авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 18 |
-- [ Страница 1 ] --

Стратегия выбора

50 лет Киевскому

НИИ Микроприборов

(1962 - 2012)

Киев - 2012

Стратегия выбора

50 лет Киевскому

НИИ микроприборов

(1962-2012)

КИЕВ 2012

ББК 621.37 (09)

УДК 32.84 г (477.64)

С 82

Авторы очерков, воспоминаний и статей

Августимов В.Л., Белевский В.П., Бондарь В.Т., Вербицкий В.Г., Гудименко В.И.,

Жора В.Д., Заика А.И., Заика В.В., Захаров В.П., Зубашич В.Ф., Кононенко А.А., Кононенко Ю.Г., Копыл П.А., Ляшенко А.Ф., Мисюра А.В., Осинский В.И., Петин Ю.А.,Перевертайло В.Л., Попов В.М., Попов В.П., Рець В.К., Рева В.П., Саватьев В.А., Сидоренко В.П., Станиславский А.С., Темченко В.А., Фурманюк В.Н., Хцынский Н.И., Цымбалист Ю.И., Добролеж С.А.

Проект книги разработан, и книга подготовлена к изданию Ю.А.Петиным и В.П.Сидоренко.

Художественное оформление и верстка - Д.С.Мурченко Ответственный за издание - В.И.Корнейчук С 82 Стратегия выбора. – К.: «Корнiйчук», 2012.-528 с.

ISBN 978-966-7599-76- Книга «Стратегия выбора» - это сборник очерков истории Киевского научно исследовательского института (1962-2012 годы) и статьи, написанные ведущими учеными и специалистами - ветеранами института к его 50-летию.

В первой части книги кратко представлена хронология развития микроэлектроники в СССР и США, изложены основные сведения о развитии микроэлектроники в СССР в период с 1962 года и до ликвидации электронной отрасли промышленности как единого научно-промышленного комплекса советского государства. Об электронной промышленности УССР и развитии микроэлектроники в Украине, научно-производственном потенциале нашей страны в этой отрасли говорится в очерках «Электронная промышленность Украинской ССР» и «Микроэлектроника в Украине».

Основная часть книги - это очерки - воспоминания ветеранов института о становлении и развитии научно-производственной и проектно-конструкторской базы Киевского научно исследовательского института микроприборов, формировании его коллектива и основных направлений научно-производственной деятельности, образовании на базе НИИ и Киевского завода полупроводниковых приборов научно-производственного объединения «Кристалл», развитии основных направлений научно-производственной деятельности Киевского НИИ микроприборов в создании и организации промышленного выпуска интегральных схем, аппаратуры на их основе, разработках технологий производства различных классов изделий микроэлектроники, физико химических исследованиях в этой области, о работе института до начала экономического кризиса в стране. В книге дан анализ причин, приведших к утере КНИИМП своих позиций как одного из лидеров отечественной микроэлектроники.

В последней части книги приведены статьи ведущих ученых НИИ о современных направлениях работ КНИИМП в СВЧ-микроэлектронике, оптоэлектронике, в разработках новых приборов на основе различных полупроводниковых структур.

В книгу также включены некоторые публикации из других изданий, которые более полно раскрывают затронутую тему или позволяют сравнить то, что делалось у нас с тем, как это было в других странах.

ISBN 978-966-7599-76- 0132 78 24539       #      5 !"$ % 4(332)33*'52 +' ),5- 15.

&'7 17438*33 2 ) 738*  010$33 1   414 !

/ #1! "2 4! 54  63 #  3   217 " !"7 8 $ 9#:  3 !"  $ 4 #58 1 " !

##3180 !" / 06   14 ;

 "1!  $  60"= !6 ##" 0 5!  ?$4 @ 3$!"/# 14  "61! 3/ ;

  1  $ = "5#  # 3 5$  6 B 3 !8016 !"$A "= # !$ ## 4275!A# /# 1463 51$  C D0$06 3 6E1F46  0!"2 "!   2;

 # E4G4  1 !$0"!  3 6"0 3 "   1 ##3  3 4"1!

!$EFE G4 !#/#!G4 0:3;

$!=  " # 0" " "! =  $ !8#17 $ # !4A 8#"1  8 1 !"$   ;

 #  "6A8 0"   6 " 86 !1!0   " ! # 27 6 " C H :  !

 78#70 !83   6308! /   "2  4! !"808! 1  5/9#: 4 ! "4 A #;

 1  " !C I 1! " "4 "!

  # ED L 46EFEG JKMJN# Содержание К читателям книги………………………………………………………………………. Киевский НИИ микроприборов 1962-2012 годы…………………………………... Вступление……………………………………………………………………………… Часть первая. Параллельные миры…………………………………………………… 1. Хроника параллельных миров. Петин Ю.А., Сидоренко В.П………………………… 2. Последний проект. Петин Ю.А., Сидоренко В.П……………………………………... 3. Как разрабатывался проект. Малин Б.В………………………………………………….. 4. Электронная промышленность Украинской ССР Августимов В.Л…………………. 5. Микроэлектроника в Украине. Вербицкий В.Г.,Добролеж С.А., Петин Ю.А., Сидоренко В.П. ………….………………………………………………..….. Часть вторая. Становление и развитие научно-исследовательской и проектно конструкторской базы Киевского НИИ микроприборов………………..…………… 1. От КБ-3 до научно-производственного объединения «Кристалл».

Петин Ю.А., Сидоренко В.П…………………………………………………………………. 2. Взгляд в прошлое. Бондарь В.Т…………………………………………………………. 3. Так мы начинали… Кононенко А.А………………………………………………........ 4. Новая эра конструктора. Саватьев В.А……....………………………………………... 5. Геометрия микросхем. Рець В.К………………………………………………………… 6. Кирпичики из мозаики НИИ – завод. Ляшенко А.Ф………………………………….. 7. Вспомнилось это…Кононенко Ю.Г…………………………………………………….. 8. Как я входил в микроэлектронику. Воспоминания. Гудименко В.И…………….... 9. Когда мы были молоды… Белевский В.П., Захаров В.П., СидоренкоВ.П., Петин Ю.А., Хцынский Н.И., Цымбалист Ю.И…………………………………………….. Часть третья. Сделано в Киевском НИИ микроприборов………………………... 1. От ГИС до БИС и аналоговых ИС Саватьев В.А……………………………………. 1.1 Гибридно-пленочные микросхемы………………………………………………. 1.2 БИС аналогов микропроцессорных наборов……………………………………. 1.3 БИС контроллеров………………………………………………………………… 1.4 Аналоговые (линейные) схемы ………………………………………………….. 2. БИСовский забег……………………………………………………………………. 2.1 Каменный век нашей МОП – истории Петин Ю.А………………………………. 2.2. Первый круг Петин Ю.А., Сидоренко В.П………………………………………… 2.3. Записки Главного конструктора Сидоренко В.П…………………………………… 2.3.1.Мой путь в микроэлектронику ………………………………………………… 2.3.2 Память о «Памяти»……………………………………………………………… 2.4 По стопам фирмы «Интел» Заика А.И., Петин Ю.А., Темченко В.А………………. 2.5. Как разрабатывались первые микросхемы Intel Э. Волк, П.Штолль, П. Метрович……………………………………………………………………………………... 2.6. Проект «МАРС» Сидоренко В.П……………………………………………………… 3. Эволюция технологии аналоговых ИС Заика В.В……………………………………. 4. Аналоговые и дискретно-аналоговые интегральные схемы Попов В.П………….. 5. Приборы с зарядовой связью в Киевском НИИ микроприборов В.П.Рева………. 6. Аппаратура и микрокалькуляторы В.А.Саватьев……………………………….. ….. 7. Гибкие полимерные носители в микроэлектронике В.Д.Жора……………………. 8. Центр физико-химических исследований и высокоточных измерений Попов В.М……………………………………………………………………….. Часть четвертая. Перед закатом……………………………………………………. 1. Моё пятилетие в КНИИМП Зубашич В.Ф…………………………………………....... 2. Последний круг Мисюра А.В……………………………………………………………... 3. Закон Мура Петин Ю.А………………………………………………………………….. 4. Разрушение иллюзий Петин Ю.А., Сидоренко В.П …………………………….......... 5. Электроника на Эльбе и… на Днепре А.Рожен…………………………………….. 6. «На порозі інтелектуальної ізоляції» Інтерв’ю В. Августімова, Ю.Петіна. …... 5. Часть пятая. Второе дыхание…………………………………………………….. 1. C научно-техническим заделом прошлого - к новым перспективным разработкам в будущее ИМП. Вербицкий В.Г. ………….............................................. 2. СВЧ - интегральные схемы Сидоренко В.П., Попов В.П………………………………….......................................................................................... 3. В погоне за фотонами (исповедь технолога) Осинский В.И……………………….. 4. «Новая игра: проиграй миллиард или Полупроводники - надежда из - под глыб»

Интервью В.Ревы, Ф.Сизова………………………………………………………….. 5. С опытом прошлых лет в новый век. В.П.Сидоренко………………………………… 6. Разработка фотоприемных интегральных систем, детекторов высокоэнергетичных -, -, - рентгеновских излучений и интегральной считывающей электроники Перевертайло В.Л……………………………………………………………………………. 7. Украина в мире информационно-компьютерных технологий. Рейтинги и оценки………………………………………………………………………………….. Заключение…………………………………………………………………………… Приложение Сотрудники НИИ, которых вспомнили авторы очерков и воспоминаний………………………………………………………………………….. Сведения об авторах……………………………………………...……………………. К читателям книги Идея создания очерков истории нашего института и развития микроэлектроники в Украине неоднократно возникала у ветеранов НИИ.

Эту идею мы решили воплотить в жизнь после многочисленных публикаций, прежде всего в России, ряда статей об истории микроэлектроники в СССР. К сожалению, в них практически не отражался тот вклад, который внесли научные организации и промышленные предприятия Украины в выполнение государственных программ развития микроэлектроники в Советском Союзе.

Поэтому мы с большим желанием поддержали предложение главного редактора научно-технического сборника «Очерки истории российской электроники», работавшего начальником Главного научно-технического управления МЭП СССР В.М.Пролейко предоставить материалы о развитии полупроводниковой техники и микроэлектроники в Украине. Так появились статьи в первом выпуске сборника «60 лет отечественному транзистору» (2009 год) «Полупроводниковая техника и микроэлектроника в Украине» В.Г.Вербицкого, С.А.Добролежа, Ю.А.Петина, В.П.Сидоренко, «Эпизоды становления украинской электронной промышленности» А.Ф.Ляшенко, а затем В.Л.Августимова «Электронная промышленность Украинской ССР», опубликованная во втором выпуске сборника «Электронная промышленность СССР. 1961-1985. К 100-летию А.И.Шокина».

Откликнулся на предложение и член-корреспондент Национальной академии Наук В.Г Литовченко, предложив статью «Роль украинских ученых в развитии физических принципов микроэлектроники».

Наше обращение к коллегам о подготовке книги по истории нашего института к его 50 - летию нашло хорошую поддержку у большинства, об этом говорит и состав авторского коллектива.

Традиционно принято для таких изданий создавать редакционную коллегию.

Но мы не пошли по этому пути. Коллективное редактирование издания могло привести к определенному «усреднению» взглядов и оценок событий в нашей истории, и, возможно, переработке очерков.

Мы просили авторов: вспомнить, как проходило становление института, развитие его научно-производственной деятельности, роли их коллективов в этом и постараться не забыть тех специалистов, кто внес в это по мере своих сил вклад и создал технику, которой могла гордиться страна.

Мы ничего не изменили в фактах и взглядах на события в представленных авторами очерках. Только в некоторые очерки были включены дополнительно воспоминания их коллег.

Мы благодарны авторам очерков и надеемся, что память о людях, которых они вспомнили, надолго сохранится в кругу их друзей, коллег и в их семьях.

Для своей страны и её обороноспособности специалисты нашего НИИ сделали многое, несмотря на огромные трудности, которые им пришлось преодолеть.

Ю.А.Петин В.П.Сидоренко «Чтобы сделать новый шаг вперёд, необходимо тщательно переосмыслить прошлое».

В.П.Горбулин, учёный, государственный деятель Украины.

«Без права на покаяние»

«Советский Союз ушёл в прошлое.

Мы живем теперь в другой стране, где все стало другим и приоритеты, и условия жизни людей, и проблемы.

Но строя новую жизнь, не следует забывать о своем прошлом. Хотя бы для того, чтобы правильно оценить настоящее».

Э.Г.Карпов, лауреат Ленинской премии, главный инженер ЦКБ морской техники «Рубин», «Я вырос в Советском Союзе»

Киевский НИИ микроприборов 1962 – 2012 годы Даты истории Киевского НИИ микроприборов и его основные научно-производственные достижения Октябрь 1962 года – по решению Государственного комитета электронной техники СССР (позже Министерство электронной промышленности) принято решение о создании в Киеве конструкторского бюро (КБ-3). Специализация КБ -3 микроминиатюризация радиолокационной аппаратуры.

1964 год - изготовлены первые гибридные микросхемы по тонкопленочной технологии. Начато их опытное производство.

1965-1967 годы – выполнены первые опытно-конструкторские работы по созданию аппаратуры на гибридных микросхемах 1964 - 1965 годы - начато освоение территории, выделенной КБ-3 на Нивках, и строительство новых корпусов КБ.

1965 год – в КБ-3 изготовлены первые образцы МОП - транзистора 1966 год - введен в эксплуатацию новый лабораторный корпус на Нивках 1966 год - приказом Министра определена специализация предприятий по направлениям в области развития полевых транзисторов и интегральных схем на основе МОП - структур в т.ч. КБ-3 - разработка интегральных схем на МОП структурах для линейной техники;

Сентябрь 1966 года - КБ-3 преобразовано в Киевский НИИ микроприборов с опытным заводом.

1967 год - на опытном заводе НИИ создан цех по производству интегральных схем по планарной технологии 1969 год - начато строительство трех корпусов для опытного завода и административного корпуса.

1970 год - три корпуса опытного завода были введены в строй.

1967-1970 годы - в НИИ разработаны первые МОП - интегральные схемы для вычислительной техники.

Начало 70-х годов - выполнены первые в НИИ опытно-конструкторские работы на основе планарно-эпитаксиальной технологии по разработке интегральных схем ИС операционных усилителей, аналоговых перемножителей сигналов, ИС для бытовой техники, бескорпусных ИС операционных усилителей.

1970 год - на опытном заводе НИИ начато производство МОП - интегральных схем.

1970 год – создано научно-производственное объединение «Кристалл».

Киевский НИИ микроприборов – головное предприятие Объединения. Опытный завод НИИ входит в состав объединения как самостоятельное предприятие и на основе его цехов и завода «Квазар» на серийном заводе создаются цеха по производству биполярных и МОП интегральных схем.

1971 - 1972 - разработаны первые серии МОП БИС для ЭКВМ и управляющих систем.

1972 год - в НПО «Кристалл» было начато производство МОП - БИС, и на их основе микрокалькуляторов.

1972 год – разработаны первые в НИИ МОП-БИС (большие интегральные схемы) серии К145 и на их основе создан первый отечественный микрокалькулятор «Электроника 4-71Б»

1972 год - начато крупносерийное производство МОП - интегральных схем для ЭКВМ и управляющих систем.

1973 год - создано машиностроительное производство в составе двух отделов по разработке контрольно-измерительных установок, трех конструкторских бюро по разработке нестандартного спецтехнологического оборудования и экспериментального цеха.

70-е годы - Киевский НИИ микроприборов становится соисполнителем комплексных целевых программ создания БИС ЗУ («Память»), микропроцессоров («Микропроцессор»), операционных усилителей («Операция») Министерства электронной промышленности.

1973 год - разработан первый тип БИС для однокристальных карманных калькуляторов.

1973 год – разработаны первые МОП БИС ПЗУ (информационная емкость Кбит) и ОЗУ (информационная емкость 1 Кбит).

1974 год - в НПО «Кристалл» (завод «Квазар» - производство БИС, завод «Калькулятор» в г. Светловодске - производство калькуляторов) начато промышленное производство микрокалькуляторов карманного типа различного назначения серии МК.

1975 год – разработана технология р - канальных МОП – БИС с поликремниевым затвором.

1975-1976 годы - разработана первая серия твердотельных микросхем операционных и дифференциальных усилителей.

середина 1975 года - Киевское научно-производственное объединение «Кристалл» преобразовано в производственно-техническое объединение «Кристалл»

с головной организацией объединения заводом «Квазар». Киевский НИИ без опытного завода входит в его состав.

1977 год - Киевское производственно-техническое объединение «Кристалл»

преобразовано в производственное.

1977 год – разработаны первые БИС МНОП РПЗУ с электрической перезаписью информации.

1977 год – разработана технология n – канальных МОП БИС.

- разработаны первые БИС 8 - разрядного 1976 - 1978 годы микропроцессорного комплекта. Начато серийное производство на заводе «Квазар».

1978 год – разработаны первые БИС энергонезависимых перепрограммируемых ПЗУ с УФ стиранием информации (емкость 2 Кбит).

1978 год - в МЭП принято решение о создании в Киевском НИИ микроприборов отраслевого регионального центра физико-химических исследований и высокоточных измерений (ЦФХИВИ).

1978 – 1980 годы - переход НИИ к структуре управления научно исследовательское отделение - отдел – лаборатория Конец 70- х - начало 80- х годов - в НИИ разработана технология изготовления интегральных схем на основе ДИКЭД - структур.

1980 – 1982 годы - разработана БИС - 16-ти разрядного однокристального микропроцессора.

разработаны первые МОП БИС энергонезависимых 1982 год перепрограммируемых ПЗУ с электрической перезаписью информации.

1983 – 1985 годы - разработан базовый вариант микро ЭВМ «Электроника К1 10».

1985 – 1986 годы - разработана первая МОП БИС однокристальных микро ЭВМ.

1985 – 1986 годы - разработана персональная ЭВМ «Электроника МС1502» и начато ее серийное производство на заводе «Континент» в г. Зеленодольске.

1976 – 1988 годы - создание и развитие в НИИ системы автоматизированного проектирования МОП – БИС.

1978 – 1982 годы - разработаны и начато производство - Базовый 8-разрядный микропроцессорный комплект (7БИС) в пластмассовых корпусах КР580 и первая очередь комплекта 580 для спецприменения;

- БИС ПЗУ информационной емкостью 16, 64, 128 кбит, ПЗУ 16 кбит для спецприменения;

- БИС энергонезависимых РПЗУ информационной емкостью 4, 16 кбит для общепромышленного и спецприменения;

- ИС операционных усилителей и аналоговых перемножителей сигналов (140УД12, 140УД14, 140УД20, 1408УД1, 525ПС1, 525ПС2;

- ИС аналоговых линий задержек, динамических фильтров и фильтров корреляторов на приборах с зарядовой связью (ПЗС);

- ИС многоканальных коммутаторов, в том числе в бескорпусном исполнении и на основе структур кремний на сапфире (КНС);

- ИС для стереомагнитофонов (9 типов);

- БИС для микрокалькуляторов различного назначения и на их основе ЭКВМ:

Электроника Б3-14К;

Б3-32;

Б3-34;

МК-43;

МК- 46;

МК-47;

МК-48;

МК-54;

- Микро-ЭВМ «Электроника К1-10», «Электроника К1-20» и микро-ЭВМ специализированного медицинского кардиометра «Электроника К1-КМ»;

- разработаны и внедрены промышленная технология изготовления интегральных схем на основе ДИКЭД - структур, новые технологические процессы:

нанесение пленок нитрида кремния и поликремния в реакторах пониженного давления;

плазмохимическое травление пленок;

сборка микросхем в бескорпусном исполнении на основе гибких носителей;

сборка микросхем с применением ультрадисперсных сред.

1983 – 1987 годы - разработаны и начато производство - Базовый 16-разрядный микропроцессорный комплект и сопроцессоры (К1810);

- Семейство 8-разрядных однокристальных ЭВМ, в том числе выполненных по КМОП - технологии - БИС - контроллеры ПДП и НГМД;

- БИС РПЗУ с УФ-стиранием информационной емкостью 16, 64, 256 кбит;

- БИС энергонезависимые РПЗУ с электрической перезаписью информации емкостью 4, 16, 64 кбит;

- ряд новых ИС операционных усилителей, в т.ч. радиационностойких, и аналоговых перемножителей сигналов, ИС аналоговых линий задержек, динамических фильтров и фильтров-корреляторов на приборах с зарядовой связью (ПЗС);

- ряд ИС для высококачественной магнитной записи;

- разработаны и внедрены: технология производства МОП-БИС на n-канальных МОП - транзисторах с пропорциональным масштабированием размеров элементов;

технология производства МОП СБИС на n-канальных МОП -транзисторах с «плавающим» затвором;

комбинированная технология аналоговых СБИС (комплементарные биполярные транзисторы, р - канальный МОП - транзистор, прецизионный полевой транзистор);

универсальная технология аналоговых СБИС, содержащих различные блоки на одном кристалле (комплементарные биполярные и МОП- транзисторы, супер - транзисторы, прецизионный полевой транзистор);

КМОП - технология с n-карманом и поликремниевым затвором для цифровых и аналоговых СБИС;

конструкция и технология сборки БИС, микроэлектронной аппаратуры на гибком носителе.

Вторая половина 80-х годов - создание в объединении на базе научно исследовательских отделов НИИ и цехов завода «Квазар» научно-производственных комплексов (НПК): НПК фотошаблонов, НПК «Микропроцессор», НПК «Память», НПК «Операционные усилители»

Конец 80-х годов - на базе отдела 400 и цехов №№ 3 и 10 завода «Квазар»

создан НПК по разработке и производству ИС прецизионных ОУ.

1988 год – заводом «Квазар» с участием НИИ начато производство интегральных схем операционных усилителей на основе КСДИ и ДИКЭД – структур.

Вторая половина 80-х годов – начаты работы по созданию МОП-СБИС ПЗУ 1 Мбит и 32 разрядного микропроцессора.

Конец 80-х годов – разработаны 3 из 4 - х КМОП СБИС 32 – разрядного микропроцессорного набора для системы "МАРС-Т" с транспьютерно - подобной организацией.

1988 год - создано научно-производственное объединение «Микропроцессор».

В состав объединения включены ПО «Кристалл», ПО «Гамма», концерн «Родон», ПО «Гравитон», завод «Прометей» - основные производители изделий микроэлектроники в Украине. КНИИМП вошел в объединение в составе ПО «Кристалл».

1992 год - НПО «Микропроцессор» ликвидировано как организационная структура управления. Киевский НИИ микроприборов стал самостоятельным предприятием с подчинением Министерству машиностроения и конверсии военно промышленного комплекса Украины, после реорганизации министерства Министерству промышленной политики Украины.

2004 год - Киевский НИИ микроприборов выведен из подчинения Министерства промышленной политики и введен в состав НТК «Институт монокристаллов» Национальной Академии Наук Украины как государственное предприятие Научно-исследовательский институт микроприборов. (Приказ Национальной академии наук Украины и Министерства промышленной политики Украины № 98/135 от 24.03.2004 г) 2004 – 2011 годы - Выполнение работ по государственным программам Украины и договорам. Государственные научно-технические программы:

- «Развитие микро- и оптоэлектронных технологий в Украине в 2005- годы»;

- «Разработка и внедрение энергосберегающих светодиодных источников света и осветительных систем на их основе на 2009-2013 годы»;

- «Разработка и освоение микроэлектронных технологий, организация серийного выпуска приборов и систем на их основе на 2008-2011 годы».

- Программа научного приборостроения НАН Украины. 2009 год.

Моралев С.А Борисенко В.Д. Пахомов П.Ф. Кондратенко М.Ф.

Ефимова З.Ф. Саватьева Л.А. Апреленко И.П. Апреленко Г.П.

Кибальчич В.И. Яровой С.И. Пасеков Л.П. Еленевский Ю.М.

Хцынский Н.И. Станиславский А.С. Захаров В.П. Белевский В.П.

Косенков А.С. Чугаев В.И. Борякин А. Лукаш А.Е.

Солдатенко Р.Г. Бондарь В.Т. Саватьев В.А. Максимов А.А.

Жерихин А.Г. Козорез И.С. Семененко В.Г. Потапенко И.А.

Балай Б.А. Бондаренко В.А. Сталоверов В.П. Ткаченко Ю.И.

Чичко А.А. Заика А.И.

Фото - 1963 года. Они внесли достойный вклад в развитие института и его научно-технические достижения. Это далеко не все, кто был среди первых сотрудников НИИ - о них в очерках - воспоминаниях представленных авторами.

Руководители Киевского НИИ микроприборов Станислав Алексеевич Моралёв - первый директор Киевского НИИ микроприборов, генеральный директор НПО «Кристалл», - 1962-1975 годы, организатор микроэлектронной промышленности в Украине, кандидат технических наук, Зубашич Владимир Федорович, директор НИИ, кандидат технических наук, лауреат государственных премий СССР и Украины, - 1976 -1982 годы Цыба Виктор Иванович, генеральный директор ПО «Кристалл», директор НИИ, 1980 - 1984 годы Дяденко Николай Степанович, генеральный директор ПО «Кристалл», директор НИИ, 1985 -1990 годы Августимов Виталий Леонидович, генеральный директор НПО «Микропроцессор», директор НИИ, кандидат технических наук, - 1988 – 1992 годы Цуканов Лев Николаевич, директор НИИ, кандидат технических наук, 1992 1995 годы Вербицкий Владимир Григорьевич, директор НИИ, доктор технических наук, лауреат Государственной премии Украины, с 1995 г. по настоящее время.

Борисенко Виктор Дмитриевич, главный инженер КБ-3, Киевского НИИ микроприборов, 1962-1965 годы.

Кролевец Константин Михайлович, кандидат технических наук, заместитель директора Киевского НИИ микроприборов по науке, 1965 - 1974 годы, и.о.директора НИИ 1974 – 1976 годы Тимофеев Валентин Юрьевич, главный инженер НПО «Кристалл», главный инженер Киевского НИИ микроприборов 1970 – 1974 годы.

Косенков Александр Степанович, главный инженер Киевского НИИ микроприборов, кандидат технических наук, 1976-1982 годы.

Цуканов Лев Николаевич - главный инженер Киевского НИИ микроприборов, кандидат технических наук, 1982 - 1992 годы.

Основные направления научных исследований и разработок Киевского НИИ микроприборов и их научные руководители в 1962 -2012 годы Электровакуумные процессы нанесения тонких пленок и исследования их свойств. А.М.Корнев, А.С.Косенков, В.П.Белевский.

Процессы кристаллизации в тонких полупроводниковых пленках.

В.П.Захаров Полевые тонкопленочные транзисторы на основе CdS и CdSe. В.В.Заика, С.П.Фабриков.

Тонкопленочные средства отображения информации А.А.Вдовенков.

Приборы на основе эффекта Ганна. Ю.А.Цвирко.

Исследования и применение приборов на основе МДП-структур в интегральных схемах, исследование электрофизических характеристик структур металл-диэлектрик -полупроводник (МДП-электроника): Ю.А.Петин, Ю.П.Деркач, К.М.Кролевец, Н.И.Хцынский, В.П.Сидоренко, О.С.Фролов.

Гибридные интегральные схемы. В.И.Кибальчич, Г.П.Апреленко, А.М.Корнев, В.П.Белевский, В.А.Саватьев.

Технологии МДП, биполярных и би-МОП интегральных схем.

К.М.Кролевец, Ю.А.Петин, Ю.А.Верницкий, В.В.Заика, В.Е.Устилко, Ю.П.Троценко. Ю.П.Медведев, А.В.Мисюра.

Интегральные схемы на МДП-транзисторах для вычислительной техники и систем управления. В.И.Кибальчич, В.П.Сидоренко, А.В.Кобылинский.

Автоматизация расчетов МОП-ИС. С.А.Моралев, В.Табарный.

Автоматизация проектирования ИС и МОП-БИС (САПР). В.А.Саватьев.

Автоматизация изготовления фотошаблонов. В.К.Рець.

Интегральные схемы для аналоговой техники. В.В.Заика, И.П.Керекеснер, В.С. Рысин, В.Н.Тимонтеев, В.А.Ткаченко.

Аналоговые и дискретно-аналоговые ИС. В.П.Попов, Рыжов В.А.

Интегральные схемы для бытовой аппаратуры. Г.П.Апреленко, П.А.Копыл, В.П.Рева.

МОП-интегральные схемы коммутаторов аналоговых сигналов.

В.И.Золотаревский Аппаратура на основе интегральных схем, разработанных в НИИ.

В.И.Кибальчич, Г.П.Апреленко, А.А.Мартынюк, Ю.И.Цымбалист, С.И.Яровой, М.А.Панков, В.А.Саватьев, В.Ф.Зубашич.

Микрокалькуляторы. С.А.Моралев, В.П.Сидоренко, В.А.Саватьев, В.П.Захаров.

Биосенсоры на основе МДП-структур. О.С.Фролов СВЧ-интегральные схемы. В.П.Сидоренко, В.П.Попов.

Оптоэлектронные приборы на основе многокомпонентных структур.

В.И.Осинский.

ПЗС приборы для инфракрасной техники. В.П.Рева.

МОП-БИС для аналитического приборостроения. В.П.Сидоренко Фотоприемные интегральные системы, детекторы высокоэнергетичных -, - рентгеновских излучений и интегральной считывающей электроники Перевертайло В.Л.

Главные конструктора направлений, главные конструктора разработок ИЭТ и аппаратуры в Киевском НИИ микроприборов БИС запоминающих устройств на МДП - элементах - В.П.Сидоренко главный конструктор МЭП по направлению энергонезависимые перепрограммирумые ЗУ, руководитель разработок ИС в НИИ по комплексной целевой программе МЭП «Память», главный конструктор направления НИИ.

Микропроцессорные средства вычислительной техники А.В.Кобылинский, руководитель разработок микропроцессорных комплектов в НИИ по комплексной целевой программе МЭП «Микропроцессорные средства вычислительной техники», главный конструктор направления НИИ.

Операционные усилители и перемножители аналоговых сигналов В.А.Ткаченко, руководитель разработок ИС в НИИ по комплексной целевой программе МЭП «Операция», главный конструктор направления в НИИ, В.В.Заика руководитель ряда НИОКР.

Аналоговые и дискретно-аналоговые ИС – В.А.Рыжов Радиационностойкие интегральные схемы - В.В.Заика Интегральные схемы на основе приборов с зарядовой связью - В.П.Попов, В.П.Рева САПР МОП-БИС – В.А.Саватьев ИС для бытовой аппаратуры - Г.П.Апреленко, П.А.Копыл, В.П.Рева Микрокалькуляторы - В.П.Захаров, главный конструктор направления в НИИ.

Микро-ЭВМ и персональные ЭВМ. - А.К.Тесленко, Саватьев В.А.

Спецаппаратура - Ю.И.Цымбалист.

Руководители работ в Киевском НИИ микроприборов по созданию промышленных технологий производства интегральных схем Технологии гибридных ИС - А.М.Корнев, Косенков А.С., В.П.Белевский.

Электронно-ионные технологические процессы в производстве ИС В.П.Белевский, главный технолог МЭП по технологическому направлению.

Технологии производства МОП ИС и БИС - К.М.Кролевец, Ю.А.Петин, Ю.П.Троценко, Ю.П.Медведев, А.В.Мисюра.

Технологии производства аналоговых ИС - В.В.Заика, В.Е.Устилко.

Технологии ИС на основе КСДИ и ДИКЭД - структур - В.В.Заика.

Технология производства фотошаблонов для изготовления БИС В.К.Рець.

Технологии сборки ИС и БИС - В.А. Дуболазов, А.Г.Шеревеня.

Руководители научно - исследовательских отделений Киевского НИИ микроприборов НИО-1 – спецаппаратура - Ю.И.Цымбалист, Л.В.Хороших;

НИО-2 – разработка и изготовление фотошаблонов - В.К.Рець;

НИО-3 - технология интегральных схем - К.М.Кролевец, Ю.П.Медведев, Ю.Г.Кононенко;

НИО-4 - разработка интегральных схем, НИО - главных конструкторов направлений - В.И.Кибальчич - зам. главного инженера НИИ;

НИО-5 - приборостроение - Ю.Г.Клещев, Л.В.Хороших, В.Казарцев;

НИО-6 - контрольно – измерительная аппаратура и испытательное оборудование - В.В.Горин;

НИО-8 - САПР - В.А.Саватьев, В.В.Бобовский;

НИО-9 - Центр физико-химических исследований и высокоточных измерений С.А.Добролеж.

Руководители научно - производственных комплексов (НПК) НПК фотошаблонов - начальник НИО В.К.Рець.

НПК «Микропроцессор» - главный конструктор направления - начальник отдела НИИ А.В.Кобылинский.

НПК «Память» - главный конструктор направления - начальник отдела НИИ В.П.Сидоренко.

НПК «Операционные усилители» - главный конструктор направления начальник отдела В.А.Ткаченко.

НПК «Разработка и производство прецизионных операционных усилителей» - начальник отдела В.В.Заика.

Вступление Музыка жизни умолкнет, если оборвать струны воспоминаний.

Дж.К. Джером Ушедший в прошлое ХХ век был эпохой развития ракетной техники, авиации, атомной энергетики и электроники. В памяти нашего поколения остались первый спутник, первые полеты человека в космос, первые шаги человека на Луне, полеты к Марсу и дальше, за пределы нашей планетной системы, строительство атомных электростанций во всех промышленно развитых странах как основы будущей мировой энергетики. Сверхзвуковые скорости самолетов, огромные воздушные грузовики «Руслан» и «Мрія», трансконтинентальные авиа-Титаники - пассажирские лайнеры Боинги и Аэробусы – это достижения авиация. И в то же время - атомные бомбардировки Хиросимы и Нагасаки, сообщения об очередных испытаниях атомных и водородных бомб, создание новых систем противоракетной обороны, полеты неуловимых для радаров самолетов «стелc», … и войны, войны - локальные и в Корее, Вьетнаме, Персидском заливе, - и Карибский кризис, поставивший мир на грань мировой ядерной войны.

Такой была для нашего поколения вторая половина двадцатого века. С одной стороны научно-техническая революция открывала перед человечеством дорогу в космос и новым неведомым еще горизонтам его развития на Земле, с другой – постоянная угроза самоуничтожения.

Тайны айсбергов ракетно-космической техники и ракетно-ядерного вооружения, систем противоракетной обороны были скрыты в глубинах военно промышленных комплексов великих держав - СССР и США.

Советские ученые создали мощный ракетно-ядерный щит над своей страной.

Но под этим щитом было скрыто серьезное отставание в электронном оснащении летательных аппаратов и систем противоракетной обороны. Все радиоэлектронное оборудование советского производства, с которым США пришлось иметь дело во Вьетнаме, Корее, было еще на радиолампах. Первый спутник Земли, запущенный в СССР, передавал лишь радиосигнал «бип-бип…». Свой спутник «Эксплорер-1»

США вывели на орбиту на четыре месяца позже. По весу он был значительно меньше. Но зато, в отличие от первого советского спутника, "Эксплорер-1" нес различные датчики, счетчик Гейгера-Мюллера для регистрации проникающих космических лучей, два передатчика на частотах 108 МГц (10 мВт) и 108,03 МГц ( мВт), две щелевые антенны и одна турникетная антенна из 4-х гибких вибраторов длиной 55,9 см, а также ртутные батареи. Данные, регистрируемые этими приборами, записывались на миниатюрный магнитофон и передавались на Землю при проходе над наземными пунктами слежения. Отличие американского спутника от нашего, как видно, состояло в широком применении микроминиатюризации в его аппаратуре, что при меньшем весе и объеме аппаратуры позволило разместить больше приборов и датчиков. Благодаря этой аппаратуре были открыты радиационные пояса Земли (пояс Ван-Аллена).

Во второй половине ХХ века становилось все очевиднее, что успехи в военно техническом противостоянии двух великих держав будут зависеть от электронной промышленности.

Начиная с шестидесятых годов, ведущим направлением в развитии бортовой аппаратуры летательных аппаратов становилась микроэлектроника.

В 1980 году Министерство обороны США оценивало возможности советских космических аппаратов таким образом: «70% советских космических систем выполняют военные функции, 15% - функции двойного назначения, и лишь 15% — чисто гражданские. Общий вес космических аппаратов, выведенных на орбиту Советским Союзом, составляет 600 тыс. фунтов (около 280 тонн) - в десять раз больше, чем у США. Однако это не очень важный показатель, поскольку США используют миниатюрные спутники, благодаря лучшему качеству используемой в них микроэлектроники».

Замена радиоламп на полупроводники давала возможность успешно решать вопросы, связанные с надежностью радиоаппаратуры и её микроминиатюризации.

Теперь вычислительная техника и радиолокационная аппаратура могли размещаться на борту самолетов, ракет и космических летательных аппаратов.

Представление о реальном уровне советской военной техники американская разведка смогла получить лишь после распада СССР и развала его контрразведывательных служб. Многие данные о предприятиях военно промышленного комплекса были раскрыты в ходе их приватизации и при реализации программ конверсии, что делалось часто с целью привлечения иностранных инвестиций.

Научно-исследовательские институты, разрабатывающие изделия микроэлектроники, и заводы, их выпускавшие, входили в оборонно-промышленный комплекс СССР. Их достижения относились к государственным секретам. Поэтому даже многие специалисты очень мало знали о достижениях советских НИИ в этой области.

Точно также технологические секреты создания и особенности проектирования изделий микроэлектроники западные фирмы не стремились сделать достоянием ученых конкурирующих в военно-технической сфере держав.

Определенную информацию о результатах работ фирм США можно было получить из некоторых научных журналов, образцов техники, которые поступали в НИИ различными путями, в том числе по спецканалам.

Вполне естественно о развитии микроэлектроники в СССР и Украине очень редко писали журналисты. Если просмотреть центральные и республиканские газеты семидесятых - восьмидесятых годов редко можно найти в них информацию о предприятиях электронной промышленности. Это формировало в украинском обществе и у политической элиты страны искаженное представление о научно техническом потенциале Украины в области высоких технологий.

В то же время в американских средствах массовой информации превосходство США в электронике над Советским Союзом считалось абсолютным и составляло особую гордость американцев.

Советское руководство не могло не сделать в такой ситуации ответный шаг. И осенью 1979 года впервые на выставке достижений народного хозяйства СССР были представлены результаты работы отечественной микроэлектроники в виде разнообразных образцов продукции. Занавес секретности был приоткрыт.

А через полтора года на ХХVI съезде КПСС министр электронной промышленности А.И.Шокин очень оптимистично оценил состояние и перспективы развития советской электронной промышленности. Мы приведем здесь довольно пространную выдержку из выступления министра, чтобы читатели лучше могли представить с какой гордостью могли относиться в те годы сотрудники предприятий электронной промышленности к результатам своего напряженного труда.

«За годы пятилетки объем производства резко увеличен… Существенно повысился технический уровень электронной техники. Много сделано для сокращения сроков разработки и освоения новых изделий, для повышения качества выпускаемой продукции. Один характерный штрих. В начале пятилетки американцы писали, что в микроэлектронике мы отстаем от них на 8 лет. Изучив в 1979 году несколько образцов наших схем, американцы оценили это отставание в 2-2,5 года.

Переданные образцы были взяты из серийного выпуска. 1981 январский номер американского журнала "Электроникс", а он очень авторитетен в этой области, уже отмечает, цитирую: "технологическая база и квалификация технологов позволяют Советскому Союзу изготавливать интегральные схемы почти такого же качества, что и в США". И далее резюме: "вероятно, полученные схемы не отражают наивысший технический уровень Советского Союза в этой области. Интегральные схемы, применяемые в СССР для собственных нужд, могут быть технически более совершенны". У нас нет оснований отрицать такие выводы. Наша отрасль создала собственное, высококвалифицированное электронное машиностроение, и на его базе мы провели полное техническое перевооружение всех наших предприятий и институтов. Все наши заводы оснащены совершенным современным отечественным оборудованием.

В одиннадцатой пятилетке электронная промышленность изготовит миллионы микропроцессоров и десятки тысяч микро - и мини ЭВМ, которые должны оказать революционизирующее воздействие на многие отрасли народного хозяйства".

("Правда"27. 02. 81. № 58(22854).

Сказанное в полной мере относилось и к электронной промышленности Украины 80-х годов, поскольку основной потенциал электронной промышленности бывшего СССР был сконцентрирован в России, Украине и Белоруссии.

Украина была одной из немногих в мире стран, имевших собственное производство кристаллов интегральных схем и весь цикл изготовления чистых металлов, необходимых для микроэлектроники.

На передовых позициях в развитии микроэлектроники в СССР был Киевский научно-исследовательский институт микроприборов.

Его прошлое начинается с создания в Киеве конструкторского бюро №3 в году в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров о развитии микроэлектроники в Советском Союзе.

За прошедшие с того времени полвека достижения микроэлектроники стали так велики, что её применение уже не ограничивается только использованием в военной технике и промышленности. Микроэлектроника удивила мир созданием и промышленным выпуском персональных компьютеров, мобильных телефонов, цифровым телевидением, спутниковыми системами связи и безопасности, домашними кинотеатрами, и, наконец, общедоступной информационной системой общения - всемирной сетью Интернет. Появление Интернета - мирового информационного поля - ускоряет и углубляет процесс компьютеризации общества.

Уже многие десятилетия состояние микроэлектроники в передовых странах является показателем научно-технического прогресса, экономической мощи, обороноспособности, информационного комфорта общества.

После обретения государственной независимости в Украине не было проявлено должной политической воли к сохранению её огромного научно технического потенциала и созданию условий для его использования в новых условиях.

Уже в первое десятилетие государственной независимости была практически полностью разрушена научно-промышленная база высокотехнологичных предприятий, которыми гордилась Украина.

В стране ничего не было сделано, чтобы использовать опыт стран Европы и юго-восточной Азии в развитии современной электронной промышленности.

Память о достижениях микроэлектроники в нашей стране и ее гибели еще долго будет беспокоить тех, кто ее создавал и стремился вывести её на мировой уровень.

Окунувшись в 60-90 годы прошлого века, мы хотели, чтобы в памяти будущих поколений сохранился этот полувековой фрагмент истории развития высоких технологий в Украине. Мы хотели бы, чтобы наши потомки дольше помнили тех, кто своим трудом вносил посильную долю в укрепление обороноспособности великой страны и стремился к достижению больших целей в развитии новой техники.

И, что важно, мы хотели сказать правду о том, что нас вдохновляло в лучшие годы нашей жизни, и с какими проблемами мы столкнулись, когда наши цели в развитии будущих высоких технологий, вошли в противоречие с сиюминутными интересами правящей элиты страны и некоторых руководителей предприятий.

К сожалению, постепенно становится всё тоньше связь нашего поколения с теми, кто примет от нас эстафету. Но мы еще надеемся, что они ищут свой путь в мире высоких технологий, и найдут его для Украины.

Задумав подготовить к 50-летию Киевского НИИ микроприборов очерки его истории, мы стремились показать, как решались задачи, поставленные перед ним, в общем русле противостояния США и СССР в сфере создания новой электронной техники, показать значение работ НИИ в обеспечении технического уровня советской микроэлектроники в определенных её направлениях.

В подготовке книги приняли участие многие ученые-ветераны НИИ, предложив свои очерки-воспоминания. Мы стремились максимально сохранить личностное восприятие того времени авторами очерков. Думаем, что публикация некоторых заметок, воспоминаний, изданных в прошлом, цитирование отдельных выступлений руководителей подразделений института позволило нам более полно передать взгляд на происходившее без переоценок, вносимых временем. В книгу также включены некоторые публикации из других изданий, которые более полно раскрывают затронутую тему или позволяют сравнить то, что делалось у нас, с тем, как это было в других странах.

К сожалению, некоторые сферы научно - производственной деятельности института освещены мало или совсем не затронуты (разработка контрольно измерительной и испытательной аппаратуры, работа ОКБ машиностроения, разработка технологии сборки ИС в пластмассовых корпусах и бескорпусных ИС, проектирование ИС по программе «Операция» и результаты её выполнения). По этим направлениям не упомянуты многие имена специалистов, заслуживших того, чтобы об их вкладе в работы института, знали и помнили.

Причин тому несколько. Практически не сохранились научные архивы, прежде всего научно-технического отдела и ученого секретаря института. Многие из тех, кто мог вспомнить о своих коллегах, уже ушли из жизни. Кое-кто из тех, кто стали в институте известными специалистами в области разработки технологии и проектирования интегральных схем, отказались от участия в нашем проекте.

Книга состоит из пяти частей.

В первой части книги кратко представлена хронология развития микроэлектроники в СССР и США («Хроника параллельных миров»). В очерке «Последний проект» изложены основные сведения о развитии микроэлектроники в СССР в период с 1962 года и до ликвидации электронной отрасли как единого научно-промышленного комплекса государства. Об электронной промышленности УССР и развитии микроэлектроники в Украине, научно-производственном потенциале нашей страны в этой отрасли говорится в очерках « Электронная промышленность Украинской ССР» и «Микроэлектроника в Украине».

Вторая часть книги - это очерки о становлении и развитии научно производственной и проектно-конструкторской базы Киевского научно исследовательского института микроприборов. В первом («От КБ-3 до научно производственного объединения «Кристалл») - история создания института, формирования его коллектива и основных направлений научно-производственной деятельности, образование на базе НИИ с опытным заводом и Киевского завода полупроводниковых приборов научно-производственного объединения «Кристалл».

Эта тема дальше более полно развивается в очерках - воспоминаниях ветеранов института тех, кто начинал его строить, кто создавал основную научно исследовательскую и проектно-конструкторскую базу для разработок интегральных схем и аппаратуры по направлениям работ НИИ.

В третьей части книги речь идет о развитии основных направлений разработок Киевского НИИ микроприборов: аппаратуры, интегральных схем, технологии ИС, физико-химических исследованиях и результатах работы в этой сфере своей научно производственной деятельности.

В четвертой части даны очерки о работе института до начала экономического кризиса в стране. В статье «Разрушение иллюзий» сделана попытка анализа причин, приведших к утере КНИИМП своих позиций как одного из лидеров отечественной микроэлектроники.

Пятая часть - заключительная называется «Второе дыхание». Хотелось, чтобы это название вселяло определенный оптимизм в возможные перспективы возрождения микроэлектроники в Украине. Здесь приведены статьи о современных направлениях работ Государственного предприятия НИИ микроприборов НТК «ИМК» Национальной академии наук Украины и возможных путях его развития.

Часть первая Параллельные миры Параллельный мир (в фантастике) - реальность, существующая каким-то образом одновременно с нашей, но независимо от неё. В параллельном мире события происходят по-своему, он может отличаться от нашего мира, как в отдельных деталях, так и кардинально, практически во всём.

Эти параллельные миры, развивающиеся независимо друг от друга, независимо, но связанные друг с другом множеством подпространственных переходов, это миры, друг из друга вытекающие, как ручьи… Из Википедии 1. Хроника параллельных миров Петин Ю.А., Сидоренко В.П.

«Выживают не самые сильные виды, и не самые разумные.

Выживают те, кто лучше других приспосабливаются к переменам».

Ч.Дарвин МИКРОЭЛЕКТРОНИКА электроника), область (интегральная электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в начале 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС — кремниевых — эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2).

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ИС, интегральная микросхема, микросхема), микроминиатюрное электронное устройство, элементы которого неразрывно связаны (объединены) конструктивно, технологически и электрически. ИС подразделяются: по способу объединения (интеграции) элементов — на полупроводниковые, или монолитные (основной тип), пленочные и гибридные (в т. ч.

многокристальные);

по виду обрабатываемой информации — на цифровые и аналоговые;

по степени интеграции элементов — на малые, ИС со средней степенью интеграции, большие (БИС) и сверхбольшие (СБИС).

К началу 60-х годов прошлого века в СССР И США сложились объективные условия для перехода от миниатюризации электронной аппаратуры к интегральной электронике или микроэлектронике. Развитие микроэлектроники было связано с одной стороны с достижениями фундаментальных и прикладных наук в исследовании полупроводниковых материалов, с другой, достижениями в технологии очистки материалов и создании высокоточного оборудования.

В 1940 году В.Е. Лашкарёв проделал успешные работы по созданию р-n переходов. Открытие Лашкарёвым p-n перехода и других важных явлений опередило развитие технологии выращивания монокристаллов германия и кремния, на основе которых были созданы интегральные схемы. В послевоенные годы формируется научная школа Лашкарева. Школу В.Е. Лашкарева представляют академик НАН Украины О.В. Снитко, члены-корреспонденты В.Г. Литовченко и М.К. Шейнкман, доктора наук В.И. Ляшенко, Е.Г. Миселюк, П.И. Баранский, А.В. Любченко, В.А. Романов, Е.А. Сальков, В.И. Стриха, Г.А. Федорус, Г.В. Лашкарев, профессор Ю.И. Карханин, Г.А. Холодарь и др. Высокий уровень проводимых исследований в школе, наличие высококвалифицированных кадров позволили создать в 1960 г. Институт физики полупроводников НАН Украины.

В 30-е годы в разработке теории полупроводников работали советские физики теоретики Френкель Я.И., Давыдов Б.И., Блохинцев Д.И., Тамм Н.Е., известные своими фундаментальными трудами в области теоретической физики. Я.И.


Френкель, экспериментировавший вместе с А.Ф. Иоффе в Ленинградском физико техническом институте, разработал теорию возникновения парных зарядов (электрон-дырка) в полупроводниках. Это одна из самых ранних работ по теории р-n перехода. Работы по исследованию природы проводимости (влияния примеси на тип проводимости) впервые были выполнены советскими физиками Б.В. Курчатовым, В.П. Жузе, В.И. Тахбергом, Н.С. Соминским.

В 1932 году И.Е. Тамм предположил наличие поверхностных состояний в полупроводниках (уровни Тамма), изучение которых впоследствии позволило создать новые приборы со структурой металл – диэлектрик - полупроводник.

В 1937 году Б.И. Давыдов (сотрудник ФТИЛ) разработал теорию выпрямления на границе двух полупроводников разного типа проводимости (электронного и дырочного). Он же впервые ввёл понятие «неосновных носителей».

В 1940 году В.Е. Лошкарёв проделал успешные работы по созданию р-n переходов.

В 1947 году американские физики изобрели кристаллический заменитель электронной лампы - транзистор. Первая публикация о транзисторе в США в журнале «The Physical Review» состоялась в июле 1948 г. Авторам - изобретателям транзистора У.Шокли, Дж.Бардину и У.Браттайну в 1956 г. была присуждена Нобелевская премия.

Бурное развитие транзисторной техники началось, когда р-n переход был перенесён вглубь монокристалла. Это позволило исключить нежелательные контактные явления на стыке полупроводника и металлического электрода.

Начиная с 1947 г. интенсивные работы в области полупроводниковых усилителей велись и в СССР: в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ 160 (НИИ «Исток», Фрязино, лаборатория А. В. Красилова). В 1948 г., в лаборатории группа А. В. Красилова, разрабатывавшая германиевые диоды для радиолокационный станций, также был получен транзисторный эффект. Об этом в журнале «Вестник информации» в декабре 1948 ими была опубликована статья «Кристаллический триод» — первая публикация в СССР о транзисторах. Уже в 1949 г. лабораторией А. В. Красилова были разработаны и переданы в серийное производство первые советские точечные германиевые триоды С1 — С4. В 1950 г.

образцы германиевых триодов были разработаны в ФИАНе (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов и др.), в ЛФТИ (В.М. Тучкевич, Д. Н. Наследов) и в ИРЭ АН СССР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин и др.).

Сразу после войны была создана комиссия при Президиуме АН СССР по полупроводникам. А.Ф. Иоффе писал: «Все проблемы разбиты на 15 отдельных разделов, по каждому разделу указан ведущий институт, ответственный за его работу, и перечислены институты, участвующие в исследованиях. Среди них институт полупроводников, физический институт им. Лебедева, институт радиотехники и электроники, институт физики металлов Уральского филиала АН СССР, институт физики в Киеве».

В 1950 г. В.Е. Лашкаревым и В.И. Ляшенко были опубликованы пионерские исследования поверхностных явлений в полупроводниках, открывшие новую страницу физики полупроводников. Эти исследования были особенно важны для создания приборов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник, где роль поверхностных явлений по сравнению с объемными неизмеримо возрастает и становится определяющей. Глубокое понимание электронных процессов на границе металл-полупроводник позволило Лашкареву в 50-е годы правильно сформулировать технические требования к германию. Технология получения монокристаллов германия была разработана Государственным институтом редкометаллической промышленности (акад. Н.Н. Сажин, Москва).

Первые точечные германиевые транзисторы, изготовленные в Институте физики НАН Украины у Лашкарева в 1952 г. тогда имели вид медного стаканчика небольших размеров (высота, примерно, 3-4 см, диаметр 0,5 см) с двумя ножками контактами в основании. Третий контакт надевался на штырек на верхней части стаканчика.

Уже в 1952 году в СССР началась подготовка специалистов по полупроводниковой технике. Такие группы студентов, например, были сформированы из студентов вторых курсов на электромеханическом (специализация диэлектрики и полупроводники) и электровакуумном факультетах (специализация электроника) Московского энергетического института. В 1952 г. в Киевском государственном университете была создана первая кафедра полупроводников в СССР. Подготовка специалистов по полупроводниковой электронике велась в Московском инженерно-физическом институте, Киевском политехническом институте, Таганрогском радиотехническом институте, Харьковском политехническом институте и многих других вузах страны.

В мае 1953 г. был образован специализированный НИИ (НИИ-35, позже – НИИ «Пульсар»), задачей которого была разработка транзисторов. Учрежден Межведомственный Совет по полупроводникам.

В эти же годы в НИИ «Пульсар» начались интенсивные исследования по разработке технологии полупроводниковых приборов, а предприятия МРП и МПСА по их применению в радиоаппаратуре и ЭВМ. Так, в СКБ-245 Министерства приборостроения и автоматизации под руководством Ю.Р.Носова проводились исследования по созданию и применению импульсных кремниевых, так называемых «bonded», диодов в ЭВМ.

В 1955 г. началось промышленное производство транзисторов на заводе «Светлана» в Ленинграде, и при заводе было создано ОКБ по разработке полупроводниковых приборов.

В 1956 г. московский НИИ-311 с опытным заводом переименован в НИИ «Сапфир» с заводом «Оптрон» и переориентирован на разработку полупроводниковых диодов и тиристоров.

Полупроводниковая промышленность СССР развивалась достаточно быстро: в 1955 г. было выпущено 96 тысяч, в 1957 г. – 2,7 млн., а в 1966 г. – более 11 млн.

транзисторов.

1959 год: компания IBM создает первые транзисторные компьютеры для крупных компаний.

В СССР ЭВМ второго поколения - малые полупроводниковые ЭВМ "Наири" и "МИР", средние ЭВМ для научных расчетов и обработки информации со скоростью 5-30 тысяч операций в секунду "Минск-2", "Минск-22", "Минск-32", "Урал-14", "Раздан-2", "Раздан-3", "БЭСМ-4", "М-220" и управляющие ЭВМ "Днепр", "ВНИИЭМ-3", а также сверхбыстродействующая БЭСМ-6 с производительностью млн. операций в секунду были разработаны на принципах цифровых ЭВМ первого поколения.

БЭСМ-6, созданная в 1967 году под руководством академика С. А. Лебедева, стала первой в СССР вычислительной машиной класса супер-ЭВМ с огромной по тем временам производительностью. Это была исключительно удачная оригинальная разработка, построенная на новых принципах архитектуры, структурной организации и математического обеспечения.

БЭСМ-6 была построена на элементной базе транзисторных переключателей тока, диодно-резисторной логики и ферритовой памяти. В ЭВМ была использована высокочастотная система элементов (впервые в СССР была достигнута тактовая частота 10 МГц) Управляющая ЭВМ "Днепр" и ЭВМ для инженерных расчетов «МИР»

выпускались на Киевском заводе вычислительных и управляющих машин (ВУМ).

Позже на его основе было создано НПО «Электронмаш».

В 1955 году компания Bell Laboratories анонсировала первый полноценный транзисторный компьютер TRADIC.

Первой в СССР ЭВМ на интегральных схемах была ЭВМ М4000, выпуск которой на заводе ВУМ был начат в 1972 году.

Серьезный шаг в развитии полупроводниковой электроники был сделан в США в 1954 году, когда фирма Texas Instrument Inc. объявила о выпуске первого транзистора, изготовленного из кремния. Переход на этот материал позволял создавать транзисторы с гораздо более широким диапазоном рабочих температур, чем на германии, что имело важное значение для военных.

В 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в США занималось уже более шестидесяти фирм.

В январе 1961 г. было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР «О развитии полупроводниковой промышленности», в котором предусматривалось строительство заводов и НИИ в Киеве, Минске, Ереване, Нальчике и других городах В 1959 году американские исследователи Д. Килби, Д. Херни, К. Леховец и Р.

Нойс изобрели интегральные схемы, в которых все электронные компоненты вместе с проводниками помещались внутри кремниевой пластинки.

Революционным шагом в развитии микроэлектроники стало создание и промышленное освоение планарной технологии. В Советском Союзе планарная технология была разработана в НИИ «Пульсар» в 1962-1963 году и передана сначала на Воронежский завод полупроводниковых приборов, и позже в НИИ «Научного центра». В 1966 г. на опытных линиях НИИМЭ по этой технологии были выпущены первые 100 тысяч транзисторов «Плоскость» (разработка НИИ «Пульсар»).

Планарная технология построена на послойном изготовлении частей электронных схем по циклу фотошаблон - рисунок - схема. По фотошаблону на фоторезисторный слой, нанесенный на пластину кремния, передается рисунок будущего слоя микросхемы. Затем рисунок протравливается, фиксируется, закрепляется и изолируется от новых слоев. В полупроводниковой пластине формируются области с различной проводимостью, а при необходимости и изолирующие. На основе этого создается пространственная твердотельная структура. Например, СБИС типа Pentium включает около трех с половиной миллионов транзисторов, размещаемых в пятислойной структуре. Однотипность процессов для всех кристаллов интегральных схем сделала возможным применение в промышленности групповых методов обработки пластин. Новая технология открыла путь к беспрецедентному усложнению изделий не только благодаря исключительно малым размерам элементов и соединений между ними, но и тому, что основная их часть «уходила» вглубь кристалла.

Перспективы развития планарной технологии в США были изложены в технологической маршрутной карте полупроводниковой "Национальной электроники" отражающей развитие микроэлектроники до 2010 года. По прогнозам этой работы основным материалом в производстве массовых СБИС будет служить по-прежнему кремний. В производстве СБИС предусматривается использовать усовершенствованные процессы микролитографии с применением резистивных масок формируемых при ультрафиолетовом или рентгеновском облучении для создания топологических рисунков на полупроводниковые пластины.


К 2010 году планировалось увеличить диаметр пластин до 400 мм, уменьшить критический размер элемента микросхем (например: ширину затвора) до 70 нм.

Уменьшить шаг разводки до 0,3 мкм. Оптическая литография могла сохранять лидирующее положение в производстве СБИС (сверхбольших интегральных схем) вплоть до размеров 150 нм, которые прогнозировалось достичь уже в 2003 г.

В 1965 году Гордон Мур, один из основателей фирмы InteL, высказал предположение, что число транзисторов в интегральных схемах, создаваемых на основе планарной технологии, будет ежегодно удваиваться. В течение последующих 10 лет это предсказание сбылось, и тогда он предположил, что теперь это число будет удваиваться каждые 2 года. И, действительно, число транзисторов в микропроцессорах удваивалось за каждые 18 месяцев. Теперь специалисты в области проектирования интегральных схем для компьютерной техники называют эту тенденцию законом Мура.

В 1963 году была опубликована статья Ф.Хеймана и С.Хофштейна о создании полевого транзистора с изолированным затвором на кремнии.

В 1965 году З.С. Грибниковым (Институт полупроводников АН УССР) предложена элементарная теория полевых транзисторов с изолированным затвором.

В 1965-1966 году в Киевском НИИ микроприборов, НИИ точной технологии и НИИ молекулярной электроники были созданы первые МОП - транзисторы.

Результаты исследований в этих институтах и публикации американских ученых показали чрезвычайную перспективность развития в СССР направления МОП интегральных схем. Приказом министра электронной промышленности А.И.Шокина в июне 1966 года были определены институты, ответственные за развитие интегральных схем на основе МОП - структурах и назначены научные руководители и главные конструктора первых НИОКР по МОП - тематике: НИИМЭ (головной НИИ по направлению, М.А.Королев), Киевский НИИ Микроприборов (Ю.А.Петин), НИИТТ (Г.Ф.Васильев, П.П.Силантьев), Ленинградское конструкторское бюро (Ф.Г.Старос, А.М.Скворцов), НИИ физики полупроводников (г. Тбилиси, Н.Г.Магулария). От дирекции Научного Центра (г. Зеленоград) это направление курировал Г.Г.Смолко.

В феврале 1960 года фирма Fairchild Semiconductor объявила о начале испытаний своих интегральных схем серии Micrologic, изготовленных из кремния.

С 1962 года в США фактически начался промышленный выпуск интегральных схем. Основными заказчиками стали фирмы – разработчики аппаратуры для ракетно-космической техники. Фирма Texas Instrument заключила крупный контракт с военными на разработку и изготовление серии из 22 специальных схем для программы создания ракет "Минитмен". Одновременно фирма Fairchild также заключила значительные контракты с НАСА и рядом изготовителей коммерческого оборудования.

С началом промышленного выпуска интегральных схем стало очевидным, что они станут основными электронными компонентами в бортовой аппаратуре.

В 1959 году были основаны заводы полупроводниковых приборов Александровский, Брянский, Воронежский, Рижский и др. В январе 1961 г. было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР «О развитии полупроводниковой промышленности», в котором предусматривалось строительство заводов и НИИ в Киеве, Минске, Ереване, Нальчике и других городах.

В 1962 году было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании Центра микроэлектроники. Состав предприятий Научного центра по замыслу должен был охватывать все аспекты микроэлектроники, весь цикл "исследование производства". Первыми в 1962 году были созданы системное предприятие НИИ микроприборов с заводом "Компонент" (НИИМП, директор И. Н. Букреев) и институт по разработке спецтехнологического оборудования (в основном термического) НИИ точного машиностроения (НИИТМ, директор Е. Х. Иванов) с заводом электронного машиностроения "Элион". В июне 1963 года были организованы НИИ точной технологии, предназначенный для разработки интегральных схем по гибридной технологии с заводом "Ангстрем" (НИИТТ, директор В.С.Сергеев), НИИ материаловедения (НИИМВ, директор А. Ю. Малинин) с заводом "Элма" (электронные материалы), основным направлением работ которых были материалы для микроэлектроники. А в 1964 году было создано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом "Микрон". Для работы с потребителями было предусмотрено Центральное бюро применений интегральных схем (ЦБПИМС), а поисковыми исследованиями должен был заниматься НИИ физических проблем. В декабре 1963 года министр ЭП А.И.Шокин подписал приказ об организации дирекции Центра Микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил ее структуру.

В городах, имевших научно-техническую базу для проведения работ в области микроэлектроники Киеве, Ленинграде, Минске, Риге, Ереване и Тбилиси были созданы конструкторские бюро для разработки интегральных схем.

В 1962 г. в Киеве создано КБ-3 со специализацией микроминиатюризация радиолокационной аппаратуры (директор С.А.Моралев), В 1966 году КБ преобразовано в Киевский ННИ микроприборов (КНИИМП, директор С.А.Моралев) с опытным заводом (директор В.П.Николаев, главный инженер М.А.Корнев). В году на опытном заводе начат серийный выпуск гибридных интегральных схем с использованием тонких пленок тантала, по технологии, разработанной в КНИИМП под руководством В.П.Белевского. Такой технологией в то время владели только три фирмы, причем только одна из них (фирма «Bell Labrs. США) разработала ее самостоятельно.

В 1967 г. в НИИМЭ был создан базовый технологический процесс - основа массового производства биполярных ИС и начат выпуск первых серий полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах микросхем "Иртыш», "Логика", "Микроватт". В 1969 г. Заводы «Ангстрем» и «Микрон» выпустили уже более 200 типов ИС.

В 1970 году в КНИИМП создан базовый технологический процесс производства р - канальных МОП ИС, а в 1971году - базовый технологический процесс производства р - канальных МОП ИС средней степени интеграции и БИС ПЗУ. В 1968 г. начато серийное производство МОП ИС на опытном заводе НИИ, а позже на заводе «Квазар» (серии ИС К172, 172, К144, 144, К501). В 1972 году в НПО «Кристалл» был выпушен первый миллион ИС серии К172. Серии интегральных схем К172 и К501 стали основной элементной базой для серийного выпуска электронных клавишных машин заводами Министерства приборостроения и средств автоматизации.

В 1972 г. в КНИИМП разработан базовый технологический процесс производства р - канальных МОП БИС и впервые в Европе на заводе «Квазар» НПО «Кристалл» начато серийное производство МОП БИС. В течение 1974 года было выпущено около 200 тис. БИС.

В результате эффективной технической и экономической политики министерства электронной промышленности уже в 1970 году в стране было выпущено 3,6 миллиона ИС 69-и серий: 30 серий были гибридными (толстопленочными и тонкопленочными), 7 серий МОП ИС, 32 серии - на основе биполярных транзисторов. Разработкой и производством интегральных схем занимались уже около двадцати предприятий: НИИ, КБ, опытные и серийные заводы.

С развитием технологии БИС на основе биполярных транзисторов и МОП транзисторов все зарубежные фирмы направляют свои усилия на наращивание емкости памяти интегральных схем оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) и нового класса энергонезависимых постоянных ЗУ на МДП-структурах - перепрограммируемых ПЗУ (РПЗУ). Те же цели ставятся перед предприятиями электронной промышленности СССР.

В середине 60 годов фирма IBM приняла директивное решение по разработке для перспективной ЭВМ не на ферромагнитных запоминающих устройствах, а электронных ЗУ (запоминающих устройств) на базе n-канальных МОП транзисторов. Это решение базировалось на достижениях планарной технологии и изобретении сотрудником фирмы Диннардом однотранзисторной динамической запоминающей ячейки для ЗУ с произвольной выборкой (ДЗУПВ). В ячейке были объединены в один ключ МОП транзистор и один конденсатор.

В результате успешного выполнения этого плана был начат выпуск в 1973 г.

универсальной ЭВМ с МОП ЗУ - IBM- 370/158. В этом проекте работы по физике приборов и материалам вели Дил, Гроув и Сноу, по схемным применениям Уэнлесс. Результаты исследований специалистов до сих пор используются в технологии СБИС Компьютеры на интегральных микросхемах появились в СССР во второй половине 1970-х годов. Советское развитие ЭВМ на интегральных схемах начиналось с отставанием от американского на 5-10 лет. И кратчайшим путем к достижению цели в сокращении отставания при ограниченных финансовых ресурсах было копирование (или создание аналогов с характеристиками прототипов) американской аппаратуры и ее элементной базы.

Несмотря на возражения ряда ведущих конструкторов, в том числе С. А.

Лебедева, И. С. Брука, Б. И. Рамеева и других, в 1969 году в Министерстве радиопромышленности было принято решение о создании единой системы ЭВМ для стран СЭВ ЕС ЭВМ на основе конструкции системы IBM/360/370 и их производстве с международным разделением труда в СЭВ. (Семейство компьютеров IBM/ было представлено IBM в 1964 году). В компьютерах семейства СМ ЭВМ воспроизводилась технология корпорации Digital Equipment (DEC), а ЕС-1840 IBM PC. Не поддерживал такое решении и академик В.М. Глушков, один из лидеров советской кибернетики. Но это было решение правительства СССР, и поддержала его Академия наук СССР.

Было это ошибкой или нет? - дискуссии на эту тему идут до сих пор. С одной стороны - становилось возможным сокращение разрыва в техническом уровне советской вычислительной техники без огромных объемов финансирования советского пути, и при этом обеспечивалась совместимость программных средств в вычислительных системах, применяемых теперь в странах СНГ и западном мире. С другой стороны, отказ от разработки собственной архитектуры компьютеров и элементной базы для них («Мир», БЭСМ) дало и негативный результат. Почти повсеместно были свёрнуты собственные оригинальные разработки. СССР и страны СЭВ попадали в полную зависимость от идей и концепций фирм IBM и DEC. Это решение, утверждают его противники, фактически закрыло путь для развития отечественных проектов ЭВМ на полупроводниковых интегральных схемах, а позже и микропроцессоров. Но это было далеко не так.

Возможность создания оригинальных ЭВМ имели разработчики бортовых ЭВМ и ЭВМ для ПРО. Здесь было важно: делать быстро и качественно. Такие ЭВМ были созданы для зенитно-ракетного комплекса С-300 (ЭВМ 5Э26) и системы ПРО Москвы А-135 (МВК «Эльбрус-1», «Эльбрус-2») – под руководством главного конструктора академика Бурцева В.С, который работал в Институте точной механики и вычислительной техники АН (ИТМиВТ), а после смерти С.А.Лебедева возглавлял его. По заказам, в том числе и этого Института, формировалась программа создания отечественной интегральной элементной базы.

Так, когда создавалась система «Эльбрус 2» нужны были ИС с повышенной интеграцией и высоким быстродействием - время задержки в 10 раз меньше, чем у серии И-133, выпускавшейся тогда в СССР. Ясно было только, что базой должна стать эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ). Сделать быстро - значит копировать ИС серии 10000 компании Motorola. НИИМЭ создал серии И-100 и И-500 (в ДИП корпусе) для военного использования, Сделать – качественно: копировать без ошибок. Так ошибка при копировании (только одного транзистора!) привела к задержке проекта «Эльбрус 2» на полтора года.

ЭВМ «Эльбрус-1» имела первый в мире коммерческий суперскалярный процессор (руководитель разработки Б.А.Бабаян). Идеи, заложенные в архитектуру этого суперпроцессора в 1978 году, на 14 лет опередили процессор с такой архитектурой Pentium фирмы Intel.

Малые ЭВМ из серии СМ в конце 70 – начале 80-х годов начало выпускать НПО «Электронмаш» в г. Киеве. На более позднем этапе, особенно в 80-е, повсеместное внедрение ЕС ЭВМ превратилось в серьёзный тормоз для развития программного обеспечения, баз данных, диалоговых систем. После дорогостоящих и заранее спланированных закупок предприятия были вынуждены эксплуатировать морально устаревшие компьютерные системы. Параллельно развивались системы на малых машинах и на персональных компьютерах, которые становились всё более и более популярны.

С началом перестройки, с 1988-89 годов, нашу страну наводнили зарубежные персональные компьютеры. Никакие меры уже не могли остановить кризис серии ЕС ЭВМ. Отечественная промышленность не смогла создать аналогов или заменителей ЕС ЭВМ на новой элементной базе. В итоге произошёл полный переход на импортные компьютеры. Были окончательно свёрнуты программы по разработке отечественных компьютеров.

1968 год: Роберт Нойс, Гордон Мур и Эндрю Гроув основали компьютерную компанию Intel. Цель компании на ранних стадиях своего развития заключалась в создании дешевой, практичной и доступной полупроводниковой памяти 1970 год: компания Intel создает интегральную схему памяти – динамическое ОЗУ 1103 Dram, емкостью 1 Кбит (или 128 байт). Это было первое достижение в области ИС ОЗУ. Впервые в мире емкость памяти во много раз превысила выпущенные ранее микросхемы памяти.

Лидирующие позиции в области БИС ОЗУ на биполярных транзисторах в СССР занимали НИИМЭ, динамических ОЗУ на МОП транзисторах- НИИТТ, в МОП ПЗУ и РПЗУ - Киевский НИИМП. В 1976-1987 г.г. в КНИИМП под руководством главного конструктора направления к.т.н. Сидоренко В.П. создается и внедряется в серийное производство БИС ПЗУ емкостью 16, 64, 128 кбит и БИС РПЗУ емкостью 4, 16, 64 и 256 кбит. В 1988 году были разработаны экспериментальные образцы БИС ПЗУ емкостью 1мегабит.

НИИТТ создает ряд БИС динамических ОЗУ: в 1974 г. получены первые образцы БИС ОЗУ 4 кбит, в 1977 г. завод «Ангстрем» начинает их выпуск - ОЗУ кбит, 1983 г. – ОЗУ 64 кбит. В 1981 г. начато пилотное производство СБИС ОЗУ 256 кбит (2 млн. элементов на кристалле).

Высшим достижением в создании СБИС ОЗУ стало оперативно запоминающее устройство емкостью 16 Гбайт, представленное в 2006 году фирмой Micron Technology.

В 1971 году в американской фирме Intel был создан первый микропроцессор 4004. Хотя первоначально он предназначался для использования в калькуляторах, по существу он представлял собой законченный микрокомпьютер. Микросхема Intel 4004 состояла из 2300 транзисторов.

С создания микропроцессора 4004 фирма Intel заняла лидирующие позиции в разработках и производстве микропроцессоров в мире и не уступала их никому.

В 1972 год фирма Intel выпускает процессор 8008. По мере его усовершенствования, он нашел применение в самых различных сферах использования компьютеров.

1973 год: компания Micral на основе этого процессора выпустила первый коммерческий персональный компьютер В 1972 году эта фирма Intel создает комплект БИС 8-разрядного микропроцессора 8080, а через два года – 16 разрядные микропроцессоры – 8086 и сопроцессоры 8087, 8088, 8089.

БИС микропроцессоров начинают выпускать фирмы Motorola (6800), Zilog (Z80).

В Киевском НИИ микроприборов под руководством главного конструктора направления А.В.Кобылинского был создан базовый комплект БИС 8- разрядного микропроцессора – аналога 8080 в 1980 году и БИС 16- разрядного центрального процессора и сопроцессоров-аналогов 8086, 8087, 8088, 8089 в 1985 году. Серийный выпуск этих БИС (серии К580, 580, К1810, 1810) производил завод «Квазар» ПО «Кристалл» (позже НПО «Микропроцессор») В 1990 г. в КНИИМП было закончено проектирование СБИС 32-разрядного микропроцессора – аналога микропроцессора фирмы Intel.

В 1978-80 г.г. НПО "Кристалл", НПО им. С.П.Королева и Институт кибернетики АН Украины была выполнена работа по созданию на базе серии БИС К1810 микроЭВМ и средств отладки программ и начат их выпуск для потребностей Министерства промышленности средств связи (МПСС). МикроЭВМ выпускались и в НПО им.С.П.Королёва.

В 1979 г. в разработках Научного Центра уровень интеграции на кристалле достиг тыс. элементов. Были разработаны быстродействующий микропроцессорный комплект БИС и однокристальный микропроцессор. А в КНИИМП - МОП БИС однокристальных ЭВМ (контроллеров).

Создание БИС микропроцессоров открыло новую эру в развитии вычислительной техники: из громоздких монстров на электронных лампах компьютеры превратились в мощные персональные (настольные и переносные) ЭВМ и суперкомпьютеры.

1981 год компания IBM совершила эпохальное событие: выпустила свой первый IBM PC (персональный компьютер IBM) модели 5150, который был построен на базе 8-битного микропроцессора Intel 8088, имел 16 Кбайт оперативной памяти, два 5-дюймовых дисковода для дискет на 360 Кбайт каждая и с монохромным графическим адаптером, выпущенным ранее. Данный компьютер был признан как стандарт компьютеров IBM PC;

1982 год: компания Intel представила свой новый процессор - i286. По своей эффективности он значительно превосходил своих предыдущих моделей, производства Intel;

1985 год: компания Intel разработала и выпустила в продажу первый, 32 разрядный процессор i386. Он содержал 275 тысяч транзисторов и выполнял около млн. операций в секунду. Вскоре на базе этого процессора был выпущен персональный компьютер DeskPro 386 компании Compaq;

1993 год: компания Intel выпустила первый процессор Pentium из семейства P5;

1995 год: компания Intel выпустила процессор Pentium Pro из семейства P6. Он состоял из 5,5 млн. транзисторов и выполнял более 300 млн. операций в секунду;

1997 год: компания Intel выпустила процессор Pentium II, построенный на базе созданного ранее Pentium Pro с поддержкой инструкции MMX. В него были добавлены 57 новых инструкций;

2000 год: компания Intel выпустила первый процессор Pentium 4 с 32 разрядной архитектурой. Тактовая частота процессора - 1,4 ГГц, а по частоте шины FSB последний процессор в линейке Pentium 3 с такой же тактовой частотой оказался лучше;

2002 год: по данным, аналитической компании Gartner Dataquest из США, в мире продан 1,000,000,000-ный персональный компьютер;

2002 год: компанией Intel представлен обновленный процессор Pentium 4, тактовая частота которого достигает 3 ГГц. Чуть позже в процессор внедряется технология Hyper Threading (HT) - технология многопоточной обработки, позволяющая создавать некий виртуальный процессор за счет одного физического (то есть на одном физическом процессоре;

2005 год: компания Intel объявила о выпуске первых многоядерных процессоров Pentium;

2005 год: компания Intel приступила к выпуску процессоров Celeron D, с тактовой частотой 3,2 Ггц;

2006 год: компания Micron Technology анонсировала оперативно запоминающее устройство, емкостью 16 Гбайт. Это новый рекорд, раньше такой большой емкости не достигала ни одна микросхема памяти.

Но фирмы на этом не остановились.

В 2006 году персональным компьютерам исполнилось 25 лет. Первые из них, оборудованные микропроцессором фирмы Интел, работали с тактовой частотой всего 4,77 МГц и имели оперативную память 16 Кбайт. Современные ПК с микропроцессором Pentium 4 имеют тактовую частоту 3-4 ГГц, оперативную память 512 Мбайт – 1Гбайт и долговременную память (винчестер) объемом десятки до Терабайт.

В 2005 году компания IBM разработала суперкомпьютер Blue Gene производительностью свыше 30 триллионов операций в секунду. Он содержит процессоров и обладает в тысячу раз большей мощностью, чем знаменитый Deep Blue, с которым в 1997 году играл в шахматы чемпион мира Гарри Каспаров.

Компания IBM и исследователи из Швейцарского политехнического института в Лозанне впервые предприняли попытку моделирования человеческого мозга.

Четвертое поколение советских компьютеров было реализовано в многопроцессорном комплексе "Эльбрус-2" с быстродействием до 100 млн.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.