авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 10 | 11 ||

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ...»

-- [ Страница 12 ] --

16 Патент № 2328727 - способ определения концентрационных пределов вос пламенения паров бензола с воздухом Формула изобретения: способ определения концентрационных пределов вос пламенения паров бензола с воздухом, характеризующийся тем, что сначала опреде ляют нижний концентрационный предел воспламенения паров бензола с воздухом, для чего электроды пьезоэлектрического кварцевого резонатора АТ-среза с частотой колебаний 9 МГц модифицируют нанесением на них методом статического испаре ния капли раствора фуллерена С60, компрессором продувают анализируемый воз дух через ячейку детектирования, предварительно пропустив через фильтрующий патрон, содержащий поглотительный порошок для улавливания непредельных и ароматических углеводородов, и зерненый хлорид кальция для улавливания паров воды, отключают компрессор и герметично закрывают входной и выходной патруб ки ячейки детектирования двумя заглушками, в детектор помещают сенсор и вклю чают в схему высокочастотного генератора, аналитический сигнал регистрируют в виде частоты колебания кварцевой пластины резонатора при установлении в сорб ционной системе термодинамического равновесия, о чем свидетельствует постоян ство частоты колебаний резонатора во времени, по градуировочному графику нахо дят нижний концентрационный предел воспламенения паров бензола с воздухом;

затем определяют верхний концентрационный предел воспламенения паров бензола с воздухом, для чего электроды пьезоэлектрического кварцевого резонатора АТ среза с частотой колебаний 9 МГц модифицируют нанесением на них методом ста тического испарения капли раствора апиезона-N, анализируемый воздух компрессо ром продувают через ячейку детектирования, предварительно пропустив через фильтрующий патрон, содержащий поглотительный порошок для улавливания не предельных и ароматических углеводородов, и зерненый хлорид кальция для улав ливания паров воды, отключают компрессор и герметично закрывают входной и вы ходной патрубки ячейки двумя заглушками, в детектор помещают сенсор и вклю чают в схему высокочастотного генератора, аналитический сигнал регистрируют в виде частоты колебаний кварцевой пластины при установлении в сорбционной сис теме термодинамического равновесия, о чем свидетельствует постоянство частоты колебаний резонатора во времени, по градуировочному графику зависимости анали тического сигнала от концентрации бензола в воздухе находят верхний концентра ционный предел воспламенения паров бензола с воздухом.

17 Патент №2253108 - устройство для контроля концентраций опасных газов Формула изобретения: устройство для контроля концентраций опасных газов, содержащее измерительную схему, включающую датчик метана, схему обработки измерительной информации, включающую усилитель сигналов, аналоговый комму татор, аналого-цифровой преобразователь, а также запоминающее устройство, ин формационное табло и блок питания, отличающееся тем, что измерительная схема дополнительно содержит датчик угарного газа и датчик кислорода, а схема обработ ки измерительной информации - микроЭВМ, часы и интерфейсное устройство с ПК, при этом датчики измерительной части выполнены в виде полупроводниковых газо вых сенсоров, выход аналого-цифрового преобразователя соединен с входом мик роЭВМ, выходы микроЭВМ - соответственно с входом запоминающего устройства, с входом интерфейсного устройства с ПК, с входом устройства управления и с вхо дом информационного табло, выходы устройства управления - соответственно с входом аналогового коммутатора и с входом аналого- цифрового преобразователя, а выход часов - с входом микроЭВМ.

18 Патент №2247367 - сенсорная ячейка детектирования Формула изобретения: cенсорная ячейка детектирования, состоящая из реакци онной емкости, выполненной из нержавеющей стали и снабженной рубашкой для термостатирования, крышки с вмонтированным держателем для пьезокварцевого сенсора, выполненной из того же материала, пьезокварцевого сенсора, патрубков ввода, вывода воздуха, отличающаяся тем, что реакционная емкость детектирования объемом 100 см3, внутри которой 5 расположены перфорированная с обеих сторон кассета для проб порошкообразных, твердых веществ и воздушный вентилятор для выравнивания концентрации летучих веществ по всему объему ячейки, при этом пьезосенсор снабжен подвижным чехлом, позволяющим приводить в действие сен сор при установившемся фазовом равновесии.

19 Патент №2247364 - способ определения анилина, о-нитроанилина и о толуидина в воздухе Формула изобретения Способ определения анилина, о-нитроанилина и о толуидина в воздухе, включающий приготовление раствора модификатора, нанесе ние его на электроды, сушку, экспонирование в парах аналитов и регистрацию ана литического сигнала, отличающийся тем, что в качестве модификатора применяют ментолфенилсалицилатвазелиновое масло, рекомендуемый растворитель толуол, масса пленки модификатора 5-10 мкг, температурный режим сушки 20-25°С, время сушки 40-48 ч.

20 Патент №2319953 - способ изготовления чувствительного элемента полу проводникого газового сенсора Формула изобретения:

1) способ изготовления чувствительного элемента полупроводникового газово го сенсора, включающий формирование на диэлектрической подложке путем напы ления платины контактных площадок с одной стороны подложки и нагревателя в виде меандра с другой стороны, напыление пленки диоксида олова, осаждение ката лизатора, термический отжиг подложки на воздухе, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности газовых сенсоров, после термического отжига под ложки в воздушной атмосфере на поверхность пленки диоксида олова наносится дополнительный слой катализатора в виде наноразмерных зерен;

2) способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании на диэлектриче ской подложке платиновых контактных площадок и нагревателя в виде меандра ис пользуют метод магнетронного напыления.

3) способ по п.1, отличающийся тем, что одновременно при изготовлении кон тактных площадок на диэлектрической подложке формируют платиновое термосо противление.

Часть фотошаблона №2, используемого для создания нагревателя чувствитель ного элемента Часть фотошаблона №3, используемого для создания окон под напыляемую пленку диоксида олова 21 Патент №224920 – газоанализатор Формула изобретения: газоанализатор, содержащий чувствительный элемент в виде твердоэлектролитной ячейки с измерительным электродом и электродом срав нения, потенциальные выводы которых через линию связи подключены к измери тельной схеме, отличающийся тем, что потенциальный вывод электрода сравнения окружен охранным электродом, выполненным в виде электропроводной коаксиаль ной внутренней оболочки, размещенной внутри внешней электропроводной оболоч ки, соединенной с измерительным электродом, причем внутренняя и внешняя обо лочки изолированы друг от друга и потенциального вывода электрода сравнения, линия связи выполнена в виде коаксиального кабеля, содержащего центральный проводник, внутреннюю и внешнюю экранные оболочки, а в качестве измеритель ной схемы используется операционный усилитель, к неинвертирующему входу ко торого через центральный проводник коаксиального кабеля подключен потенциаль ный вывод электрода сравнения, инвертирующий вход усилителя через внутренний экран кабеля соединен с охранным электродом, а через цепь отрицательной обрат ной связи - с выходом усилителя, потенциальный вывод измерительного электрода через внешнюю оболочку кабеля соединен с нулевой точкой измерительного схемы, а измеритель сигнала включен между выходом усилителя и нулевой точкой измери тельной схемы.

22 Патент №RU2379672 - датчик водорода в жидких и газовых средах Сущность изобретения: датчик водорода в жидких и газовых средах включает селективную мембрану (11), пористую электроизоляционную керамику (7) и корпус (5) с потенциалосъемником (9), керамический чувствительный элемент (4) с эталон ным электродом (14), пористый платиновый электрод (8), кремнеземную ткань (6), соединительный материал (12), пробку (10) с отверстием, гермоввод (2), цилиндри ческую втулку (1). Полость корпуса (5) между гермовводом (2) и керамическим чув ствительным элементом (4) герметична. Керамический чувствительный элемент (4) выполнен в виде сопряженных между собой цилиндрического элемента и части сферы, расположенной в нижней части цилиндрического элемента.

Верхняя часть наружной цилиндрической поверхности керамического чувствительного элемента (4) герметично соединена с корпусом (5) посредством соединительного материала (12). Эталонный электрод (14) расположен в полости, образованной внутренней по верхностью керамического чувствительного элемента (4) и поверхностью пробки (10). Наружная сферическая часть керамического чувствительного элемента (4) по крыта слоем пористого платинового электрода (8). Конец центральной жилы (13) выведен через отверстие в пробке (10) в объем эталонного электрода (14). Втулка (1) соединена с нижней частью корпуса (5). Технический результат изобретения состо ит в расширении функциональных возможностей, снижении стоимости и увеличе нии быстродействия датчика. 10 з.п. ф-лы, 1 ил. Устройство относится к измери тельной технике и может быть использовано в энергетике, металлургии, химической промышленности для определения концентрации водорода в жидких и газовых сре дах в широком интервале температур и давлений.

23 Патент №ru2371709 - способ определения концентрации водорода в присут ствии газообразных примесей Формула изобретения:

1) способ определения концентрации водорода в присутствии газообразных примесей, заключающийся в том, что измеряют электрический сигнал на выходе полупроводникового сенсора с чувствительным слоем из оксида металла при нагре вании его до заданной температуры, по значению этого сигнала определяют величи ну проводимости чувствительного слоя полупроводникового сенсора, запоминают, сопоставляют ее с предварительно полученным калибровочным значением и опре деляют концентрацию водорода, отличающийся тем, что сигнал на выходе полупро водникового сенсора измеряют непрерывно, циклически нагревая его до температу ры T1 и охлаждая его до температуры Т2, определяют производную проводимости чувствительного слоя сенсора по времени в течение интервала времени между окон чанием нагрева до температуры T1 и окончанием охлаждения до температуры Т2, определяют величину проводимости, являющуюся функцией концентрации газа, определяют наличие и количество локальных минимумов зависимости проводимо сти чувствительного слоя от времени в интервале между окончанием нагрева и окончанием охлаждения, при этом, если таких локальных минимумов было два, электрический сигнал на выходе полупроводникового сенсора измеряют в момент времени между первым и последним локальными минимумами, в котором абсолют ная величина производной проводимости по времени достигает минимума, если ло кальный минимум был один, то электрический сигнал на выходе полупроводнико вого сенсора измеряют в момент времени между окончанием нагрева и последним локальным минимумом, в котором абсолютная величина производной проводимо сти по времени достигает минимума, а по значению измеренного электрического сигнала судят о величине проводимости чувствительного слоя полупроводникового сенсора, по которой определяют концентрацию водород;

2) способ по п.1, отличающийся тем, что оптимальные значения температур Т и Т2 определяют как температуры, при которых чувствительность полупроводнико вого сенсора для данного материала чувствительного слоя к водороду максимальна, а чувствительность к присутствующим примесям минимальна.3. Способ по п.1, от личающийся тем, что в присутствии примесей метана и оксида углерода для полу проводникового чувствительного слоя из двуокиси олова, легированного палладием, значение температуры T1 лежит в интервале от 300 до 600°С, а значение температу ры Т2 – в интервале от 50 до 200°С.

24 Патент № RU2143677 способ получения полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота Суть изобретения: изобретение может быть использовано в экологии. Способ формирования полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота состоит в одностадийном химическом осаждении на диэлектрическую под ложку тонкой пленки сульфида свинца. Формирование пленки осуществляется из реакционной смеси, содержащей соль свинца, тиомочевину, трехзамещенный ли моннокислый натрий, гидроокись аммония хлористый или бромистый, или йоди стый аммоний в мольном соотношении 1:12:7:80: (2-6). Введение в реакционную смесь галогенсодержащих солей создает условия легирования полупроводниковой пленки галогенами, что обеспечивает за счет явления суперкомпенсации носителей полупроводникового материала высокую чувствительность и избирательность син тезируемой пленки к оксидам азота.

Формула изобретения: способ получения полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота, заключающийся в формировании чувстви тельного слоя, селективно адсорбирующего оксиды азота, отличающийся тем, что формирование чувствительного слоя в виде пленки сульфида свинца осуществляют путем осаждения ее в одну стадию на диэлектрическую подложку из реакционного раствора, содержащего соль свинца, тиомочевину, трехзамещенный лимоннокислый натрий, гидроокись аммония, хлористый, или бромистый, или иодистый аммоний.

25 Патент № RU 2038590 - способ получения газочувствительного материала для сенсора аммиака Формула изобретения: способ получения газочувствительного материала для сенсора аммиака, заключающийся в том, что приготавливают реакционный раствор, из которого в одну стадию получают газочувствительный материал, который под вергают сушке, отличающийся тем, что реакционный раствор приготавливают из тетраэтоксисилана, вводят азотно-кислое серебро, оставляют для созревания раство ра, а затем методом центрифугирования формируют газочувствительный материал, после чего подвергают его термическому отжигу.

26 Патент № RU 2114422 - полупроводниковый датчик газов Суть изобретения: датчик содержит электроизолирующую подложку с разме щенными на ней нагревателем, термодатчиком, электродами газочувствительного слоя и газочувствительным слоем, помещенную в металлокерамический корпус.

Подложка выполнена из кремния с расположенным на ней слоем диоксида кремния.

Нагреватель и термодатчик выполнены из платины с подслоем титана в виде рези сторов типа "Меандр". Электроды газочувствительного слоя изготовлены в виде встречно-штырьевой структуры из того же материала. Газочувствительный слой представляет собой пленку металлооксидного полупроводника. Технический ре зультат: повышение надежности датчика, упрощение его конструкции.

Формула изобретения:

1) полупроводниковый датчик газов, представляющий собой электроизоли рующую подложку с размещенными на ней нагревателем и термодатчиком, элек тродами для газочувствительного слоя и газочувствительным слоем, помещенную в металлокерамический корпус, отличающийся тем, что на подложку из кремния, по крытую слоем диоксида кремния, нанесены нагреватель и термодатчик, выполнен ные из платины с подслоем титана в виде резисторов типа "меандр" и электроды встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя, изготовленные из того же материала, а газочувствительный слой представляет собой пленку металло оксидного полупроводника, нанесенного на встречно-штыревые электроды;

2) полупроводниковый датчик газов по п. 1, отличающийся тем, что на одном кристалле размещены две группы одинаковых электродов встречно-штыревой кон струкции для газочувствительного слоя, включенные по мостовой схеме;

3) датчик газов по п. 1 или 2, отличающийся тем, что газочувствительный слой представляет собой пленку двуокиси олова.

27 Патент № 2291417 - датчик определения концентрации газов Формула изобретения: датчик определения концентрации газов, содержащий диэлектрическую подложку, газочувствительный слой, контакты, нагреватель и термодатчик, отличающийся тем, что он снабжен дополнительной диэлектрической подложкой, дополнительными контактами и дополнительным газочувствительным слоем, последовательно расположенными на одной стороне дополнительной ди электрической подложки, двумя механически соединенными газонепроницаемыми прокладками, при этом термодатчик расположен на обратной стороне дополнитель ной диэлектрической подложки, с противоположной стороны которой размещена газонепроницаемая прокладка, а вторая газонепроницаемая прокладка расположена над дополнительным газочувствительном слоем, при этом с другой стороны второй газонепроницаемой прокладки последовательно размещены нагреватель, диэлектри ческая подложка, контакты и газочувствительный слой.

28 Патент №2307346 - способ изготовления чувствительного элемента датчиков газа Формула изобретения: способ изготовления чувствительного элемента датчика газов, включающий нанесение на изолирующую подложку слоя диоксида олова с примесью кремния, отличающийся тем, что слой диоксида олова с примесью крем ния (0,5-5 ат.%) в виде диоксида кремния (Si02) напыляют с помощью реактивного магнетронного распыления составной мишени олово- кварц в атмосфере ар гон/кислород (1/3), после чего чувствительный элемент подвергают отжигу на воз духе при температуре 400-500°С не менее 4 ч для формирования нанокристалличе ской структуры.

29 Патент №2194089 - способ получения покрытия из оксида олова на стекле Формула изобретения:

1) способ химического осаждения из паровой фазы покрытия из оксида олова, легированного фтором, на поверхность горячей стеклянной подложки, включающий стадии: A) получения горячей стеклянной подложки, на поверхность которой осаж дают легированное фтором покрытие из оксида олова, Б) приготовления однородной смеси газообразных реагентов, содержащей оловоорганическое соединение, фторид водорода, кислород и воду, и B) подачи смеси газообразных реагентов к поверхно сти горячей стеклянной подложки, причем в этой однородной смеси газообразных реагентов протекает реакция с осаждением на поверхности горячей стеклянной под ложки легированного фтором покрытия из оксида олова;

2) способ по п.1, где стекло выбирают из группы, включающей натриево кальциевое силикатное стекло, щелочно-кальциевое силикатное стекло, боросили катное стекло, алюмосиликатное стекло, фосфатное стекло, кварцевое стекло и их сочетания;

3) способ по п.1, где стекло представляет собой натриево-кальциевое силикат ное стекло;

4) способ по п.1, где оловоорганическое соединение выбирают из группы, включающей диметилоловодихлорид, диэтилоловодихлорид, дибутилоловодиаце тат, тетраметилолово, метилоловотрихлорид, триэтилоловохлорид, триметилолово хлорид, этилоловотрихлорид, пропилоловотрихлорид, изопропилоловотрихлорид, втор-бутилоловотрихлорид, трет-бутилоловотрихлорид, фенилоловотрихлорид, кар бэтоксиэтилоловотрихлорид и их сочетания;

5) способ по п.1, где оловоорганическое соединение представляет собой диме тилоловодихлорид;

6) способ по п.1, где стеклянная подложка получена при температуре пример но 750-1500oF;

7) способ по п.1, где однородная смесь газообразных реагентов дополнительно включает одно или несколько соединений, выбранных из группы, включающей ге лий, азот, аргон и оксид трехвалентного азота;

8) способ по п.1, дополнительно включающий стадию первого осаждения не посредственно на поверхность горячей стеклянной подложки слоя материала, кото рый действует как натрийдиффузионный барьер, и затем второго осаждения непо средственно на указанный слой натрийдиффузионного барьера легированного фто ром покрытия из оксида олова;

9) способ по п.8, где перед осаждением легированного фтором покрытия из ок сида олова на поверхность горячей стеклянной подложки осаждают слой диоксида кремния;

10) способ по п.9, где слой диоксида кремния осаждают на поверхность горя чей стеклянной подложки по методу химического осаждения из паровой фазы;

11) способ по п.9, где перед осаждением слоя диоксида кремния на поверх ность горячей стеклянной подложки осаждают слой оксида олова;

12) способ по п.1, где смесь газообразных реагентов включает примерно 0,2- мол.% фторида водорода;

13) способ по п.12, где смесь газообразных реагентов включает примерно 0,5 1,5 мол.% фторида водорода;

14) способ по п.1, где смесь газообразных реагентов включает примерно 2- мол.% воды;

15) способ по п.14, где смесь газообразных реагентов включает примерно 15 35 мол.% воды;

16) способ по п.1, где смесь газообразных реагентов включает примерно 10- мол.% кислорода;

17) способ по п.16, где смесь газообразных реагентов включает примерно 30 50 мол.% кислорода;

18) способ химического осаждения из паровой фазы покрытия из оксида оло ва, легированного фтором, на поверхность горячей стеклянной подложки, вклю чающий стадии: A) получения горячей стеклянной подложки при температуре при мерно 750-1500oF, на поверхность которой осаждают легированное фтором покры тие из оксида олова;

Б) приготовления однородной смеси газообразных реагентов, содержащей оловоорганическое соединение, примерно 0,2-2 мол.% фторида водо рода, примерно 2-50 мол.% воды и примерно 10-60 мол.% кислорода;

и B) подачи смеси газообразных реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки, причем в этой однородной смеси газообразных реагентов протекает реакция с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки легированного фтором покрытия из оксида олова;

19) способ химического осаждения из паровой фазы покрытия из оксида оло ва, легированного фтором, на поверхность горячей стеклянной подложки, вклю чающий стадии: A) получения горячей стеклянной подложки при температуре при мерно 750-1500oF, на поверхность которой осаждают легированное фтором покры тие из оксида олова, причем эта поверхность снабжена нанесенным на нее слоем ди оксида кремния, Б) приготовления однородной смеси газообразных реагентов, со держащей оловоорганическое соединение, примерно 0,2-2 мол.% фторида водорода, примерно 2-50 мол.% воды и примерно 10-60 мол.% кислорода, и B) подачи смеси газообразных реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки, причем в этой однородной смеси газообразных реагентов протекает реакция с осаждением на слой диоксида кремния, находящийся на поверхности горячей стеклянной подложки, ле гированного фтором покрытия из оксида олова.

30 Патент №2181389 - способ получения прозрачной электропроводящей плен ки на основе оксидов индия и олова Суть изобретения: изобретение относится к изготовлению приборов оптоэлек троники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик полупроводник. Способ включает магнетронное распыление мишени из сплава ин дий-олово в среде аргона и кислорода, напыление оксидной пленки и ее отжиг в вы соком вакууме при температуре 400oС в течение не менее 30 мин. Изобретение на правлено на улучшение электрических характеристик пленок на основе оксидов ин дия-олова и уменьшение трудоемкости их изготовления.

Формула изобретения: способ получения прозрачных электропроводящих пле нок на основе оксида индия и олова, включающий нанесение оксидной пленки на нагретую подложку путем распыления мишени из сплава индий-олово в среде арго на и кислорода и последующей обработки оксидной пленки, отличающийся тем, что обработку оксидной пленки проводят путем отжига в вакууме при температуре 400oС в течение времени не менее 30 мин.

31 Патент № 2096774 - датчик для определения концентрации газов Назначение: изобретение относится к измерительной технике и может быть ис пользовано при определении содержания окиси углерода в выхлопных газах двига телей внутреннего сгорания, этанола в окружающей среде, аммиака в промышлен ных помещениях и других газов, выделяющихся при осуществлении технологиче ских процессов. Сущность изобретения: датчик для определения концентрации газов состоит из подложки, пленочных нагревателях, диэлектрического слоя, газочувстви тельного элемента и электродов для подключения к источнику напряжения, причем нагреватель и газочувствительный элемент выполнены из одного и того же оксида металла, предпочтительной из SnO2, с легирующими добавками, при этом вся по верхность газочувствительного элемента представляет собой слой чередующихся микронеровностей с профилем, например, пилообразной формы. Толщина этого слоя соизмерима с размером зерна используемого оксида металла.

Формула изобретения:

1) датчик для определения концентрации газов, содержащий подложку, на ко торой последовательно расположены пленочный нагреватель, диэлектрический слой, легированный добавками газочувствительный элемент из оксида металла с рельефной поверхностью и электроды для подключения к источнику напряжения, отличающийся тем, что пленочный нагреватель и газочувствительный элемент вы полнены из одного и того же оксида металла, при этом рельефная поверхность упо мянутого газочувствительного элемента представляет собой слой чередующихся микронеровностей и впадин, образующих профиль пилообразной формы;

2) датчик по п.1, отличающийся тем, что пленочный нагреватель и газочувстви тельный элемент выполнены из оксида олова;

3) датчик по п. 1, отличающийся тем, что толщина газочувствительного элемен та соизмерима с величиной зерна используемого оксида металла, в частности, она равна размеру этого зерна или имеет не более, чем трехкратное превышение.

32 Patent № US 7923381 - Methods of forming electronic devices containing Zr Sn-Ti-O films Problem to be solved: a dielectric film containing Zr—Sn—Ti—O and methods of fabricating such a dielectric film produce a reliable dielectric layer having an equivalent oxide thickness thinner than attainable using SnO2. Films of Zr—Sn—Ti—O may be formed in a self-limiting growth process.

Патент № 7923381 США - Способы формирования электронных устройств, со держащих Zr-Sn-Ti-O пленки.

Проблема будет решена: диэлектрическая пленка, содержащая Zr-Sn-Ti-O и ме тоды получения такой диэлектрической пленки обеспечивают формирование слоя диэлектрика эквивалентной толщине оксида, тоньше, чем при использовании SnO2.

Пленки Zr-Sn-Ti-O можут быть сформированы в саморегулирующем процессе роста.

33 Patent № US 2008/0003159 A1 - Preparation Method of Magnetic and Metal Ox ide Nanoparticles Problem to be solved: this invention relates, in general, to a method of producing magnetic oxide nanoparticles or metal oxide nanoparticles and, more particularly, to a method of producing magnetic or metal oxide nanoparticles, which comprises (1) adding a magnetic or metal precursor to a surfactant or a solvent containing the surfactant to pro duce a mixed solution, (2) heating the mixed solution to 50-6001 C to decompose the magnetic or metal precursor by heating so as to form the magnetic or metal oxide nanopar ticles, and (3) separating the magnetic or metal oxide nanoparticles. Since the method is achieved through a simple process without using an oxidizing agent or a reducing agent, it is possible to simply mass-produce uniform magnetic or metal oxide nanoparticles having desired sizes compared to the conventional method.


Патент № 2008/0003159 A1 США - Способ приготовления магнитных и метал лооксидных наночастиц.

Сущность изобретения: изобретение относится к способу приготовления маг нитной оксидных наночастиц или металлической оксидных наночастиц и, и осо бенно к способу производства магнитных или металлических оксидных наноча стиц, который включает (1) добавление магнитного или металлического прекурсора или растворителя, содержащего поверхностно-активные вещества, для образования раствора, (2) нагревание раствора до 50-600 C для разложения магнитного или ме таллического прекурсора при нагревании так, чтобы образовать магнитные или ме таллооксидных наночастиц, и (3) разделение магнитных или металлоксидных нано частиц. Поскольку метод реализуется за счет простого процесса без использования окислителей или восстановителей, то возможна организация просто массового про изводства однородноых магнитных или металлооксидных наночастиц, имеющих за данные размеры по сравнению с обычными методами.

34 Patent № JP 2010037161 (A) - Оxide sintered compact, method for producing the same, sputtering target and semiconductor thin film Problem to be solved: to obtain a dense ZTO (Zinc-Tin-Oxide) sintered compact in which breakage is hard to be generated even when being used as a sputtering target. ;

SO LUTION: In a calcined powder production stage, at first, ZnO powder and SnO2 powder are blended, granulated, and then subjected to firing (calcining) in the air, so as to obtain a calcined powder body. Next, the calcined powder body is again powdered so as to be a de sired grain size, and the calcined powder is produced. In the calcined powder body, Zn2, SnO4 of a semiconductor as a composite compound of ZnO and SnO2 is formed. Thus, SnO2, SnO4 is formed also in the calcined powder. Thereafter, the calcined powder is again granulated and is compacted, so as to prepare a compact, and a normal firing stage is performed. In the normal firing stage, the compact subjected to firing (normal firing) in a nonreducing atmosphere such as in the air or in an oxygen atmosphere or in an inert gas atmosphere of nitrogen, argon or the like, so as to produce an oxide sintered compact, wherein the same is compacted into a desired shape such as the shape of a sputtering tar get.

Патент № JP 2010037161 (А) - Способ приготовления, как распыляемой мише ни, так и полупроводниковых тонких пленок.

Сущность изобретения: для получения плотного ZТО (Zinc-титан-оксид) спе канием, который трудно разрушить даже тогда, когда он используется в качестве распыляемой мишени. Решение: на стадии производства порошки ZnO и SnO2 сме шивают, гранулируются, а затем подвергаются обжигу в воздухе. Далее воздейст вуют на порошок для получения желаемого размера зерен. Таким образом, SnO2, SnO4 формируется также в виде порошка. После этого кальцинированный порошок гранулируется и снова уплотняется для того, чтобы подготовить компактный и нор мальный материал для производства. В нормальной стадии обжига, компактный по рошок подвергается обжигу в специальной атмосфере, например, в воздухе или в атмосфере кислорода или в атмосфере инертного газа азота, аргона и т.п. Затем спе ченный оксид прессуется в требуемую форму для распыляемой мишени.

35 Patent № US7861575 - Micro gas sensor and manufacturing method thereof Problem to be solved: a micro gas sensor is disclosed including a substrate;

an open cavity formed in the substrate;

an electrode pad separation groove formed on the substrate;

a first and a second electrode pads formed over the substrate and electrically insulated from each other by the electrode pad separation groove;

a micro heater connected to the first electrode pad and configured of a bridge structure suspended over the open cavity;

a first sensing electrode extending from the first electrode pad and suspended over the open cavity;

a second sensing electrode extending from the first electrode pad and suspended over the open cavity;

and a gas sensing film electrically coupled to the micro heater and filling a gap between the first and the second sensing electrodes.

Патент №7861575 США – Газовый микросенсор и способ их производства.

Сущность изобретения: газовый микросенсор располагается в открытой полости, образованной в подложке;

раздельные площадки электродов формируются на под ложке, первый и второй электроды формируются на подложке и электрически изо лированы друг от друга, микронагреватель подключен к первой площадке электрода и мостовой структуре, подвешенной над открытой полостью;

первые чувствитель ные электроды располагаются от первой площадки электрода и подвешенной над открытой полости;

второй чувствительный электрод простирается от первой пло щадки электрода и подвешенной над открытой полостью и пленка чувствительная к газу электрически связана с микронагревателем и заполняет зазор между первым и вторым чувствительными электродами.


36 Patent № US 2011/0143023 A1 - Gas sensor using porous nano-fiber containing metal oxide and manufaturing method thereof Problem to be solved: disclosed is a method of manufacturing a gas sensor by using a nano-fiber including metal oxide. The method of manufacturing the gas sensor includes the steps of (1) mixing a polymer precursor with a solvent, (2) dispersing metal oxide into the mixture obtained through step (1), (3) preparing a nano-fiber by performing electro spinning with respect to the mixture obtained through step (2), (4) oxidizing the nano-fiber obtained through step (3), (5) carbonizing the nano-fiber that has been oxidized through step (4), (6) activating the nano-fiber that has been carbonized through step (5), and (7) manufacturing the gas sensor by depositing the nano-fiber, which has been activated through step (6), between electrodes of a silicon wafer. The gas sensor is manufactured with superior sensitivity at a normal temperature and reliability.

Патент № США 2011/0143023 А1 - Газовый сенсор с использованием нано волокон, содержащих оксид металла и метод их изготовления.

Сущность изобретения: раскрыт способ изготовления газовых сенсоров с по мощью нановолокон, в том числе оксида металла. Способ изготовления газовых сен соров включает стадии (1) смешивания прекурсора полимера с растворителем, (2) диспергирования оксида металла в полученную смесь через стадию (1), (3) подго товка нановолокна электро-спиннингом через стадию (2), (4) окисление нано волокон, полученных через шаг (3), (5) карбонизация окисленных нано-волокон, че рез шаг (4), (6) активация нано-волокон, которые были карбонизированы через шаг (5), и (7) производство газовых сенсоров путем нанесения нано-волокон, которые были активированы через шаг (6) между электродами кремниевой пластины. Газо вый сенсор изготавливается с превосходной чувствительностью при нормальной температуре и надежностью.

37 JP 2010054205 (A) - Gas sensor, method of manufacturing sensor element, and gas detecting method Problem to be solved: to provide a gas sensor and gas detecting method for detecting phthalic acid dialkyl in gas in an easy method. ;

SOLUTION: This gas sensor comprises a sensor element having a silica mask with a predetermined pore and a detector for meas uring the electric resistance value of the sensor element on the surface of metal oxide mainly made of SnO2. The gas to be detected is supplied to the sensor element, the electric resistance value of the sensor element is measured, and phthalic acid dialkyl in the gas is detected.

JP 2010054205 (А) - Газовый сенсор, способ изготовления элемента датчика и метод обнаружения газа.

Сущность изобретения: способ получения газового сенсора и обнаружения газа.

Решение: этот газовый сенсор включает в себя элемент, имеющий маску из кремне зема с заранее сформированными порами и сенсор для измерения й значений элек трического сопротивления чувствительного элемента на поверхности оксида метал ла в основном из SnO2. Газ подается на чувствительный элемент и измеряется зна чение электрического сопротивления чувствительного элемента.

38 US 2011/0169057 A1 - Gas Sensor Object: To provide a gas sensor having a self-diagnostic function with a simplified structure.

What is claimed is:

1) A gas sensor comprising:

a first field-effect transistor having a first gate insulation film;

a second field-effect transistor adjacent to the first field-effect transistor and having a second gate insulation film;

a first gate electrode on the first gate insulation film and comprising a catalytic metal that causes a dissociation response of hydrogen;

a second gate electrode on the second gate insulation film, the second gate electrode being coupled to the first gate electrode by wiring, the second gate electrode comprising a non-catalytic metal that does not cause dissociation response of hydrogen, the second gate electrode and the first gate electrode being used to detect hydrogen gas;

a single voltage applying unit configured to apply to the first gate electrode and the second gate electrode at least one of a direct-current voltage and an alternating-current voltage having a constant voltage difference;

and a differential amplifier configured to measure a differential between the first gate electrode and the second gate electrode, wherein the first field-effect transistor and the other field-effect transistor have same struc tures except that the first gate electrode comprises the catalytic metal and the second gate electrode comprises the non-catalytic metal, so as to compensate the differential between the first field-effect transistor and the second field-effect transistor measured by the differ ential amplifier;

2) the gas sensor according to claim 1, wherein a common ion conductive film is formed on the first gate electrode of the first field-effect transistor and the second gate electrode of the second field-effect transistor.

США 2011/0169057 A1 - Газовый сенсор.

Объект: газовый сенсор, имеющий функцию самодиагностики с упрощенной структурой.

Сущность изобретения: 1) газовый сенсор, включающий: первый полевой тран зистор с первым затвором из диэлектрической пленки;

второй полевой транзистор, прилегающий к первому полевому транзистору и, второй затвор из изоляционной пленки. Первый электрод затвора из каталитического металла, который вызывает реакцию диссоциации водорода;

второй электрод затвора соединен с первым элек тродом затвора проводником, второй электрод затвора включает некаталитический металл, который не приводит к диссоциации водорода, второй электрод затвора и первый электрод затвора используются для обнаружения газа водорода;

одинаковое переменное и постоянное напряжение прикладывается к первому и второму элек тродам затворов, дифференциальный усилитель определяет разницу потенциалов между первый и вторым электродами затворов, где первый и другие полевые тран зисторы имеют ту же структуру за исключением того, что первый электрод затвора состоит из каталитического металла, а второй электрод затвора состоит из некатали тического металла для компенсации разницы потенциалов между первым и вторым полевыми транзисторами, измеряемой дифференциальным усилителем;

2) газовый сенсор в соответствии с п.1, в котором общая пленка, проводящая ионы, образована на первом электроде затвора первого полевого транзистора и на втором электроде затвора второго полевого транзистора.

39 US 2011/0163353 A1 - Gas sensor Problem to be solved: a gas sensor having at least one gas-sensitive electrically con ductive layer having a surface region which can be brought into contact with a target gas and in which the work function depends on the concentration of the target gas in contact therewith. At least one electrical potential sensor is capacitively coupled to the surface re gion via an air gap. The surface region is structured by at least one recess in which a flat material element which is connected to the gas-sensitive layer in an electrically conductive manner is arranged, the material of the material element differing from that of the gas sensitive layer and comprising a metal and/or a metal-containing chemical compound.

США 2011/0163353 A1 - Газовый сенсор.

Сущность изобретения: газовый сенсор, имеющий хотя бы один газочувстви тельный электропроводящий слой с поверхностной области, который может быть приведен в контакт с газом, и свойства которого зависят от концентрации анализи руемого газа. По крайней мере, один электрический потенциал сенсора связан ем костью с поверхностной областью через воздушный зазор. Поверхностная область структурирована, по крайней мере, одна полость, в которой устроен плоский эле мент, связанный с газочувствительным слоем, отличающейся от газочувствитель ного слоя составом металла и / или металл содержащих химических соединений.

40 JP 2007271636 (A) - Gas detecting device and method Problem to be solved: to provide gas detecting technique capable of easily detecting the presence of a volatile organic compound of a low concentration of from several ppm to several ppb, at high sensitivity. ;

SOLUTION: A gas detecting device comprises a sen sor element having a heater layer for heating a gas detecting layer, which is formed by making an SnO2 film as the gas sensing layer, on the surface of the gas sensing layer on the support substrate of a diaphragm structure in which a thin film-like support film is supported by a supporting member, and then by making a selective combustion layer on the surface of the gas sensing layer;

an energizing and driving means for energizing and driving the heater layer so that the temperature of the gas sensing layer changes from the low-temperature state to the high-temperature state;

and a sensing section for detecting the presence of the volatile organic compound from the electric resistance value when the temperature of the gas sensing layer changes to the high-temperature state, in which, after starting energizing and driving, the volatile organic compound is detected by using the electric resistance value in the range of a predetermined elapsed time, in which the detec tion sensitivity of the gas sensing layer to the volatile organic compound is meaningfully obtained to air.

JP 2007271636 (А) - Устройство для обнаружения газов и способ.

Сущность изобретения: способ обнаружения газов с легкостью детектирую щий присутствие летучих органических соединений низкой концентрации от не скольких частей на миллион до нескольких частей на миллиард при высокой чув ствительности. Решение: устройство для обнаружения газа содержит чувстви тельный элемент, имеющий пленочный нагреватель для нагревания слоя, чувст вительного к газу на основе SnO2, на поверхности газочувствительного слоя под держивается подложка в виде диафрагмы, в которой тонкая пленка поддержива ется опорным элементом, а затем делают селективный слой на поверхности газо чувствительного слоя;

энергия подводится к нагревателю так, чтобы температура газочувствительного слоя изменялась от низкотемпературного состояния до высо котемпературного состояния, в которых газочувствительный элемент обнаружи вает присутствие летучих органических соединений за счет изменения электриче ского сопротивления.



Pages:     | 1 |   ...   | 10 | 11 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.