авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 8 | 9 || 11 | 12 |

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ...»

-- [ Страница 10 ] --

Рисунок 7.35 – Конструкция чувствительного элемента датчика на мембране SiO2 – Si3N Если вместо кремниевой пластины взять пластины кремний на изоляторе, то рассмотренная выше технология позволяет получить встроенный нагрева тель (рисунок 7.36). Необходимо отметить, что высокая окислительная способ ность кремния требует защиты Si3N4.

Рисунок 7.36 – Конструкция чувствительного элемента датчика на мембране SiO2 – Si3N4 и встроенный нагревателем на моно–Si Структуры изображенные на рисунках 7.32, 7.35 и 7.36 оправданы при выпуске датчиков в объеме более 100 тысяч штук.

Выводы 1) для увеличения чувствительности необходимо иметь толщину чувстви тельного слоя в пределах 400–600 нм (для этих целей подходят все мето ды, кроме толстопленочной технологии);

2) уменьшать размеры зерна наночастиц в чувствительном слое;

3) увеличивать размеры чувствительного слоя за сче развитости размеров подложки;

4) для увеличения чувствительности необходимо использовать легирующие присадки;

5) для улучшения селективности необходимо управлять скоростью нагрева и поддерживать заданную температуру;

6) для снижения энергопотребления сенсоров необходимо переходить на мембранную технологию, уменьшать размеры чувствительного элемента, применять импульсный нагрев;

7) для обеспечения высокой чувствительности, селективности и снижения энергопотребления необходимо использовать подложки толщиной не бо лее 2 мкм (для этих целей лучше всего подходят конструкции мембран ного типа с использованием микрофольговых или мембран SiO2+Si3N4);

8) технологичность определяется объемом выпуска датчиков и следователь но использование полупроводниковой технологии оправдано при выпус ке более ста тысяч штук, а при меньшей партии лучше использовать кон струкции мембранного типа с использованием микрофольговых мембран или мембран SiO2+Si3N4;

9) конструкцию газового датчика на SnO2 можно реализовать на мембранах из пористого алюминия, пористого тантала, пористого SiO2+Si3N4 с ис пользованием золь-гель технологии нанесения чувствительного слоя или технологии пиролиза;

10) в качестве материала нагревателя оправдано использование мате риала чувствительного элемента;

11) контакты к чувствительному элементу целесообразно изготавливать из платины, золота или нихрома.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Задача проведения первого этапа НИР - проведение аналитического обзо ра современной научно-технической, нормативной и методической литературы, связанной с методами получения, исследования свойств композиционных мате риалов и сенсоров на их основе, моделями формирования материалов, способов изготовления газочувствительных пленок и чувствительных элементов сенсо ров на их основе, а также устройств элементов газочувствительных сенсоров.

Результатом исследования является выбор среды, анализируемой сенсо ром, композиционных материалов для чувствительных элементов газовых сен соров, методов и способов формирования композиционных материалов и сен соров на их основе, методов и средств исследования свойств материалов, пара метров сенсоров, моделей формирования и свойств композиционных материа лов на низкоразмерном уровне, оптимальной конструкции газовых сенсоров.

Для решения заявленной цели проведен анализ рынка газовых сенсоров, их конструкций и характеристик аналогов газовых сенсоров, основных свойств композиционных материалов для газовых сенсоров, выполнен обзор техниче ских характеристик газовых датчиков, методов получения пленок оксидов ме таллов для газовых сенсоров и исследования свойств композиционных мате риалов. Проведен патентный поиск по вышеуказанным направлениям. На осно вании анализа выполнено обоснование выбора анализируемой среды, материа лов для чувствительных элементов газовых сенсоров, методов и способов по лучения материалов чувствительных элементов полупроводниковых газовых сенсоров, методов и средств исследования свойств материалов, параметров сенсоров, а также оптимального варианта конструкции полупроводниковых га зовых сенсоров.

Для развития темы НИР проведен анализ моделей формирования компо зиционных материалов на низкоразмерном уровне, свойств композиционных материалов в системе SiO2–SnO2, формирования композиционных материалов на низкоразмерном уровне, свойств композиционных материалов на низкораз мерном уровне.

Оценка научно-технического уровня выполненной работы, в сравнении с лучшими достижениями в данной области, базируется на проведенном патет ном исследовании (Приложение 1), который охватил передовые разработки в данной области в период с 2005 г. по 2011 г. Исследования показали, что ожи даемые результаты могут превзойти имеющиеся на сегодняшний день лучшие достижения в области разработок полупроводниковых газовых сенсоров.

Основные выводы:

1) наиболее востребованной задачей с точки зрения анализа проблемой газовой среды является контроль содержания метана и паров этанола;

2) наиболее подходящим материалом чувствительного элемента газового сенсора многоразового использования для выбранной анализируемой среды яв ляется диоксид олова и композиционные материалы на его основе;

3) наиболее перспективной технологией получения композитов на основе диоксида олова следует считать золь-гель технологию;

4) для оценки термодинамических и кинетических процессов целесооб разно применение синергетической модели гелеобразования матрицы кремне зёма;

5) для моделирования стадии формирования золей при протекании хими ческих реакций, начальной коагуляции и формировании фрактальных агрегатов наиболее применима фрактальная модель гелеобразования;

6) для описания процесса формирования геля полиоксида кремния в кон центрированных золях и взаимодействия газов с пористыми нанокомпозитны ми слоями целесообразно использовать перколяционную модель;

7) выбор методов исследования свойств материалов чувствительных эле ментов газовых сенсоров и составление функциональной схемы измерительной установки (стенда) следует проводить методом векторной оптимизации.

Полученные результаты позволяют обосновать целесообразность и пер спективность выбранного направления исследований, а также конкретизиро вать содержание последующих этапов выполнения НИР. В дальнейшем они бу дут использованы при разработке моделей формирования композиционных ма териалов на основе SiO2 – SnO2 с заданными свойствами и методики получения газочувствительных элементов сенсоров, а также при создании автоматизиро ванного стенда для исследования характеристик чувствительных элементов га зовых сенсоров.

Работа выполнена в полном объеме в соответствие с техническим задани ем и в сроки, установленные календарным планом госконтракта.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 1) Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем". – М.: Радио и связь, 1991.

2) Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссел, Р. Глэнг. – М.:

Сов. Радио, 1977. – Т. 2. – 768 с.

3) Данилин, Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Дани лин, В.К. Сырчин. – М.: Радио и связь, 1982. – 72 с.

4) Парфенов, О.Д. Технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1986.

5) Вендик, О.Г. / О.Г. Вендик, Ю.Н. Горин, В.Ф. Попов. Корпускуляр но-фотонная технология. – М.: Высш. шк., 1984. – 240 с.

6) Броудай, И. Физические основы микротехнологии / И. Броудай, Д.

Мерей. – М.: Мир, 1985. – 496 с.

7) Горшковский, Я.В. Техника высокого вакуума. – М.: Мир, 1975.

8) Блинов, И.Г. Оборудование полупроводникового производства / И.Г. Блинов, А.В. Кожитов. – М.: Машиностроение, 1986.

9) Королев Б.И. Основы вакуумной техники / Б.И. Королев, В.И., Куз нецов, А.И. Пипко и др. – М.: Энергия, 1975.

10) Готра, З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник / З.Ю. Готра. – М.: Радио и связь, 1989.

11) Аверин, И.А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / И.А. Аверин. – Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006. – 316 с.

12) Хирс, И.П. Испарение и конденсация / И.П. Хирс, Г.М. Паунд. – М.:

Металлургия, 1963. – 325 с.

13) Крапухин, В.В. Физико-химические основы технологии полупро водниковых материалов / В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. – М.:

Металлургия, 1982. – 352 с.

14) Черняев, В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА / В.Н. Черняев. – М.: Высш. шк., 1987. – 376 с.

15) Циммерман, Р. Металлургия и материаловедение / Р. Циммерман, К. Гюнтер. – М.: Металлургия, 1982. – 408 с.

16) Громов В.Ф., Герасимов Г.Н., Белышева Т.В., Трахтенберг Л.И.

Механизмы сенсорного эффекта в кондуктометрических датчиках на основе диоксида олова для детектирования газов-восстановителей // Российский Хи мический Журнал. – 2008. – Т.52.- № 5. – С. 80 – 87.

Apelfeld A.V., Bespalova O.V., Borisov A.M., Dunkin O.N., Goryaga 17) N.G., Kulikauskas V.S., Romanovsky E.A., Semenov S.V., Souminov I.V. Application of the particle backscattering methods for the study of the new oxide protective coat ings at the surface of Al and Mg alloys // Nuclear Instruments and Methods in Phys ics Research, 2000, V. 161-163, P. 553-557.

18) Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Электрофизические свойства нанокомпозита SnOx:MnOу // Новые направления физического мате риаловедения. Воронеж: Изд-во ВГУ, 2000, – 360 с.

19) С.И. Рембеза, ТВ. Свистова, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова. ФТП, 2001, №35, т.7. – С. 796.

20) Обвинцева Л.А., Губанова Д.П. Ж. аналит. химии. – 2004, № 8, Т.

59. – С. 876.

21) Болотов В.В., Корусенко П.М., Несов С.Н., Поворознюк С.Н., Рос ликов В.Е., Курдюкова ЕЛ., Стенькин ЮЛ., Шелягин Р.В., Князев Е.В., Кан В.Е., Пономарева И.В. Получение слоев нанокомпозита por-Si/SnOx для газо вых микро- и наносенсоров // Физика и техника полупроводников. – 2011, том 45, вып. 5. – С. 342.

22) Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов СМ., Черни ков Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкоп леночного сенсора на основе диоксида олова // Физика и техника полупровод ников – 2006 – том 40, вып. 6. – С.724.

23) Анисимов О.В., Максимова Н.К., Неткачев Д.В., Черников Е.В.

Влияние режимов ВЧ магнетронного напыления на свойства тонких пленок ди оксида олова. // Материалы V школы-семинара молодых ученых “Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития”.- Томск, 2004.– С.106-107.

24) Воронов П.Е., Залозный А.Н. Электрофизические свойства тонких пленок диоксида олова // Материалы XI региональной научно-технической конференции «Вузовская наука – Северо-Кавказскому региону». Том первый.

Естественные и точные науки. Технические и прикладные науки. Ставрополь:

СевКавГТУ, 2007. – 278 с.

25) Поляков Ю.А. Некоторые аспекты синтеза и реализуемости сенсо ров раннего обнаружения пожаровзрывоопасности // Материалы 16-ой Между народной научно-технической конференции "Системы безопасности" – СБ 2007. – М.: Академия ГПС МЧС России, 2007. – С. 118-121.

26) Белышева Т.В., Герасимов Г.Н., Громов В.Ф., Трахтенберг Л.И.

Сенсорные свойства пленок Fe2O3 * In2O3: детектирование низких концентра ций озона в воздухе // Журнал физической химии. – 2008. – Т.82. -№10. – С.

1921-1926.

27) Белышева Т.В., Казачков Е.А., Боговцева Л.П., Кубышкин В.Н., Во хонцев В.М. Электрофизические свойства газочувствительных полупроводни ковых пленок на основе In2О3 и WO3 как сенсоров несимметричного диметил гидразина в воздухе // Журнал аналитической химии. – 2006. – Т.61. – №7. – С.

731-739.

28) Химическое модифицирование и сенсорные свойства нанакриста лического диоксида олова: автореф. дисс. д-ра наук. Румянцева М.Н. М.: 2009.

– 46 c.

29) Жерихин А.Н., Худобенко А.И., Виллямс Р.Т., Вилкинсон Дж., Усер К.Б., Хионг Г., Воронов В.В. Лазерное напыление ZnO на кремниевые и сапфировые подложки // Квантовая электроника. – 2003. – Т. 33, № 11. – С. 955 980.

30) Суминов И.В., Эпельфельд А.В., Людин В.Б., Борисов А.М., Крит Б.Л. Технология микродугового оксидирования. Часть 1 // Научные труды МА ТИ им. К.Э. Циолковского. Выпуск 3 (75). М.: “ЛАТМЭС”. – 2000. – С. 148-156.

Romanovsky E.A., Bespalova O.V., Borisov A.M., Dunkin O.N., Ku 31) likauskas V.S., Sukharev V.G., Souminov I.V.Application of particle Backscattering Techniques for the Study of Coating Obtained by Microarc Oxidation // Surface In vestigation – 2000.- Vol. 15.- P. 851-856.

32) Дунькин О.Н., Ефремов А.П., Крит Б.Л., Людин В.Б., Семенов С.В., Суминов И.В., Эпельфельд А.В. Влияние параметров режимов микродугового оксидирования на свойства формируемых на алюминиевых сплавах покрытий // Физика и химия обработки материалов. – 2000. – № 2. – С. 49-53.

33) Шичков Л.П., Людин В.Б., Эпельфельд А.В. Энергосберегающая гальванотехнология нанесения МДО-покрытий // Труды 2-й Международной научно-технической конференции «Энергосбережение в сельском хозяйстве».

Часть 1. – М.: ВИЭСХ, 2000. – С. 459-466.

34) Томашев Н.Д., Заливалов Ф.П., Тюкина М.М. Толстослойное ано дирование алюминия и его сплавов. М.: Машиностроение, 1968. – 220 с.

35) Богоявленский А.Ф.О механизмах образования оксидной пленки на алюминии // В. кн.: Анодная защита металлов М., 1964. – С. 22-27.

Bernardi M.I.B., Feitosa C.A.C., Paskocimas C.A., Longo E., Paiva 36) Santos C.O. Development of metal oxide nanoparticles by soft chemical method //Ceramics International. V. 35. 2009. P. 463-466.

Raoufi D., Raoufi T. The effect of heat treatment on the physical proper 37) ties of sol–gel derived ZnO thin films. // Applied Surface Science. 2009. V. 255. P.

5812–5817.

Sahal M., Hartiti B., Ridah A., Mollar M., Mari B. Structural, electrical 38) and optical properties of ZnO thin films deposited by sol–gel method. // Microelec tronics Journal. 2008. V. 39. P. 1425–1428.

Taib H., Sorrell C.C. Synthesis of tin oxide (SnO2) by precipitation 39) //Materials Science Forum. V. 561-565 (Part 2). 2007. P. 969-972.

Ararat Ibarguen C., Mosquera A., Parra R., Castro M.S., Rodriguez 40) Paez J.E. Synthesis of SnO2 nanoparticles through the controlled precipitation route //Materials Chemistry and Physics. V. 101. 2007. P. 433-440.

16. Terrier C., Chatelon J.P., Roger J.A., Berjoan R., Dubois C. Analysis 41) of Antimony Doping in Tin Oxide Thin Films Obtained by the Sol-Gel Method //J. of Sol-Gel Science and Technology. V. 10. 1997. Pp. 75-81.

42) Сергеев Г.Б. Нанохимия. М.: Изд-во МГУ, 2007. 336 с.

Chen W., Wang J., Wang M. Influence of doping concentration on the 43) properties of ZnO:Mn thin films by sol–gel method. // Vacuum. 2007. V. 81. P. 894– 898.

Caglar M., Ilican S., Caglar Y. Influence of dopant concentration on the 44) optical properties of ZnO: In films by sol–gel method. // Thin Solid Films. 2009. V.

517. P. 5023–5028.

Xu Z.-Q., Deng H., Xie J., Li Y., Zu X.-T. Ultraviolet photoconductive de 45) tector based on Al doped ZnO films prepared by sol–gel method. // Applied Surface Science. 2006. V. 253. P. 476–479.

Wang D., Bierwagen G.P. Sol–gel coatings on metals for corrosion pro 46) tection. // Progress in Organic Coatings. 2009. V. 64. P. 327–338.

Reisfeld R., Saraidarov T. Innovative materials based on sol–gel tech 47) nology. // Optical Materials. 2006. V. 28. P. 64–70.

Ningthoujam R.S., Kulshreshtha S.K. Nanocrystalline SnO2 from thermal 48) decomposition of tin citrate crystal: luminescence and Raman studies //Materials Re search Bulletin. V. 44. 2009. P. 57-62.

Taib, H., Sorrell, C.C. Preparation of tin oxide //J. of the Australian Ce 49) ramic Society. V. 43 (1). 2007. P. 56-61.

Alcantara R., Fernandez Madrigal F.J., Lavela P., Perez-Vicente C., Ti 50) rado J.L. Tin oxalate asa precursor of tin dioxide and electrode materials for lithium ion barreries //J. Solid State Electrochem.V. 6. 2001. P. 55-62.

Audebrand N., Vaillant M.-L., Auffrdic J.-P., Lour D. Synthesis, open 51) framework structure and thermal behaviour of ammonium tin oxalate, Sn2(NH4)2(C2O4)33H2O //Solid State Sciences. V. 3. 2001. P. 483-494.

52) Максимов А.И., Мошников В. А., Таиров Ю. М., Шилова О.А. Ос новы золь-гель-технологии нанокомпозитов: Монография. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007. – 156 с.

Kim K.-W., Cho P.-S., Lee J.-H., Hong S.-H. Preparation of SnO2 whisk 53) ers via the decomposition of tin oxalate //J. Electroceram. V. 17. 2006. P 895-898.

Jin H., Li Y., Ren B., Konq H., Luo Т., Liu G. Thermal decomposition of 54) SnSO4 in catalyst preparation //Huagong Xuebao /J. of Chemical Industry and Engi neering (China). 2008. 59 (4). P. 917-919.

Znaidi L. Sol–gel-deposited ZnO thin films: A review. // Materials Sci 55) ence and Engineering B. 2010. V. 174. P. 18–30.

Zhou C.-R., Li Q.-H., Wang H.-F., Li D., Jiang D.-G. Thermal analyses 56) for the thermal decomposition of methylsulfonate tin //Gao Xiao Hua Xue Gong Cheng Xue Bao /J. of Chemical Engineering of Chinese Universities, 2006. 20 (4). P 669-672.

57) Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках: Пер. с англ./Под ред. Т. Д. Шермергора. — М.: Мир, 1972. – 435 с.

58) Китаев Г. А., Терехова Т. С. Анализ условий осаждения селенида кадмия из водных растворов селеносульфатом натрия. – Журнал неорганиче ской химии. – 1970. – т. 15, № 1. – С. 48 -51.

59) Китаев Г. А., Соколова Т. П. Химическое осаждение тонких пленок селенида цинка. – Журнал неорганической химии. – 1970. – т. 15, № 2. – С. - 323.

Trinchi A., Li Y.X., Wlodarski W., Kaciulis S., Pandolfi L., Russo S.P., 60) Duplessis J., Viticoli S. Investigation of sol–gel prepared Ga–Zn oxide thin films for oxygen gas sensing. // Sensors and Actuators A. 2003. V. 108. P. 263–270.

61) Кощеев С.В., Максимов А.И., Мошников В.А., Румянцева А.И. На носистемы из металлических каталитически активных частиц // В сб. "Физика и технология микро- и наносистем". Тез.докл. 10 науч. мол. школы, пос. Репино 24-27 мая 2007. СПб: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007. – С.9-10.

Akpan U.G., Hameed B.H. The advancements in sol–gel method of 62) doped-TiO2 photocatalysts. // Applied Catalysis A: General. 2010. V. 375. P. 1–11.

Liu Z., Jin Z., Li W., Qiu J. Preparation of ZnO porous thin films by sol– 63) gel method using PEG template. // Materials Letters. 2005. V. 59. P. 3620 – 3625.

Wang D., Zhou J., Liu G. The microstructure and photoluminescence of 64) Cu-doped ZnO nano-crystal thin films prepared by sol–gel method. // Journal of Al loys and Compounds. 2009. V. 487. P. 545–549.

Kenanakis G., Androulinaki M., Koudoumas E., Sauvakis C., Katsarakis 65) N. Photoluminescence of ZnO nanostructures grown by the aqueous chemical growth technique // Superlattices and Microstructures. – 2007. – Vol.42. – P. 473-478.

Elias J., Tena-Zaera R., Levy-Clement C. Electrodeposition of ZnO na 66) nowires with controlled dimensions for photovoltaic applications: Role of buffer layer // Thin Solid Films. – 2007. – Vol. 515. – P. 8553-8557.

Gu C., Li J., Lian J., Zheng G. Electrochemical synthesis and optical 67) properties of ZnO thin film on the In2O3:Sn (ITO)-coated glass // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253. – P. 7011-7015.

68) Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния.

— Аморфные полупроводники: Пер. с англ./Под ред. А. А. Андреева, В. А.

Алексеева. М.: Мир, 1982. – 354 с.

J. Shewchun, Proc. Photovoltaic Advanced Research and Development 69) Meeting, Solar Energy Research Institute, Colorado (1979). – P. 254.

K.L. Chopra, R.C. Kainthla, D.K. Pandya and A.P. Thakoor, Physics of 70) Thin Films, Vol. 12, Academic Press, New York, 1982.

Bodhraj, A.P. Thakoor, A. Banerjee, D.K. Pandya and K.L. Chopra, 71) Proc. Natl. Solar Energy Convention. Annamaiai University, 1980. – P. 322.

72) Семенов В. Н., Бабенко Ю. Е., Авербах Е. М. и др. Взаимодействие с кремнием окислов металлов, полученных пульверизацией. – Изв. АН СССР.

Неорганические материалы. – 1978. – т. 14, № 2. – C. 256 - 258.

17. Wang J., Yang M., Li Y., Chen L., Zhang Y., Ding B. Synthesis of Fe 73) doped nanosized SnO2 powders by chemical co-precipitation method //J. of Non Crystalline Solids. V. 351. – 2005. – P. 228-232.

Hassanzadeh A., Moazzez B., Haghgooie H., Nasseri M., Golzan M. M., 74) Sedghi H. Synthesis of SnO2 nanopowders by a sol-gel process using propanol isopropanol mixture //Cent. Eur. J. Chem.V. 6(4). – 2008. – P. 651-656.

Zhou Y., Dasgupta N, Virkar A. V. Synthesis of Nanosize Tin Dioxide by 75) a Novel Liquid-Phase Process //J. Am. Ceram. Soc. V. 91. – 2008. – P. 1009-1012.

76) Фетисова Т.Н. Физико-химические закономерности химического осаждения гидратированных оксидов металлов с использованием органических соединений. Автореф. канд. дисс. Самара. – 2008. – 26 с.

77) Елисеев А.А., Лукашин А.В. Функциональные наноматериалы.

(Под ред. Ю.Д. Третьякова). М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010. – 456 с.

78) Максимов А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Шилова О.А. Осно вы золь-гель технологии нанокомпозитов. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. – 255 с.

79) Шабанова Н.А., Саркисов П.Д. Основы золь-гель технологии нано дисперсного кремнезема. М.: ИКЦ «Академкнига», 2004. – 208 с.

Cheong K.Y., Muti N., Ramanan S.R. Electrical and optical studies of 80) ZnO:Ga thin films fabricated via the sol–gel technique. // Thin Solid Films.– 2002.

V. 410. – P. 142–146.

Li Y., Xu L., Li X., Shen X., Wang A. Effect of aging time of ZnO sol on 81) the structural and optical properties of ZnO thin films prepared by sol–gel method. // Applied Surface Science. – 2010. V. 256. – P. 4543–4547.

82) Юнг Л. Анодные окисные пленки.- Л: Энергия, 1967. – 232 с.

83) Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и приме нения. Пер. с англ. / Под. ред. Л.Казмерски.- М.: Мир, 1983. – 304 с.

Yonemochi S., Sugiyama A., Kawamura K. et al. Fabrication of TiO 84) composite materials for air purification by magnetic field effect and electrocodeposi tion. // Journal of Applied Electrochemistry.– 2004.– V.34.– P. 1279–1285.

Stengl V., Bakardjieva S., Murafa N. Preparation and photocatalyticac 85) tivity of rare earth doped TiO2 nanoparticles. // Materials Chemistry and Physics.– 2009. – V.114. – P. 217–226.

He Chao, Yu Yun, Hu Xingfang, Larbot Andre/ Influence of silver doping 86) on the photocatalytic activity of titania films.//Applied Surface Science.–2002.– V.200.– P. 239–247.

Shiraishi Yasuhiro, Hirai Takayuki. Selective organic transformations on 87) titanium oxidebased photocatalysts.// Journal of Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews. – 2008. – V.9.– P. 157–170.

Mentus S.V. Oxygen reduction on anodically formed titanium dioxide.// 88) Electrochimica Acta. –2004. – V.62, N2-3. – P. 29–32.

89) Колбасов Г.Я., Воробец В.С., Блинкова Л.В., Обловатная С.Я. Элек трокаталитические свойства электродов на основе наночастиц ТiO2 при элек тровосстановлении кислорода // Хімія., Вісник Харківського національного університету.

90) Вайнштейн В.М., Фистуль В.И. Широкозонные окисные по лупроводники.//Итоги науки и техники. Серия: Электроника и ее при менение. – 1973. – Т.4, – C.108-152.

91) Хансен М., Андерко Р. Структуры двойных сплавов.// М.:

Металлургия, 1962.

92) Бурбулевичус Л.И., Вайнштейн В.М. Исследование структурных, электрических и оптических свойств пленок SnO2 и In2O3. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. – 1969. – Т.5 – N 3. – С.551-554.

93) Кузнецов А.Я. Полупроводниковая двуокись олова // ФТТ. – 1960. – Т.II. – N.1. – C.35-40.

Houston J.E., Kohnke E.E. Optical Quenching of Photoconduc 94) tivity in Single Crystal of Stannic Оxide // J. Appl. Phys. –1966. –V.37. – P.3083-3088.

Koch H. Zum optischen Verhalten halbleitender Zinndi 95) oxydschichen im nahen ultrarot bei Zimmertemperatur.// Phys. Stat. Sol. – 1963. – N 3. – P.1619-1622.

96) Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// М.: Иностр.

лит-ра., – 1969. – 654с.

Houston J.E., Kohnke E.E. Photoelectronic Analysis of Duper 97) feetions in Brown Stannic Oxide Crystals.// J. of Applied Physics.-1965. – V. 36. – N 12. – P.3931-3935.

98) Давыдов С.Ю., Мошников В.А., Томаев В.В. Адсорбционные явле ния в поликристаллических полупроводниковых сенсорах. СПб – 1998.

99) Астафьева Л.В., Скорняков Г.П. Электрическая активность приме сей в диоксиде олова// Н.М. – 1981. – т.17, N 9. – C.1637-1643.

100) Бестаев М.В., Димитров Д. Ц., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Дат чики SnO2 // Докл. межд. конф. «Elektronika» 96, 10-11 окт., 1996.

101) Бестаев М.В., Ганус А.И., Димитров Д.Ц., Кузмин А.Р., Махин А.В., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Датчики токсичных и взрывоопасных газов и паров на основе полупроводникового диоксида олова.// В сб. “Материалы и приборы нового поколения в оптоэлектронике и сенсорике”, Известия ГЭТУ. – 1997. – Вып. 504. – С. 47-55.

102) Heiland G.E., Stockmann E.S. Elektronic Process in Zinc Oxide// Solid State Physics. Academic Press NY 1959.

103) Малогабаритные газоанализаторы, современное состояние и тен денции развитии. // Сер. Приборы, средства автоматизации и системы управле ния. – М. – 1989. – 217 c.

104) Verfahren Zur Herstelling eines Halbleiter Cassensors // Заявка 3529820, ФРГ, МКИ НО1 С7 // ОО –Опубл. 18.12.86.

105) Hozer L. Polpzewodnikowe materialy ceramiczne z aktywnymi grani cami ziarn.// PWN Warszawa. – 1990. – 291 s.

106) Kanefusa S., Nitta M., Haradome M. H2S Gas Detection by ZrO2 – Doped SnO2 // IEEE Trans. on Electron Devices. – 1988. – V.ED-35. N.1 – P.65-69.

107) Орлик Д.Р., Ивановская М.И., Браницкий Г.А., Богданов П.А. Осо бенности структуры и свойства металлоокисидных керамических сенсоров, из готовленных золь-гель методом // Тез. докл. междунар. н.–т. конф. “ Сенсор техно”.– С. - Петербург. – 1993. – C.119-122.

108) Ippommatsu M., Sasaki H. Dynamic Properties of SnO2 Semiconductor Gas Sensors- Sensing of Hydrocardons in Air // J. Ceram. Soc. Jap. Inter. Ed. – 1989. – V.97. – P.623-628.

109) Gopel W., Schierbaum K.D., Schmeisser D., Wiemkoefer D. Prototype chemical sensors for the selection of O2 and NO2 gases // Sensors and Actuators. – 1989. – V.17. – P.377-381.

110) Kocemba I., Paryjczak T./ Metal films on a SnO2 surface as gas sensors// Thin Solid Films. – 1996. – v.272 – P.15-17.

111) Крутоварцев С.А., Габузан Т.А., Зорин А.В., Сорокин С.И. Метало оксидные сенсоры для контроля газов – восстановителей. // Тез. докл. Между нар. н. –т. конф. “ Сенсор-техно”. – С. - Петербург. – 1993. – C.239-240.

112) Watson J. The Tin Oxide Gas Sensors and Its Applications // Sensors and Actuators. – 1984. – V.5. – P.29-42.

113) Demarne V., Grisel A. An integrated low-power thin-film CO gas sensor on silicon // Sensor and Actuators. – 1988. – V.13. – P.301-313.

114) Torvela H., Harkoma A., Leppavuori S. Detection of the concentration of CO using SnO2 gas sensors in combustion gases of different fuels //Sensors and Ac tuators. – 1989. – V.14. – P.369-375.

115) Moshnikov V. A., Gracheva I. E., Kuznezov V. V. et al. Hierarchical na nostructured semiconductor porous materials for gas sensors / J. Non-Cryst. Solids.

2010. – N 356. – P. 2020—2025.

116) Shevchenko V. Ya., Madison A. E., Mackay A. L. Coherent coexistence of nanodiamonds and carbon onions in icosahedral core-shell particles / Acta Crystal logr. A. – 2007. – V. 63. – P. 172—176.

117) G. A. Ozin, K. Hou, B. V. Lotsch et al. Nanofabrication by self-assembly / Materials Today. May 2009. – V. 12. Is. 5. – P. 12—23.

118) Грачева И. Е., Максимов А. И., Мошников В. А.. Анализ особенно стей строения фрактальных нанокомпозитов на основе диоксида олова метода ми атомно-силовой микроскопии и рентгеновского фазового анали за // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.

2009. Вып. 10. С. 16 – 23.

119) Мошников В. А., Грачева И. Е. Сетчатые газочувствительные нано композиты на основе диоксидов олова и кремния // Приложение к журналу «Вестник РГРТУ». – Рязань. – 2009. – № 4.

120) Hierarchical nanostructured semiconductor porous materials for gas sensors / V.A. Moshnikov, I. E. Gracheva, V. V. Kuznezov et al. // Journal of Non Crystalline Solids. 356 (2010). – P. 2020 – 2025.

121) Грачева И.Е., Карпова С.С., Мошников В.А., Пщелко Н.С. Сетчатые иерархические пористые структуры с электроадгезионными контакта ми // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». – № 8. – 2010. – С. 27-32.

122) Irina E. Grachova, Svetlana S. Karpova, Vyacheslav A. Moshnikov. Gas sensitive hierarchial porous nanostructuresz for multisensor systems // Annual pro ceedings the Technical University of Varna. – 2010. – PP. 97-102.

123) Хамский Е.В Кристаллизация в химической промышленности. М.:

Химия, 1979. – 344 с.

124) Воюцкий С.С. Курс коллоидной химии. Изд. 2-е, перераб. и доп.:

Учебник для вузов. М.: Химия, 1976. – 512 с.

125) Feng X. Harris R.A. Review of ceramic nanoparticle synthesis. Proc. 4th Conf•Fine, ultrafine and nano particles 2001*. 14-17 oct. 2001. USA. p. 75-90.

126) Горюнов Ю.В.. Перцов П.В.. Сумм в.Л. Эффект Ребиндера. М.:

Наука, 1966. – 128 с.

127) Верестнева З.Я., Корсика Т.А., Каргин В.А. О механизме образова ния коллоидных частиц// Успехи химии, 1955. – Т. 24. Выл. 3. – С. 249-259.

128) Matvijevic Е. Production of monodispcrsed colloidal particles // Annu.

Rev. Mater. Sci. – V. 15. Palo Alto: Calif. – 1985. – P.483-516.

129) Sugimoto Т. Zhou X.. Muramatsu A. Synthesis of anatase TiO: nanopar ticles by gel-sol method. 3. Formation process and size control // J. Colloid Interface Sci. – 2003. – V. 259. № I. – P. 43-52.

130) Щукин Е.Д.. Ребиндер П.А. Образование новых поверхностей при деформации и разрушении твердых тел в поверхностно-акгивной среде // Кол лоид. журн. – 1958. – Т. 20, № 5. – С. 645-654.

131) Русанов А.П.. Щукин Е.Д., Ребиндер П.А. К теории диспергирова ния. Термодинамика монодисперсных систем / Коллоид, журн. – 1968. – Т.

30.№4. – С.573-580.

132) Фролов Ю.Г. Энтропийный фактор агрегативной устойчивости ионностабилизированных коллоидных систем //Докл. АН СССР. – 1985. – Т.

283,№ 4. – С. 942-946.

133) Фролов Ю.Г. Основные соотношения термодинамической теории агрегативной устойчивости дисперсных систем // Коллоид, журн. – 1987.– Т. 49, № 1, – С. 93-97.

134) Фролов Ю.Г. Поверхностные адсорбционные слои и термодинами ческая агрегативная устойчивость дисперсных систем // Коллоид, журн. – 1995.– Т. 57, №2. – С. 247-251.

135) Yates D.E., Levine S. Site-binding model of the electrical doublelayer at the oxide/water interface //J. Chem. Soc. Faraday Trans. – 1974. – V. 70.№ 10. – P.

1807-1818.

136) Dovies J. A., James R.O. Leckie J. О. Surface ionization and complexa tion atthe oxide/water interface // J. Colloid Interface Sci. – 1978. – V. 63. N 3.– P.

480-499.

137) Davies J.A. Leckie J.O. Adsorption of anions //J. Colloid Interface Sci.

1980. – V. 74. № 1. – P. 32-43.

138) Верестнева З.Я., Корсика Т.А., Каргин В.А. О механизме образова ния коллоидных частиц// Успехи химии. – 1955. – Т. 24. Вып. 3. – С. 249-259.

139) Айлер Р.К. Химия кремнезема / Пер. с англ. Т 1.2. М : Мир, 1982. – 712 с.

140) Сорбенты на основе сидикагеля в радиохимии / Под ред. Б.Н. Лас корина. М.: Атомиздат, 1977. – 303 с.

141) Стрелко В.В. Механизм полимеризации кремниевых кислот// Кол лоид, журн. – 1970. – Г. 33. № 3. – С. 430-436.

142) Ashley К.I., and Innes W.B. Control of physical structure of silica alumina catalyst // Industr. Engng. Chem. – 1952. – V. 44. № 12. – P. 2857-2863.

143) Greenberg S.A. and Sinclear D. The polymerization of silici acid // J.

Phys. Chem. – 1955. – V. 59. № 5. – P. 435-440.

144) Фролов Ю.Г. Шабанова H.А. Попов В.В. Поликонденсания крем ниевой кислоты в водной среде. Влияние концентрации кремниевой кислоты // Коллоид, журн. – 1983. – Т. 45. № 2. – С. 382-386.

145) Фролов Ю.Г. Шабанова II.А. Попов В.В. Влияние температуры и рН на ноликонлснсанию кремниевой кислоты в волной среде // Коллоид. журн.

– 1983. – Т. 45. № I. – C. 179-182.

146) Шабанова П.А. Кинетика поликонденсации в водных растворах кремниевых кислот// Коллоид, журн. – 1996. Т. 58. № 1. С. 115-122.

147) Шабанова П.А.. Попов В. В.. Фролов Ю. Г. Полнконденсация и Га зообразование в водных растворах кремниевой кислоты // Изв. вузов. Химия и хим. технол. – 1985. – Т. 28, № 6. – С. 58-62.

148) Шабанова П.А. Попов В. В. Фролов Ю. Т. Гель хроматографическое исследование водных растворов кремниевой кислоты // Изв. вузов. Химия и хим. технол. – 1986. – Т. 28. № I. – С. 67-70.

149) La Мег V.К., Dinegar R.H. Theory, production and mechanism of for mation of monodispersed hydrosols // J. Amer. Chem. Soc. – 1950. – V. 72. Ne II. – p.

4847-4854.

150) Bishop A. D. Bear J.L. The thermodynamic and kinetics of polymeriza tion of silicic acid in dilute aqueous solution // Thermochim. Acta. – 1972. – V. 3. № 5. – P. 399-409.

151) Rothbaum П.Р. Rohde A.G. Kinetics of silica polymerization and dcpo lymerization front dilutes solution between 5 and 180 °C //J. Colloid Interface Sci. – 1979. – V. 71. – № 3. – P. 533-559.

152) Makrides A.C., Turner M. Slaughter J. Condensation of silica from su persaturated silicic acid solutions // J. Colloid Interface Sci. – 1980. – V. 73. № 2.– P. 345-367.

153) Эмануэль Н.М., Кноппе Л. Г. Курс химической кинетики. М.:

Высш. шк, 1974. – 432 с.

154) Шабанова П.А., Фролов Ю.Г. Кинетика поликонденсации и гелеоб разования к полной кремниевой кислоте // Изв. вузов. Химия и хим. технол. – 1985. – Т. 28. - Ss II. – С. 1-14.

155) Савочкина Т.В., Вашман Л.Л., Пронин П.А. и др. Исследование гидрозолей кремнезема методом ЯMP// Коллоид, журн. – 1982. – Т. 44. № 3. – С. 593-597.

156) Stoher I., Fink A. Controlled growth of monodispersc silica spheres in the micron si/e //J. Colloid Interface Sci. – 1968. – V. 26. № 1. – P. 62-69.

157) Bogush G.H., Zuroski C.F. Studies of the kinetics of the precipitation of the uniform silica particles through the hydrolysis and condensation of siliconalcox ides//J. Colloid Interface Sci. – 1991. – V. 142. № 1. – P. 1-18.

158) Bogush G.H. Zuroski C.F. Uniform silica particles precipitation: An ag gregative growth model //J. Colloid Interface Sci. – 1991. – V. 142. № 1. – P. 19 -34.

159) Jclinek I., Dong H. Rojas-Pazos C. et al. Study of the Stuber reaction.

I.Properties of colloidal silica spheres prepared via alkoxide hydrolysis// Lanqmuir.

– 1992. – V. 8. – P. 2152-2164.

160) Верестнева З.Я. Kopсика T.A. Каргин В.А. Электронно микроскопическое изучение алюмокремпиевых гелей // Коллоид, журн. – 1955.

– Т. 17. – С. 196-199.

161) Шабанова П.А., Попов В.В., Фролов К.Г. Влияние электролитов на подиконденсанию кремниевой кислоты // Коллоид, журн. – 1984. – Т. 46. NV4.

– С. 749-760.

162) Конторович С.П. Соколова Л.П. Голубева Е.А. и др. О влиянии электролитов на поликонденсацию кремниевой кислоты и процесс синерезиса // Коллоид. журн. – 1991.т.53. – Hi I.e. 126-129.

163) Hег. R.K. Polymerization of silicic acid: catalytic effect of fluoride // J.

Phys. Chem. – 1952. – V. 56. N.6. – P. 680-683.

164) Нелов A.H. Кристаллохимия минерализаторов //Докл. AH СССР. – 1950. – Т. 71. № I. – С.61 -64.

165) Шабанова П.А., Корнеева Т.В. Фролов Ю.Г. Структурообразование в золях кремниевой кислоты // Получение и применение гидрозолей кремнезе ма / Под ред. Ю. Г. Фролова. Тр. МХТИ. – 1979. Вып. 107. – С. 71-76.

166) Шабанова Н.А. Силос П.В. Голубева Е.А. и др. Закономерности влияния минеральных кислот на кинетику гелеобразования в коллоидном кремнеземе // Коллоид, журн. – 1993. – Т. 55, Вып. 1. – С. 145 -151.

167) Конторович С.И., Лаврова К.А., Кононенко В.Г., Щукин Е.Л. Ис следование микронеоднородностей в гидрогелях кремниевой и алюмокремние вой кислот // Коллоид, журн. – 1973. – Т. 35. N° 5. – С. 935-938.

168) Фролов Ю.Г.. Шабанова Н.А.. Савочкина Т.В. Влияние электроли тов на устойчивость и гелеобразование гидрозоля кремнезема // Коллоид. журн.

– 1983. – Т. 45, № 3. – С. 509-514.

169) Шабанова Н.А. Силос И.В. Переход золя в гели в условиях электро литной коагуляции коллоидного кремнезема// Коллоид. журн. – 1996. – Т. 58.

№ 2. – С. 266-271.

170) Depasse J.I.Vutillon. The stability of amorphousc colloidal silica / J.

Colloid Interface Sci. – 1970. – V.33. N 3. – P. 430-438.

171) Ролдугин В.Н. Фрактальные структуры в дисперсных системах // Успехи химии. – 2003.– X 72. Вып. 10. – С. 931-959.

172) Ролдугин В. И. Свойства фрактальных дисперсных систем // Успехи химии. – 2003. – Т. 72. Вып. 11. – С. 1027-1054.

173) Фролов Ю. Г. Шабанова Н.А. Хоркин А.А. и др. Синтез гидрозоля кремнезема используемого в качестве носителя катализатора // Журн. хим.

пром-ти. – 1985. – № 3. – С. 160- 162.

174) Bird P.G. Пат. США 2244325. – 1941.

175) Bechtold M.F., Snyder О. Е. Пат. США. 2574902. – 1951.

176) Фролов Ю.Г., Хоркин А.А., Лебедев Е.П. и др. Опытное производ ство гидрозоля кремнезема, используемого в качестве носителя катализатора. // Получение и применение гидрозолей кремнезема./ Под ред. Ю.Г. Фролова. – 1979. В. 107. – С.21-25.

177) Подденежный Е.Л., Бойко А.А. Золь-гель синтез оптического квар цевого стекла. Гомель: Учреждение образования ГТГУ им. И.О. Сухого, 2002. – 210 с.

178) Неймарк И.Е.. Шейнфаин Р.Ю. Силикагель. Его получение, свойст ва и применение. Киев: Наук, думка. – 1973. – 200 с.

179) Химический журнал Соколова и Энгельгардта, 4, В5 (1860);

Горный журнал, В 3, 19. (1860).

180) Б.Н. Долгов, Химия кремнеорганических соединений, Госхимиздат, Ч III М Химия. – 1987. – с. 623.

181) Андpианов К.А. Кремнийорганические полимерные соединения, часть I Госэнергоиздат (1946).

182) Андрианов К.А., Соболевский М.В., Высокомолекулярные крем нийорганические соединения. Оборонгиз., М. (1949).

183) К.Д. Петров. ЖОХ, 17, 1099 (1947).

184) К,А. Андрианов, О. И. Грибанова, ЖОХ, 8, 558 (1938).

185) Топчиев А.В., Намёткин Л.С. ДАН СССР, М), 897 (1981).

186) Миронов В.Ф., Кандидатская диссертация МХТИ им. Менделеева (1982).

187) Patnode R. Sauer Joum. Amer. Chem. Soc., 67, 1548 (1945): герм. пат.

188) Жабрев В. А. и др. Золь-гель технология. Учеб. посо бие // В. А. Мошников, Ю. М. Таиров, О. А. Шилова. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2004. – 156 с.

189) Brinker C. J., Scherer G. W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing.–San Diego: Academic Press, 1990.

190) Андрианов К. А. Кремнийорганические соединения. М.:

Госхимиздат, 191) Yoldas B. E. Introduction and effect structural variations in inorganic polymers and glass network // J. Non-Crystal. Solids.– 1982. – V. 51, N 105. – P. 105–121.

192) Жабрев В. А., Шульц М. М. Керамические и стекломатериалы. Пер спективы развития // Стекло и керамика – XXI. Перспективы развития. – СПб.:

Янус. – 2001. – С. 109–176.

193) Особенности структуры и свойства металлоокисидных керамиче ских сенсоров, изготовленных золь-гель методом / Д.Р. Орлик, М.И. Иванов ская, Г.А. Браницкий, П.А. Богданов // Тез. докл. междунар. н.–т. конф. “ Сен сор-техно”. – С. –Петербург – 1993. – C.119-122.

194) Anisotropic silica-based hybrid materials by sol-gel-process / F. Ben, B. Boury, R. J. P. Corriu et al // Abstracts of 11th International Workshop on Glasses, Ceramics, Hybrids and Nanocomposites from Gels. – Padova: University of Padova. – 2001. – P. 19–20.

195) Шилова О.А., Мошников В.А. Золь-гель технология нанострукту рированных материалов // Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы // Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. –М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – С.135-166.

196) Wu H., Morbidelli M. A. Model relating structure of colloidal gels to their elastic properties // Langmuir. – 2001. – V. 17. – N 4. – P. 1030–1036.

197) Пинес Б. Я. Лекции по структурному анализу. 3-е изд. – Харьков:

Изд-во Харьковск. гос. ун-та. – 1957.

198) Дерягин Б.В., Чураев Н.В., Муллер В.М. Поверхностные силы. – М.: Наука, 1987.

199) Ролдугин В.И. Физикохимия поверхности – Долгопрудный: Изда тельский дом «Интеллект», 2008.

200) М. Смолуховский. О понятии случайности и о происхождении за конов вероятностей в физике // УФН. – 1927. – Вып.5.

201) М. Смолуховский. Границы справедливости второго начала термо динамики // УФН. – 1967. – В. 12. – Т. 93.

202) Б.В. Дерягин. Коллоидные жидкости, 1994. – Т.56. – №1. – 45с.

203) Дерягин Б.В., Чураев Н.В., Муллер В.М. Поверхностные силы. М.:

Наука, 1985.

204) Sakka, S. et al., "The Sol-Gel Transition: Formation of Glass Fibers & Thin Films", J. Non-Crystalline Solids, 1982. – Vol. 48. – P31.

205) А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд.

2-е, исправленное и дополненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. – 416 с.

206) Элиас Г.-Г. Мегамолекулы. - Л.: Химия, 1990. – 272 с.

207) Brinker, C.J., et al., "Sol-Gel Transition in Simple Silicates", J. Non Crystalline Solids, 1982. – Vol.48/ – P.47.

208) Бенуа Б. Мандельброт Фрактальная геометрия природы / The Frac tal Geometry of Nature – М.: Институт компьютерных исследований, 2002. – С.

656.

209) Пайтген Х.О., Рихтер П. Х. Красота фракталов. – М.: Мир, 1993.

210) Пуанкаре А. Избранные труды, М.: Наука, 1971, 1972. – T. 1, 2.

211) Милнор, Дж. Голоморфная динамика. Вводные лекции / Dynamics in One Complex Variable. Introductory Lectures — Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000. – 320 с.

212) Cantor G. Gesammelte Abhandlungen und philosophischen Inhalts / Hrsg. von E. Zermelo. B., 1932.

213) Felix Hausdorff — Gesammelte Werke. Bd I—IX. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2001, 2002 etc.

214) Baird, Eric. Alt.Fractals: A visual guide to fractal geometry and design.

Chocolate Tree Books, 2011.

215) В. Серпинский 250 задач по элементарной теории чисел. — М.:

Просвещение, 1968. – 168 с.

216) А.Н. Колмогоров, С. В. Фомин, Элементы теории функций и функ ционального анализа, М.: Наука, 1976. – 544 с.

217) Помогайло А.Д., Розенберг А.С, Уфлянд И.Е. Наночастицы метал лов в полимерах. М.: Химия, 2000.

218) Липатов Ю. С., Сергеева Л. М. Взаимопроникающие полимерные сетки. – Киев: Наукова думка, 1979.

219) Эфрос А.Л. Физика и геометрия беспорядка. (Библиотечка "Квант", выпуск 19) – М.: Наука, 1982. – 265 с.

220) С.Ш. Рехвиашвили, Д.Ш. Гавашели Об излучении диэлектрическо го фрактального кластера // Физика твердого тела. – 2011.

221) Б.М.Смирнов Энергетические процессы в макроскопических фрак тальных структурах / УФН. – 1991.

222) Смирнов Б. M. Фрактальные кластеры / Успехи физических наук.

1986. — Т. 149 — №2. – С. 177-219.

223) Жюльен Р. Фрактальные агрегаты / Успехи физических наук, 1989.

— Т. 157. — № 2. – С. 339-357.

224) Олемской А. И., Флат А. Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды / Успехи физических наук, 1989. – Т. 163. – № 12. – С. 1-50.

225) Ветовский Г. В., Колменов А. Г., Бунин И. Ж. Введение в мультиф рак-тальную параметризацию структур материалов / Научн.- исслед. центр "Ре гулярная и хаотическая динамика". М.: Ижевск, 2001.

226) Brinker С. J., Scherer G. W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing. San Diego: Academic Press, 1990.

227) Meakin P.//J. Colloid Intarface Sci., 1990. – V.134. – N1. – P.235.

228) Meakin P.// Phys. Rev. A., 1985. – V.32. – N1. – P.453.

229) Meakin P., Stanley H.E., Coniglio A./ Phys. Rev A. 1985. – V.32. – N4. – P.2364.

230) Meakin P., Coniglio A., Stanley H.E., Witten T.A./ Phys. Rev. A. 1986. – V.34. – N4. – P.3325.

231) Иванова В.С. Синергетика и фракталы. Универсальность механиче ского поведения материалов, 1998. – 368 с.

232) Иванова В.С. Синергетика и фракталы в материаловедении, 1994. – 384 с.

233) Кулак М.И. Фрактальная механика материалов, 2002. – 305 с.

234) Воюцкий С. С. Курс коллоидной химии, 1976.

235) Габович А., Марианн, Смолуховский и броуновское движение //Квант. – 2002. – № 6. – С. 2-9.

236) Гладышев Г.П., Термодинамика и макрокинетика природных ие рархических процессов, М.: 1988.

237) Dubbs D. M, Aksay I.A. Self-Assembled Ceramics". Ann. Rev. Phys.

Chem. 2000. – V51: – P601.

238) Broadbent, Simon;

Hammersley, John, Percolation processes I. Crystals and mazes, Proceedings of the Cambridge Philosophical Society, 1957. V.53. – 629– 641.

239) Bollobas, Bela;

Riordan, Oliver Percolation, Cambridge University Press, 2006. – V10. – P2277.

240) Bunde A. and Havlin S. Fractals and Disordered Systems, Springer, 1996.

241) Grimmett, Geoffrey;

Marstrand, John The supercritical phase of perco lation is well behaved, Proceedings of the Royal Society (London), 1990. – Series A.

N430 Bibcode – (1879). – 439–457, 1990RSPSA.430..439G, doi:10.1098/rspa.1990.0100.

242) Menshikov, Mikhail Coincidence of critical points in percolation prob lems, Soviet Mathematics Doklady, 1986. – V33. – P 856–859.

243) Smirnov, Stanislav Critical percolation in the plane: conformal invari ance, Cardy's formula, scaling limits, Comptes Rendus de l'Academie des Sciences, 2001. – №333(3). – 239 - 244.

244) Stauffer, Dietrich;

Aharony, Anthony, Introduction to Percolation The ory (2nd ed.), CRC Press, 1994, ISBN 978-0748402533.

245) Шилов В. В., Шилова О. А., Гомза Ю. П. Современные представле ния о фрактальной структуре нанокомпозитов, получаемых золь-гель-методом / Химические нанотехнологии и функциональные наноматериалы. СПб: РЕС ТЭК, 2003. – С. 18-20.

246) Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, JI. Ю. Куприянов, С. А. Завьялов. - М.: Наука, 1991. - 327 е.;

Semiconductor sensors in physico-chemical studies / L. Yu. Ku priyanov (ред). - Amsterdam: Elsevier, 1996. – 400 p. – ISBN 0-444-82261-5.

247) Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полу проводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. – М.: Наука, 1987. – 432 с.

248) Hauffe К. Zum mechanismus der chemisoiption vom Standpunkt der feh lordnungstheorie / K. Hauffe, H. J. Engeil // Zeitschrift fiier Elektrochemie. – 1952. – V. 56. -№4. – P. 336-343.

249) Weisz P. B. Effects of electronic charge transfer between adsorbat and solid and chemisorption and catalysis / P. В. Weisz // J. Chem. Phys. – 1953. – V. 21.

– P. 1531-1538.

250) Madou M. J. Chemical sensing with solid state devices / M. J. Madou, S.

R. Morrison. - London : Academic Press, 1989. – 556 p. – ISBN 0-12-464965-3.

251) Langmuir I. The adsoiption of gases on plane surfaces of glass, mica and platinum / I. Langmuir // J. Am. Chem. Soc. – 1918. – V. 40. - № 9. – P. 1361-1403;

Langmuir I. Chemical reactions at low pressures / I. Langmuir // J. Am. Chem. Soc. 1915. – V. 37. - № 5. – 1139-1167.

252) Трепнел Б. Хемосорбция / Б. Трепнел. - М.: Иностр. лит. – 1958. – С. 142-173.

253) Brattain W.Н. Surface properties of germanium / W. H. Brattain, J. Bar deen // Bell System Tech. J. – 1953. – V. 32. – P. 1.

254) Morrison S. J. Changes of surface conductivity of germanium with ambi ent / S. J. Morrison //J. Phys. Chem. – 1953. – V. 57. – P. 860-863.

255) Пека Г. П. Физика поверхности полупроводников / Г. П. Пека. - Ки ев: Изд-во Киевского ун-та, 1967. – 192 с.

256) Kocemba I. The mechanism of electrical conduction in resistant sensors of gas based on Sn02 /1. Kocemba // Electron Technology. – 1996. – V. 29. – № 4. – P. 372-383.

257) Watson J. A note on the electrical characterization of solid-state gas sensors / J. Watson // Sensors & Actuators B. – 1992. – V. 8. – P. 173-177.

258) Iwamoto M. Characterization of oxygen adsorbates on semiconductive oxides / M. Iwamoto // Chemical sensor technology. Vol. 4 / S. Yamauchi (ред.). Amsterdam: Elsevier, 1992,- 270 p. – P. 63-83. – ISBN 0-444-98680-4.

259) Lunsford J. H. ESR of adsorbed species / J. H. Lunsford // Catal. Rev. 1973. – V. 8. – P. 135-157.

260) Bielanski A. Oxygen in catalysis on transition metal oxides / A. Bielan ski, J. Haber // Catal. Rev. Sci. Eng. – 1979. – V. 19. – P. 1-41.

261) Zemel J. N. Theoretical description of gas-film interaction on SnOx / J.

N. Ze mel // Thin Solid Films. – 1988. – V. 163. – P. 189-202.


262) Chang S. C. / S. C. Chang, D. B. Hicks // Fundamentals and applications of chemical sensors / D. Schuetzle (ред.). - Washington : American Chemical Soci ety.- 1986. – P. 58. – ISBN 0-841-20973-1.

263) Windischmann H. A model for the operation of a thin-film SnOx conduc tance- modulation carbon monoxide sensor / H. Windischmann, P. Mark // J. Electro chem. Soc. – 1979. – V. 126. – № 4. – P. 627-633.

264) Yamazoe N. Some basic aspects of semiconductor gas sensors / N. Ya mazoe, N. Miura // Chemical sensor technology. Vol. 4 / S. Yamauchi (ред.). - Am sterda : Elsevier, 1992. – P. 19-42. - ISBN 0-444-98680-4.

265) Сухарев В. Я. Теретические основы полупроводниковых сенсорных методов в анализе активных газов. II. Влияние адсорбции на электропровод ность спеченных поликристаллических адсорбентов / В. Я. Сухарев, И. А. Мяс ников //ЖФХ. – 1987. – Т. 61. – С. 302-312.

266) Barsan N. Conduction models in gas-sensing Sn02 layers: grain-size ef fects and ambient atmosphere influence / N. Barsan // Sensors & Actuators B. – 1994.

– V. 17. –P. 241-246.

267) Bruno L. Tin dioxide thin-film gas sensor prepared by chemical vapour deposition. Influence of grain size and thickness on the electrical properties / L. Bru no, C. Pijolat, R. Lalauze // Sensors & Actuators B. – 1994. – V. 18. – № 1-3. – P.

195-200.

268) Сысоев В.В. Мультисенсорные системы распознавания газов на ос нове метало – оксидных тонких пленок и наноструктур: диссертация на соиска ние ученой степени доктора технический наук. – Саратов – 2009. – 445 с.

269) Geistlinger H. Election theory of thin-film gas sensors / H. Geistlinger // Sensors & Actuators B. – 1993. – V. 17. - № 1. – P. 47-60.

270) Santos J.P. The interaction of oxygen with nanocrystalline Sn02 thin films in the framework of the electron theory of adsorption / J. P. Santos, J. A. de Agapito // Thin Solid Films. – 1999. – V. 338. – P. 276-280.

271) Yamazoe N. Some basic aspects of semiconductor gas sensors / N. Ya mazoe, N. Miura // Chemical sensor technology. Vol. 4 / S. Yamauchi (ред.). - Am sterda : Elsevier, 1992. – P. 19-42. – ISBN 0-444-98680-4.

272) Madou M.J. Chemical sensing with solid state devices / M. J. Madou, S.

R. Morrison. - London : Academic Press, 1989. – 556 p. – ISBN 0-12-464965-3.

273) Demarne V. Thin film semiconducting metal oxide gas sensors / V. De marne, R. Sanjines // Gas sensors: principles, operation and developments / G.

Sberve- glieri (ред.). - Dordrecht : Kluwer, 1992. – Ch. 3. – P. 89-116. – ISBN 0 7923-2004-2.

274) Seeger P.K. Semiconductor physics / P.K. Seeger.- Berlin : Springer Verlag. – 1991. – P. 120.

275) Hall coefficient measurement for Sn02 doped sensors, as a function of temperature and atmosphere / F.J. Gutierrer, L. Arez, J.I. Rodla [et al] // Sensors & Actuators B. – 1993. – V. 15-16. – P. 98-104.

276) Gurlo A. Interplay between 02 and Sn02: oxygen ionosorption and spec troscopic evidence for adsorbed oxygen / ChemPhysChem.- 2006. – V. 7. – P. 2041 2052.

277) Sze S. M. Semiconductor sensors / S. M. Sze (ред.).- New York : John Wiley. – 1994. – 550 pp.- ISBN 0-471-45609-7.

278) Киреев П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев.- Москва:

Высшая школа. – 1975. – С. 463.

279) Васильев Р.Б. Тонкие пленки и гетероструктуры на основе нанокри сталлических оксидов металлов для газовых сенсоров: автореферат диссерта ции на соискание ученой степени кандидата химических наук. – Москва. – 2001. – 21 с.

280) Васильев Р.Б., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Акимов Б.А., Гаськов А.М., Лабо М., Лангле М.. Эффект памяти, управляемой электрическим полем, в гетероструктурах для газовых сенсоров // Письма в Журнал Технической Фи зики, 1999, том 25, вып. 12. – с. 2229.

281) V.E. Henrich, P.A. Cox, The surface science of metal oxides, Cambridge:

Cambridge University Press, 1996. – p.316.

282) Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхостных состояний на границе раздела SiO2 – Si с помощью прибора с зарядовой связью и его ма тематическое моделирование: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико – математических наук. – Ташкент. – 2011. – 23 с.

283) Гулямов Г. Влияние разогрева носителей тока и фононов на харак теристики неоднородных полупроводников и тепловые размерные эффекты:

дис. док. физ.-мат. наук.- Ташкент: ФТИ АН РУз, 1999. – 230 с.

284) Секен К., Томпсет М. Приборы с переносом заряда. – Москва.: Мир, 1978. – 324 с.

285) В. В. Кисин, С. А. Ворошилов, В. В. Сысоев, В. В. Симаков. Моде лирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пле нок оксида олова // Журнал технической физики. –1999. – Т. 69.-№ 4. – С. 112 113.

286) Fang Y.K., Lee JJ. // Thin Solid Films. 1989. – Vol. 169. – P. 51- 287) Huang J.-L., Kuo D.-W., Shew B.-Y. // Surf. and Coat. Technol.1996. – Vol. 79. – P. 263-267.

288) М. Н. Румянцева, Е. А. Макеева, А. М. Гаськов. Влияние микро структуры полупроводниковых сенсорных материалов на хемосорбцию кисло рода на их поверхности//Рос. хим. ж. – 2008. – Т.LII.-№2.

289) ГЯ. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. Математическое моде лирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si-SiO2 // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37, вып. 1.

290) H Watanae, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa. Phys. Rev. Lett., 80, 345 (2000).

291) M. Suemitsi, Y. Enta, Y. Takegawa, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 77, 3179 (2000).

292) Б.М. Костишко, А.В. Золотов, Ю.С. Нагорнов. Моделирование де градации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле.

293) A.C. Levi, M. Kotra. J. Phys.: Condens. Matter, 9, 299 (1997).

294) W. Jian, Z. Kaiming, X. Xide. J. Phys.: Condens. Matter, 6, 989 (1994).

295) N. Ott, M. Nerdng, G. Muller, R. Brendel, H.P. Strunk. Phys.Status Soli di A, 197 (1), 93 (2003).

296) N. Ott, M. Nerding. J. Appl. Phys., 95 (2), 497 (2004).

297) Арапов В.А., Харченко А.А.Исследование моделей нанокристалли ческих пленок газочувствительных материалов. / Материалы пятой межрегио нальной конференции «Студенческая наука – экономике России». - Ставрополь.

– 2005.

298) Шилова О. А. Силикатные наноразмерные пленки, получаемые золь-гель методом, для планарной технологии изготовления полупроводнико вых газовых сенсоров // Физика и химия стекла. – 2005. – Т. 31, № 2. – С. 270— 293.

299) Петров В. В., Королев А. Н., Назарова Т. Н., Козаков А. Т., Плуго таренко Н. К. Формирование тонких газочувствительных оксидных пленок смешанного состава, легированных серебром // ФизХОМ. – 2005. – № 3. – С.

58—62.

300) Petrov V. V., Nazarova T. N., Korolev A. N., Kopilova N. F. Thin sol-gel SiO2—SnOx—AgOy films for low 1етрегагиге ammonia gas sensor// Sensors & Ac tuators: B. Chemical, B. 2008. – V. 133. – P. 291-295.

301) Петров В.В.,Назарова Т.Н., Копылова Н.Ф., Заблуда О.В., Киселев И., Брунс М. Исследование физико – химических и электрофизических свойств, газочувствительных характеристик нанокомпозитных пленок SiO2—SnOx— CuOy// Нано- и микросистемная техника. – 2010.

302) Петров В. В. Автоматизированный стенд для калибровки сенсоров газа // Тезисы докл. Межд. науч.-техн. конф. "Сенсорная электроника и микро системные технологии", Украина, Одесса: Астропринт", 2004. – С. 288—289.

303) Зеегеp К. Физика полупроводников / Под ред. Ю. К. Пожелы. М.:

Мир, 1977. – 616 с.

304) Васильев А.В., Гриненко Е.В. Инфракрасная спектроскопия орга нических и природных соединений. – М.: СПбГЛТА, 2007 – 29 с.

305) Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с англ. – М.: Мир, 1982 – 328 с.

306) Белл Р. Дж. Введение в фурье-спектроскопию – М.: Мир, 1975 – с.

307) Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверх ности. Пер. с. англ.– М.: Мир, 1989. – 423 с.

308) Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пле нок. Пер. с. англ.– М.: Мир, 1989. – 344 с.

309) А.А. Бухараев, Д.Б. Овчинников, А.А. Бухараева. Диагностика по верхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). Заводская Лаборатория. Исследование структуры и свойств, Физические методы исследо вания и контроля. 1996, №1 – с.10-27.

310) Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении, под редакцией С. Амелинкса, Москва, Металлургия, 1984.

311) Физические измерения в микроэлектронике / В. А. Пилипенко, В. Н.

Пономарь, В. А. Горушко, А.А. Солонинко - Мн.: БГУ, 2003. – 171 с 312) Основы сканирующей зондовой микроскопии. В.Л. Миронов. Учеб.

пособие, Нижний Новгород, 2004. – 110 с.

313) Вареник, Ю. А. Формирование тестового воздействия для измере ния вольт-фарадных характеристик / Ю. А. Вареник, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника. – 2010. – № 6. – С. 17–19.

314) Кнеллер В.Ю., Боровских Л.П. Определение параметров многоэле ментных двухполюсников. – М.: Энергоатомиздат, 1986.

315) Двинских В.А. Характериограф для снятия вольт-фарадных харак теристик p-n-переходов с большими потерями. / Двинских В.А., Парусов В.П., Сергеев А.С. // Приборы и техника эксперимента. – 1979. – №2. – С.186-189.

316) Самойлов В.А. Емкостный спектрометр глубоких уровней / Самой лов В.А., Принц В.Я. // Приборы и техника эксперимента. – 1985. – №5. – С. – 181.

317) Шаймеев С.С. Автоматический ёмкостный спектрометр для изме рения параметров глубоких центров в полупроводниках // Приборы и техника эксперимента. – 1985. – №1. – С. 175 – 177.

318) Левшина Е.С., Новицкий П.В. Электрические измерения физиче ских величин: (измерительные преобразователи): Учебное пособие. – Л.: Энер гоатомиздат, 1983. – 320с.

319) Федоров В.К., Сергеев Н.П., Кондрашин А.А. Контроль и испыта ния в проектировании и производстве радиоэлектронных средств. – М.: Техно сфера, 2005. – 504с.


320) Martin Pedersen. Measurements of C-V characteristics of different com ponents: A capacitor, a p-n junction, and a MOS circuit. Comparison of different methods of measurements: Thesis for University of Southern Denmark (SDU), Odense, 2002. – 65p.

321) AD4817-1 / AD4817-2 Low Noise, 1GHz, FastFET Op Amps.

www.analog.com [Электронный ресурс]: Технический паспорт операционных усилителей AD4817-1 / AD4817-2 на сайте фирмы Analog Devices.

322) www.agilent.com. [Электронный ресурс]: сайт фирмы Agilent Tech nologies.

323) Компания Wayne Kerr Electronics [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.waynekerr.com/, свободный.

324) Компания Analog Devices [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.analog.com/, свободный.

325) Компания Novocontrol Technologies [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.novocontrol.com/, свободный.

326) МИ 1967–8987 «Методические указания. ГСИ. Выбор методов и средств измерений при разработке методик выполнения измерений. Общие по ложения».

327) Системный анализ и принятие решений: словарь – справочник:

Учеб. пособие для вузов / Под ред. В.Н. Волковой, В.Н. Козлова. – М.: Высш.

шк., 2004 – 616 с.

328) Анфилатов, В.С. Системный анализ в управлении: учеб. пособие / В.С. Анфилатов, А.А. Емельянов, АА. Кукушкин;

под ред. А.А. Емельянова. – М.: Финансы и статистика, 2007. – 368 с.

329) Печерская, Е.А. Модификация метода векторной оптимизации вы бора оптимальной альтернативы // Методы создания, исследования микро-, на носистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники: сб. трудов II на учно – технической конференции. – Пенза. – 2009. – С. 241 – 244.

330) ГОСТ 51330.19-99. Электрооборудование взрывозащищенное.

Часть 20. Данные по горючим газам и парам, относящиеся к эксплуатации элек трооборудования. Москва. – 2001.

331) ГОСТ 12.1.005-88. Система стандартов безопасности труда. Общие санитарно-гигиенические требования к воздуху рабочей зоны. Москва. – 1989.

332) ВСН 64-861.

333) Ж. Аш с соавторами. Датчики измерительных систем. // М. «Мир».

1992. – Т.2. – 395 c.

334) Мясников И.А., Сухарев В..Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А., По лупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М: Наука.

1991. – с. 327.

335) Williams D.E., Pratt К. F.E. Ibid., 2000. – v. 70. – P. 214 - 221.

336) Sauter D., Weimar U., Noetzel G., Mitrovics J., Gpel W. Ibid., 2000. – v. 69. – P. 1 - 9.

337) Рембеза С.И., Просвирин Д.В., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Сенсор. – 2004 – № 1. – С. 20 - 28.

338) Hansford G. M., Freshwater R. A., Bosch R. A., Cox R. A., Jones R. L., Pratt K. F.E., Williams D. E. J. Environ. Monit., 2005. – v. 7. – P. 158 - 162.

339) Guerin J., Aguir K., Bendahan M. Sensors and Actuators B, 2006, – v.

119. – P. 327 - 334.

340) Васильев Р.Б., Рябова Л.И., Румянцева М.Н., Гаськов А.М. Успехи химии. – 2004. – т. 73, № 10. – С. 1019 - 1038.

341) Bendahan M., Guerin J., Boulmani R., Aguir K. Sensors and Actuators B, 2007. – v. 124. – P. 24 - 29.

342) Boulmani R., Bendahan M., Lambert-Mauriat C., Gillet M., Aguir K. Ib id., 2007. – v. 125. – P. 622 - 627.

343) Utembe, Hansford G.M., Sanderson M.G., Freshwater R.A., Pratt K.F.E., Williams D.E., Cox R.A., Jones R.L. Ibid., 2006. – v. 114. – P. 507 - 512.

344) Оbvintseva L.А., Аvetisov А.К., Chibirova F.Kh., Belikov I.B., Еlansky N.F., Shumsky R.A. Semiconductor ozonemeter for measurements of ozone concen tration and fluctuations in atmosphere. Nonequilibrium processes. V. 2. Plasma, Aerosols and Atmospheric Phenomena. Eds G.D. Roy, S.M. Frolov, A.M. Starik. Mo cow: Torus Press, 2005. – P. 328 - 336.

345) А.К., Чибирова Ф.Х., Дмитриева М.П. Ж. аналит. химии. – 2008. – т.

63, № 3. – С. 308 - 313.

346) Малышев В.В., Писляков А.В. Сенсор. – 2001. – № 1. – С. 1 - 15.

347) Гигиенические нормативы (ГН) 2.2.5.1313-03. Предельно допусти мые концентрации (ПДК) вредных веществ в воздухе рабочей зоны. Минздрав России, Москва – 2003.

348) Г.В. Белкова, С.А. Завьялов, О.Б. Сарач, А.М. Гуляев, Н.Н. Глаго лев, А.Б.Соловьева. Влияние модификации сенсоров на основе ZnO и SnO порфиринами на параметры сенсорного отклика к летучим органическим веще ствам // Полимеры. – 2008, 11-14 марта. – Москва, сборник тезисов. – с.77.

349) Компания «Платан» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.platan.ru, свободный.

350) ОАО «Авангард» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.avangard, свободный.

351) Компания «Escube» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.escube.com, свободный.

352) ЗАО "Эксис" [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.eksis.ru, свободный.

353) http://www.umweltsensortechnik 354) Компания «AppliedSensor» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.appliedsensor.com, свободный.

355) Компания «Dynament» [Электронный ресурс]. Режим доступа:

http://www.dynament.com, свободный.

356) Фирма «Sixth Sense» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.sixthsens.ru, свободный.

357) Компания «Dart-sensors LTD» [Электронный ресурс]. – Режим дос тупа: http://www.dart-sensors.com, свободный.

358) Евдокимов А.В. и др. Микроэлектронные датчики химического со става газов // Зарубежная электронная техника. – 1988. – Вып. 2. – С.3.

359) Бутурлин А.И. и др. Газочувствительные датчики на основе метал лооксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. – 1989. – N 10. – С.3.

360) Каталог продукции фирмы “Figaro” [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www. figarosensor.com, свободный.

361) Датчики фирмы Figaro. Н. Игнатьева. Электроника: Наука, техно логия, бизнес. – 2005. – № 2. – С. 34-37.

362) Каталог «Газовые сенсоры серии СЕНСИС-2000 и СЕНСИС-2003»

[Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www. deltapro.ru, свободный.

363) Каталог продукции фирмы ОАО “Авангард” [Электронный ресурс].

– Режим доступа: http://www.avangard.org, свободный.

364) Каталог продукции фирмы “ Sencera” [Электронный ресурс]. – Ре жим доступа: http://www.sensorica.ru, свободный.

365) ФГУП «Аналитприбор» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.analitpribor-smolensk.ru/, свободный.

366) Компания «АСТ Компонентс» [Электронный ресурс]. – Режим дос тупа: http://www.gassensor.ru/sensors/, свободный.

367) Компания «Alphasense» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.alphasense.com/, свободный.

368) Компания «Меmbrapor» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.membrapor.ru/, свободный.

369) Компания «Nemoto & Co. Ltd.» [Электронный ресурс]. – Режим дос тупа: http://nemototech.ru/, свободный.

370) Продукция ФГУП «Аналитприбор» [Электронный ресурс]. – Режим http://www.analitpribors.ru/?gclid=CP_ikcPo4KsCFYGJDgodxF7NLg, доступа:

свободный.

371) Фирма «Figaro Engineering Inc.» [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://figarosensor.com/, свободный.

372) Forschungszentrum Karlsruhe [Электронный ресурс]. – Режим досту па: http://www.enqa.net/sciences/, свободный.

373) ОАО «РНИИ «Электронстандарт» [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.elstandart.spb.ru/, свободный.

374) ЗАО "Электронстандарт-прибор" [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://electronstandart-pribor.com/, свободный.

375) Лаборатория химии и физики полупроводниковых и сенсорных ма териалов [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.lssm.inorg.chem.msu.ru/pGaskov.html, свободный.

376) Санкт-Петербургский государственный электротехнический уни верситет «ЛЭТИ» им В.И. Ульянова (Ленина), кафедра микроэлектроники [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.eltech.ru/ru/fakultety/fakultet-elektroniki/sostav-fakulteta/kafedra mikroelektroniki, свободный.

377) Национальный исследовательский университет «Московский энер гетический институт» [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.mpei.ru/AU/au_explorer.asp?scenario=U, свободный. ФГБОУ 378) ВПО «Воронежский государственный университет» [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.vsu.ru/, свободный.

379) Национальный исследовательский «Саратовский государственный университет» имени Н.Г.Чернышевского [Электронный ресурс]. – Режим дос тупа: http://www.sgu.ru/, свободный.

380) Новгородский государственный университет имени Ярослава Муд рого [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.novsu.ru/, свободный.

381) Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.kiae.ru/index32g.html, сво бодный.

382) Lux Research [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.luxresearchinc.com/, свободный.

383) BCC Research [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.bccresearch.com/, свободный.

384) Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 552с. – ISBN 5 9221-0719-4.

385) Research and Markets [Электронный ресурс]. – Режим доступа:

http://www.researchandmarkets.com/, свободный.

386) Business Communications Company, Inc [Электронный ресурс]. – Ре жим доступа: www.bccresearch.com, свободный.

387) М. Н. Румянцева, В. В. Коваленко, А. М. Гаськов, Т. Панье. Нано композиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров // Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. обществава им. Д.И. Менделеева), 2007. – Т. LI, № 6.

– С. 61-70.

388) Управляемый синтез тонких стекловидных пленок /С.С.Карпанова, В.А.Мошников, А.С.Никулин, Р.М.Печерская, И.А.Пронин // Нано- и микро системная техника. – 2011.– №1. – С.23-25.

389) Поляков Ю.А. Некоторые аспекты синтеза и реализуемости сенсо ров раннего обнаружения пожаровзрывоопасности // Труды 16-й науч.-техн.

конф. "Системы безопасности" – CБ-2007. М.: Академия ГПС МЧС России, 2007. – С. 118-120.

390) Правила безопасности в угольных шахтах. НПАОП 10.01.01–05– К.:

2005. – 398с.

391) Сборник инструкций к «Правилам безопасности в угольных шах тах». – К.: 2003, том 1. – 478с.

392) Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных сис темах: От диссипативных структур к упорядоченности через флуктуации. М.:

Мир, 1979. – 512 с.

393) Лисичкин Г.В., Фадеев А.А., Сердан А.А. и др. Химия привитых поверхностных соединений. М. Физматлит, 2003. – 589 с.

394) Федер Е. Фракталы. М., Мир. – 1991.

395) Тарасевич Ю.Ю. Перколяция: теория, приложения, алгоритмы. – М.: УРСС, 2002.

396) Шевченко В.Я., Мадисон А.Е. Структура многообразия наномира, фрагментарность и метаморфозы наноструктур. Труды международной научно - практической конференции «Наука» технология силикатных материалов - на стоящее и будущее. Т. 1. МХТУ им. Менделеева Д.И. М., 2003. – С.41-53.

397) J.A.Agapito, J.P.Santos, The interaction of low NO2 concentration in air with degenerate nanocrystalline tin dioxide thin films, Sens.Actuat. B, vol. 31, 1996. – p. 93-98.

398) V.E.Henrich, P.A.Cox, The surface science of metal oxides, Cambridge:

Cambridge University Press, 1996. – p.316.

399) Поляков Ю.А., Иванов А.Е., Кабанов Д.Г. Разработка сенсоров и автоматического сигнализатора контроля довзрывоопасной концентрации ме тана. Интернет-журнал "Технологии техносферной безопасности" (http://ipb.mos.ru/ttb). 2010. 4 (32).

400) Колешко В. М., Сеpгейченко А. В. Металлооксидные микpоэлектpонные газовые сенсоpы: обзоp. Часть I. Констpукции и матеpиалы // Новые технологии. Нано- и микpосистемная техника. – 2007. – С. 41–46.

401) Пат..2098806 (RU). Газочувствительный толстопленочный датчик.

402) Пат. 2379672 (RU). Датчик водорода в жидких и газовых средах.

403) Пат. 2397572 (RU). Способ получения пленочных покрытий оксида олова на подложках.

404) Пат. 2100801(RU). Твердотельный газовый сенсор.

405) Пат. 2137115 (RU). Селективный газовый сенсор.

406) Пат. 2146816 (RU). - Способ детектирования газовых смесей.

407) Пат. 2143678 (RU). Полупроводниковый газовый сенсор и способ его изготовления 408) Пат. 2319953 (RU). Способ изготовления чувствительного элемента полупроводникового газового сенсора.

409) Пат. 2114422 (RU) Полупроводниковый датчик газов.

410) Пат. 4,224,280 (USA). Carbon monoxide detecting device.

411) Пат. 2291417 (RU). Датчик определения концентрации газов.

412) Пат. 2307346 (RU). Способ изготовления чувствительного элемента датчиков газа.

413) Пат. 2096774 (RU). Датчик для определения концентрации газов.

414) Пат. 2097751 (RU). Чувствительный слой на аммиак.

415) Пат. 2088914 (RU). Сенсор для анализа газообразных веществ.

416) Пат. 2194089 (RU). Способ получения покрытия из оксида олова на стекле.

417) Пат. 2038590 (RU). Способ получения газочувствительного мате риала для сенсора аммиака.

418) Пат. 4,413,502 (USA). Gas detecting sensor.

419) Пат. 4,703,555 (USA). Method of making a catalytic-burning sensor.

420) Пат. 4,624,137 (USA). Semiconductor device.

421) Пат. 4,580,439 (USA). Low power gas detector.

422) Пат. 6,091,050 (USA). Thermal micro platform.

ПРИЛОЖЕНИЕ (обязательное к отчету о НИР) Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО «ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ») Индексы УДК: 620.113;

620.1.08;

621.3.082. № 07.514.12. Инв. № УТВЕРЖДАЮ Ответственный исполнитель д-р техн. наук, профессор _И. А. Аверин 03.11. ОТЧЕТ О ПАТЕНТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ «Мультисенсоры на основе пористых наноструктурированных материалов»

по теме:

ВЫБОР НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ (промежуточный) ГК № 07.514.12.4014 от 06.10.2011, Шифр: 2011-1.4-514-126- Нормоконтролер _ Т. Н. Рыжова подпись, дата Пенза СПИСОК ИСПОЛНИТЕЛЕЙ Руководитель темы, д-р техн. наук, проф., ПГУ И А. Аверин (Приложение А, заключение) подпись, дата Исполнители темы:

канд. техн. наук, доц., ПГУ _ В А. Соловьев (общие данные об объекте исследования, основная часть, подпись, дата заключение, приложения B, Г) д-р техн. наук, доц., ПГУ _ Е А. Печерская (основная часть, заключение, приложения Б – Г) подпись, дата Нормоконтролер _ Т. Н. Рыжова подпись, дата СОДЕРЖАНИЕ Нормативные ссылки Обозначения и сокращения…………………………………………………… …… Общие данные об объекте исследования…………………………………… …… 1 Основная (аналитическая) часть. Анализ технического уровня и тенденций развития методов создания композиционных материалов, способов изготов ления газовых сенсоров и совершенствования их устройств……………………… ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………….......... СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ………………………………… ПРИЛОЖЕНИЕ А Форма задания на проведение патентных исследований…… … ПРИЛОЖЕНИЕ Б Форма регламента поиска……………………………………… ПРИЛОЖЕНИЕ В Форма отчета о поиске……………………………………… … ПРИЛОЖЕНИЕ Г Описание запатентованных изобретений в области методов и средств проектирования и разработки газовых сенсоров………………………… НОРМАТИВНЫЕ ССЫЛКИ В настоящем отчете о НИР использованы ссылки на следующие стандарты.

ГОСТ 2.102-68 – Единая система конструкторской документации. Виды и комплектность конструкторских документов.

ГОСТ 2.105-95 – Общие требования к текстовым документам.

ГОСТ 2.111-68 – Единая система конструкторской документации. Нормокон троль.

ГОСТ 7.3-2001 – Электронные издания. Основные виды и выходные сведения.

ГОСТ 7.32-2001– Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и пра вила оформления.

ГОСТ 7.82-2001 – Библиографическая запись. Библиографическое описание электронных ресурсов. Общие требования и правила составления.

ГОСТ 7.9-95 – Система стандартов по информации, библиотечному и изда тельскому делу. Реферат и аннотация. Общие требования.

ГОСТ 15.011-96 – Система разработки и постановки продукции на производ ство. Патентные исследования. Содержание и порядок проведения.

ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ МПК (МКИ) – международная патентная классификация (международная класси фикация изобретений);

МПКО – международная классификация промышленных образцов;

НКИ – национальная классификация изобретений;

НТИ – научно-техническая информация;

НЧ – наночастица;

ПГУ – ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет»;

СМТК – стандартная международная торговая классификация ООН;

УДК – универсальная десятичная классификация;

ЧЭ - чувствительный элемент.

ОБЩИЕ ДАННЫЕ ОБ ОБЪЕКТЕ ИССЛЕДОВАНИЯ Дата начала работы: 06.10.2011 г.

Дата окончания работы: 25.09.2012 г.

Патентные исследования проводятся на этапе № 1 по теме «Выбор направле ния исследований».

Дата начала этапа № 1: 06.10.2011 г.

Дата окончания этапа № 1: 05.12.2011 г.

Объектом исследования являются газочувствительные пленки и чувствитель ные элементы (ЧЭ) газовых сенсоров на их основе.

В настоящее время газовые датчики и сенсоры активно применяются практиче ски во всех отраслях промышленности, транспорта, а также в сельском хозяйстве и медицине. Газовые датчики составляют основу для создания систем противопожар ной и экологической безопасности. В ряде отраслей (таких как угледобывающая промышленность и др.) без газовых датчиков и сенсоров уже невозможно обеспе чить требуемый уровень безопасности объектов. До сих пор остается актуальной за дача обеспечения безопасности людей и объектов от террористической угрозы на предмет раннего обнаружения взрывчатых веществ. Существующие сенсоры не от личаются высокой селективностью даже у передовых зарубежных фирм. Классиче ским способом повышения селективности и чувствительности является применение каталитических добавок (платина, палладий, золото, медь, вольфрам, окислы ланта ноидов, и т.д.) и подбор рабочей температуры ЧЭ. Эти способы дают возможность селективно выделить газы, отличающиеся по концентрации не более чем на 1-2 по рядка, а это очень мало для соотношения газов в реальной атмосфере жилого поме щения. По этой причине 80% сенсоров используются для оценки общего загрязне ния воздуха, как индикаторы, в системах включения систем воздухоочистки.

Целью проведения патентного поиска, является определение технического уровня и тенденций развития газовых сенсоров, а также выявление наиболее близ ких аналогов для их анализа и использования при возможном патентовании новых технических решений, разработанных в рассматриваемой области техники.

1 Основная (аналитическая) часть. Анализ технического уровня и тенденций развития методов создания композиционных материалов, способов изготовления га зовых сенсоров и совершенствования их устройств В соответствии с заданием, приведенным в Приложении А, проведен поиск и анализ технического уровня и тенденций развития методов создания композицион ных материалов на основе SiO2–SnO2, способов изготовления газовых сенсоров, создания и совершенствования устройств газовых сенсоров, в том числе на основе SiO2–SnO2. Произведен отбор наиболее значимых изобретений из числа запатенто ванных в ведущих странах мира, результаты которого представлены в форме отчета о поиске (Приложение В). Описание запатентованных изобретений в области мето дов и средств проектирования и разработки газовых сенсоров приведено в Прило жении Г.



Pages:     | 1 |   ...   | 8 | 9 || 11 | 12 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.