авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 || 9 | 10 |   ...   | 16 |

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ ...»

-- [ Страница 8 ] --
Краткие характеристики некоторых приемников Пироэлектрические= Оптико-акустического= Болометры= Характеристики= датчики= приемника= и параметры= БПOJO= БПOJN= БПOJPВ= БКМJN= НБГJN= ФЭУJO= Вольтовая= PMM= RM= NM= OMM= NIR= NMM= чувствительностьI=В/Вт= Число чувствительных= N= N= O= O= O= N= N= N= NIS= элементов= Размеры приемной= NN= OIRMIQ= NIUNIO= площадкиI=мм= = ВыводыK На практике ТГц излучение применяется в самых различных сферах= человеческой деятельностиW=информационные и коммуникационные технологииX=биология и= медицинские наукиX= неразрушающий контроль изделийX= безопасность жизнедеятельностиX= контроль качества пищи и сельскохозяйственных продуктовX= мониторинг окружающей= средыX=высокоскоростная вычислительная техникаK=В данной работе я исследовал приемники= способные детектировать ТГц диапазон частот и сравнивал их свойстваK =В итоге я выявил= перспективность развития пироэлектрических приемников в связи сW=малыми размерами по= сравнению с другимиI= с возможностью формирования матриц и с сравнительно небольшим= энергопотреблениемK= = Литература NK vunJphik=iee=mrinciples=of=qer~hertz=pcience=~nd=qechnologyI=OMMVK=–=uffK=–=PQM=pK= OK Аксененко М.ДK= Бараночников М.ЛK= Приемники оптического излученияK= СправочникK= –= МKW=Радио и связьI=NVUTK=–=OVS=сK= PK Мирошников М.МK= Теоретические основы оптико-электронных приборовK= Учебное= пособие для вузовK=–=ЛKW=Машиностроение=EЛенингрK=отд-ниеFI=NVTTK=–=SMM=сK== QK Кременчугский Л.СKI= Ройцина О.ВK= Пироэлектрические приемники излученияK= –= КиевW= НаукK=думкаI=NVTVK=–=PUN=сK= RK Ишанин Г.ГKI= Панков Э.ДKI= Андреев А.ЛKI= Польщиков Г.ВK= Источники и приемники= излученияK=Учебник для вузовK=–=СПбW=ПолитехникаI=NVVNK=–=OQM=сK= SK httpWLLwwwKfemtoKcomKu~L~rticlesLp~rt|OLOUPUKhtml= TK httpWLLwwwKmur~t~Kcom= UK httpWLLwwwKdetectJufoKn~rodKruLpriborLdetect|irLpiroelement|MNKhtml= = = = NTM= = УДК=RPTKUT= = ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВОЛНОВОГО ФРОНТА В ТГЦ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ С ПОМОЩЬЮ СПЕКЛ-КАРТИН, СФОРМИРОВАННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ ДЛИНАМИ ВОЛН А.НK Галиаскаров Научный руководитель – к.фK-м.нK, ст.н.сK Н.ВK Петров = Краткое вступление, постановка проблемыK С использованием восстановления= волнового фронта решаются многие задачи связанные с медицинойI= наукой и техникойI= в= химическом анализеI= в контроле качества продукцииK= В частности медицина= –= это= диагностика заболеванийX= контроль продукции= –= проверка выпускаемой продукции на= подлинность и качествоK= Отдельный интерес в области восстановления волнового фронта занимает= восстановление волнового фронта в терагерцовом диапазоне частот= EMIN–NM=ТгцFK= Терагерцевое= EТГцF= излучение= –= вид электромагнитного излученияI= спектр частот которого= расположен между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонамиK= Возможности ТГц излучения стимулируют интерес к созданию различных методик= диагностики на его основеK= Совершенствование технологии генерацииI= управления= распространениемI=и детектирования ТГц излучения привело к развитию различных методов= отображения визуализации свойств исследуемого объекта в двухI=и даже трех измеренияхK= = Цель работыK Численное исследование метода восстановления волнового фронта=EВФFI= основанного на использовании спекл-картинI= сформированных различными длинами волн в= терагерцовом диапазонеK= В работе так же представлены оценки минимального уровня энергии ТГц поляI= необходимого для регистрации распределений интенсивностиI=пригодных для использования= в методе восстановления фазы ВФK= = Основные результатыK Были рассмотрены различные комбинации метода= восстановления ВФ с различными фазовыми анализаторами=Eсвободное пространствоI=линзаI= амплитудные маскиFK= Так же было оценено качество восстановления для таких фазовых= анализаторовK= А так же исследовал две различные математические модели-преобразования= ФренеляI=и метода распространения углового спектра плоских волнK = Литература NK t~ng=vKI= wh~o= wKI= Chen=wKI= wh~ng= iKI= h~ng= hK= ~nd= aeng= gK= ContinuousJw~ve= ter~hertz= ph~se= im~ging=using=~=f~rJinfr~red=l~ser=interferometer=LL=ApplK=lptKI=OMNNK–=RMK=–=РK=SQRO–SQSMK= OK jittlem~n=aK=pensing=with=qer~hertz=o~di~tion=ppringerK=–=_erlinI=OMMPK= PK iee= vKJpK= mrinciples= of= qer~herz= pcience= ~nd= qechnologyK= –= Corv~lisI= lreJgonW= ppringer= pcienceH_usiness=jedi~I=OMMVK=–=PQT=mK= QK t~ng=~nd=uKJCK=wh~ng=LL=gK=mhysKI=OMMQK=–=a=PTK=–=oNK= RK Петров НKI= Беспалов ВK= Восстановление волнового фронта при безопорной цифровой= ПЗС-регистрации мультиспектральных спекл-картин= LL= НаносистемыW= физикаI= химияI= математикаI=OMNNK=–=ТK=OK=–=№=NMK= SK Петров НKI= Беспалов ВK= Восстановление изображений с использованием набора= пространственных спекл-картинI= сформированных несколькими длинами волн= LL= в сбK= тезисов докладов конференции по физике и астрономии для молодых ученых СанктJ Петербурга и Северо-Запада=…ФизикА.СПб»K=–=СПбW=ИздK=СПбГПУI=OMNMK= = = = NTN= = УДК=TTUKPU= = ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ЗАПИСИ НА ПАРАМЕТРЫ ОБЪЕМНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ ГОЛОГРАММ-РЕШЕТОК Д.АK Гомон Научный руководитель – к.фK-м.нK, ст.н.сK О.ВK Андреева = Краткое вступлениеK Постановка проблемыK Объект исследования= –= объемные= голограммы-решетки в полимерном материале ДиффенK= Получение голограмм на материале= Диффен производится в три этапаW= записьI= постэкспозиционная обработкаI= фиксированиеK= Для получения качественных объемных голограмм требуется глубокое понимание= физических процессовI=протекающих на всех этапах их полученияK=Данная работа посвящена= исследованию влияния условий записи на основные параметры голограмм-решетокI= такие= как дифракционная эффективность и угловая селективностьK= = Цель работыK Влияние условий записи на основные параметры голограмм исследовано= в ряде работK= Каждая голографическая установка требует особого внимания к стабилизации= определенного набора условий экспериментаI= необходимых для получения заданных= параметров голограммK= Основная цель данной работы= –= получениеI= обработка и анализ= экспериментальных данныхI= определяющих взаимосвязь различных условий проведения= этапа записи с параметрами готовых голограммK= = Базовые положения исследованияK Для проведения работы необходимо было выбратьI= разработать и применить адекватные методики измерения параметров голограмм и оценки= условий проведения экспериментовI=необходимые для проведения анализа их взаимосвязиK= Параметры голограмм измерялись как после регистрацииI= так и на различных этапах= постэкспозиционной обработкиK= Изменения условий записи оценивались по максимально достигнутым параметрам= готовых голограмм и по стабильности интерференционной картины на экспериментальном= стендеK= = Промежуточные результатыW - освоена техника получения объемных голограмм-решетокX= - отработана методика измерения основных параметров объемных голограмм-решеток= (дифракционной эффективности и угловой селективностиFX= - разработана форма предоставления экспериментальных данныхI= удобная для= сравнительного анализаX= - отработана методика исследования зависимости свойств объемных полимерных= голограмм-решеток= Eдифракционной эффективности и угловой селективностиF= с= учетом изменения отдельных условий записиX= - намечен ход дальнейших исследованийK= = Основной результатK В ходе работы была отработана методика измерения основных= параметров объемных полимерных голограмм-решетокI=предназначенная для учета влияния= отдельных условий записиI= собран экспериментальный стенд для проведения измеренийK= Получены предварительные результатыK= = = = NTO= = УДК=RQPKOT= = ФОТОТЕРМИЧЕСКИЙ МЕТОД ГАЗОВОГО АНАЛИЗА В ПРИЛОЖЕНИИ ДИАГНОСТИКИ ЗАБОЛЕВАНИЙ ПО СОСТАВУ ВЫДОХА ЧЕЛОВЕКА Д.СK Староверов (Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных= технологийI=механики и оптикиF= Научный руководитель – к.ф-м.нK С.АK Винокуров (Научно-производственная корпорация=…ГОИ имK=С.ИK=Вавилова»I=Санкт-ПетербургF= = ВступлениеK Газообмен с окружающей средой является одним из важнейших факторов= существования организмовK= Некоторые из молекулI= обладающие наибольшей= специфичностью образования в организмеI= можно использовать в качестве естественных= газообразных биомаркеров для диагностики заболеваний по составу выдыхаемого воздухаK= = Цель работыK Проанализировать и рассмотреть наиболее чувствительные современные= методы газового анализаI= в том числе фототермический методK= Оценить важность= аналитических характеристикK= Рассмотреть схему газоанализатораI= реализованного с= помощью фототермического методаI= и провести измерения с целью обнаружения значения= предельной чувствительности газаK= = Базовые положения исследованияK Для реализации газоанализатора необходимо= использовать кювету со смесью газа заполненной СOНQ в атмосфере= kO= при давлении= N =атмK = Расположить таким образомI= чтобы через нее проходил пучокI= от источника считывающего= излученияI=регистрирующийся на фот диодеI=а возбуждающие излучение создавало градиент= показателя преломления в кюветеK= Получить значения предельной чувствительности на= уровне=MITNMJU–MIUNMJU=K= = Промежуточные результатыK В ходе исследования был применен метод= фототермического газоанализаK= Проведены измерения при следующих технических= параметрахW= - частота модуляции излучения=ClO=лазера=fZNOIRГцX= - полоса пропускания f=ZMINГцX= - мощность излучения=ClO=лазера=–=NВтX= - количество проходов излучения через кювету=–=один проходK= Были получены значения полезного сигнала с указанной кюветойI= измерен шумI= и= высчитаны значения предельной чувствительностиI= при данных значениях технических= параметровK= = Основной результатK В результате проделанной работы по анализу газа было доказаноI= что фототермический метод имеет высокую чувствительность и не уступает другим методамI= а в некоторых случаях является более эффективнымK= Также данный метод может= применяться вообще без кюветы тем самымI= давая возможность проводить анализ газа в= пространстве и в реальном времениK= = = = NTP= = УДК=TTUKPU= = ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ОБРАЗЦОВ МАТЕРИАЛА «ДИФФЕН» С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА ВИККЕРСА И.АK Степанов Научный руководитель – к.фK-м.нK, ст.н.сK О.ВK Андреева = Краткое вступление, постановка проблемыK «Диффен»= –= полимерная= регистрирующая среда с диффузионным усилением на основе фенантренхинонаK=Получение= голограмм на данном материале включает следующие основные этапыW= регистрация= голограммыI=постэкспозиционный прогрев и фиксирование голограммыK= На всех этапах получения голограммы происходит изменение ее параметров и физикоJ механических характеристик средыK= Для тогоI= чтобы получить среду с заданными= голографическими характеристиками необходимо оценивать влияние условий проведения= синтеза на голографические параметрыI= а также обладать необходимыми методиками для= получения голограмм с заданными параметрамиK=Качество полученных голограмм зависит от= физико-механические свойств образцовI=которые определяются через их твердостьK= = Цель работыK Разработка методики компьютерной обработки экспериментальных= данных при исследовании твердости образцов материала= …Диффен»= при использовании= прибора ПМТJP=с электронной камерой=aCjPNM=методом ВиккерсаK= = Базовые положения исследованияK Работа опирается на разработанную ранее= методику и экспериментальное оборудование с получением экспериментальных результатов= визуальным способомK= Результаты измерений в этом случае зависят от индивидуальных= особенностей оператора и являются субъективнымиK= Использование компьютерной= обработки позволяетW= уменьшить погрешность измеренияI= трудоемкость и увеличить= скорость получения результатов и их надежностьK= = Промежуточные результаты - Освоена методика измерения твердости с визуальной оценкой результатовI= проанализированы ее недостаткиK= Изучены полученные данные результатов= измеренияK= - Сформулированы рекомендации по условиям проведения эксперимента и методике= компьютерной обработки экспериментальных данныхK= - Произведен комплекс работ по подготовке новой лабораторной установкиK= - Получены предварительные результатыK= Основной результатK В ходе работы была отработана методика исследования твердости= образцов полимерного материала Диффен с компьютерной обработкой результатов= измеренийK= Произведены предварительные исследования различных типов образцовI= получены экспериментальные данныеI= которые сопоставлены с голографическими= характеристикамиK= = NTQ= = ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ = УДК=RPVKONHRPVKONSKO= ВЛИЯНИЕ ДОНОРНОЙ ПРИМЕСИ ТЕЛЛУРА НА СТРУКТУРУ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ВИСМУТА Д.ЮK МатвеевI А.НK Крушельницкий (Российский государственный педагогический университет имK=А.ИK=ГерценаI= Санкт-ПетербургF= Научный руководитель – д.фK-м.нKI профессор В.МK Грабов (Российский государственный педагогический университет имK=А.ИK=ГерценаI= Санкт-ПетербургF= = В связи с бурным развитием физики наносистем заметно возрос интерес к свойствам= тонких пленок висмутаK= Физические свойства пленок висмута в значительной степени= отличаются от свойств массивных кристалловI= что является следствием различия в их= структуреI= степени дефектностиI= механических напряжений в системе пленка-подложка и= проявления размерных эффектовK= Благодаря этим отличиям представляется перспективным= использование тонких пленок= Bi= для изготовления термоэлектрических преобразователей= энергииK= Одним из способов изучения закономерностей изменения свойств при переходе к= тонкопленочному состоянию является исследование легированных тонких пленокK= Процесс= легирования позволяет управлять концентрацией носителей зарядаI= что в ряде случаев= упрощает интерпретацию экспериментальных результатовI= которыеI= в свою очередьI= могут= быть использованы при создании низкоразмерных структур на основе висмутаK= Поэтому= исследование влияния легирования на структуру и свойства тонких пленок висмута имеет= весьма актуальное значениеK= Целью работы является экспериментальное исследование влияния донорной примеси= теллура на структуру и гальваномагнитные свойства тонких пленок висмутаI= а так жеI= на= основе полученных экспериментальных результатовI= установление зависимости= подвижности носителей заряда в тонких пленках висмута от их толщины и концентрации= легирующей примесиK= Висмут является полуметаллом отличительная особенностьI= которых малая= концентрация и большая подвижность носителей зарядаK= Зонная структура полуметаллов= типа висмута является весьма сложнойI=с наличием вблизи уровня Ферми в валентной зоне и= зоне проводимости как эквивалентныхI= так и неэквивалентных экстремумовK= Легирование= донорной примесью теллура не искажает зонную структуру полуметаллаI= а лишь изменяет= положение уровня химического потенциалаI=позволяя наблюдать электронно-топологические= переходыI= переход полуметалл-полупроводникI= что обеспечивает дополнительные= возможности исследования параметров носителей заряда и электронных свойств= полуметалловK= В работе исследовались пленки висмута с содержанием теллура от= MIMMR=атKB= до= MIO=атKBK= Так как давление паров висмута и теллура существенно различаютсяI= то для= приготовления пленок висмута легированного теллуром использовался метод дискретного= термического напыления в вакууме= NIR·NM-R мм рт.стK= Данный метод позволял получать= практически однородное распределение теллура по всему объему пленкиK= Были изготовлены пленки толщиной от= VM=нм до= TMM=нмK= Измерение толщины= исследуемых пленок осуществлялось интерференционными методамиK Структура поверхности пленок исследована с помощью метода АСМI=который показалI= что все пленки легированного висмута имеют блочную структуру с ориентацией оси= C P = NTR= = = перпендикулярно плоскости подложкиK= Измерение гальваномагнитных коэффициентов переноса произведено в интервале= температур= TT–PMM=К и магнитном поле= M–MISR=Тл в стационарных условиях классическими= методами с помощью специального автоматизированного измерительного комплекса для= исследований свойств тонкопленочных образцовK= Измерены температурные зависимости= удельного сопротивленияI=коэффициента ХоллаI=магнетосопротивленияK= Для измерения и контроля концентрации легирующей примеси теллура во всех= исследуемых легированных пленках висмута использовался времяпролетный масс спектрометр с импульсным тлеющим разрядом= …ЛЮМАС-PM»I= а также= рентгенофлюоресцентный анализатор БРА-NUK= Для описания полученных экспериментальных результатов по исследованию= гальваномагнитных эффектов в пленках была выбрана модель квадратичного закона= дисперсииI= на основе которого была рассчитана концентрация свободных носителей зарядаK= Выбор модели обусловлен темI= что при увеличении уровня химического потенциала и= концентрации носителей заряда данные по экспериментальному исследованию= гальваномагнитных свойств в кристаллах висмутаI= легированного теллуром хорошо= согласуются с квадратичной моделью для закона дисперсии зоны проводимостиK= Расчет= подвижности носителей заряда в пленках был произведен на основе уравнений для= компонентов коэффициентов переноса в слабом магнитном полеI= соответствующих= коэффициентам переносаI=измеряемым при данной кристаллографической ориентации пленокK= В результате проведенных исследований установленоI= что увеличение концентрации= легирующей примеси теллура приводитW= - к уменьшению размеров кристаллитов и фигур ростаI= не оказывая существенного= влияния на кристаллографическую ориентацию блоков и пленок висмута в целомX= - к переходу температурной зависимости удельного сопротивления пленок от= полупроводниковой к характерной для металловX= - к уменьшению магнетосопротивления во всем температурном интервалеI= что= указывает на уменьшение подвижности электроновL= Анализ экспериментальных результатов исследования гальваномагнитных явлений= показалI= что в пленках= BiEТе=MIMMR=атKBF= заметный вклад в гальваномагнитные эффекты= вносят Т-дырки валентной зоныI= что проявляется в положительном знаке Холла при малой= толщине пленкиI=а в пленках=Bi=с содержанием Те от=MIMR=атKB=до=MIO=атKB=эффекты переноса= обусловлены только=i-электронами зоны проводимостиK= = = УДК=SONKPNS= = ОКСИДНО-ЦИНКОВЫЕ ВАРИСТОРЫI ЛЕГИРОВАННЫЕ ОКСИДАМИ ИТТРИЯ И ЦИРКОНИЯ Д.БK Пинская (Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет=…ЛЭТИ»= имK=В.ИK=Ульянова=EЛенинаFF= Научный руководитель – д.фK-м.нKI профессор В.АK Мошников (Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет=…ЛЭТИ»= имK=В.ИK=Ульянова=EЛенинаFF= Керамические оксидно-цинковые варисторы являются наиболее перспективным= быстродействующим средством защиты электрических цепей от импульсных= перенапряженийK= Они обладают высокой нелинейностью электрических характеристик иI= благодаря своей массивностиI=способны поглощать и рассеивать энергию до сотен кДжI=что= позволяет использовать их для защиты мощных электродвигателейK=На современном уровне= развития техникиI= когда управление электрическими машинами осуществляется= NTS= полупроводниковыми приборамиI= защищенность системы определяется не столько запасом= прочности изоляцииI= обычно превышающим рабочее напряжение в несколько разI= сколько= предельным обратным напряжением полупроводниковых приборовI= незначительно= превышающим максимальное рабочее напряжениеK= В связи с этим актуально повысить= нелинейность варисторов в области коммутационных токов и тем самым ограничить= перенапряжения до безопасного уровняK= Легирование варисторной керамики оксидами иттрия и циркония создает= дополнительные фазы в межзеренной прослойкеI= замедляет рост зерен в процессе обжигаI= повышая однородность структурыI= а также увеличивает нелинейность вольтамперной= характеристикиI= за счет возникновения дополнительных уровней глубоких ловушек на= границе зерна и межзеренной фазы и уменьшения толщины обедненного слоя по границам= зеренK= Варьирование концентраций легирующих добавок и условий технологического= процесса привело к заметному улучшению эксплуатационных характеристик варисторов в= области коммутационных токовI=а также снижению токов утечки в три разаI=по сравнению с= образцами стандартного составаK= Исследование образцов проводилось по методикамI= разработанным в соответствии со= стандартом МЭК-VV-QI= на специализированном оборудовании для измерения электрических= характеристикK= Емкостные измерения для анализа свойств потенциальных барьеров= проводились на= QOTRА= Multi-frequency= iCo= meter= фирмы= eewlett-m~ck~rdK= Для смешения= компонентов керамики использовалась прогрессивная технология ротационно пульсационного смешения наноразмерных порошков в жидкой средеK= Работа выполнена на Научно-производственной фирме= …Магнетон Варистор»K= Результаты внедрены в производственный процесс и используются при производстве= мощных защитных устройств для силовой электроникиI= создании уникальных= энергопоглотителей ЭПН= QLNMM-O= для защиты системы электропривода первого российско немецкого магистрального электровоза нового поколения с асинхронным тяговым приводом= 2ЭСNMI=получивший название=…ГРАНИТ»K= = = УДК=RPUKVQR= = СТРУКТУРНЫЕ И СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИСТАЛЛОВ cepe И cepeXTe1-X ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ИЗ РАСТВОРА-РАСПЛАВА KCl Т.

АK Романова (Национальный исследовательский технологический университет=…МИСиС»I=МоскваF= Научный руководитель – к.хим.нKI вед.н.сK Г.АK Калюжная (Физический институт имK=П.НK=Лебедева РАНF= = Краткое вступлениеI постановка проблемыK Относительно недавно был открыт= новый класс высокотемпературных сверхпроводников= EВТСПF= слоистых железных= соединенийK=Интерес к=…железным сверхпроводникам»=связан с темI=что в них сочетаются до= недавних пор считавшиеся несовместимыми явлениямиI= такими как сверхпроводимость и= магнетизмK= Наиболее актуальными объектами исследований для изучения механизма= сверхпроводимости в новом классе ВТСП являются соединения= cepe= и= cepexqeN-xI=которые= обладают относительной простой кристаллической структуройI= а также меньшей= токсичностью по сравнению с ферро-пниктидами= oceAslN-xcx= EoZi~I=kdI=pmF= также= относящимися к классу= …железных сверхпроводников»K= Однако для изучения механизма= сверхпроводимости необходимо наличие качественных кристаллов этих соединенийK= В лаборатории Физики сверхпроводниковых структур Физического института имK= П.НK=Лебедева РАН разработан метод выращивания кристаллов=cepe=и=cepexqeN-x из раствора расплава=hClK=Кристаллы размером до=OIR=мм и толщиной=OM–SM=мкм имели гладкую матовую= NTT= = = поверхность с одной стороныI= на обратной стороне имелись различные детали= секториального или послойного ростаK= Среднеэлементный состав кристаллов соответствует= формуле=cepeMKUV-MKVM=ceMKTUpeMKPPqeMKTSK= Цель работыK Для характеризации полученных в лаборатории образцов был проведен= рентгеноструктурный анализ отдельных кристаллов и порошка= cepe= и= cepexqeN-xI= исследование их морфологии и составаK=Целью работы было исследование сверхпроводящих= характеристикI= а также сопоставительный анализ полученных данных о структурных и= сверхпроводящих свойствахK= Базовые положения исследованияK ИзвестноI= что= cepe= –= соединение переменного= состава существует в двух полиморфных модификацияхI=одна из которых=–=тетрагональная= структурного типа=mbl=Eb-cepeF=является сверхпроводящейI= а вторая=–=гексагональная фаза= структурного типа= kiAs =Ed-cepeF= не обладает сверхпроводимостьюK= Особенности фазовой= диаграммы состояния системы= ce-pe= говорятI= что сверхпроводящая тетрагональная фаза= реализуется в узкой области гомогенности вблизи стехиометрического состава ниже= QRMСI= поэтому предпочтительны низкотемпературные методы выращиванияI= напримерI= из флюса= hClK=Другим методом стабилизации тетрагональной фазы является добавление изовалентной= примеси теллураK= = Промежуточные результатыK Качественный фазовый анализ порошкаI= приготовленного из отдельных кристаллов= cepeI= был произведен на рентгеновском= дифрактометре=Bruker= aU= afpClsbo= в Центре коллективного пользования Национального= исследовательского технологического университета=…МИСиС»K= Анализ полученных данных= показал наличие тетрагональной= EсверхпроводящейF= фазы= Eb-cepeFI= гексагональная фазы= cepe=Ed-cepeFI=а также примеси магнитной фазы оксида железа=cePlQK= Дифрактограммы и кривые качания отдельных кристаллов= cepe= и= cepexqeN-x были= получены на отечественном дифрактометре ДРОН= OKMK= О преимущественной ориентации= выращенных пластинчатых кристаллов свидетельствуют пикиI=отвечающие за рефлекс=EMMOF= гексагональной и= ENMNF= тетрагональной фазыK= Ширина кривых качанияI= характеризующих= структурное совершенство кристалла и разориентацию микроблоков в кристаллеI= для= тетрагональной и гексагональной фазы составляет=T–NQ=и=N–O=градуса соответственноK=Из-за= близости расположения максимумов кривых качания этих фаз можно предположить их= эпитаксиальное сращивание по указанным плоскостямK= В действительностиI= наложение= сеток плоскостей= ENMNF= для тетрагональной и= EMMNF= гексагональных фаз показало малое= рассогласование параметров решетки для данных ориентацийK=По отношению площадей под= кривыми качания для двух фазI= было оценено количественное соотношение между нимиK= ПоказаноI=что в кристаллах присутствует более=VMB=тетрагональной фазыK= Зависимость магнитной восприимчивости от температуры кристаллов=cepe=измерялась= на переменном токе частотой= VS=кГц в области температур от комнатной до= QKO=КK= Процент= мейснеровского выталкивания составил более= UMBI= что говорит об объемной= сверхпроводимости кристалловK= Температура начала сверхпроводящего перехода и его= ширина=U–VIR=К и=NIT–P=КI=соответственноK= На дифрактограммах кристаллов= cepexqeN-x присутствуют рефлексы только= тетрагональной фазыK=Причем полуширина кривой качания составляет=MIQ–N=градусK=Однако в= кристаллах состава=ceMITUpeMIPPqeMITS=не наблюдался переход в сверхпроводящее состояниеK= = Основной результатK В результате работы в кристаллах= cepe= прослеживается связь= между сверхпроводящими характеристикамиI= морфологическими особенностями= поверхности кристалловI= определяемые механизмом ростаI= и структурным совершенствомK= Было замеченоI= что кристаллы имеющиеI= на одной из поверхностей детали секториального= роста имели более широкий сверхпроводящий переход по сравнению с кристалламиI= NTU= имеющими детали послойного ростаK= ОтмеченоI= что чем меньше полуширина кривой= качания тетрагональной фазыI=тем уже сверхпроводящий переходK= Отсутствие сверхпроводимости в кристаллах= cepexqeN-xI= содержащих только= тетрагональную фазу и обладающих относительно высоким структурным совершенством= может быть объяснено темI= что состав выращенных кристаллов не попадает в область= сверхпроводимости фазовой диаграммы системы=ce-pe-qeK= = = УДК=RPUKVR= = КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МЕТАЛЛОВ ПОСЛЕ ПЛАВЛЕНИЯ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ В.ВK СвиринаI О.НK Сергаева Научный руководитель – д.т.нKI профессор Е.БK Яковлев Уникальные характеристики излучения лазеров ультракоротких импульсов= обуславливают их многочисленные применения в наукеI= техникеI= медицине и т.пK= Исследование взаимодействия ультракоротких лазерных импульсов с материалами позволит= использовать такие лазеры более эффективноK= В последние годы возвратился интерес к изучению лазерно-индуцированных фазовых= переходов= EплавлениеI= кристаллизацияF= в различных материалахK= Было выясненоI= что при= быстром лазерном нагревании кинетика этих переходов существенно отличается от их= протекания в условиях медленного нагревания= xN]K= При воздействии ультракоротких= импульсов на металлы достигаются высокие скорости нагреванияI= и как следствиеI= и= остыванияI= что приводит к перегреву выше температуры плавления= xOI= P]= и возможной= аморфизации при последующем остыванииK= Обработка материалов ультракороткими= импульсами лазерного излучения открывает новые возможности для модификации их= свойствK= По сравнению с кристаллическим состоянием металлы в аморфном состоянии= обладают более высокой твердостьюI= коррозионной стойкостьюI= улучшенными магнитными= характеристиками и другими специфическими свойствамиI= поэтому вопрос получения= аморфных металлов представляет большой практический интересK= Цель работы=–=провести анализ физической модели процесса кристаллизации металлов= после плавления ультракороткими лазерными импульсамиI=разработать ее численную модель= и исследовать возможность аморфизации металлов при воздействии ультракоротких= лазерных импульсовK= В работе проведено численное исследование процесса кристаллизации металлов после= плавления фемтосекундными лазерными импульсами на основе модели= …жидкость деформированный вакансиями кристалл»=xQ–S]I= так как данная модель позволяет объяснить= основные особенности фазовых переходов при воздействии ультракоротких лазерных= импульсовK= Были численно смоделированы процессы образования и роста зародышей= кристаллической фазы и показана возможность аморфизации металловK= = Литература NK oethfeld=BKI=pocolowski-qinten=hKI=von=der=iin=de=aKI=Anisimov=iKaK=rltr~f~st=therm~l=melting= of=l~ser-excited=solids=by=homogeneous=nucle~tion=LL=mhysK=revK=BKI=OMMOK=–=sK=SRK=–=№=VK=–=mK=N– QK= OK Яковлев Е.БKI= Свирина В.ВKI= Сергаева О.НK= Особенности плавления металлов при= действии ультракоротких лазерных импульсов=LL=ПриборостроениеI=OMNMK=–=№=QK=–=СK=RT– SPK= PK Яковлев Е.БK =Перегрев твердых тел при плавлении= LL =ИзвK =АН СССР сер.физKI =NVUVK =– ТK=RPK=–=№=PK=–=СK=RVN–RVQK= NTV= = = QK Яковлев Е.БK=Особенности поведения стекол и стеклообразных материалов при быстром= нагреванииK=–=СПбW=СПбГУ ИТМОI=OMMQK=–=UU=сK= RK Френкель Я.ИK= Собрание избранных трудовK=–=ТK=OK=–=МK-ЛKW= Издательство АН СССРI= NVRUK= SK Френкель Я.ИK=Статистическая физикаK=–=МK-ЛKW=Издательство АН СССРI=NVQUK= = = УДК=RPRKPR= = СТАТИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕДАЧИ ВОЗБУЖДЕНИЙ В ВЫСОКОКОНЦЕНТРИРОВАННЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИТТЕРБИЙ ЭРБИЕВЫХ СТЕКЛАХ В.МK Ситдиков Научный руководитель – д.

фK-м.нKI профессор=Н.ВK Никоноров = Сегодня иттербий-эрбиевые стекла и кристаллы широко используются в качестве= активной среды в лазерах и оптических усилителяхK=Введение ионов иттербияI=являющегося= сенсибилизатором для иона эрбияI= в матрицу позволяет повысить эффективности накачкиK= Важным направлением развития современной фотоники является миниатюризация и= интеграция элементной базы волоконно-= и интегрально-оптических систем для мини-= и= микрочип лазеровI= оптических усилителейK= Уменьшение веса и габаритов таких устройств= возможно путем разработки и создания лазерных материалов с высокой концентрацией ионов= активаторовK= Увеличение концентрации ионов эрбия позволяет повысить выходную= мощностьI= однако вместе с тем оно приводит и к снижению эффективности лазера за счет= таких факторов какI= напримерI= ап-конверсия и концентрационное тушениеK= Увеличение же= концентрации иттербия может снизить пороги генерацииI= увеличить предельные= концентрации ионов эрбия и улучшить генерационные свойства лазеров работающих в= режиме модулированной добротностиK= Спецификой данной работы является использование= имитационного моделирования для изучения процессов сенсибилизацииI= ап-конверсии и= миграции возбуждения в лазерных материалахK= С одной стороныI= оно позволяет избежать= труднопреодолимых математических проблемI=возникающих при теоретическом анализе этих= явленийI=а с другой=–=пригодно для сред с любым распределением активатораK= Задачами настоящего исследования являлись разработка алгоритма на основе метода= Монте-КарлоI= позволяющего производить моделирование процессов переноса возбуждения= по ансамблю оптических центров для биактивированных сред с учетом миграции= возбуждений и последующее получение с его помощью макроскопических характеристик= передачи возбуждений в стеклахI=активированных ионами=vbPH=и=brPHK= Алгоритм моделирования процессов переноса возбуждения базировался на= квантовомеханической модели трансформации возбужденийI=предложенной и разработанной= в классических работах Фёрстера и ДекстераK= Программа использует в качестве входных= параметров микропараметры лазерной средыW= концентрацию ионов-активаторов и их= пространственное распределениеI= радиусы Фёрстера для миграцииI= сенсибилизации и ап конверсииI= излучательную вероятность донора и акцептораK= На выходе рассчитывает= значения параметров балансных уравненийI= такие как коэффициенты ап-конверсии и= передачи возбужденийI= которые используются в расчетах оптических усилителей и лазеровK= Программа также вычисляет макропараметры средыI= которые могут быть получены и из= реального экспериментаI=–=квантовый выход люминесценцииI=населенности уровнейK== Миграция по донорам увеличивает эффективность доставки возбуждений к ионам= акцептораK= Однако в случае достижения акцептором высокой степени заселения= метастабильного уровняI= доставка возбуждений происходит преимущественно к тушителям= (напримерI= к ап-конверсионным парамFK= В работе было оценено влияние миграции по= донорам на эффективность сенсибилизации и квантовый выход люминесценции акцептораK= NUM= Особенностью настоящей работы является использование имитационного= моделирования для получения на основе микроскопических параметров среды= макроскопических параметровK= Созданная на основе метода Монте-Карло программа= моделирования процессов переноса возбуждения по ансамблю оптических центров= позволила получить зависимости квантового выхода сенсибилизации и люминесценции от= накачки для сред с концентрацией ионов иттербия= ENM–ONFNMOM=см-P и эрбия= EMIR– NIRFNMOM см-PK= Для случая высококонцентрированных лазерных иттербий-эрбиевых стекол= были определены коэффициенты балансных уравнений для ап-конверсии и передачи= возбуждений с учетом миграции возбужденийI=которые необходимы для расчетов оптических= усилителей и лазеровK= = = УДК=RQQKOPX=RQQKMNSKRX=RPKMUTKVO= = МОРФОЛОГИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ОЛОВА EIIFI МОДИФИЦИРОВАННОГО ПАЛЛАДИЕМI ПЛАТИНОЙI РОДИЕМ И ОКСИДОМ ИНДИЯ М.СK Смирнов (Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных= технологийI=механики и оптикиF= Научный руководитель – ведK инженер И.ВK Сердюк (ОАО=…Авангард»F= Для работы пожарных извещателей сверхраннего обнаруженияI= способных= детектировать пожароопасную обстановку по составу атмосферы помещенийI= необходимы= высокочувствительные сенсорыK= Сенсоры должны селективно чувствовать газыI= являющимися предвестниками пожара и сохранять свои характеристики в течение= нескольких летK= Существующие конструкции газочувствительных элементов не= удовлетворяют этим требованиямI=как по экономичностиI=так и по селективностиK= Целью работы является разработка полупроводникового газового сенсораK= Для= достижения данной цели требуется решить такие задачиI= как исследование особенностей= наноструктуры поверхности полупроводниковых оксидовI= а также особенности= распределения легирующих добавок на поверхности оксидовK= Химические сенсоры представляют собой один из наиболее эффективных инструментов= диагностики состояния окружающей средыI= контроля физиологического состояния человека= и качества продуктов питанияK= Это обстоятельство стимулирует развитие исследованийI= направленных на синтез материаловI=обладающих высокой селективной чувствительностью к= определенному типу молекулK= Твердотельные полупроводниковые сенсорыI= в которых применяютсяI= электрический= способ детектирования состава газовой смеси характеризуются высокой чувствительностью= (вплоть до= ppb= уровняFI= сравнительно низкой стоимостью и малым энергопотреблениемK= Основная часть коммерческих газовых сенсоров= Ecig~roI= ar~gerI= dener~l= MonitorsI= Applied= pensorF=производятся также на основе полупроводниковых оксидов металлов=pnlOI=wnlI=tlP = и=fnOlPK= Тем не менееI= можно сделать выводI= что в настоящее время наиболее применимым= материалом для чувствительных элементов полупроводниковых газовых сенсоров является= диоксид олова= pnlOK= Модификация поверхности нанокристаллов= pnlO каталитическими= кластерами используется для создания сенсорных материаловI= обладающих селективной= чувствительностью по отношению к молекуламI= имеющим различные функциональные= группыK= Диоксид олова может быть получен в стабильном высокодисперсном состоянии с= размером кристаллитов= P–RM=нмK= Немаловажным обстоятельством является высокая= стабильность=pnlO на воздухе и его относительно низкая стоимостьK= NUN= = = В качестве конструкции чувствительного элемента была выбрана схема с= терморезистором в виде спирали из платинового микропровода ПЛ-PТ с продетым сквозь= него сквозным электродом= Eтакже из платинового микропровода ПЛ-PТFI= между которыми= располагается газочувствительный слойK= Для исследования выбраны несколько составов= газочувствительных слоевW= NK pnlO и=mtI=в соотношении=VSB=и=QB=весовыхX= OK pnlO и=mdI=в соотношении=VSB=и=QB=весовыхX= PK pnlO и=ohI=в соотношении=VSB=и=QB=весовыхX= QK pnlO и=fnOlPI=в соотношении=NMB=и=VMB=весовыхK= Газочувствительный слой сенсоров= N–P= изготавливается путем нанесения геля= гидроокиси олова на терморезисторI=прокаливанием состава для испарения растворителя до= образования пористой структуры из оксида олова=EffFK=Затем на оксид наносился катализатор= (для сенсора №N= –= Платинохлористоводородная кислота НOmtClS содK= mt= PTBI= №O=–= Хлорид= палладия= mdClO содK= md= SMINBI= №P= –= Хлорид родия= ohClP содK =oh =PSIPSBF =в два приема с= промежуточной прокалкойK= На сенсор= Q= наносилась смесь гелей гидроокиси олова и= гидроокиси индия в пропорции=NMWVM=по массеK= Для получения геля= pnEleFQ гранулированное олово помещалось в серную кислоту и= выдерживалась до полного прекращения реакцииK= Полученный состав смешивался с= деионизованной водойI=а затем нейтрализовался соляной кислотойK= Для получения геля= fnEleFP индий заливался раствором азотной кислоты и= выдерживался до полного прекращения реакцииK= Затем к полученному составу добавлялся= раствор аммиака и состав выдерживался в центрифуге до выпадения осадкаK= Осадок= заливался деионизованной водойI=а затем нейтрализовался раствором азотной кислотыK= Размеры частиц= pnlOI= fnOlPI =mtI =md =и= ohI =а также их распределение в объеме и на= поверхности чувствительного элемента предполагается исследовать методом РЭМK= Исследования будут проводиться на растровом электронном микроскопе= cbf= fnspect= в= Научно-образовательном центре по направлению нанотехнологий Санкт-Петербургского= национального исследовательского университета информационных технологийI= механики и= оптикиK= В результате исследований необходимо провести анализ изображений сенсоров с= различным составом газочувствительного слоя наибольшую чувствительность и= долговременную стабильностьK= Затем сравнить полученные результаты с практическими= испытаниями исследуемых образцов на газосмесительной установке= bApqdAp= в ОАО= «Авангард»K= = = УДК=SONKTVNKVOTKR= = СТРУКТУРА ИЗНОСОСТОЙКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПОРОШКОВ СВС МЕХАНОКОМПОЗИТОВI НАПЛАВЛЕННЫХ РУЧНЫМ ДУГОВЫМ СПОСОБОМ А.ВK Собачкин (Алтайский государственный технический университет имK=И. ИK=ПолзуноваF= Научные руководители: д.т.нKI профессор А.АK СитниковX к.т.нKI ст.н.сK В.ИK Яковлев (Алтайский государственный технический университет имK=И.ИK=ПолзуноваF= = Краткое вступлениеI постановка проблемыK Из-за износа деталей ежегодные убытки= в промышленности всех стран мира составляют многие миллиарды долларовI =посколькуI = кроме затрат на восстановление изношенных частейI=при остановках оборудования в связи с= его ремонтом выпуск продукции на предприятии снижается либо вообще останавливается= весь производственный процессK= Для противостояния износу рабочие поверхности необходимо упрочнятьK= Один из= наиболее эффективных способов упрочнения= –= электродуговая наплавкаK= Это недорогой= NUO= метод продления срока службы металлических изделий нанесением на их поверхность= защитного слояK= ОднакоI= известные и используемые до настоящего времени материалы для= повышения износостойкости не удовлетворяют современным потребностям наукоемких= предприятий по своим физическимI= механическим свойствам либо по их стоимости= xN]K= Одним из способов достижения высокой износостойкости является введение в= поверхностный слой изделия твердых сплавовI=например карбидов=EqiCI=sCI=tCI=MoCFK= Значительное влияние на показатель износостойкости изделия оказывают такие= факторыI= как характер распределения карбидного зерна по наплавленному слоюI= форма и= размеры этого зернаK= Поэтому исследование структуры и фазового состава наплавленных= покрытий имеет большое практическое значениеI= что обуславливает актуальность данного= исследованияK= Кроме тогоI= в работе используются перспективный метод получения порошковых= компонентовI=содержащих карбидную фазу=–=проведение реакций самораспространяющегося= высокотемпературного синтеза= EСВСF= в инертных матрицах= xO]K= При этомI= структура= наплавленного металла при введении соединений карбидовI= растворенных в металлической= матрицеI= может обеспечить более высокую износостойкость и твердость сплава по= сравнению с раздельным способом легирования карбидами=xP]K= = Целью работы является изучение тонкой структуры и фазового состава покрытийI= полученных дуговой наплавкой из порошков механоактивированных СВС-композитов= состава=qiC=H=Х=B=ПР-НTMХNTС4РQ-PK= = Базовые положения исследованияI примененные методыK Дуговая наплавка= осуществлялась на подложку из стали= QR=трубчатым порошковым электродомI= содержащим= смесь ТiCHПР-НTMХNTС4РQ-P= EХ=B= массKF= –= СВС-механокомпозитK= Степень разбавления= металлом матрицы составляла от= VMB= до= TMB= с шагом= NMBK= Предварительно порошковые= компоненты были подвержены механоактивационной обработкеK= СВС-реакция= осуществлялась в режиме фронтального горенияK= При проведении исследований использовались методы металлографического=EC~rl=weiss= Axiolbserver=wNmFI=электронно-оптического и спектрального анализа фазового состава=EC~rl= weiss=bsl=RM=usm=с микроанализатором=bap=u-Act=…lucloa»FK= Основные результаты исследованияK Проведение металлографических исследований= на образцах с матрицей типа ТiCHПР-НTMХNTС4РQ-P= EUM=B=массKF= показалоI= что в= наплавленном металле выделяются карбидные частицы различной формыK= Вместе со= строчками карбидов и их единичными включениями кубической формыI= в структуре= покрытия присутствуют карбиды более крупных= Eпо сравнению с единичнымиF= размеров= неправильной формыI= не имеющие ориентировкиK= УстановленоI= что по мере уменьшения= степени разбавления СВС-механокомпозита состава= qiCHХB= ПР-НTMХNTС4РQ-P= металлом= матрицы значительно возрастает количество крупных карбидных частиц различной формыI= выделяющихся внутри зернаK= Для детального рассмотрения морфологии титаносодержащих включений были= проведены электронно-оптический и спектральный анализы фазового составаI= подтвердившие наличие нескольких видов карбида титана в наплавленном металле= (одиночные крупные карбиды кубической и неправильной формыI=а также мелкие карбиды и= их цепочкиFK= Результаты растровой электронной микроскопии с энергодисперсионным= анализом в микроточке свидетельствуют о томI= что в наплавленном металле зерно карбида= титана претерпевает существенные изменения и представляет собой нестехиометрический= карбид=qiCI=с кубической и ромбической симметрией=xQ]K= Таким образомI=в результате механоактивационной обработки компонентов порошковой= смеси=qiCHuB=ПР-НTMХNTС4РQ-PI=проведения реакции СВС и дуговой наплавки в структуре= покрытия формируются карбидные частицы различной стехиометрии= qiC= в объеме= металлической матрицы= EПР-НTMХNTС4РQ-PFK= Использование для дуговой наплавки= NUP= = = порошков СВС-мехакомпозитов дает возможность получать в структуре металла покрытияI= наряду с мелкими карбидами титанаI=крупные кубической и неправильной формыK=При этомI= наличие дополнительных центров кристаллизации в виде карбидов титана значительно= измельчает структуру наплавленного слоя в целомK= СледовательноI= полученная структура= наплавленного металла может обеспечивать высокую твердость и износостойкость покрытияK= = Литература NK Евграфов В.АK= Влияние твердости поверхностного слоя на абразивный износ рабочих= органов почвообрабатывающих машин= L= В.АK= ЕвграфовI= Б.НK= Орлов= LL= РемонтI= восстановлениеI=модернизацияI=OMMQK=–=№PK=–=СK=ON–OOK= OK Смагин Г.ИK=Шлифовальный инструмент на основе силикокарбида титана=L=Г.ИK=СмагинI= В.НK= ФилимоненкоI= Н.ДK= ЯковлевI= М.АK= КорчагинI= В.ЮK= Скиба= LL= Обработка металловI= OMNNK=–=№=NK=–=СK=OT–PMK= PK Каковкин О.СK= Особенности легирования наплавленного металла карбидом титана при= дуговой износостойкой наплавке=L= О.СK= КаковкинI= Ю.ДK= ДарахвелидзеI= Г.ГK= Старченко=LL= Сварочное производствоI=NVUVK=–=№=RK=–=СK=QN–QOK= QK Ситников А.АK= Структура и свойства наплавленных электродуговых покрытий из= порошков механоактивированных СВС-композитов=L=А.АK=СитниковI=В.ИK=ЯковлевI=М.НK= СейдуровI= М.ЕK= ТатаркинI= А.ВK= СобачкинI= Н.ВK= СтепановаI= И.ЮK= Резанов= LL= Обработка= металловI=OMNNK=–=№=PK=–=СK=RN–RRK= = = УДК=SSVKMNTWRPVKONP= = РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И СОЗДАНИЕ МАГНИТОЭКРАНИРОВАННОЙ КАМЕРЫ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ А.СK Жуков (Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных= технологийI=механики и оптикиF= Научный руководитель – к.т.нK П.АK Кузнецов (ФГУП ЦНИИ конструкционных материалов=…Прометей»F= = Краткое вступлениеI постановка проблемыK Анализ современных тенденций в= области изучения влияния физических полей на технические устройства и человекаI= в= частности влияния магнитного поля ЗемлиI=показываетI=что наибольшее внимание уделяется= поиску оптимальных способов защитыK= Это обусловлено рядом факторовI= такими какW= повышение требований к эксплуатационным характеристикам изделийI= решение= экономических проблемI=ужесточение экологических требований и другими факторамиK= На практике не всегда имеется возможность перенести техническое оборудование или= биологические объекты на расстояниеI= при котором уровень поля станет ниже предельно= допустимого значенияK=В этом случае необходимо применять экранирующие материалыK= = Цель работыK Экранировать чувствительный элемент фотоэлектронного спектрометраI= разработанного в Институте аналитического приборостроения РАНI= от магнитного поля= Земли в= NMM= разK= Разработать конструкцию магнитоэкранированной камерыI= провести= предварительное компьютерное моделирование и создать натурный образец камерыK= = Базовые положения исследования NK Обзор способов обеспечения экранирования статических и переменных магнитных= полейK= OK Освоение методов и способов расчета магнитоэкранированных объемовK= NUQ= PK Выполнение расчета магнитоэкранированной камеры для проведения= магниточувствительных исследований на готовой установке=EприбореFK= QK Ознакомление с технологией создания магнитных экранов на основе лент аморфных= магнитомягких сплавовK= RK Создание магнитоэкранированной камеры с заданным коэффициентом= экранирования поля ЗемлиK= SK Измерение распределения индукции магнитного поля внутри камерыK= TK Выдача практических рекомендаций по использованию камерыK= = Промежуточные результатыK Для защиты электроизмерительных приборов от влияния= внешних магнитных полей искусственного и естественного происхождения их традиционно= помещают в массивные замкнутые оболочки из ферромагнитного материалаK=Однако у таких= экранов есть существенные недостаткиW= высокое значение степени экранирования не= сохраняется при механических воздействияхI= неизбежно возникающих при изготовлении и= монтажеI= а также большие габариты и масса экрана накладывают дополнительные= требования на инженерные решения при его изготовленииK= Этих недостатков лишены= аморфные магнитомягкие сплавыI=что подтверждается данными исследованийK= На базе ФГУП ЦНИИ КМ= …Прометей»I= где проводилось исследованиеI= для решения= практических задач по экранированию магнитного и электрического полей используется= различные магнитомягкие сплавыI= такие какW= АМАГ-NTO= и АМАГ-OMMI= полученные при= разных температурных режимах и временах отжигаK=Данные материалы выпускаются в виде= лент толщиной несколько десятков микрометров и шириной в несколько сантиметровI= смотанных в катушкиK= Ленты должны подвергаться термической обработке и= выбраковыванию дефектовK= С помощью программного комплекса= biCrq= были смоделированы геометрические= параметры экранирующей камеры для защиты фотоэлектронного спектрометра от внешнего= магнитного поля Земли индукцией= RM= мкТлK= С использованием кривых намагничиванияI= характерных для каждого материалаI= были смоделированы физические свойства сплавовK= Было установленоI=что наилучшим образом экранирует магнитное поле Земли сплав АМАГ NTOK= Была разработана и реализована конструкция магнитоэкранированной камерыI= позволяющая экранировать магнитное поле Земли в=NMM=разK= = Основной результатK По результатам проведенных исследований специалистам= Институтом Аналитического Приборостроения РАН вынесена рекомендация произвести= изменения в конструкции фотоэлектронного спектрометра с целью повышения= эффективности его защиты от внешнего магнитного поля ЗемлиK= = = УДК=RPVKONSKNX=RPKMPX=RPKMSX=RPKMUOKNO= ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ НАНОВИСКЕРОВ НА КОНТРАСТ И ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАЗРЕШЕНИЕ СЗМ ИЗОБРАЖЕНИЙ М.

ВK Жуков Научный руководитель – к.фK-м.нKI доцент В.ВK Левичев = Краткое вступлениеI постановка проблемыK ВискерыI= также известные как= кристаллы нитевидной формыI= обладают важными практическими свойствамиI= которые= важны в сканирующей зондовой микроскопииK=Прежде всегоI=вискеры обладают достаточно= высокой прочностью и жесткостью= Eпорядка= Q–NR=Н/мFI= высоким аспектным разрешением= (около=NWOMFI=малым радиусом=EOM–QM=нмF=и составляют в длину от=MIR=до=O–P=мкмK= В настоящее время существует множество методов по выращиванию нановискеров на= NUR= = = кончиках зондов для СТМI=полуконтактного и контактного АСМK=Одним из наиболее новых= методов является выращивание нановискеров под пучком электронов в вакуумеI= который= позволяет создать нановискер с полностью контролируемыми параметрами= Eдлина и радиус= скругления кончика зондаF=с достаточно высокой точностью за короткое времяK= В результате сканирования образцов стандартными зондами и модифицированными= зондами с нановискерами наблюдаются артефакты различной природыI= которые= экспериментально еще мало изученыK== = Целью работы являлось экспериментальное определение параметров нановискеров= при сканировании тестовых решеток и групп образцов и внедрение данной технологии для= решения практических задач в области нанотехнологийK== = Базовые положения исследованияK В ходе экспериментов исследовался набор= калибровочных решеток фирмы НТ-МДТ и образцы биологического происхождения= (эритроцитыFK=Объекты сканировались на комплексе=kq-Maq=ktegr~=Aur~=в полуконтактном= режиме АСМK= Все измерения проводились как с модифицированнымиI= так и со= стандартными зондами для последующего сравнения и выявления особенностей при= сканировании объектов зондами с нановискерамиK= = Промежуточные результатыK При сканировании решетки=qdqI=состоящей из массива= игл= Eвысота= MIT=мкмI= период= OIO=мкмF= и предназначенной для= Pa-визуализации кончиков= зондовI= были замечены колебания с постоянной частотой порядка= PR–QM=Гц в строго= определенной областиK= Для более детального исследования возникающих колебаний просканирована решетка= qdwMPI= которая представляет собой набор борозд= Eвысота= MIR=мкмI= период= P=мкмFK= Сканирование проводилось на границе перепада высотI= в той областиI= где происходит= двойное касание нановискером образцаK= При рассмотрении горизонтального профиля= сечения в области с вибрациями было выявленоI= что данные колебания имеют четко= выраженный периодI=составляющий примерно=UM–VM=нмK= Исследованы характеристики нановискерных зондов на биологических объектахI= в= качестве которых использовались кровяные тельцаI= клетки крови эритроцитыK= Также= обнаружены артефакты изображения на эритроцитеI= проявляющиеся в виде колебанийI= которые были обнаружены и на тестовых решеткахK= Колебания локализированы на краях= эритроцитаI=т.еK=в областях резкого перепада высотK= ПредположеноI= что основная причина колебаний связана с двойным касанием зонда в= некоторой областиI=за счет чего возникают скачки напряжения в следящей системеI=и она не= успевает отрабатывать взаимодействие нановискера с образцомK=Принято решение изменить= угол наклона вискера относительно оси симметрии кончика зондаK=При изменении полярного= угла на=OR=градусов при повторном сканировании=qdq=решетки колебания исчезлиK== Произведен расчет частоты колебаний зондов с нановискерами на=qdwMP= решетке при= разных значениях рабочей точки и коэффициентов обратной связиK= ВыясненоI= что с ростом= значений рабочей точки и коэффициента усиления обратной связи растет и частота= колебанийK= Таким образомI= колебания связаны со следящей системойI= и при правильной= настройке их можно уменьшитьK= Данные колебания не связаны с собственной частотой= нановискера=Eсостав=PMB=mtI=SMB=CFI=котораяI= согласно теоретическим расчетамI= составляет= VM–NMM=МГцK= Исследованы биологические объекты= Eмембраны эритроцитовFK= Нановискер= прорисовывает поверхность мембраны значительно контрастней и четче за счет своего= высокого аспектного разрешения и малого радиуса скругления кончикаK= При увеличении= масштаба области сканирования на эритроцитах были обнаружены порыI= которые= стандартным зондом выявить не удалосьK= = NUS= Основной результатK Были изучены свойства нановискеров на образцах различной= природыI= выявлены и проанализированы артефакты изображенийI= полученных с помощью= стандартных и нановискерных зондовI= а также произведены работы по устранению= паразитных вибраций при сканировании объектов с резкими перепадами высотK= Данные исследования показывают преимущества зондов с нановискерами по сравнению= с обычными зондами и создают задел для дальнейшего изучения свойств нановискеров и= конструкций на их основе для практического применения и решения прикладных задач в= области нанотехнологийK= = = УДК=SONKPTPKRPR= = ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ИЗМЕНЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ЛАЗЕРНОМ ФЕМТОСЕКУНДНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ И.ВK Гук Научный руководитель – к.фK-м.нKI доцент Г.ДK Шандыбина = В настоящее время микроструктурирование поверхности металлов и полупроводников= под действием ультракоротких импульсов является одним из приоритетных направлений для= практического применения фемтосекундных лазеровK= В основе механизма образования= поверхностных структур лежат процессы резонансного возбуждения поверхностных= электромагнитных волнI= интерференция которых с падающей волной в течение импульса= приводит к пространственной модуляции послеимпульсного энерговыделенияK= Для= возбуждения и распространения поверхностных волн в полупроводниках под действием= ультракоротких лазерных импульсов необходимо выполнение специального условияW= формирование в течение импульса оптически слоистой структуры в приповерхностной= областиK= Целью работы является исследование возможности формирования динамической= слоистой структуры под действием ультракоротких импульсов в полупроводниках в= результате изменения= Eв глубинуF= плазменной частоты электронов с учетом изменяющейся= поглощательной способности материалаK= Для проведения численного исследования используется модель двухфотонного= возбужденияI= которая учитывает фотоэмиссиюI= термоэмиссиюI= диффузионные процессыI= двухфотонное межзонное поглощение и однофотонное внутризонное поглощениеI= частоту= электронных столкновенийK= В течение импульса поглощательная способность изменяетсяI= тем самым изменяется плотность поглощенного потокаI= возникает обратная связь по= поглощательной способностиK= Поскольку длительность воздействия значительно меньше= времени электрон-фононных столкновенийI=при нормальном скин-эффекте основной вклад в= изменение поглощательной способности вносит частота электрон-электронных столкновений= и плазменная частотаK= Рассмотрено также изменение поглощательной способности в= условиях слабоаномального скин-эффектаK= С использованием методов математического моделированияI= а именноI= сеточного= методаI=были получены следующие результатыW= NK исследование показалоI= что учет изменяющейся поглощательной способности в= приближении высокочастотного скин-эффекта привел к результатамI=которые точнее= совпадают с экспериментальными даннымиX= OK дальнейшее исследование показало правомерность перехода от высокочастотного= нормального скин-эффекта к слабоаномальному скин-эффектуX= PK исследование изменения поверхностной и объемной поглощательной способности в= течение импульса в приближении слабоаномального скин-эффекта выявило= необходимость учета изменяющейся частоты межэлектронных столкновенийX= NUT= = = QK учет изменяющейся частоты межэлектронных столкновений позволил получить= результатыI= согласующиеся с представлениями о физических процессахI= протекающих в полупроводнике в течение фемтосекундного импульсаK= Корректировка существующей модели с учетом изменяющейся поглощательной= способности позволила получить результатыI= более точно совпавшие с известными= экспериментальными даннымиK= = = УДК=RRPKVQMKNRN= ФОРМИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ МИКРОСТРУКТУР НА СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛАХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СИЛЫ ЛАЗЕРА И.ВK Горячева Научный руководитель – к.т.нKI доцент А.АK Петров = Одним из перспективных направлений в фундаментальной и прикладной науке= является изучение модификации поверхности материалов под действием лазерного= излученияK= Одним из признаков силового воздействия излучения на стеклообразные материалы= является образование поверхностных периодических структур= EППСFI= представляющих= собой систему упорядоченных линейных выступов и впадин рельефа поверхностиK= Интерес к подобным структурам обусловлен следующими обстоятельствамиW=возникает= ряд интересных возможностей по использованию этих структур для создания периодических= решетокI= для задач спектроскопии и нелинейной оптикиI= увеличения поверхности объекта= как таковойI=что может привести к росту скорости каталитических реакций вблизи подобных= поверхностейK= Данные структуры могут быть использованы для создания элементной базы= для интегральной оптикиI= диагностических приборов для исследований в химииI=биологииI= медицинеI=а так же оптической записи информации высокой плотностиK= В работе исследованы поверхностные периодические структурыI= возникающих на= поверхности стеклообразных материалов под действием импульсного СОO-лазераK= Определены возможные причины формирования подобных структурK= Лазерное микроструктурирование поверхности можно выполнять несколькими= методамиI=в основе которых лежат следующие физические явленияW= - интерференция двух или трех пучков излученияX= - возникновение поверхностной электромагнитной волныX= - возбуждение светом волноводных модK= В целом явление носит универсальный характер и представляет собой интересный= пример самоорганизации в системеI=где изначально отсутствуют выделенные направления и= структурыK =При этом явлению свойственна= …память»W =рельеф может нарастать в течение= серии световых импульсовK=Энергетические режимы получения ППС соответствуют нагреву= материала до температурыI=примерно равной температуре плавления=Eнижний пределFI=но не= выше температуры испаренияK= = = NUU= УДК=RQUKPP= = ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТОДА ДИСКРЕТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРИ ЛОКАЛИЗАЦИИ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СОЛЬВАТНЫХ МОЛЕКУЛ В РЕНТГЕНДИФРАКЦИОННОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ А.

ВK Григорьев (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= Научный руководитель – д.фK-м.нKI профессор Е.НK Куркутова (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= = При расшифровке рентгендифракционных экспериментов часто возникает такая= ситуацияW= основной мотив кристаллической структуры определенI= но в нем остаются= полостиI= которые заполняютсяI= как правилоI= молекулами растворителяI= из которого= выращивались образцы монокристалловK= Обычно атомы этой сольватной молекулы= локализуются с использованием разностного синтеза ФурьеK= Однако если объем полости не= точно соответствует объему сольватной молекулыI= то зачастую эта молекула является= разупорядоченнойI= т.еK= в структуре существует две или несколько кристаллографически= независимых ориентаций сольватной молекулыK= Неупорядоченные сольватные молекулы существенно затрудняют процесс= расшифровки и уточнение кристаллических структур значительной части молекулярных= кристалловK= Инструментов автоматического решения этой проблемы в современных= комплексах расшифровки пока не содержитсяK= Целью работы является разработка алгоритмов локализации сольватных молекул в= молекулярных кристаллах при расшифровке рентгендифракционного экспериментаI=а так же= создание на их основе комплекса компьютерных программ и его апробация на реальных= кристаллических структурахK= Новизна исследования заключается в томI= что впервые предлагается методика= локализации неупорядоченных молекул растворителя с использованием метода дискретного= моделирования упаковок молекул в кристаллахK= В методе дискретного моделирования молекулы образующие упаковку заменяются= дискретными моделями= –= поликубамиK= Упаковки поликубов рассматриваются в так= называемом упаковочном пространствеK= Поэтому на первом этапе рассчитывается= упаковочное пространствоI= которое определяется решеткой трансляций исследуемой= структуры и желаемым шагом аппроксимацииK= Затем рассчитывается поликубI= соответствующий совокупности молекулI= попадающих в одну элементарную ячейкуK= Для= сольватной молекулы рассчитывается множество поликубовI= отвечающих различным= возможным ориентациям молекулыK=Для всех поликубов молекулы растворителя проверяется= критерий упаковкиI= с учетом возможных сдвигов поликубаK= Каждый поликубI= удовлетворяющий критерию упаковкиI=определяет одну из возможных ориентаций молекулы= в полостиK= В основу генерации кристаллических структур методом дискретного моделирования= можно положить наиболее общий алгоритм=xN]I=состоящий из пяти основных этаповW= NK расчет поликубов=–=дискретных моделей молекулX= OK перебор всех возможных вариантов упаковки с заданным коэффициентом упаковкиX= PK расчет моделей кристаллических структурX= QK оптимизация параметров элементарной ячейкиI=ориентации и положения молекулыX= RK энергетический и геометрический сравнительный анализ полученных модельных= кристаллических структурK= На данный момент создан комплекс программI=который использует следующий частный= алгоритм локализации неупорядоченных сольватных молекул=xO]W= - расчет поликубов сольватной молекулыX= - получение структуры основного мотиваX= - расчет упаковочного пространстваX= NUV= = = - задание параметров кристаллической решетки= Eсоздание ячейки с трансляционно= независимыми молекулами и координатами всех атомовI= приходящихся на одну= элементарную ячейкуFX= - расчет поликубов основного мотива с тем же шагом аппроксимацииX= - поиск положения молекулы растворителя относительно основной структурыX= - расчет координат атомов молекулы растворителяX= - уточнение результатов по рентгеновскому экспериментуK= Разрабатываемый комплекс программ и методика его использования могут быть= применены в расшифровке рентгеноструктурных монокристальных экспериментов в= качестве дополнения к традиционно используемому комплексу расшифровки= рентгендифракционного эксперимента= pebiuK= Использование предлагаемой методики= позволит существенно улучшить качество получаемых из рентгеновского эксперимента= геометрических параметров= Eдлины связейI= валентных угловF= за счет уменьшения фактора= расходимостиK= = Литература NK Малеев А.ВKI=Рау В.ГKI=Житков И.КK=LL=Журнал структурной химииI=OMMVK=–=ТK=RMK=–=CK=pRK= OK Григорьев А.ВKI= Малеев А.ВKI= Куркутова Е.НK= Локализация в рентгендифракционном= эксперименте неупорядоченных сольватных молекул методом дискретного= моделирования= LL =Тезисы докладов= uuu =Научных чтений имK =академика Н.ВK =БеловаK =– НK=НовгородI=OMNNK= PK Григорьев А.ВKI=Малеев А.ВKI=Куркутова Е.НK=Локализация неупорядоченных сольватных= молекул в структурах молекулярных кристаллов= LL= Тезисы докладов= sf= национальной= кристаллохимической конференцииK=–=СуздальI=OMNNK= = = УДК=RQUKP= = СУПРАМОЛЕКУЛЯРНЫЙ ПОДХОД К ОПИСАНИЮ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛЯРНЫХ КРИСТАЛЛОВ М.ИK СергееваI Е.ВK Харитонова (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= Научный руководитель – д.фK-м.нKI доцент А.ВK Малеев (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= = Основой современной практической кристаллографии составляет разработанная= Е.СK=Федоровым теория симметрии кристалловK= Кристаллическая структура определяется= пространственной группой симметрииI= элементарной ячейкой и множеством точек=Eцентров= атомовF= в асимметричной части элементарной ячейкиK= Такое чисто геометрическое= представление кристаллической структурыI=хотя и является абсолютно полнымI=не отражает= особенностей взаимного расположения строительных блоковI= из которых образован= кристаллK=Особенно ярко эта проблема проявляется в молекулярных кристаллахI=для которых= многие физические свойства определяются в первую очередь межмолекулярным= взаимодействиемI=а значит особенностями молекулярных упаковокK= Большинство современных методов кристаллохимического анализа базируется на= принципе плотной упаковкиI= предложенном Н.ВK= Беловым для исследования структур= ионных кристаллов и металлов и обобщенном А.ИK= Китайгородским на молекулярные= кристаллыK= В продолжение этих идей в последние годы получил развитие= супрамолекулярный подход к исследованию кристаллических структурK= Структура молекулярных кристаллов определяется балансом различных типов= межмолекулярных взаимодействийK= Сравнительно легко супрамолекулярный подход= реализуется для кристалловI= которые могут включать две или более молекулыI= связанные= относительно сильными специфическими взаимодействиями= Eводородными связямиI= NVM= стэкинг-взаимодействиями и т.дKF= В этом случае кристаллическая структура молекулярного= кристалла представима в виде упаковки кристаллических синтоновI=которые связаны между= собой значительно более слабыми межмолекулярными взаимодействиямиK= ОднакоI= в случае наличия многочисленных взаимодействий трудно найти главные= особенности кристаллической упаковкиI= основываясь только на геометрических параметрах= межмолекулярных взаимодействийK= Наиболее значительные проблемы возникают в случае= кристаллических структурI= которые не содержат сильных специфических межмолекулярных= взаимодействийI= напримерI= в структурах насыщенных углеводородовI= в которых упаковка= молекул в основном определяется общим электростатическим и дисперсионным= взаимодействиемK= Поэтому их кристаллические структуры обычно описываются на основе= некоторых моделей упаковкиI=выбранныхI=как правилоI=из чисто геометрических соображенийK= В работе рассматривается новый подход к анализу и описанию молекулярных упаковок= в кристаллахI=основанный на следующих соображенияхK=Каждой кристаллической структуре= можно поставить в соответствие разбиение пространства на атомные полиэдры Вороного Дирихле=EПВДFK=Для молекулярных кристаллов атомные ПВД объединяются в молекулярные= ПВДK= Разбиение кристаллического пространства на молекулярные полиэдры Вороного ДирихлеI= с одной стороныI=строго определяет первую координационную сферу молекулыI= с= другой стороныI=позволяет построить граф соседства молекул=Eграф связностиFK=С помощью= квантово-химического расчета энергии парных взаимодействий каждой из= кристаллографически независимых молекул с молекулами из первой координационной= сферы выявляются молекулярные синтоны=–=супрамолекулярные кластеры=–=наиболее сильно= энергетически связанные димеры= EтримерыI= тетрамеры и т.дKFI= молекулярные цепи или= молекулярные слоиI=которые называются базовыми структурными мотивами=EБСМF=xN]K= Кристаллическая структура в целом представляется как результат самосборки= молекулярных синтонов по правиламI= задаваемым локальными преобразованиями= симметрииI= связывающими синтоныK= Данный подходI= по сутиI= позволяет определить= структуру молекулярного кристалла не в терминах классической элементарной ячейкиI= а в= терминах упаковки базового структурного мотиваK= При этом бесконечная периодическая= структура определяется конечным набором операций симметрииI= жестко связанным с= базовым структурным мотивомK=В связи с этим возникает несколько уровней описания всего= кристаллK= NK Первоначально определяется размерность БСМI= которая может быть= M= –= для= упаковокI= топологически эквивалентных шаровой упаковке молекулI= димеровI= тримеров и т. дKX=N=–=для упаковок молекулярных цепей=EколонокF=и=O=–=для слоистых= упаковокK= OK В случае ненулевой размерности БСМ молекулы в самой БСМ могут быть связаны= между собой локальными операциями симметрии= Eоперациями пространственной= группы симметрии кристалла или операциями сверхсимметрииFK= Имея координаты= одной молекулы и зная операции симметрии можно определить весь БСМK= PK Расположение соседних БСМ также подчиняется строгим математическим законамI= так как молекулы одного БСМ и другого БСМ связаны операциями симметрииK= Исходя из этогоI= может быть построена математическая модель кристаллической= структурыI= которая базировалась бы не на классической элементарной ячейке и= пространственной группе симметрииI= а на БСМ и конечном наборе движенийI= позволяющем восстановить всю структуруK= В работы представлены результаты исследования молекулярной архитектуры= нескольких реальных молекулярных кристалловK= = Литература NK phishkin=lKsKI=ay~konenko=sKsK=~nd=M~leev=Andrey=sK=pupr~molecul~r=~rchitecture=of=cryst~ls= of= fused= hydroc~rbons= b~sed= on= topology= of= intermolecul~r= inter~ctions= LL= CrystbngCommI= OMNOK=–=NQK=–=РK=NTVR–NUMQK= NVN= = = УДК=SSVKMNU= ИЗУЧЕНИЕ ДИНАМИКИ КРАУДИОНЫХ КОМПЛЕКСОВ В РЕАЛЬНЫХ ГЦК КРИСТАЛЛАХ А.ВK Маркидонов (Филиал=…Кузбасский государственный технический университет имK=Т.ФK=Горбачева»= в гK=НовокузнецкеF= Научный руководитель – д.фK-м.нKI профессор М.ДK Старостенков (Алтайский государственный технический университетF= = При радиационном воздействии на кристаллическую структуру возникает ее локальный= перегревI= и может образовываться ударная волнаK= Воздействие такой волны на структуру= приводит к формированию специфических скоплений межузельных атомов= –= краудионных= комплексов= xN]K= Подобные конфигурации дефектов являются достаточно стабильнымиI= и= могут перемещаться на значительные расстояния= xOI=P]K= При изучении краудионных= комплексов в выше названных работах смещения локализованных объектов осуществлялись= в совершенных атомных рядахK= Целью работы является изучение динамики краудионных= комплексов в реальных кристаллахK= В связи с высокими скоростями протекания исследуемых процессов и малостью= рассматриваемых областей в качестве метода исследования было выбрано компьютерное= моделированиеK= Исследование проводилось на трехмерном расчетном блокеI= имитирующем= кристалл алюминияK= Взаимодействие между атомами описывалось при помощи потенциала= МорзеK=Эксперимент проводился по методу молекулярной динамики при помощи программы= xQ]K= Проведенное исследование показалоI= что отток энергии при движении краудионных= комплексов осуществляется благодаря их взаимодействию с фононной подсистемой= кристаллаK= При этом увеличение скорости комплексов уменьшает это взаимодействиеK= В= случае встречи комплексов с вакансией и последующей аннигиляциейI= диссипация энергии= осуществляется за счет генерации упругой волныK= При скорости краудионных комплексов= значительно превышающей скорость звука в рассматриваемом материалеI= комплексы могут= пересекать вакансию без аннигиляцииI= и при этом можно говорить о безизлучательном= движенииK= Также было рассмотрено взаимодействие краудионных комплексов с= малоугловыми межзеренными границамиK= Исследование показалоI= что при скорости= комплексов превышающей скорость звука краудионы могут преодолевать границы зеренI=но= при этом теряют часть своей энергии за счет генерации упругой волныK= = Литература NK Маркидонов А.ВKI= Тихонова Т.АKI= Нуркенова Б.ДKI= Полетаев Г.МKI= Старостенков М.ДK= Воздействие продольных волн на комплексы точечных дефектов в ГЦК кристалле= LL = Известия Алтайского государственного университетаI= OMNMK=–=№= NLO= ESRFK=–=Раздел= ФизикаK=–=СK=NTR–NTUK= OK Маркидонов А.ВKI= Старостенков М.ДKI= Неверова Т.ИKI= Барчук А.АK= Динамическое= торможение краудионных комплексов= LL =Письма о материалахK =ТKNK =выпKOK =OMNNK =СK =NMO NMSK= PK Маркидонов А.ВKI= Старостенков М.ДKI= Барчук А.АKI= Медведев Н.НK= Особенности= динамики краудионов и их комплексов в деформированном ГЦК кристалле= LL= Фундаментальные проблемы современного материаловеденияI= OMNNK=–=ТK=UK=–=№=PK=– СKUP–UUK= QK Полетаев Г.МK= Моделирование методом молекулярной динамики структурно энергетических превращений в трехмерных ГЦК металлах=EMaPFK= Свидетельство о госK= регистрации программы для ЭВМ №OMMUSNMQUS=от=ORKMNKOMMUK= = NVO= УДК=SONKTQWSSVKMNUKV= КОМПЛЕКСНЫЙ ПОДХОД К ПОЛУЧЕНИЮ ЛИТЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЕВОЙ МАТРИЦЫ Е.СK Прусов (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= Научный руководитель – к.т.нKI доцент=А.АK=Панфилов= (Владимирский государственный университет имK=А.ГK=и Н.ГK=СтолетовыхF= = На современном этапе перспективным направлением в развитии машиностроения= является разработка и освоение новых функциональных и конструкционных материаловI= в= том числе композиционных сплавов с повышенными эксплуатационными характеристикамиK= Антифрикционные композиционные сплавы на основе алюминиевой матрицыI= армированные дисперсными частицами тугоплавких соединенийI= характеризуются высокой= несущей способностью и износостойкостью=xN]K= Ключевым вопросом при создании новых алюмоматричных композиционных сплавов= (АКСFI= армированных частицамиI= и разработке жидкофазной технологии их получения= является взаимодействие матричного расплава и армирующих компонентовK=Известно=xO]I=что= армирование осуществляется наиболее эффективно иI= как следствиеI= наиболее полно= реализуется необходимый комплекс свойствI= при использовании эндогенных армирующих= соединенийI= формирующихся в ходе экзотермических реакций взаимодействия между= предварительно введенными исходными реакционно-активными компонентами= непосредственно в объеме матричного расплаваI= поскольку такие процессы обеспечивают= достижение хорошей адгезионной связи между наполнителем и матрицейI= обусловленной= близким решеточным соответствием матрицы и синтезированных фазK= Особенности взаимодействия фаз при протекании процессов высокотемпературного= синтеза обеспечивают возможность для реализации новых концептуальных подходов к= формированию схемы армированияI= основанных на комбинации эндогенного и экзогенного= армирования матричного сплава частицами различной природы и размеровK= АКСI= получаемые в таких процессахI=обладают двумя уровнями упрочнения матрицыI=т.еK=содержат= эндогенные армирующие фазыI= образующиеся при протекании реакций=in-situ= в матричном= расплавеI= и экзогенные армирующие фазыI= условия для смачивания и усвоения которых= создаются при протекании экзотермических реакций синтеза эндогенных фазK= В соответствии с предложенной схемой армирования разработаны составы и= технология приготовления комплексно-армированных АКС системы= xAl]-qilO-BEСF-qi-piCK= Жидкофазная технология получения АКС основана на вводе в матричный расплав= прессованных брикетовI= состоящих из реакционно-активных компонентовK= Для= формирования в объеме матричного сплава эндогенных фаз в качестве исходных= компонентов используются порошки алюминияI= диоксида титанаI= аморфного бораI= графитированного коксика и титанаI= поскольку при взаимодействии их друг с другом и с= матричным алюминиевым расплавом проходят интенсивные экзотермические реакцииI= приводящие к образованию новых эндогенных армирующих и модифицирующих фаз= qiBOI= qiCI=AlOlPI=AlPХI=AluI=AluP=Eгде=u=–=qiI=wrI=sI=ceI=kiFK=Дополнительное регулирование физико механических и эксплуатационных свойств композиционного сплава в широких пределах= может осуществляться за счет добавления в состав исходного порошкового брикета= экзогенных керамических частицK= Проведенные исследования свойств и характеристик новых комплексно-армированных= АКС позволили установитьI= что твердость АКС увеличивается на= PR–QMB= при нормальной= температуре и до= PMB= при повышенной температуреI= коэффициент трения снижается в= R– T=разI=износостойкость возрастает в=NM–NO=раз по сравнению с матричным сплавом=xP]K= Следует отметитьI= что комплексный подход к созданию АКСI= основанный на= армировании матричного сплава эндогенными и экзогенными фазами различной природы и= NVP= = = размеровI= существенно расширяет возможности для целенаправленного достижения и= регулирования свойств композиционных сплавовK= Полученные результаты убедительно= свидетельствуют о томI= что разработанные АКС могут быть предложены в качестве= эффективной замены традиционных сплавов в высоконагруженных трибосопряжениях= различного технологического оборудования и транспортаK= = Литература NK Чернышова Т.АK= Взаимодействие металлических расплавов с армирующими= наполнителями=L=Т.АK=ЧернышоваI=Л.ИK=КобелеваI=ПK=ШебоI=А.ВK=ПанфиловK=–=МKW=НаукаI= NVVPK=–=OTO=cK= OK Гаврилин И.ВK= Разработка теории и технологии композиционного литьяW= диссK= …= доктK= технK=наукK=–=ВладимирI=NVVNK=–=PRO=сK= PK Прусов Е.СK=Исследование свойств литых композиционных сплавов на основе алюминияI= армированных эндогенными и экзогенными фазами= L =Е.СK =ПрусовI =А.АK =Панфилов= LL = МеталлыK=–=№QI=OMNNK=–=CK=TV–UQK= = = УДК=SONKVKMQUKT= = ВНЕДРЕНИЕ ВОЛОКОННЫХ ЛАЗЕРОВ В ОБЛАСТЬ ЛАЗЕРНОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ ЧЕРНЫХ МЕТАЛЛОВ В.ВK Сомонов (Санкт-Петербургский государственный политехнический университетF= Научные руководители: д.т.нKI профессор Г.АK ТуричинI к.т.нKI доцент И.

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 || 9 | 10 |   ...   | 16 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.