation Technology, Alpbach, Austria, Sept. 17-22, 2000. – P.757-760.

[A2] The influence of annealing temperature and doping on the red/near-infrared luminescence of ion implanted SiO2:nc-Si / D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.G. Revin, D.M. Gaponova // MRS Proc. – 2001. – Vol.692. – H10.8.

[A3] Влияние примесей на фотолюминесценцию системы SiO2:Si / С.А. Трушин, О.Н.

Горшков, В.А. Бурдов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова // Вестник ННГУ. Серия «Физика твердого тела». – 2001. – Вып.2, №5. – С.18-28.

[A4] About the "phosphorus" sensitization of silicon quantum dots in SiO2 photoluminescence / D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, A.N. Mikhaylov, S.A. Trushin // Proc. of SPIE Int. Soc. Opt.

Eng. – 2002. – Vol.5023. – P.186-189. [About the "phosphorus" sensitization of silicon quantum dots in SiO2 photoluminescence / D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, A.N. Mikhaylov, S.A. Trushin // Proc. of 10-th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, 17-21 Jun., 2002. – P.206-209.] [A5] The optimization of photoluminescence properties of ion-implantation-produced nanostructures on the base of Si inclusions in SiO2 matrix / S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova // Surface and Coatings Technology. – 2002. – Vol.158-159. – P.717-719.

[A6] The properties of the phosphorus- and boron-doped SiO2:Si nanostructures / D.I. Tetelbaum, E.S. Demidov, A.N. Mikhaylov, S.A. Trushin, D.M. Gaponova, G.A. Kachurin, S.G.

Yanovskaya, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein // Proc. of 5th ISTC Seminar "Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology", St. Petersburg, Russia, May 27-29, 2002. – P.108-113.

[A7] The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implanted SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation / D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasil'ev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – 2003. – Vol.16, №3-4. – P.410 413.

[A8] Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si / В.А. Бурдов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И.

Тетельбаум, С.А. Трушин Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.М. Гапонова // Изв. РАН.

Сер. физ. – 2003. – Т.67, №2. – С.186-188.

[A9] Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов // ФТП. – 2003. – Т.37, №6. – С.738-742. [The Effect of Implantation of P Ions on the Photoluminescence of Si Nanocrystals in SiO2 Layers / G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.I. Tetelbaum, and A.N. Mikhaylov // Semiconductors. – 2003. – Vol.37. – P.713.] [A10] About the impurity effect in the SiO2:nc-Si system / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A.

Trushin, A.N. Mikhaylov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, S.V. Morozov, G.A. Kachurin, S.G.

Yanovskaya // Proc. of Nanomeeting, Minsk, Belarus, May 20-23, 2003. – P.37-39.

[A11] The luminescent properties of ion-implantation-fabricated SiO2:nc-Si nanostructures annealed at high temperatures / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, V.A.

Burdov, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.M. Gaponova // MRS Proc. – 2003. – Vol.777. – T5.6.

[A12] Влияние легирования азотом и бором на фотолюминесценцию ионно синтезированных слоев SiO2:nc-Si / Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, С.В. Морозов, А.И. Ковалев // Труды 16-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2003), Звенигород, Россия, 25-29 авг., 2003. – Т.2. – С.63-65.

Влияние ионной имплантации P+, B+ и N+ на люминесцентные свойства системы [A13] SiO2:nc-Si / Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, В.А. Бурдов, С.А. Трушин, А.Н.

Михайлов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов, А.И. Ковалев // ФТТ. – 2004. – Т.46, №1. – С.21-25. [The Influence of P+, B+, and N+ Ion Implantation on the Luminescence Properties of the SiO2:nc-Si System / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, V.A. Burdov, S.A. Trushin, A.N.

Mikhaylov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov, A.I. Kovalev // Phys. Sol. State. – 2004.

Vol.46, №1. – P.17-21.] Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках с [A14] участием фононов / В.А. Беляков, В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, А.Н. Михайлов, Д.И.

Тетельбаум, С.А. Трушин // ФТТ. – 2004. – Т.46, №1. – С.31-34. [Phonon-assisted radiative electron-hole recombination in silicon quantum dots / V.A. Belyakov, V.A.

Burdov, D.M. Gaponova, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin // Phys. Sol. State.

2004. – Vol.46, №1. – P.27-30.] Влияние дозы, температуры отжига и донорной примеси на интенсивность [A15] фотолюминесценции нановключений кремния в SiO2 при ионной имплантации / Д.И.

Тетельбаум, О.Н. Горшков, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова и В. Экштайн // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. – 2004. – №4. – С.32-36.

О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на [A16] фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2 / Д.И.

Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М.

Гапонова, С.В. Морозов // ФТТ. – 2005. – Т.41, №1. – С.17-21. [Effect of coalescence and of the character of the initial oxide on the photoluminescence of ion-synthesized Si nanocrystals in SiO2 / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, A.I.

Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov // Phys. Sol. State. – 2005. – Vol.47, №1. – P.13-17.] Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с [A17] промежуточными отжигами / Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В.

Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов // ФТП. – 2005. – Т.39, №5. – С.582-586. [The formation of silicon nanocrystals in SiO2 layers by the implantation of Si ions with intermediate heat treatments / G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetel'baum, D.V. Marin, A.F. Leer, A.K. Gutakovski, A.G. Cherkov, A.N. Mikhaylov // Semiconductors. – 2005. – Vol.39, №5. – P.552-556.] [A18] Ion beam synthesis of Si nanocrystals in silicon dioxide and sapphire matrices – the photoluminescence study / A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.I. Belov, S.V. Morozov // Vacuum. – 2005. – Vol.78, №2-4. – P.519-524.

Фотолюминесценция в пленках Si0.9Ge0.1O2 и GeO2, облученных ионами кремния / [A19] О.Н. Горшков, Ю.А. Дудин, В.А. Камин, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, В.А.

Новиков, Д.И. Тетельбаум // Письма в ЖТФ. – 2005. – Т.31, №12. – С.39-47.

[Photoluminescence of Si0.9Ge0.1O2 and GeO2 films irradiated with silicon ions / O.N.

Gorshkov, Yu.A. Dudin, V.A. Kamin. A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, V.A. Novikov, D.I.

Tetelbaum // Tech. Phys. Lett. – 2005. Vol.31, №6. – P.509-512.] [A20] Influence of the nature of oxide matrix on the photoluminescence spectrum of ion synthesized silicon nanostructures / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P.

Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss // Thin Solid Films. – 2006. Принято в печать. [Influence of the nature of oxide matrix on the photoluminescence spectrum of ion-synthesized silicon nanostructures / D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P. Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, S.V. Morozov // Proc. of the International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials, Aveiro, Portugal, 7-9 September, 2005. – P. P-63 – P-65.] [A21] Peculiarities of the formation and properties of silicon nanocrystals in sapphire / D.I.

Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, T.G. Finstad, S. Foss, L. Pavesi, L. Ferraioli // Proc. of the First International Workshop on Semiconductor Nanocrystals (SEMINANO 2005), Budapest, Hungary, Sept. 10-12, 2005. – Vol.1. – P.161-164. ISBN 963 7371 18 4.

[A22] The peculiarities of electronic structure of Si nanocrystals formed in SiO2, and Al2O3 matrix with and without P doping / A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov // Surf. and Interf. Anal. – 2006. – Vol.38. Принято в печать.

[A23] Оптические свойства слоев Si1-xGexO2, имплантированных большими дозами Si / Д.И.

Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, Ю.А. Чигиринский, В.А. Камин, В.А.

Новиков, А.Н. Михайлов // Труды 17-ой Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью", Звенигород, Россия, 25-29 авг., 2005. – Т.2. – С.217-220. ISBN 5-7035-1561-0.

[A24] Влияние примесей на фотолюминесценцию системы SiO2:Si / С.А. Трушин, О.Н.

Горшков, В.А. Бурдов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова // Тезисы докладов V Всероссийского семинара «Физико-химические основы ионной имплантации», Н. Новгород, Россия, 11-13 окт., 2000. – С.22.

[A25] О влиянии имплантированных примесей – фосфора и бора на границу раздела фаз в системе SiO2 с нанокристаллическими включениями кремния / С.А. Трушин, А.Н.

Михайлов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Д.И. Тетельбаум // Тезисы докладов конференции «XIX научные чтения имени академика Н.В. Белова», Н. Новгород, Россия, 14-15 дек., 2000. – С.109.

[A26] The optimization of photoluminescence properties of ion-implantation-produced nanostructures on the base of Si inclusions in SiO2 matrix / S.A. Trushin, A.N. Mikhailov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov // Abstracts of 12th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, Marburg, Germany, Sept. 9-14, 2001. – P. [A27] Получение и свойства ионно-имплантированных структур на базе кремния и SiO2, люминесцирующих при комнатной температуре в красном и ближнем ИК-диапазоне / Д.И. Тетельбаум, В.А. Бурдов, С. А. Трушин, А. Н. Михайлов, А. Х. Мухаматуллин, С. Е. Акис, Д. Г. Ревин, Д. М. Гапонова // Международная конференция по люминесценции, Москва, Россия, 17-19 окт., 2001. – С.229.

[A28] Влияние режима отжига и дозы облучения на люминесцентные свойства системы нанокристаллов кремния, полученной методом ионной имплантации Si+ в двуокись кремния / О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, Д.М.

Гапонова, Д.Г. Ревин // Тезисы докладов XXXI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, Россия, 28-30 мая, 2001. – С.100.

[A29] Теоретическое и экспериментальное исследование фотолюминесценции квантовых точек Si в SiO2, легированных мелкими примесями / В.А. Бурдов, А.Н. Михайлов, Д.И.

Тетельбаум, С.А. Трушин, Д.М. Гапонова, Д.Г. Ревин // Тезисы докладов V Всероссийской конференции по физике полупроводников, Н. Новгород, Россия, сент.

2001. – Т.2. – С.356.

[A30] Особенности фотолюминесценции нанокристаллов кремния в слоях двуокиси кремния, легированных фосфором / А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Тезисы докладов III Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С. Петербург, Россия, 5-8 дек., 2001. – С.74.

[A31] The influence of annealing temperature and doping on the red/near-infrared luminescence of ion implanted SiO2:nc-Si / D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, S.A. Trushin, A.N. Mikhailov, D.G. Revin, D.M. Gaponova // Abstracts of MRS 2001 Fall Meeting, Boston, USA, Nov.

26-30, 2001. – P.164-165.

[A32] О механизмах влияния температуры отжига на люминесценцию ионно синтезированной наноструктурированной системы SiO2:Si / Д.И. Тетельбаум, С.А.

Трушин, А.Н. Михайлов, Д.М. Гапонова // Тезисы докладов отчетной конференции выставки по подпрограмме «Транспорт», Москва-Звенигород, Россия, 11-13 февр., 2002. – С.403.

[A33] Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si / В.А. Бурдов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И.

Тетельбаум, С.А. Трушин Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.М. Гапонова // Сборник трудов конференции «Всероссийское совещание Нанофотоника-2002», Н. Новгород, Россия, 11-14 март., 2002. – С.192-195.

[A34] The properties of ion-synthesized and phosphorus ion-doped silicon nanostructures in SiO2 / D.I. Tetelbaum, E.S. Demidov, V.A. Burdov, A.N. Mikhaylov, S.A. Trushin, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, D.M. Gaponova // Abstracts of IV International symposium (ION 2002), Kazimierz Dolny, Poland, Jun. 10-13, 2002. – P.124.

[A35] The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implanted SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation / D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasil'ev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova // Abstracts of E-MRS Spring Meeting 2002, Strasbourg, France, Jun. 18-21, 2002. – H/PI.12.


[A36] Влияние легирования ионами Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, С.А. Трушин // Тезисы докладов Совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний-2002», Новосибирск, Россия, 9-12 июл., 2002. – С.60.

[A37] The properties of the phosphorus- and boron-doped SiO2:Si nanostructures / D.I. Tetelbaum, E.S. Demidov, A.N. Mikhaylov, S.A. Trushin, D.M. Gaponova, G.A. Kachurin, S.G.

Yanovskaya, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein // Abstracts of 5th ISTC Seminar "Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology", St. Petersburg, Russia, May 27-29, 2002. – P.23-24.

[A38] Optical properties of an ion-synthesized SiO2 :nc-Si system / A.N. Mikhaylov, D.I.

Tetelbaum, S.A. Trushin, D.M. Gaponova // Abstracts of III International Young Scientists Conference “Problems of Optics and High Technology Material Science”, Kyiv, Ukraine, Oct. 23-26, 2002. – Р.42.

[A39] The luminescent properties of the ion-implantation-fabricated SiO2:nc-Si nanostructures annealed at high temperatures / D. Tetelbaum, O. Gorshkov, A. Kasatkin, S. Trushin, A.

Mikhaylov, D. Gaponova // Abstracts of MRS 2003 Spring Meeting, San Francisco, USA, Apr. 21-25, 2003. – P.396-397.

[A40] Влияние легирования на свойства системы SiO2:nc-Si / Д.И. Тетельбаум, О.Н.

Горшков, В.А. Бурдов, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов // Материалы Всероссийского совещания «Нанофотоника», Н. Новгород, Россия, 17– март., 2003. – С.165-169.

[A41] Факторы, влияющие на интенсивность фотолюминесценции нанокристаллов Si в SiO / А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.П. Касаткин, С.А. Трушин // Тезисы докладов VIII Нижегородской сессии молодых ученых «Голубая Ока», Н. Новгород, Россия, 20 25 апр., 2003. – С.86.

[A42] The influence of interface states on the luminescence of SiO2:nc-Si and a-Si:nc-Si systems formed by ion implantation / D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, E.S. Demidov, A.N.

Mikhaylov, G.A. Kachurin, W. Hornig, D.M. Gaponova, S.V. Morozov // Abstracts of E MRS 2003 Spring Meeting, Strasbourg, France, Jun. 10-13, 2003. – E/PI.23.

[A43] Состояние ионно-имплантированного фосфора в системе нанокристаллов кремния / О.Н. Горшков, Е.С. Демидов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Д.Л. Вайнштейн, А.И.

Ковалев, С.В. Морозов // Тезисы Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний 2003», Москва, Россия, 26-30 мая, 2003. – С.107.

Коалесценция нанокристаллов, ионно-синтезированных в SiO2, и ее влияние на [A44] интенсивность фотолюминесценции / А.Н. Михайлов, А.П. Касаткин, В.А. Бурдов, Д.И. Тетельбаум // Тезисы конференции «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий (МНТ-VII)», Обнинск, Россия, 16 20 июн., 2003. – С.120.

Влияние интерфейсов на оптические и люминесцентные свойства наноструктур на [A45] основе кремния / Е.С. Демидов, Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Ю.А.

Менделева, С.В. Морозов, Д.М. Гапонова // Тезисы V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, Россия, 23-27 июн., 2003. – С.200.

О природе спектров фотолюминесценции в кремниевых наноструктурах, полученных [A46] ионным облучением / Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, Ю.А. Менделева, Е.А.

Петриченко, С.В. Морозов // Тезисы V Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2003)», Минск, Белоруссия, 6- окт., 2003. – С.306-307.

Германийсодержащие оксидные пленки, полученные методом магнетронного [A47] распыления / О.Н. Горшков, Е.М. Дианов, Ю.А. Дудин, В.А. Камин, А.П. Касаткин, Ю.В. Ларионов, А.Н. Михайлов, В.О. Назарьянц, В.А. Новиков, В.Г. Плотниченко, Д.И. Тетельбаум, А.Б. Чигинева, Ю.И. Чигиринский // Тезисы докладов конференции «XXII научные чтения имени академика Н.В. Белова», Н. Новгород, Россия, 18- дек., 2003. – С.89.


Ионно-лучевой синтез нанокристаллов Si в матрицах SiO2 и Al2O3 / А.Н. Михайлов, [A48] Д.И. Тетельбаум, А.П. Касаткин, В.А. Бурдов, С.В. Морозов // Тезисы докладов Десятой ежегодной международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика», Москва, Россия, 2- март., 2004. – Т.1. – С.239.

Ионно-лучевой синтез и свойства нанокристаллов кремния в различных матрицах (a [A49] Si, SiO2, Al2O3) / Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Ю.А. Менделева, А.И. Белов, С.В. Морозов // Труды Всероссийского совещания «Нанофотоника-2004», Н. Новгород, Россия, 2-6 мая, 2004. – С.291.

[A50] Ion beam synthesis of Si nanocrystals in silicon dioxide and sapphire matrices – the photoluminescence study / A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, S.V. Morozov // Abstracts of V International Conference ION 2004, Kazimierz Dolny, Poland, Jun. 14-17, 2004. – P.130.

[A51] Luminescent Si nanocrystals in SiO2 layers by ion-beam synthesis with intermediate annealing / G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetelbaum, D.V. Marin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, A.N. Mikhaylov, A.G. Cherkov // Abstracts of V International Conference ION 2004, Kazimierz Dolny, Poland, Jun. 14-17, 2004. – P.31.

Фотолюминесценция кремниевых наноструктур, сформированных путем отжига [A52] сапфира, облученного ионами кремния, и многослойной нанопериодической системы a-Si/Al2O3 / А.В. Ершов, А.Н. Михайлов, О.Н. Горшков, А.И. Машин, Д.И. Тетельбаум // Тезисы докладов IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», С. Петербург, Россия, 5-8 июл., 2004. – C.126.

Люминесцентные и электронные свойства сапфира и пленок Al2O3, [A53] имплантированных ионами Si+ / А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.В.

Ершов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова // Тезисы докладов VII Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Н. Новгород, Россия, 26-29 окт., 2004. – С.43.

[A54] Люминесценция пленок SiO2-GeO2 и GeO2, подвергнутых имплантации ионов Si+ и отжигу / О.Н. Горшков, Е.М. Дианов, Д.И. Тетельбаум, А.П. Касаткин, А.Н.

Михайлов, Ю.А. Дудин, В.А. Камин // Тезисы докладов VII Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Н. Новгород, Россия, 26-29 окт., 2004. – С.107.

[A55] Модификация края оптического поглощения пленок GeO2 при отжиге и ионном облучении / О.Н. Горшков, Е.М. Дианов, В.А. Камин, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, В.А. Новиков, А.Б. Чигинева, Т.Ю. Чигиринская // Тезисы докладов VII Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Н. Новгород, Россия, 26-29 окт., 2004. – С.95.

[A56] Модификация полос поглощения кислородно-дефицитных центров и показателя преломления пленок 90 мол.% SiO2 – 10 мол.% GeO2 при высокотемпературном ионном облучении / О.Н. Горшков, Е.М. Дианов, Ю.А. Дудин, А.П. Касаткин, А.Н.

Михайлов, В.А. Новиков, А.Б. Чигинева, Ю.И. Чигиринский // Тезисы докладов VII Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Н. Новгород, Россия, 26-29 окт., 2004. – С.97.

[A57] Photoluminescence of low-dimensional Al2O3-Si systems produced by methods of electron beam evaporation and Si+ ion implantation / D.I. Tetelbaum, A.V. Ershov, A.I. Mashin, A.N.

Mikhaylov // Abstracts of V International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, Cancun-Mayan Riviera-Mexico, 12-17 Dec., 2004. – P.144.

[A58] Исследования процессов формирования и свойств наноструктур на базе кремния, полученных методом ионного облучения, в НИФТИ ННГУ / Д.И. Тетельбаум, А.А.

Ежевский, А.В. Ершов, А.Н. Михайлов, М.Ю. Лебедев, Ю.А. Менделева, А.И. Белов // Труды 6-го Международного Уральского Семинара "Радиационная физика металлов и сплавов", Снежинск, Россия, 20–26 февр., 2005. – С. 132-133.

[A59] Влияние дефектообразования и формирования нанокристаллов на оптические и люминесцентные свойства пленок GeO2 при ионной имплантации и отжиге / Д.И.

Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, В.А. Камин, В.А. Новиков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов // Труды IX Ежегодного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н.

Новгород, Россия, 25-29 март., 2005. – Т.2. – С.417-418.

[A60] Люминесцентные свойства наноструктур Al2O3-Si, полученных методами электроннолучевого осаждения и ионной имплантации с последующим отжигом / А.В.

Ершов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Машин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова // Труды IX Ежегодного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н.Новгород, Россия, 25-29 март., 2005. – Т.2. – С.324-325.

[A61] Исследование процессов формирования и свойств кремниевых наноструктур, полученных ионно-лучевым методом / А.Н. Михайлов, Ю.А. Менделева, А.И. Белов // Тезисы докладов 12-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2005", Москва, Зеленоград, Россия, 19-21 апр., 2005. – С.34.

[A62] Люминесцентные свойства ионно-синтезированных композиций на основе нанокристаллов Si в оксидных матрицах / А.И. Белов, Д.И. Тетельбаум, В.Г.

Шенгуров, А.Н. Михайлов, Д.М. Гапонова // Тезисы семинара «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий (МНТ-VIII)», Обнинск, Россия, 14-18 июн., 2005. – С.44-45.

[A63] Ионно-лучевой синтез люминесцирующих нанокристаллов кремния в матрице Al2O3 / А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, Т.Г. Финстад, С. Фосс // Тезисы 3-й Международной научной конференции «Фундаментальные проблемы физики», Казань, Россия, 13-18 июн., 2005. – С.60.

[A64] Влияние легирования донорными и акцепторными примесями на люминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2 / А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, Д.А. Камбаров // Тезисы 3-й Международной научной конференции «Фундаментальные проблемы физики», Казань, Россия, 13-18 июн., 2005. – С.156.

[A65] XANES investigations of Si nanocrystals obtained by implantation of silicon in SiO2 films / V.A. Terekhov, E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, D.I. Tetel'baum, A.N. Mikhailov // Abstracts of European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'05), Vienna, Austria, Sept. 25-30, 2005. – P.266.

[A66] Ion-beam synthesis of light-emitting silicon nanocrystals in crystalline and amorphous aluminum oxides / A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, A.V.

Ershov, A.I. Belov, T.G. Finstad, S. Foss. // Abstracts of 14th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, Kusadasi, Turkey, Sept. 4-9, 2005. – P.265.

[A67] SiO2:nc-Si nanocomposites ion-doped with P, N, B impurities: modification of the photoluminescence properties / A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.K. Vasiliev, A.I. Belov, D.A. Kambarov // Abstracts of 14th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, Kusadasi, Turkey, Sep. 4-9, 2005. – P.264.

[A68] Influence of ion doping with donor and acceptor impurities on photoluminescence of defects and Si nanocrystals in SiO2 films / Abstracts of MRS 2005 Fall Meeting, Boston, USA, Nov. – 2 Dec., 2005. – OO14.10. – P.995.

[A69] The peculiarities of electronic structure of Si nanocrystals formed in SiO2, and Al2O3 matrix with and without P, B, N doping / A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, D.I. Tetel'baum, A.N.

Mikhailov / Abstracts of European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'05), Vienna, Austria, Sept. 25-30, 2005. – P.261.

[A70] Investigation of electronic structure of the interface of Si nano-crystals in Al2O3 and P doped SiO2:Si nanocomposites / A. Kovalev, D. Wainstein, D. Tetelbaum, A. Mikhailov, Yu.

Kucherenko // Abstracts of 13th International Congress on Thin Films / 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13 / ACSIN8), Stokholm, Sweden, 19-23 Jun., 2005. – P.128.



Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.