авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 ||

«На правах рукописи Якушев Максим Витальевич Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si. ...»

-- [ Страница 6 ] --

Очевидно, что все эти операции значительно усложняют процесс изготовления ИК ФП, как и то, что фоточувствительные слои, выращенные на подложках из кремния, полностью решают проблемы разности КТР.

На рисунке 7-12 для сравнения показано как увеличивается в процессе эксплуатации количество разорванных индиевых столбов в ИК ФП формата 4288 на основе CdHgTe/GaAs(310) и на основе CdHgTe/Si(310). При изготовлении обоих ФП процедур, повышающих термомеханическую прочность, не проводилось.

Проведено исследование влияния циклических температурных изменений от 77К до 300К на параметры ИК ФП (1/2(77К)=4.3 мкм) на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из Si формата 320256 элементов. На рисунке 7-13 приведена зависимость NEDT и количества дефектных элементов от числа циклов изменения температуры. Видно, что с учетом погрешности измерений среднее значение NEDT практически не изменилось после более чем 3500 циклов. Количество дефектных элементов незначительно возросло от 2.25% до 2.9 % после первых 400 циклов и далее не менялось. Приведенные результаты показывают высокую стабильность ИК ФП на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310) к термоциклированию.

Количество разорванных столбов 0 200 400 600 800 1000 1200 Количество циклов Рис. 7- 12. Влияние циклических температурных воздействий в интервале температур от 77К до 300К на количество разорванных In столбов в ФП формата 4288.

1 – ФЧЭ на основе CdHgTe/GaAs(310), 2 – ФЧЭ на основе CdHgTe/Si(310) 3,5 Количество дефектных элементов, 15, NEDT, мK 2, % 14, 1, % дефектных NEDT 13, 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 Количество циклов Рис. 7-13. Зависимость количества дефектных элементов и NEDT от числа циклов температурных изменений от 77 до 300К для ИК ФП на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310).

Выводы к главе 1. Использование подложек GaAs(310) позволяет получать пленки CdHgTe с высокими фотоэлектрическими параметрами, близкими к предельным.

Фотоэлектрические характеристики выращиваемых на подложках из GaAs(310) ГЭС КРТ МЛЭ не уступают параметрам пленок КРТ на согласованных подложках из CdZnTe и объемных кристаллов. Гетероструктуры CdHgTe/GaAs(310) соответствуют требованиям, предъявляемым при изготовлении фоточувствительных элементов как на основе фоторезисторов, так и на основе фотодиодов. Разработанная технология молекулярно лучевой эпитаксии слоев КРТ на подложках из GaAs является основой для практических разработок и производства матричных фотоприемных систем как фоторезисторных, так и фотодиодных для обоих инфракрасных окон прозрачности атмосферы 3-5 и 8-14 мкм.

2. Вместе с тем, ИК ФП на основе CdHgTe/GaAs(310) обладают одним существенным недостатком. В силу большого различия коэффициентов термического расширения кремния, из которого сделан мультиплексор, и арсенида галлия такие ИК ФП обладают низкой термомеханической прочностью, что затрудняет использование гетероструктур CdHgTe/GaAs(310) в ИК ФП большого формата.

3. Параметры ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из Si(310) существенно ниже предельных значений, однако данные гетероструктуры могут быть использованы для создания матричных фотодиодных приемников излучения, как для средневолновой, так и для длинноволновой областей ИК спектра.

4. Разработана технология, позволяющая создавать методом МЛЭ на подложках из кремния диаметром до 102 мм, нелегированные образцы КРТ дырочного типа проводимости приборного качества.

5. Продемонстрирована возможность применения эпитаксиальных слоев КРТ, выращенных методом МЛЭ на кремниевых подложках Si(310), для создания надежных, стойких к термоциклированию многоэлемнтных фотоприемных модулей для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм.

Основные выводы и результаты 1. Установлено, что адсорбция элементов VI группы приводит к образованию на поверхности подложки GaAs химического соединения, состав которого соответствует формуле Ga2Se3. Образование связей Ga-халькоген в решетке сфалерита является причиной фасетирования подложки плоскостями (111)В и двойникования в растущей пленке АIIВVI.

2. Определено, что поверхность CdTe(112)B является морфологически неустойчивой. В процессе роста возможна перестройка поверхности с образованием фасеток (011), (111) и (113). Присутствие на фронте кристаллизации фасеток (111) приводит к появлению двойниковых ламелей. Для предотвращения фасетирования необходимо с точностью 10% поддерживать давление паров атомов Cd в 2 раза больше, чем давление паров молекул Te2. Поверхность CdTe(310) является морфологически стабильной и в условиях, когда давление паров атомов Cd больше, чем давление паров молекул Te2, формируется атомарно-гладкая поверхность со слабовыраженным рельефом.

3. Найдено, что поверхность Si(310) в широком интервале температур отжига в вакууме имеет развитый, неупорядоченный рельеф, среднеквадратичное значение шероховатости для которого составляет 0.15 – 0.3 нм. Основной составляющей такой поверхности является ступенчатая поверхность (310) со ступенями двухатомной высоты.

Ступени высотой в два межплоскостных расстояния на поверхности подложки Si(310) наблюдаются сразу после десорбции пассивирующего слоя. Присутствие на поверхности Si(310) ступеней двухатомной высоты делает возможным использовать подложки Si, ориентированные по плоскости (310), для гетероэпитаксии бинарных полупроводников и, в частности, CdHgTe.

4. Обнаружены различия кинетики начальной стадии роста пленок ZnTe на подложках Si(310) и GaAs(310). Кинетика роста пленки ZnTe на подложках Si(310) описывается моделью образования и роста зародышей. Скорость образования зародышей растет с понижением температуры подложки и соответствующим повышением пересыщения. Анализ кинетики роста пленок ZnTe на подложках GaAs(310) для различных пересыщений показывает отсутствие лимитирующего влияния образования зародышей на рост слоя, поэтому скорость роста на подложках GaAs(310) определяется скоростью поступления осаждаемого материала. Рост пленок ZnTe на подложках Si(310) проходит по трехмерному механизму с образованием развитого рельефа, тогда как при росте пленок ZnTe на подложках GaAs(310) реализуется ступенчато-слоевой механизм роста и происходит слабое развитие рельефа.

5. Установлено, что в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (температура образца выше 2000С) Zn и Te2 не образуют сплошных адсорбционных слоев на поверхности Si(310).

6. Найдено, что плотность антифазных границ в гетероструктурах CdTe/ZnTe/Si(310) зависит от соотношений давлений паров Zn и Te2 и температуры подложки в начальный момент роста теллурида цинка. Высокое давление паров цинка обеспечивает получение монодоменных слоев. Повышение температуры роста или понижение давления паров Zn вызывает появление антифазных границ и увеличение их плотности вплоть до роста поликристалла.

7. Обнаружено, что в гетероструктуре CdHgTe/Si(310) присутствуют дефекты упаковки преимущественно типа вычитания, сгруппированные в близко расположенных параллельных плоскостях (111), пересекающих плоскость (310) под углом 68 градусов.

Дефекты упаковки анизотропно распределены относительно кристаллографических направлений [-130] и [001]. Плотность дефектов упаковки составляет величину 105 - см-2. Зарождение дефектов упаковки происходит на границе раздела ZnTe/Si(310).

Дефекты упаковки преимущественно образуются при коалесценции островков ZnTe в начальный момент роста. Послеростовые отжиги гетероструктур приводят к аннигиляции дефектов упаковки.

8. Установлено, что плотность прорастающих дислокаций, выявленных методом селективного травления, составляет ~ 106 см-2 для гетероструктур CdTe/ZnTe/GaAs(310) и ~ 107 см-2 для CdTe/ZnTe/Si(310). Более низкая плотность прорастающих дислокаций в буферных слоях, выращенных на подложках GaAs(310), вызвана более эффективным блокированием прорастания дислокаций за счет более высокой концентрации точечных дефектов. Таким рассевающим центром, который есть в CdTe/GaAs(310) и которого нет в CdTe/Si(310), может быть Ga, попадающий в буферный слой из подложки.

9. Показано, что на поверхности с ориентацией (310) создаются наиболее благоприятные условия для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe по сравнению с поверхностями, ориентированным по другим плоскостям. Рост монокристаллических слоев CdHgTe на поверхности (310) возможен при более низких давлениях ртути, чем на поверхностях (100) и (111)А. Диссоциация двухатомных молекул теллура на поверхности (310) происходит с преодолением более низкого активационного барьера, чем на поверхности (100). Поверхность CdHgTe(310) является морфологически стабильной в широком диапазоне условий роста. Поэтому на поверхности (310) выращивание слоёв CdHgTe с высокими электрофизическими и структурными характеристиками возможно в более широком диапазоне давлений ртути и температур подложки, чем на поверхности (211)В.

10. Найденные методы снижения плотности дефектов кристаллической структуры позволяют выращивать слои CdHgTe на подложках GaAs(310), фотоэлектрические характеристики которых не уступают параметрам пленок CdHgTe на согласованных подложках из CdZnTe и объемных кристаллов. Гетероструктуры CdHgTe/GaAs(310) соответствуют требованиям, предъявляемым при изготовлении фоточувствительных элементов, как на основе фоторезисторов, так и на основе фотодиодов для обоих инфракрасных окон прозрачности атмосферы 3-5 и 8-14 мкм. В силу большого различия коэффициентов термического расширения кремния, из которого сделан мультиплексор, и арсенида галлия такие фотоприемники обладают низкой термомеханической прочностью, что затрудняет использование гетероструктур CdHgTe/GaAs(310) в фотоприемных модулях большого формата.

11. Показано, что эпитаксиальные слои CdHgTe, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках Si(310), пригодны для создания надежных, стойких к термоциклированию многоэлементных фотоприемных модулей для спектральных диапазонов 3-5 и 8-12 мкм.

Проведенные комплексные исследования всех этапов выращивания гетероэпитаксиальных структур CdTe и CdHgTe позволили решить научную проблему, имеющую важное практическое значение. Созданы научные основы методов получения фоточувствительного материала для перспективных фотоэлектронных приборов.

Разработана технология, позволяющая создавать методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из кремния нелегированные образцы CdHgTe дырочного типа проводимости приборного качества. На полученных структурах изготовлены матричные фотоприемники различного формата на диапазоны длин волн 3-5 и 8-14 мкм, работающие при 77K, и диапазон 3-5 мкм, работающие при 210K, с параметрами, не уступающими зарубежным аналогам.

Впервые разработаны и изготовлены полноформатные матричные фотоприемные модули на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, выращенных на подложке из кремния. Такие фотоприемники обладают повышенной стойкостью к термоциклированию, поскольку коэффициенты термического расширения кремниевой схемы считывания и фотоприемной матрицы на кремниевой подложке одинаковы.

Разработанные фотоприемники позволяют получать изображение телевизионного стандарта без использования систем механического сканирования. Фотоприемные модули обладают высоким пространственным и тепловым разрешением, позволяющим достоверно идентифицировать наблюдаемый объект.

Заключение В заключении автор считает приятным долгом выразить благодарность и искреннюю признательность всем соавторам и сотрудникам Института Физики Полупроводников СО РАН, на разных этапах принимавших участие в данной работе, и без которых получение представленных результатов было бы невозможно.

Автор искренне благодарит д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидорова за постоянное содействие, поддержку и помощь в написании данной диссертации.

Автор выражает искреннюю признательность чл.-корр. РАН, профессору И.Г.Неизвестному и чл.-корр. РАН, профессору А.В.Двуреченскому за внимательное прочтение и обсуждение рукописи диссертации и автореферата, за полезные замечания к тексту работы.

Автор благодарит д.ф.-м.н. В.А.Швеца за помощь в интерпретации результатов эллипсометрических измерений.

Автор благодарит к.ф.-м.н. С.А.Дворецкого, к.ф.-м.н. И.В.Сабинину, к.ф.-м.н.

В.С.Варавина и к.ф.-м.н. Н.Н.Михайлова, помогавшим в выполнении представленной работы, за обсуждение результатов, критические замечания и полезные советы по диссертации.

Автор благодарит А.П.Анциферова, П.Г.Сарофанова, Г.М.Шестаева, Н.Ф.Бондаренко, Д.Н.Придачина и Р.В.Высоцкого за проектирование, монтаж и запуск установки молекулярно-лучевой эпитаксии.

Автор выражает благодарность Л.В.Мироновой, Л.Д.Бурдиной, Д.Н.Придачину, В.М.Елисееву, А.А.Бабенко, А.А.Воронину, К.Г.Каденеву, А.В.Сорочкину и О.И.Малышеву за помощь в выращивании слоев КРТ.

Автор благодарит к.ф.-м.н. И.В.Сабинину, к.ф.-м.н. Д.В.Брунева, к.ф.-м.н.

В.С.Варавина, к.ф.-м.н. В.В.Васильева, к.ф.-м.н. И.В.Марчишина, А.В.Предеина, А.О.Суслякова, В.В.Хатункина за изготовление ИК фотоприемных устройств и измерение их характеристик.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Кузьмин В.Д. Исследование низкотемпературной эпитаксии CdTe на (001)GaAs / В.В.Калинин, В.Д.Кузьмин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Письма в ЖТФ. - 1992. Т.18,№.4. - С. 42-45.

2. Якушев М.В. О локальных неоднородностях вхождения Ga и As в пленку ZnSe из подложки GaAs / Т.А.Гаврилова, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Письма в ЖТФ. – 1995. Т.21,№1. - С.72-75.

3. Якушев М.В. Двойникование на начальных стадиях эпитаксии полупроводниковых соединений А2В6 на подложках GaAs / М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, Л.В.Соколов // Поверхность. – 1996. - №10. - С. 35-46.

4. Якушев М.В. РФЭС анализ гетеросистем ZnSe/GaAs(112)B полученных МЛЭ / М.В.Якушев, В.Г.Кеслер, Л.М.Логвинский, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. – 1997. - №2. С. 58-67.

5. Sidorov Yu.G. Pecularities of the MBE growth physics and tecnology of narrow- gap II VI compounds / Yu.G.Sidorov, S.A.Dvoretsky, M.V.Yakushev, N.N.Mikhhailov, V.S.Varavin, V.I.Liberman // Thin Solid Films. – 1997. - Vol.311. - P.253-266.

6. Иванов И.С. Сопряжение решеток CdTe(112)/GaAs(112) при молекулярно лучевой эпитаксии / И.С.Иванов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Неорганические материалы. – 1997.

- Т.33,№3. - С. 298-302.

7. Shvets V.A. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surface / V.A.Shvets, S.I.Chikichev, D.N.Pridachin, M.V.Yakushev, Yu.G.Sidorov, A.S. Mardezhov // Thin Solid Films. – 1998. - Vol.313-314. P.561 – 564.

8. Придачин Д.Н. Изучение процессов адсорбции теллура на кремнии методами эллипсометрии, ДБЭ и Оже-спектроскопии / Д.Н.Придачин, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец // Автометрия. – 1998. - №4. - С.96 – 104.

9. Pridachin D.N. A study of tellurium adsorption processes on silicon by ellipsometry, RHEED and AES methods / D.N.Pridachin, M.V.Yakushev, Yu.G.Sidorov, V.A.Shvets // Journal of Applied Surface Science. – 1999. - Vol.142. - P.485-489.

10. Якушев М.В. Использование эллипсометрических измерений для высокочувствительного контроля температуры поверхности / М.В.Якушев, В.А.Швец // Письма в ЖТФ. – 1999. - Т.25,№14. - С. 65-68.

11. Сидоров Ю.Г. Конструирование и выращивание фоточувствительных структур на основе КРТ МЛЭ для ИК-фотоприемников / Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин, В.В.Васильев, А.О.Сусляков, В.Н.Овсюк, М.В.Якушев // Прикладная физика. – 2000. - №5. - С. 121-131.

12. Михайлов Н.Н. Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности СdTe методом эллипсометрии / Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. – 2000. - №4. - С. 124 - 130.

13. Швец В.А. Применение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризации их оптических свойств / В.А.Швец, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 20 - 28.

14. Швец В.А. Высокочувствительный эллипсометрический метод контроля температуры / М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. - 2002. - №1. - С. 95 - 106.

15. Швец В.А. Влияние поверхностного слоя на определение диэлектрических функций пленок ZnTe методом эллипсометрии / М.В.Якушев, В.А.Швец // Оптика и спектроскопия. – 2002. - Т.92,№5. - С.847-850.

16. Shvets V.A. Ellipsometric measurements of the optical constants of solids under impulse heating / V.A.Shvets, N.N.Mikhailov, E.V.Spesivtsev, M.V.Yakushev // Proc. SPIE. – 2002. Vol.4900. - Р.46-52.

17. Придачин Д.Н. Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) / Д.Н. Придачин, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, И.В.

Сабинина, А.В. Колесников, Т.С. Шамирзаев, М.В.Якушев // Изв. Вузов.

Приборостроение. – 2004. - Т.47.№9. - С.30-34.

18. Якушев М.В. Изучение эпитаксиальных слоев ZnTe на подложках GaAs(310) методами эллипсометрии и методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / М.В.Якушев, В.А.Швец, В.Г.Кеслер, Ю.Г.Сидоров // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 30 38.

19. Сидоров Ю.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть теллур на «альтернативных» подложках / Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, И.В.Сабинина // ФТП. – 2001. - Т.35,№9. - С.1092-1101.

20. Сидоров Ю.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия узкозонных соединений CdxHg1 xTe. Оборудование и технология / Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С.

Варавин, А.П. Анциферов, М.В.Якушев // Оптический журнал. – 2000. - Т.67,№1. - С. 39 45.

21. Sidorov Yu.G. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si) / Yu.G.Sidorov, M.V.Yakushev, D.N.Pridachin, V.S.Varavin, L.D.Burdina // Thin Solid Films. – 2000. - Vol.367,iss.1-2. - Р. 203-209.

22. Придачин Д.Н. Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхности кремния различной ориентации / Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Поверхность. – 2002. - №2. - С. 25-29.

23. Дворецкий С.А. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1 xTe / В.С.Варавин, А.К.Гутаковски, С.А.Дворецкий, В.А.Карташев, Н.Н.Михайлов, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, С.В.Рыхлицкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, В.П.Титов, В.А.Щвец, М.В.Якушев, А.Л.Асеев // Прикладная физика. - 2002. - №6. - С.25-41.

24. Mikchailov N.N. Vasiliev V.V. Dvoretsky S.A. Ovsyuk V.N. Varavin V.S. Suslyakov A.O. Sidorov Yu.G, M. Yakushev, Aseev A.L. CdHgTe epilayers on GaAs: growth and devices.

Opto-electronics review, 2003, v.11, №2, p. 99- 25. Дворецкий С.А. Статус молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллур в тепловизионной технике / В.М.Белоконев, А.Д.Крайлюк, Е.В.Дегтярев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, А.Л.Асеев // Изв. Вузов, Приборостроение. – 2004. - Т.47,№9. - С. 7-19.

26. Якушев М.В. Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на Si(013) / Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. - 2005. - №1. - С.104 114.

27. Yakushev M. V-defects at MBE MCT heteroepitaxy on GaAs(310) and Si(310) substrates / M.Yakushev, A.Babenko, D.Ikusov, V.Kartashov, N.Mikhailov, I.Sabinina, Yu.Sidorov, V.Vasiliev // Proc. SPIE. – 2005. - Vol.5957. – Р.59570G.

28. Якушев М.В. Структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si(310) / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, В.С.Варавин, В.В.Васильев, Л.В.Миронова, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков // Прикладная физика. – 2007. - №4. - С. 108 115.

29. Якушев М.В. Микроморфология поверхности слоев CdTe(310), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. – 2010. - №1. - С.89-96.

30. Якушев М.В. Влияние ориентации подложки на условия выращивания пленок HgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Ю.Г.Сидоров // Неорганические материалы. - 2009. - Т.45,№1. - С. 15-20.

31. Варавин В.С. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, Г.Ю.Сидоров, М.В.Якушев // ФТП. - 2008. - Т.42, №6. - С. 664-667.

32. Якушев М.В. Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe: I. Чистая поверхность Si(310) / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, А.Е.Долбак, А.С.Дерябин, Л.В.Миронова, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. - 2008. - №2. - С. 41-47.

33. Якушев М.В. Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe: II. Поверхность Si(310), отожженная в парах As / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. - 2008. - №6. - С.

25- 34. Сабинина И.В. Наблюдение антифазных доменов в пленках МЛЭ CdxHg1-xTe на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии / Ю.Г.Сидоров, А.К.Гутаковский, В.С.Варавин, А.В.Латышев, И.В.Сабинина, М.В.Якушев // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - Т.82,№5. - С. 326 – 330.

35. Якушев М.В. Взаимодействие паров кадмия с поверхностью слоёв CdxHg1-xTe при их выращивании на подложках GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Д.В.Брунев, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец // Неорганические материалы. - 2008. - Т.44,№4. - С.431-435.

36. Якушев М.В. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков // Автометрия. - 2009. Т.45,№.4. - С.23-31.

37. Якушев М.В. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1-zZnzTe методом спектральной эллипсометрии / М.В.Якушев, В.А.Швец, И.А.Азаров, С.В.Рыхлицкий, Ю.Г.Сидоров, Е.В.Спесивцев, Т.С.Шамирзаев // ФТП. - 2010. - Т.44.№1. - С.62-68.

38. Мынбаев К.Д. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si / К.Д.Мынбаев, Н.Л.Баженов, В.И.Иванов-Омский, В.А.Смирнов, М.В.Якушев, А.В.Сорочкин, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, Г.Ю.Сидоров, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров // Письма ЖТФ. - 2010. - Т.36,№11. - С. 39–46.

39. Якушев М.В. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин // ФТП. - 2011. - Т.45,№3. - С. 396-402.

40. Якушев М.В. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры CdHgTe/Si(310) / М.В.Якушев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков // Письма в ЖТФ. - 2011. Т.37,№4. - С. 1–7.

41. Якушев М.В. Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe выращенных на подложках из Si(310) / М.В.Якушев, А.К.Гутаковский, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров // ФТП. – 2011. - Т.45,№7. - С.956-964.

Цитируемая литература.

1. A. Rogalski, Comparison of the performance of quantum well and conventional balk infrared photodetectors - Infrared Phys. Technol. 1997, V.38, P.295- 2. H.Maier and J.Hesse, Growth, properties and applications of narrow-gap semiconductors, in Crystal Growth, Properties and Applications, pp. 145-219, edited by H.C.Freyhardt, Springer Verlag, Berlin (1980) 3. Mercury Cadmium Telluride, INSPEC, EMIS Datareviews Series N.3, edited by J.Brice and P.Gapper, IEE, London, UK,1987.

4. R. Triboulet, A. Tromson-Carli, D. Lorans, and T. Nguyen Duy, Sabstrate issues for the growth of mercury cadmium telluride - J. Electron. Mater. 1993, V.22, P.827 - 5. D.D.Edwall, E.R.Gertner, and W.E.Tennant, Liquid-phase epitaxy of large area HgCdTe epitaxial layers - J. Appl. Phys. 1984, V.55, P.1453- 6. B.Pelliciare, State of art of LPE HgCdTe at LIR - J. Cryst. Crowth, 1988, V.86, P.146 7. Durose A.K., Russel G.J., Structural defects in CdTe crystals grown by two different vapour phase techniques - J. Cryst. Growth 1988, V.86, P.471.

8. H.Hermon, M.Schieber, R.B. James et. al., Analysis of CZT Crystals and Detectors Grown in Russia and the Ukraine by High-Pressure Bridgman Methods - J. Electron. Mater.

1999, V.28, P.688.

9. J.C.Irvine, Recent development in MOCVD of HgCdTe, Proc. SPIE, 1992, V.1735, P.92- 10. O.K.Wu, Status of HgCdTe MBE technology for IRFPA - Proc. SPIE, 1994, V.2021, P.79- 11. V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, Liberman V.I., N.N.Mikhailov, Yu.G.Sidorov, The controlled growth of high-quality mercury cadmium telluride - Thin Solid Films, 1995, v.267, p.121-125.

12. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур. - УФН., 2001, т.171, в.7, с. 689-715.

13. Tamargo M.C., De Miguel J.L., Hwang D.M., Farrell H.H. Structural characterization of ZnSe/GaAs interface. - J.Vac.Sci.Technol. B, 1988, v. 6, p. 784-789.

14. Ichino K., Onishi T., Kawakami Y., Shizuo Fujita, Shigeo Fujita. Growth of ZnS and ZnCdSSe alloys on GaP using an elemental sulfur source by molecular beam epitaxy. – J. Cryst.

Crowth, 1994, V. 138, P. 28 – 34.

15. S.F.Fang, K.Adomi, S.Iyer, H.Makros, H.Zabel, C.Choi, N.Otsuka Gallium arsenide and other compound semiconductors on silicon - J. Appl. Phys. 1990, V.68, p.R31.

16. Koestner R. J., Schaake H. F. Kinetics of molecular-beam epitaxial CdHgTe growth J. Vac.Sci.Technol. A 1988, V.6, P.2834- 17. Stenin S.I. Molecular beam epitaxy of semiconductor, dielectric and metal films Vacuum, 1986, V.36, P.419-426.

18. Семилетов С.А. Электронография в исследовании закономерностей роста и структуры эпитаксиальных слоев - сборник Методов структурного анализа, 1989, с. 304.

19. Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. Oscilations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE. - Surface Sci., 1981, v. 103, p. L90.

20. C.Pickering Complementary in-situ and post deposition diagnostics of thin film semiconductor structures - Thin Sol. Films. 1998, V.313-314. P. 21. J.B. Theeten, F. Hottier, J. Hallais Ellipsometric assessment of (Ga, Al)As/GaAs epitaxial layers during their growth in an organometallic VPE system – J. Cryst. Crowth 1979, V.46, p. 22. D.E. Aspnes, W.E. Quinn, S. Gregory Optical control of growth of AlxGa1-xAs by organometallic molecular beam epitaxy - Appl. Phys. Lett. 1990, V.57, P. 23. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. The growth of high-quality MCT films by MBE using in situ ellipsometry - Cryst.Res.Technol. 1994, V.29, P. 24. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.

25. Aspnes D.E. Optical properties of thin films - Thin Sol.Films. 1982, V.89, P. 26. Wright S.L., Marks R.F., Goldberg A.E. Improved GaAs substrate temperature measurement during molecular-beam epitaxial growth - J.Vac.Sci.Technol., 1988, V.B6, P.842 845.

27 Tomita T., Kinosada T., Yamashita T.,Shiota M., Sakurai T. A new non-contact method to measure temperature of the surface of semiconductor wafers - Jap.J. Appl. Phys., 1986, V.25, P.L925-L927.

28. Kroesen G.M.W.;

Oehrlein G.S.;

Bestwick T.D. Nonintrusive wafer temperature measurement using in situ ellipsometry – J. Appl. Phys., 1991, V.69, P.3390-3392.

29. Heyd A.R., Collins R.W., Vedam K., Bose S.S., Miller D.L. Monitoring ion etching of GaAs/AlGaAs heterostructures by real time spectroscopic ellipsometry: Determination of layer thicknesses, compositions, and surface temperature - Appl.Pys.Lett., 1992, v.60, N 22, p.2776-2778.

30. Sampson R.K., Massoud H.Z. Resolution of silicon wafer temperature measurement by in situ ellipsometry in a rapid termal processor - Journ.Electrochem.Soc. 1993, V.140, P.

2673-2678.

31. Erman M., Theeten J.B., Chambon P., Kelso S.M., Aspnes D.E. Optical properties and damage analysis of GaAs single crystals partly amorphized by ion implantation J.Appl.Phys. 1984, V.56, P.2664-2671.

32. Glanner G.J., Sitter H., Faschinger W., Herman M.A. Evaluation of growth temperature, refractive index, and layer thickness of thin ZnTe, MnTe, and CdTe films by in situ visible laser interferometry - Appl.Phys.Lett., 1994, V.65, P.998-1000.

33. Linder M., Schotz G.F., Link P., Wagner H.P., Kuhn W., Gebhardt W. Investigation of the hydrostatic pressure dependence of the E0 gap, the exitonic binding energy and the refractiv index of MOCVD-grown ZnTe layers - J. Phys. Condensed Matter, 1992, V.4, P.6401 6416.

34. Мардежов А.С., Михайлов Н.Н., Швец В.А. Эллипсометрический контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe. Поверхность. Физика, химия, механика. 1990, N12, с.92-96.

35. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука, 1974, 292с.

36. Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds / Ed. By P.Gapper. INSPEC, Infra-Red Limited, London, UK,1994. 618 c.

37. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. М.: Наука, 1979.

38. Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С. и др. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий-ртуть-теллур - Автометрия. 1996. №4. С.100.

39. Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С. Эллипсометрия in situ при выращивании твердых растворов кадмий-ртуть теллур методом МЛЭ - ЖТФ. 1995. Т.65. Вып.9. С.110.

40. Gastaing O., Granger R., Benhal J.T., Triboulet R. The dielectric function and interband transition in CdZnTe. - J.Phys.:Condens.Matter 1996, V.8, P.5757- 41. Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. Эллипсометр. Патент РФ №2302623. 2007.

42. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. Анализ статической схемы эллипсометрических измерений - Опт. и спектр. 2004. Т.97. №3. С.514.

43. Tobin S.P., Tower J.P., Norton P.W. et al. A Comparison of Techniques for Nondestructive Composition Measurements in CdZnTe Substrates - J.Electron. Mater. 1995.

V.24. P.697.

44. Adachi S. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors.

Boston/Dordrecht/ London. Kluwer Academic Publishers. 1999. 539 p.

45. Краткий справочник физико-химических величин. Издание десятое, испр. и дополн. / Под ред. А.А. Равделя и А.М. Пономаревой - СПб.: «Иван Федоров», 2003 г. С.

46. A.Million, L.Di Cioccio, J.P.Gailliard, and J.Piaguet, Molecular-beam epitaxy of CdHgTe at D.LETI/LIR - J. Vac.Sci.Technol. A, 1988, V.6, P.2813- 47. S. Sivananthan, X. Chu, J. Reno, J. P. Faurie. Relation between Crystallografic Orientation and the Condensation Coefficients of Hg, Cd, and Te during Molecular-Beam Epitaxial Growth of Hg1-xCdxTe and CdTe - J. Appl. Phys. 1986, V.60, 1359.

48. Ю.А.Тхорик, Л.С.Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983) 304 с.

49. Takatani S., Kikawa T., Nakazava M. Reflection high-energy electron-diffraction and fotoemission spectroscopy study of GaAs(001) surface modified by Se adsorption - Phys. Rev., 1992, v. 45, N 15, p.8498 – 8505.

50. Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников. - Изд. ЛГУ им.

А.А.Жданова, 1963.

51. Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. - Изд. 2-е, исправленное. Изд. Химия, 1971. - 416 с.

52. Feldman R.D., Austin R.F., Kisker D.W., Jeffers K.S., Bridenbaugh P.M. Influence of Ga-As-Te interfacial phases on the orientation of epitaxial CdTe on GaAs. - Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, N 3, p. 248-253.

53. Kahn A. Semiconductor surface structures. - Surface Science Reports, 1985, v.3, N 4/5, p. 193-300.

54. Lagally M.G., Savage D.E., Tringides M.C. Difraction from disordered surfaces: an overview. - Reflection high-energy electron difraction and reflectionelectron imaginy of surface, ed. by P.K.Larsen and P.L.Dobson, NATOASI series B, 188, 1988.-388 p.

55. Утевский Л.М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. – М.: Металлургия, 1973, - 583 с.

56. Ohishi M., Yoneta M., Ishii S., Ohura M., Hiroe Y., Saito H. On the growth mechanism of Li- and Na- doped chalcogenides on GaAs(001) by means of molecular beam epitaxy. - Journal of Crystal Crowth, 1996, v. 159, p. 376 – 379.

57. C.D.Wagner, W.M.Riggs, L.M.Davis, et al., "Handbook of X-ray photoelectron spektroscopy", Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prairie, Minnesota, (1979).

58. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.П. Анциферов, М.В.Якушев Молекулярно-лучевая эпитаксия узкозонных соединений CdxHg1-xTe.

Оборудование и технология - Оптический журнал, т.67, № 1, стр. 39, (2000) 59. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Mikhhailov N.N., Varavin V.S., Liberman V.I. Pecularities of the MBE growth physics and tecnology of narrow- gap II-VI compounds. - Thin Solid Films, 1997, v.311, p.253-266.

60. De Lyon T.J., Rajavel D., Johonson S.M., and Cockrum Molecular-beam epitaxial growth of CdTe(112) on Si(112) sabstrates. - Appl.Phys.Lett., 1995, v. 66, N 16, p.2119-2121.

61. Rujirawat S., Almeida L.A., Chen Y.P., Sivananthan, Smith D.J. High quality large area CdTe(112) on Si(112) grown by molecular-beam epitaxy. - Appl.Phys.Lett., 1997, v.71, N 13, p.1810-1812.

62. Tatsuoka H., Kuwabara H., Fujiyasu H. and Nakanishi Y. Growth of CdTe on GaAs by hot-wall epitaxy and its stress relaxation - J.Appl.Phys. 1993, V.65, P.2073.

63. Lange M.D., Sporken R., Mahavadi K.K., Faurie J.P. Molecular beam epitaxy and characterization of CdTe(211) and CdTe(133) films on GaAs(211)B substrates. - Appl. Phys.

Lett., 1991, V.58, P.1988-1990.

64. Jensen J.E., Roth J.A., Brewer P.D., Olson G.L., Dubray J.J., Wu O.K., Rajavel R.D., deLyon T.J. Integrated multi-sensor control of II-VI MBE for growth of complex IR detector structures.- J. Elec. Mater., 1999, V.27, P.494-499.

65. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Сусляков А.О., Овсюк В.Н. Конструирование и выращивание фоточувствительных структур на основе КРТ МЛЭ для ИК-фотоприемников. Прикладная физика, 2000, т. 5, с.126-134.

66. L.A. Almeida, M. Gronert, J. Markunas, and J.H. Dinan Influence of Substrate Orientation on the Growth of HgCdTe by Molecular Beam Epitaxy - J. Electron. Mater. 2006, V.35, P.1214-1218.

67. F. Aqariden, H. D. Shih, A. M. Turner, D. Chandra, and P. K. Liao, Molecular Beam Epitaxial Growth of HgCdTe on CdZnTe(311)B - J. Electron. Mater. 2000, V.29, P.727.

68. P. Mitra, F. C. Case, H. L. Glass, V. M. Speziale, J. P. Flint, S. P. Tobin, and P. W. Norton, HgCdTe Growth on (552) Oriented CdZnTe by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - J. Electron. Mater. 2001, V.30, P.779.

69. Мигаль Н.Н., Ваулин Ю.Д., Лубышев Д.И., Мигаль В.П. Факторы, влияющие на получение атомарно-чистой поверхности GaAs. - Изв. АН СССР сер. Неорганические материалы, 1989, т 25, в 11, с. 1775-1778.

70. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С. Пассивация поверхности GaAs в спиртовых растворах HCl. – Поверхность, 1989, н. 10, с.140-143.

71. J.F. Nicholas. An atlas of models of crystal surfaces. New York – London – Paris, 1965.

72. W.G.Schmid, F.Bechsted. Atomic structures of GaAs(100)-(24) reconstructions. Surf. Sci. 1996, V.360, P.L473–L477.

73. C.V. Ciobanu, V.B. Shenoy, C.Z. Wang, K.M. Ho, Structure and stability of the Si(105) surface.- Surface Science 2003, V.544, P.L715–L 74. Б.А.Нестеренко, О.В.Снитко. Физические свойства атомарно чистой поверхности полупроводников. – Киев: Наукова думка, 1983.

75. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников.

М.: Мир, 1990.

76. A.K. Gutakovsky, A.V. Katkov, M.I. Katkov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, Efect of Ga predeposition layer on the growth of GaAs on vicinal Ge(0 0 1) - J. Cryst. Growth. 1999, V.201/202, P.232- 77. Z.Gai, W.S.Yang, R.G.Zhao, T.Sakurai. Thermal stability and structure of the equilibrium clean Si(103) surface. – Phys.Rev.B 1999, V.59, P.13003- 78. R.G.Zhao, Z.Gai, W.Li, J.Jiang, Y.Fujikawa, T.Sakurai, W.S.Yang. Nanofaceting of unit cells and temperature dependence of the surface reconstruction and morphology of Si(105) and Si(103). - Surf. Sci. 2002, V.517, P.98– 79. A.W.Munz, Ch.Ziegler, W.Gopel, Thermal etching of Si(001) – a STM study, Surf.

Sci. 1995, V.325, P. 177– 80. Фарнсворс Х.Е. Приготовление атомарно-чистых поверхностей твердых тел и методы оценки их качества. – В кн.: А. Боонстра. Поверхностные свойства германия и кремния. М. Мир, 1970, с. 157-174.

81. Rzhanov A.V., Pchelyakov О.Р., Kanter B.S., Stenin S.I. Molecular beam epitaxial growth of germanium and silicon films: Surface, structure, film defects and properties. - Thin Solid Films. 1986, V.139, P. 169-1775.

82. S.Seto, S.Yamada, K.Suzuki, Growth of CdTe on hydrogen-terminated Si(1 1 1) J.Cryst. Growth, 1996, V.214/215, P.5- 83. W.Kern, D.A.Puotinen. Cleaning solution based on hydrogen peroide for use in silicon technology - RCA rev. 1970, V.31, P. 84. D.B.Fenner, D.K.Biegelsen, R.D.Bringans. Silicon surface passivation by hydrogen termination: A comparative study of preparation methods. - J.Appl. Phys. 1989, V.66 P. 85. G.S. Higashi, Y.J. Chabal, G.W. Trucks, K. Raghavachari, Ideal hydrogen termination of the Si(111) surface. - Appl. Phys. Lett. 1990, V.56, P.657.

86. S. Watanabe et al., Homogeneous hydrogen-terminated Si(111) surface formed using aqueous HF-solution and water. Appl. Phys. Lett. 59, 1991, p.1458.

87. Yukinori Morita, Kazushi Miki, Hiroshi Tokumoto. Kinetics of hydrogen desorption on a Si(111) surface. - Surf. Sci. 1995, V.325, P.21-32.

88. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса и М.П. Сиха, М., Мир, 1987, с.217.

89. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел // В.Ф.Кулешов, Ю.А.Кухаренко, С.А.Фридрихов и др., М., Наука, 1985, 290с.

90. S.N. Filimonov, B. Voigtlander ‘‘Rotating’’ steps in Si(0 0 1) homoepitaxy.- Surf.

Sci. 2004, V.549, P.31– 91. L.A Almeida, L.Hirsch, M.Martinka, P.R.Boyd, and J.H.Dinan. Improved morphology and crystalline quality of MBE CdZnTe/Si. - J. Elec. Mat. 2001, V.30, P. 92. D.J.Hall, L.Buckle, N.T.Gordon et al. High-performance long-wavelength HgCdTe infrared detectors grown on silicon substrates. - Appl. Phys.Lett. 2004, V.85, P. 93. M.E.Groenert and J.K.Markunas. CdZnTe graded buffer layers for HgCdTe/Si integration. - J. Elec. Mat. 2006, V.35, P. 94. A.Million, N.K.Dhar, and J.H.Dinan. Heteroepitaxy of CdTe on {211} substrates by molecular beam epitaxy. - J. Cryst. Growth 1996, V.159, P. 95. R.D.Bringans, D.K.Beigelsen, L.-E. Swartz, F.A.Ponce, and J.C.Tramontana. Effect of interface chemistry on the growth of ZnSe on the Si(100) surface. - Phys. Rev. B. 1992, V.45, P. 96. T.R.Ohno and Ellen D.Williams. Step structure and interface morphology: Arsenic on vicinal silicon surface. - J. Vac. Sci. Technol. B 1990, V.8, P. 97. R.D.Bringans, D.K.Beigelsen, and L.-E. Swartz. Atomic-step rearrangement on Si(100) by interaction with arsenic and the implication for GaAs-on-Si epitaxy. - Phys. Rev. B.

1991, V.44, P. 98. Д.Н. Придачин, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхности кремния различной ориентации. - Поверхность, 2002, №2, с. 25- 99. R.G.Zhao, Z.Gai, W.Li, J.Jiang, Y.Fujikawa, T.Sakurai, W.S.Yang. Nanofaceting of unit cells and temperature dependence of the surface reconstruction and morphology of Si(105) and Si(103). - Surf. Sci. 2002, V.517, P.98– 100. O.L.Alerhand, E.Kaxiras, R.S.Becker. Adsorption of As on stepped Si(100):


Resolution of the sublattice-orientation dilemma. - Phys. Rev. B. 1991, V.44, P. 101 A.K.Ott, S.M.Casey, S.R.Leone. Arsenic desorption kinetics from Si(100). - Surf.

Sci. 1998, V.405, P.228- 102. В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский и др. Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010] - ФТП 1998, Т.32, С.860- 103. M. Tomitori, K. Watanabe, M.Kobayashi, F. Iwawaki, O.Nishikawa. Layered geteroepitaxial growth of germanium on Si(015) observed by scanning tunneling microscopy. Surf. Sci. 1994, V.301, P.214- 104. Y. Fujikawa, K. Akiyama, T. Nagao et al. Origin of the stability of Ge(105) on Si: A new structure model and surface strain relaxation. - Phys. Rev. Lett. 2002, V.88, P. 105. T. Hashimoto, Y. Morikawa, Y. Fujikawa, T. Sakurai, M.G. Lagally, K. Terakura.

Rebonded SB step model of Ge/Si(105)1x2: A first-principles theoretical study. - Surf. Sci.

2002, V.513, P.L445–L 106. A. Oshiyama. Structure of steps and appearances of {311} facets on Si(100) surfaces. - Phys. Rev. Lett. 1995, V.74, P.130- 107. D.J.Chadi. Stabilites of single-layer and bilayer steps on Si(001) surfaces - Phys.

Rev. Lett. 1987, V.59, P.1691-1694.

108. P.R.Pukite and P.I.Cohen. Multilayer step formation after As adsorption on Si(100):

Nucleation of GaAs on vicinal Si. - Appl. Phys.Lett. 1987, V.50, P. 109. М.Херман, Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. – М.: Мир, 1989, 240 с.

110. R.M.A. Azzam, N.M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light, Elsevier, North Holland, Amsterdam, 1979.

111. H. Arvin, D.E. Aspnes, J. Vac. Sci. Technol. A2 (1984) p. 1309.

112. Lukes F. Oxidation of Si and GaAs in air at room temperature, - Surf. Sci. 1972, V.30, P.91.

113. Exsteen G., Drowart J., Vander Auwera-Mahieu A. and Callaerts R.

Thermodynamic study of silicon sesquitelluride using a mass spectrometer, J. Phys. Chem. – 1967, V.71, P.4130.

114. Brebrick R.F. Si-Te system: partial pressures of Te2 and SiTe and thermodynamic properties from optical density of vapor phase - J. Chem. Phys. 1968, V.49. P.2584.

115. Krishnamurthy Srinivasan, Berding M. A., Sher A., Chen A.-B. Energetics of molecular-beam epitaxy models - J. Appl. Phys. 1990, V.68, P.4020.

116. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса и М.П. Сиха, М., Мир, 1987, с.217.

117. Ploog K., Stetter W., Nowitzki A., Schonherr E. Crystal growth and structure determination of silicon telluride Si2Te3 - Mat. Res. Bull. 1976, V.11, P.1147.

118. Srinivasa R., Panish M.B., Temkin H. Control of orientationof CdTe clian GaAs and the reconstruction of the precursor surfaces. - Appl. Phys. Lett., 1987, V.50, P.1441-1446.

119. Chow P.P., Greenlaw D.K., Johonson D. Summary Abstract: MBE growth of (Hg, Cd, and Te) compounds - J.Vac.Sci.Technol. A., 1983, V.1, P.562-567.

120. Дворецкий С.А., Зубков В.П., Калинин В.В., Кузьмин В.Д., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И. Исследования начальных стадий роста при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe на GaAs(100). - Поверхность, 1991, т. 9, с. 45 – 51.

121. Faurie J.P., Reno J., Sivananthan S., Sou I.K., Boukerche M., Wijewarnasuriya P.S., Molecular beam epitaxial growth of CdZnTe, HgCdTe, HgMnTe and HgZnTe on GaAs(100). J.Vac.Sci.Technol. B., 1986, V.4, P.585-589.

122. M.T.Currie, S.B.Samavedam, T.A.Langdo, C.W.Leitz, and E.A.Fitzgeraldet Controlling threading dislocation densities in Ge on Si using graded SiGe layers and chemical mechanical polishing - Appl. Phys. Lett., 1998, V.72, P. 123. R.M.Sieg, J.A.Carlin, J.J.Boeckl, S.A.Ringel, M T.Currie, S.M.Ting, T.A.Langdo, G.Taraschi, E.A.Fitzgerald, and B.M.Keyes, High minority-carrier lifetimes in GaAs grown on low-defect-density Ge/GeSi/Si substrates - Appl. Phys. Lett. 1998, V.73, P. 124. Samavedam, S.B. Fitzgerald, E.A. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge(graded)/Si structures. - J. Appl. Phys., 1997, V.81, P.3108.

125. J.F.Valtuea, A.Sacedn, A.L.Alvarez, I.Izpura, F.Calle, E.Calleja, G.MacPherson, P.J.Goodhew, F.J.Pacheco, R.Garca and S.I.Molina, Influence of the surface morphology on the relaxation of low-strained InxGa1 xAs linear buffer structures, J. Cryst. Growth, 1997, V.182, P.281- 126. Fitzgerald, E.A.;

Samavedam, S.B.;

Xie, Y.H.;

Giovane, L.M. Influence of strain on semiconductor thin film epitaxy - J. Vac. Sci. Technol. A 1997, V.15, P. 127. Элементарные процессы роста кристаллов, под редакцией Г.Г.Леммлейна и А.А.Чернова, М.: Издательство иностранной литературы, 1959, 300 с.

128. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев. – Н.:

Наука, 1972. - 227 с.

129. Задумкин С.Н. Приближенный расчет поверхностной энергии некоторых полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки.- ФТТ, 1960, т.2, в.5, с. 878 882.

130. Pridachin D. N., Sidorov Yu. G., Yakushev M. V., Varavin V. S., Burdina L. D. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si) - Thin Solid Films.

2000, V.367, P.203.

131. Зубков В. А., Калинин В. В., Кузьмин В. Д., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Стенин С.И. Исследование начальных стадий роста при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe на (100) GaAs - Поверхность. 1991, N9, С.45.

132. Сидоров Ю. Г., Труханов Е. М. О возможности образования аморфной фазы при гетероэпитаксии с большим несоответствием решеток - Поверхность. 1991, N6, С.45.

133. Придачин Д.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхностях кремния различных ориентаций – Поверхность, 2002, N2, С.25.

134. Жуховицкий А. А., Шварцман Л. А. Физическая химия. Металлургия. Москва.

1968. С. 384.

135. Справочник химика. т.1. под ред. Б.П. Никольского. ГНТИ Химической литературы. Москва-Ленинград. 1962, 1070С.

136. Кузнецов Ф.А., Сидоров Ю.Г., Марончук И.Е. К вопросу о количественном описании транспортных реакций - ФТТ 1964, T.6. С.2981.

137. J.C. Philips, Bonds and bands in semiconductors, Academic Press, New York, 1973, 138. D. Martrou, N. Magnea Equilibrium shape of steps and islands on polar CdTe(001) surface: application to the preparation of self organized templates for growth of nanostructures Thin Solid Films 2000, V.367, P.48- 139. B.Daudin, S.Tatarenko, D.Brun-Le, Cunff, Surface stoichiometry determination using reflection high-energy electron diffraction and atomic-layer epitaxy: The case of ZnTe(100) - Phys. Rev. B 1995, V.52, P. 140. V.A.Shvets, S.I.Chikichev, D.N.Pridachin, M.V.Yakushev, Yu.G.Sidorov, A.S.Mardezhov. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces. - Thin Solid Films 1998, V.313-314, P.561.

141. Витлина Р.З., Чаплик А.В. “Эллипсометрия субмонослойных покрытий“ // Cб.

“Эллипсометрия: теория, методы, приложения” // Новосибирск. “Наука”. 1987. C. 142. Carbonell L., Tatarenko S., Gibert J., Hartmann J.M., Mula Guido, Etgens V.H., Arnout A. The role of 2D islands in the epitaxial growth of (001) CdTe - Appl. Surf. Sci. 1998, V.123/124, P. 143. Бенсон С. “Термохимическая кинетика.” // Пер. с англ. Под ред. Н.С.

Ениколопяна. М. “Мир”. 1971. C. 306.

144. Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Швец В.А., Якушев М.В.

Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности СdTe методом эллипсометрии. – Автометрия, 2000, н. 4, с. 124 – 130.

145. Brebrick R.F. and Strauss A.J. Partial pressures and Gibbs free energy of formation for congruently subliming CdTe(с). - Phys. Chem. Sol., 1964, V.25, P.1441- 146. Yamaguchi M., Yamamoto A., Itoh Y. Effect of dislocations on the efficiency of thin-films GaAs solar cells on Si substrates. - J. Appl. Phys., 1986, V.59, P.1751.

147. Zolper J.C., Barnett A.M. The effect of dislocations on the open-circuit voltage of GaAs solar cells. - IEEE Trans. Electron Devices, 1990, V.37, P.478-484.


148. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 2, Структура кристаллов, Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л., М.: Наука, 1979.

149. А.К. Гутаковский, А.В. Катков, М.И. Катков, О.П. Пчеляков, М.А. Ревенко.

Влияние высоты ступеней вицинальной поверхности германия на процесс образования антифазных границ в системе арсенид галлия-германий-арсенид галлия (001) - Письма в ЖТФ, 1998, T.24, C.7-12.

150. M. Inoue, J. Teramoto and S. Takayanagi Etch pits and polarity in Cite crystals - J.

Appl. Phys. 1962, V.33, P.2578.

151. А.К.Гутаковский, С.И.Стенин. Электронно-микроскопичкские исследования механизмов образования дефектов в гетеросистемах. В кн.: Современная электронная микроскопия в исследовании вещества, 1982, М., Наука, с.139-147.

152. Smith D. J., Tsen S.-C. Y., Chandrasekhar D., Crozier P. A., Rujirawat S., Brill G., Chen Y. P., Sporken R., Sivananthan S. Growth and characterization of CdTe/Si heterostructures — effect of substrate orientation - Mat. Sci. and Engineering B 2000, V.77, P.93.

153. Romano L. T., Knall J., Bringans R. D., Biegelsen D. K. Misfit dislocations in ZnSe grown on vicinal Si(001) substrates - Appl. Phys. Lett. 1994, V.65, P.869.

154. Yokoyama M., Chen N. T., Ueng H. Y. Growth and characterization of ZnSe on Si by atomic layer epitaxy - J. Cryst. Growth 2000, V.212, P.97.

155. А.К.Гутаковский, Механизмы формирования дислокационной структуры гетероэпитаксиальных твердых растворов GaAsP, InGaAs InGaAsP на подложках из арсенида галлия, дисс. на соискание степени к.ф.-м.н., 1981, Н., 181 с.

156. W.A.Jesser, J.W.Matthews, Evidence for pseudomorphic growth of ironon on cupper - Phil. Mag., 1967, V.15, P. 1097- 157. J.W.Matthews, Defect associated with the accomodationof misfit between crystals J. Vac. Sci. Technol., 1975, V.12, P.126- 158. J.W.Matthews, A.E.Blakeslee and S.Mader – Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin films – Thin Solid Films, 1976, V.33, P.253-266.

159. M.A. Berding, W.D. Nix, D.R. Rhiger, S.Sen, and A. Sher – Criticsl Thickness in the HgCdTe/CdZnTe System – J. Electron. Mater., 2000, V.29, P.676- 160. Jesser W.A., Kuhlmann-Wilsdorf D. On the theory of interfacial energy and and elastic strain of epitaxial overgrowths in parallel dignment on single crystal substrates – Phys.

Stat. Sol. (a), 1967, V.19, P.95- 161. Frank F.C., Van der Merve J.H. One-dimensional Dislocations In Misfitting Monolayers and Oriented Overgrowth – Proc. Roy. Soc. Ser. A., 1949, V.98, n. 1053, P.216-225.

162. P.D. Draun, G.J. Russell, and J. Woods. Anisotropic defect distribution in ZnSe/ZnS epitaxial layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on (001)-oriented GaAs - J. Appl.

Phys. 1989, V.66, P,129 – 136.

163. S. Miwa, L.H. Kuo, K. Kimura, A.Ohtake, T. Yasuda C.G.Jin, T. Yao, ZnSe heteroepitaxy on GaAs(0 0 1) and GaAs(1 1 0) - J. Cryst. Growth 1998, V.184/185, P.41.

164. N. Wang, K. K. Fung, and I. K. Sou Direct observation of stacking fault nucleation in the early stage of ZnSeOGaAs pseudomorphic epitaxial layer growth - Appl. Phys. Lett. 2000, V.77, P.2846 - 165. L.H. Kuo, K. Kimura, S. Miwa, T. Yasuda, and T. Yao Role of Interface Chemistry and Growing Surface Stoichiometry on the Generation of Stacking Faults in ZnSe/GaAs - J.

Electron. Mater., 1997, V.26, P.53- 166. Y. Takagi, H. Yonezu, K. Samonji, T. Tsuji, N. Ohshima Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(1 0 0) substrates - J. Cryst. Growth 1998, V.187, P.42- 167. Д.Н. Придачин, М.В. Якушев, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на Si(013). - Автометрия, 2005, №1, с.104-114.

168. М.В. Якушев, В.А. Швец, Ю.Г. Сидоров Применение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризации их оптических свойств - «Автометрия» №3, 2001, cc. 20 - 28.

169. Wang C.C., Me Farlane S.H. Crystal growth and defect chracterization of heteroepitaxial III-V semiconductor films – Thin Solid Films, 1976, V.31 P.323-332.

170. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 3, Чернова А.А., Геваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., М.: Наука, 1980.

171. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. - М., Наука, 1986.

172.Osip’yan Yu.A., Smirnova I.S. Perfect dislocation in the wurtzite lattice - Phis. Stat.

Sol., 1968, V.30, P.19.

173. Гутаковский А.К., Пчеляков О.П. Стенин С.И. О возможности управления доминирующим типом дислокаций несоответствия при гетероэпитаксии. Кристаллография, 1980, T.25, N.4, C.806-814.

174. Biegelsen D.K., Ponce F.A., Smith A.J., Tramontana J.C. Initial stages of epitaxial growth of GaAs on (001) Silicon. -J.Appl. Phys., 1987, V.61, P.1856-1859.

175. Castagne J., Fontaine C., Bedel E., Munoz-Yague A. Two dimensional- lake nucleation of GaAs on Si by room temperature deposition. - J.Appl. Phys., 1988, v.64, N.5, p.2372-2374.

176. Cho K.I., Choo W.K., Park S.C., Nishinaga T., Lee B-T. Solide Phase epitaxial growth of GaAs on Si substrates. - Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, N.5, p.448-452.

177. Tashikawa M., Yamaguchi M. Film thickness dependence of dislocation density reduction in GaAs on Si substrates. -Appl. Phys. Lett. 1990, v.56, N.5, p.484-486.

178. Sheldon P., Jones K.M., Al-Jassim M.M., Yacobi B.G. Dislocation density reduction through annigilation in lattice-mismatched semiconductors grown by MBE. - J.Appl. Phys., 1988, v.63, N.11, p.5609-5611.

179. Mar H.A., Park R.M. Observation of strain effects and evidence of gallium autodoping in molecular-beam-epitaxial ZnSe on (100)GaAs. - J. Appl. Phys., 1986, v. 60, N 3, p. 1229-1232.

180. Wagner B.K., Oakes J.D., Summers C.J. Molecular beam epitaxial growth and characterization of ZnTe and CdTe on (001) GaAs. - Journal of Crystal Crowth, 1988, v.86, p.296 – 302.

181. Dubowski J.J., Wrobel J.M., Jackman J.A., Becla P. Investigation of Ga diffusion in (001) and (111) CdTe layers grown on (001) GaAs. - MRS proceedings, 1991, v.131, p.112-118.

182. Kay R., Bean R., Zanio K., Ito C., McIntyre D. HgCdTe photovoltaic detectors on Si substrates. - Appl.Phys.Lett., 1987, v. 51, N 26, p.2211-2212.

183. Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, Физико химические и технические основы молекулярно-лучевой эпитаксии соединений CdхHg1 хTe. В сб. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, под редакцией С.П.Синица., 2001, Н., Наука, 376с.

184. Кудрявцев А. А. Химия и технология селена и теллура. М., «Металлургия», 1968, 284 с.

185. Кантер Ю.О., Торопов А.И., Ржанов А.В., Стенин С.И., Гаврилова Т.А.

Микроморфология эпитаксиальных пленок InAs при росте из молекулярных пучков на подложках GaAs - Поверхность. 1986, N.9, С.83-87.

186. Sabinina, I.V., Gutakovsky, A.K., Sidorov, Yu. G., Latyshev, A.V., Nature of V shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy. - J. Cryst. Growth, 2005, V.274, Р.339-346.

187. T. Aoki, Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. Grein, S. Sivananthan, and David J.

Smith. Electron microscopy of surface-crater defects on HgCdTe/CdZnTe(211B) epilayers grown by molecular-beam epitaxy. - J. Electron. Mater. 2003, V.32, P.703.

188. Термические константы веществ, вып.7, под редакцией В.П.Глушко, М.:

ВИНТИ, 189. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G.

Molecular beam epitaxy of high quality Hg1-xCdxTe films with control of the composition distribution. - J.Cryst. Growth, 1996, V.159, Р. 1161-1166.

190. Arias J.M., DeWames R.E., Shin S.H., Pasko J.G., Chen J.S., Gertner E.R. Infrared diodes fabricated with HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. - Appl.

Phys. Lett, 1989, V.54, P.1025-1027.

191. De Lyon T.J., Rajavel D., Johonson S.M., and Cockrum Molecular-beam epitaxial growth of CdTe(112) on Si(112) sabstrates. - Appl.Phys.Lett., 1995, V.66, P.2119-2121.

192. Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rykhlitsky S.V. Ellipsometry as a powerful tool for the control of epitaxial semiconductor structures in-situ and ex-situ - Mat.Sci.Engin.B. 1997, V.B44. P.164 167.

193. Y. S. Ryu, B. S. Song, T. W. Kang, T. W. Kim. Dependence of the structural and the electrical properties on the Hg/Te flux-rate ratios for Hg0.7Cd0.3Te epilayers grown on CdTe buffer layers. - J. mater. science, 2004, V.39, P.1147-1149.

194. J.M.Arias, M.Zandian, J.Bajaj, J.G.Pasko, L.O.Bubulac, S.H.Shin, and R.T.De Wames Molecular Beam Epitaxy HgCdTe Growth-Induced Void Defects and Their Effect on Infrared Photodiodes. - J. Electron. Mater., 1995, V.24, P. 195. L. He, Y. Wu, L. Chen, S.L. Wang, M.F. Yu, Y.M. Qiao, J.R. Yang, Y.J. Li, R.J.

Ding, Q.Y. Zhang Composition control and surface defects of MBE-grown HgCdTe - J. Cryst.

Growth 2001, V.227–228, P.677– 196. D. Chandra, H.D. Shih, F. Aqariden, R. Dat, S. Gutzler, M.J. Bevan, and T. Orent Formation and Control of Defects During Molecular Beam Epitaxial Growth of HgCdTe - J.

Electron. Mater. 1998, V.27, P. 197. Rogalski A., Piotrowski J. Intrinsic infrared detectors - Progress in Quantum Electronics, 1988, V.12, P.87-277.

198. А.Рогальский. Инфракрасные детекторы. (Н., Наука, 2003) ч. 3, гл. 8, с. 195.

199. J. Chu and A. Sher, Device Physics of Narrow Gap Semiconductors, Microdevices, DOI 10.1007/978-1-4419-1040-0 3, c Springer Science+Business Media, LLC 200. Arias J.M., Pasko J.G., Zandian M. et al. Molecular beam epitaxy (MBE) HgCdTe flexible growth technology for the manufacturing of infrared photovoltaic detectors - Proc. SPIE, 1994, V.2228, P.210-224.

201. К.Д.Мынбаев, В.И.Иванов-Омский Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe – ФТП 2006, Т.40, С.3-21.

202. Vydyanath H.R. Lattice defects in semiconducting CdHgTe alloys. Defect structure of Indium-Doped CdHgTe - J. Electrochem.Soc.: Solid State Sci. and Technol. 1981, V.128, P.2619-2625.

203. В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, Г.Ю.Сидоров, М.В.Якушев Исследование зависимости электрофизических параметров пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием - ФТП. 2008, Т.42, С.664-667.

204. M.C.Chen, L.Colombo The majority carrier mobility of n-type and p-type Hg0.78Cd0.22Te liquid phase epitaxial films at 77 K - J.Appl. Phys. 1992, V.73, P.2916- 205. P.S.Wijewarnasuriya, M.D.Lange, S.Sivananthan, J.P.Faurie. Minority carrier lifetime in indium-doped HgCdTe(211)B epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy - J.

Electron. Mater. 1995, V.24, P.545-549.

206. Г.Ю.Сидоров, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин, Д.Г.Икусов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффиктивностьего встраивания в пленки CdxHg1-xTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. - ФТП. 2008, Т.42, С.668-671.

207. В.Н.Овсюк, А.О.Сусляков, Т.И.Захарьяш, В.В.Васильев, С.А. Студеникин, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов Фотосопротивленя на основе пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии – Автометрия, 1996, №4, С.45- 208. S.Yuan, L.He, J.Yu et al. Infrared photoconductor fabricated with a molecular beam epitaxially grown CdTe/HgCdTe heterostructure - Appl.Phys.Lett., 1991, V.58, P.2211-2212.

209. В.Н. Северцев, Е.В. Сусов, В.С.Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.В.

Чеканова Сто двадцати восьми элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. – Автометрия 1998, №4, C. 210. А.А.Комов, А.А.Другова, М.С.Никитин, Г.В.Чеканова, И.Ю.Ларцев Фотоприемники SPRITE на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) - тезисы докладов 20 Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 27-30 мая 2008, с.109.

211. И.Ю.Ларцев, М.С.Никитин, Г.В.Чеканова, Фотоэлектрические параметры КРТ фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением - Прикладная физика 2003, №4, C.80 86.

212. Н.М.Акимова, Ю.Н.Долганин, В.В.Карпов, В.П.Корольков, М.А.Савченко, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев Фотоприемники из ГЭС КРТ МЛЭ диапазона 3-5 мкм различной топалогии с термоэлектрическим охлаждением - тезисы докладов 20 Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 25-28 мая 2010, с.133-134.

213. В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Д.Г.Есаев, Т.И.Захарьяш, А.Г.Клименко, А.И.Козлов, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, Н.Х.Талипов, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков Фотоприемники на основе слоев CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии – Автометрия, 2001, №3, С.4- 214. V.V. Vasilyev, A.V. Predein, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.V.

GumenjukSichevska, A.G. Golenkov, V.P. Reva, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O.

Susliakov, F.F. Sizov, and A.L Aseev. Linear HgCdTe IR FPA 288.4 with bidirectional scanning - OptoElectron. Rev. 2010, V.18, P.18-23.

215. A. Manissadjian, P. Tribolet, P. Chorier, P. Costa. Sofradir infrared detector products: the past and the future. - Proc. SPIE 2000, V4130-58, P.1-16.

216. V.V. Vasilyev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, I.V. Marchishin, N.N. Mikhailov, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, and A.O. Susliakov. HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter. - OptoElectron. Rev. 2010, V.18, P.78- 217. A.D. van Rheenen, H. Syversen, R. Haakenaasen, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen and T. Lorentzen. Temperature dependence of the spectral response of lateral, MBE-grown, ion milled, planar, HgCdTe photodiodes. - Phys. Scr. 2006, V.T126, P.101.

218. R. Haakenaasen, T. Moen, T. Colin, H. Steen, and L. Trosdahl-Iversen. Depth and lateral extension of ion milled pn junctions in CdHgTe from electron beam induced current measurements. - J. Appl. Phys. 2002, V.91, P.427.

219. M.F.Vilela, A.A.Buell, M.D.Newton, G.M.Venzor, A.C.Childs, J.M.Peterson, J.J.Franklin, R.E.Bornfreund, W.A.Radford, and S.M.Johnson. Control and Growth of Middle Wave Infrared (MWIR) HgCdTe on Si by Molecular Beam Epitaxy. - J. Electron. Mater. 2005, V.34, P.898.

220. V.V.Vasiliev, A.G.Klimenko, I.V. Marchishin, V. N. Ovsyuk, N. Kh. Talipov, T.I Zakhar’yash, A. G. Golenkov, Yu. P. Derkach, V. P. Reva, F. F. Sizov, V. V. Zabudsky. MCT heteroepitaxial 4288 FPA. - Infrared Physics&Technology 2004, V.44, P.13-23.

221. В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Д.Г.Есаев, Т.И.Захарьяш, А.Г.Клименко, А.И.Козлов, И.В.Марчишин, В.Н.Овсюк, Н.Х.Талипов, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков.

Фотоприемники на основе слоев CdHgTe выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. - Автометрия, 2001, №3, C.4.

222. F. F. Sizov,V. V. Vasiliev, D.G.Esaev, V.N.Ovsyuk, Yu.G.Sidorov V. P. Reva,, A.

G. Golenkov, and Yu. P. Derkach. Properties of 264 linear HgCdTe molecular beam-epitaxy grown long wavelength infrared arrays with charged coupled devices silicon readouts. - Sensors and Materials 2000, V.12, P.435-444.

223. P.Tribolet, J.P.Chatard, P.Costa, A.Manissadjian Progress in HgCdTe homojunction infrared detectors. - J. Cryst. Growth 1998, V.184/185, P.1262 – 1271.

224. J.W. Beletic, R.Blank, D.Gulbransen, D.Lee, M.Loose, E.C.Piquette, T.Sprafke, W.E.Tennant, M.Zandian, and J.Zino Teledyne Imaging Sensors: Infrared imaging technologies for Astronomy & Civil Space - Proc. SPIE 2008, V.7021, P.70210H.

225. J.Ziegler, M.Bruder, J.Wendler, H.Maier Second generation – FPA’s with MCT sensors arrays in hybrid approach – Proc. SPIE, 1992, V.1735, P.151.



Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.