авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 | 2 ||

«Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В.Скобельцына Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова (НИИЯФ МГУ) ...»

-- [ Страница 3 ] --

Наименование работы: «Исследование режимов возбуждения ДЧ (емкостной и индукционно-емкостной) плазмы для травления структур в алмазе для применения в электронно-вакуумных приборах и спектральных фильтрах в EUV нанолитографии».

Шифр работы: «2009-1.1-124-054-007». Федеральная целевая программа:

«Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 2013 годы».

Мероприятие 1. Задачи патентных исследований: Проведение патентных исследований по теме научно-исследовательской работы, выполняемой по ГК № 02.740.11.0235, анализ результатов НИР. Анализ возможности по выявлению объектов промышленной собственности, подлежащих правовой защите.

Сроки выполнения: 01.02.2011 – 01.08.2011.

ответственный исполнитель Д.В. Лопаев _ личная подпись расшифровка подписи дата ПРИЛОЖЕНИЕ АБ ФОРМА РЕГЛАМЕНТА ПОИСКА Регламент поиска № 02/ 01.02. дата составления регламента Наименование работы (темы): «Исследование неравновесных процессов в плазме многочастотных емкостных разрядов для разработки многофункциональных плазменных реакторов с прецизионным управлением для травления новых перспективных материалов наноэлектроники».

Шифр работы (темы): «2009-1.1-124-054-007».

Федеральная целевая программа: «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы». Мероприятие 1. Номер и дата утверждения задания № 02П/11 от 01.02. Этап работы: один Цель поиска информации (в зависимости от задач патентных исследований, указанных в задании): выявить существующие аналоги по теме выполняемой НИР.

Обоснование регламента поиска: правовая защита промышленной собственности Начало поиска: Окончание поиска: 01.08.2011.

01.02. Предмет поиска Страна Вид публикации Источник информации Рубрикатор:

поиска МПК 1 2 3 4 Способы и устройства РФ Патент Он-лайн базы данных в H 01 J для травления новых США Заявка на патент Интернете: H 01 L перспективных Япония ФИПС, H 01 L материалов EC USPTO, наноэлектроники на WPO основе неравновесных процессов в плазме многочастотных емкостных разрядов Руководитель работ А.Т. Рахимов _ _ личная подпись расшифровка подписи дата Ответственный исполнитель Д.В. Лопаев _ _ личная подпись расшифровка подписи дата ПРИЛОЖЕНИЕ АВ ФОРМА ОТЧЕТА О ПОИСКЕ В.1 Поиск проведен в соответствии с заданием руководителя работы А.Т. Рахимова № 02П/11 от 01.02.2011 и Регламентом поиска 02/11 от 01.02. В.2 Этап работы - один В.3 Начало поиска 01.02.2011 Окончание поиска 01.08.2011.

В.4 Сведения о выполнении регламента поиска (указывают степень выполнения регламента поиска, отступления от требований регламента, причины этих отступлений): Поиск проведен в полном объеме в соответствии с техническим заданием и регламентом поиска.

В.5 Предложения по дальнейшему проведению поиска и патентных исследований:

Целесообразно контролировать поступление заявок на изобретение в патентных ведомствах РФ (ФИПС- федеральный институт промышленной собственности) и США (USPTO).

В.6 Материалы, отобранные для последующего анализа: в настоящее время материалы по теме исследований просмотрены. Необходим просмотр и анализ вновь поступающих статей и патентов по теме исследований.

Таблица В.6.1. Патентная документация Предмет поиска Страна выдачи, вид и Дата Название изобретения (объект исследования, номер охранного публикации его составные части) документа.

1 2 3 РФ 10.01.2011 Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур Способы и устройства Патент № США для травления новых 15.04.2008 Dual bias frequency plasma reactor патент № перспективных with feedback control of ESC voltage using wafer voltage measurement at материалов the bias supply output наноэлектроники на США 20.05.2008 Method of feedback control of ESC основе неравновесных патент № 7375947 voltage using wafer voltage процессов в плазме measurement at the bias supply многочастотных output емкостных разрядов США 29.07.2008 Multiple frequency plasma processor патент № 7495521 method and apparatus США 18.11.2008 Method for resist strip in presence of патент № 7452660 low k dielectric material and apparatus for performing the same США 13.01.2009 N2 based plasma treatment for патент № 7476602 enhanced sidewall smoothing and pore sealing porous low-k dielectric films США 09.02.2010 Chemical vapor deposition chamber патент № 7658969 with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same США 17.03.2010 Multiple frequency plasma chamber, патент № 7503996 switchable RF system, and processes using same США 31.03.2010 Plasma generation and control using патент № 7510665 dual frequency RF signals США 04.05.2010 Low k dielectric surface damage патент № 7709392 control США 01.06.2010 Dual plasma source process using a патент № 7727413 variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density США 15.06.2010 Plasma control using dual cathode патент № 7736914 frequency mixing and controlling the level of polymer formation США 15.06.2010 Method for producing low-k CDO патент № 7737525 films США 24.08.2010 Methods for producing low-k carbon патент № 7781351 doped oxide films with low residual stress США 21.09.2010 Methods for producing low stress патент № 7799705 porous low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups США 05.10.2010 Repairing and restoring strength of патент № 7807219 etch-damaged low-k dielectric materials США 23.11.2010 Plasma control using dual cathode патент № 7838430 frequency mixing США 30.11.2010 Inductively coupled plasma патент № 7842159 processing apparatus for very large area using dual frequency США 01.02.2011 Dual frequency RF match патент № США 22.03.2011 N2 based plasma treatment for патент № 7910936 enhanced sidewall smoothing and pore sealing porous low-k dielectric films WPO 09.07.2009 Vapor phase repair and pore sealing заявка на получение of low-k dielectric materials патента № 2009/ WPO 11.09.2009 Method for curing a porous low заявка на получение dielectric constant dielectric film патента № 2009/ WPO 25.03.2010 Dielectric material treatment system заявка на получение and method of operating патента № 2010/ США 25.01.2007 Etch chamber with dual frequency заявка на получение biasing sources and a single патента frequency plasma generating source № 2007/ США 25.10.2007 Dual plasma source process using a заявка на получение variable frequency capacitively патента coupled source for controlling ion № 2007/0245958 radial distribution США 25.10.2007 Dual plasma source process using a заявка на получение variable frequency capacitively патента coupled source for controlling plasma № 2007/0245961 ion dissociation США 12.02.2009 Method for etching low-k material заявка на получение using an oxide hard mask патента № 2009/ США 02.04.2009 Methods of low-k dielectric and metal заявка на получение process integration патента № 2009/ США 04.06.2009 Gate profile control through effective заявка на получение frequency of dual HF/VHF sources in патента a plasma etch process № 2009/ США 09.07.2009 Method of damaged low-k dielectric заявка на получение film layer removal патента № 2009/ США 06.08.2009 Reducing damage to low-k materials заявка на получение during photoresist stripping патента № US 2009/ США 17.09.2009 Stripper for copper/low k BEOL заявка на получение clean патента № 2009/ США 17.09.2009 Method of dielectric film treatment заявка на получение патента № 2009/ США 31.12.2009 Side wall pore sealing for low-k заявка на получение dielectrics патента № 2009/ США 21.01.2010 Method of dielectric film repair заявка на получение патента № 2010/ США 28.01.2010 Method for plasma etching porous заявка на получение low-k dielectric layers патента № 2010/ США 04.02.2010 Plasma processing method заявка на получение патента № 2010/ США 25.02.2010 Method of photoresist removal in заявка на получение presence of a low-k dielectric layer патента № 2010/ США 04.03.2010 Plasma ashing apparatus заявка на получение патента № 2010/ США 22.04.2010 Prevention of plasma induced damage заявка на получение arising from etching of crack stop патента trenches in multi-layered low-k № 2010/0096699 semiconductor devices США 08.07.2010 Low-k dielecttric surface damage заявка на получение control патента № 2010/ США 15.07.2010 Low-k damage avoidance during заявка на получение bevel etch processing патента № 2010/ США 02.09.2010 Providing superior electromigration заявка на получение performance and reducing патента deterioriation of sensitive low-k № 2010/0221911 dielectrics in metallization systems of semiconductor devices США 16.09.2010 Semiconductor device and method for заявка на получение forming the same патента № 2010/ США 14.10.2010 UV treatment for carbon-containing заявка на получение low-k dielectric repair in патента semiconductor processing № 2010/ США 14.10.2010 Method for low-k dielectric etch with заявка на получение reduced damage патента № 2010/ США 21.10.2010 Enhanced focused ion beam etching заявка на получение of dielectrics and silicon патента № 2010/ США 21.10.2010 Apparatus for EUV damage repair of заявка на получение low k films prior to copper barrier патента deposition № 2010/ США 21.10.2010 Dual Frequency Low Temperature заявка на получение Oxidation of a Semiconductor Device патента № 2010/ США 28.10.2010 Etching low-k dielectric or removing заявка на получение resist with a filtered ionized gas патента № 2010/ США 17.03.2011 Dielectric layer structure заявка на получение патента № 2011/ США 17.03.2011 Dielectric layer structure and заявка на получение manufacturing method thereof патента № 2011/ КНР 30.06.2010 Ashing treatment method in dual патент № 101764080 damascene process Япония 27.05.2010 Method of cleaning plasma заявка на получение processing device патента № 2010/

Pages:     | 1 | 2 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.