авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 11 | 12 || 14 | 15 |   ...   | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 13 ] --

Совместно с ОГТ завода «Квазар» проведен цикл работ по исследованию оптимальных режимов окисления кремния, позволивших внедрить окисление кремния в парах воды, Результатом исследований электрически активных дефектов в кремнии, проводившихся совместно с ОГТ завода «Квазар», явилась разработка нового метода геттерирования дефектов, совмещенного с базовым процессом окисления материала.

В обеспечение совершенствования технологии ИС на ДИКЭД структурах и в результате многолетних исследований электрофизических свойств эпитаксиальных слоев на различных этапах формирования изделий, определена динамика образования электрически активных дефектов в кремнии в процессе эпитаксиального роста. Разработаны критерии качества ДИКЭД структур по величине эффективного генерационного времени жизни неосновных носителей, способствовавшие отработке и совершенствованию технологии изготовления приборов, и созданию в конце 80-х гг. изделий с высоким уровнем совершенства материала и повышенной радиационной стойкостью.

Во второй половине 80-х выполнены работы по исследованию пассивирующих покрытий БСС и БФСС, а также сверхтонких окислов и слоёв нитрида кремния, полученных при повышенных давлениях, для элементов памяти МНОП РПЗУ емкостью 256 Кбит-1Мбит.

С целью повышения качества и надежности систем диэлектрик-полупроводник на технологических этапах производства ИС, БИС была разработана и внедрена методика контроля термостабильности диэлектрических плёнок с помощью измерения заряда подвижных ионов методом динамических вольтамперных характеристик при температуре 250°С. Методика была реализована на установке И1М2.651.005 с применением специально разработанного графитового зонда оригинальной конструкции, позволявшего значительно повысить экспрессность контроля. Методика была внедрена в НПО «Микропроцессор», ПО «Гравитон», ПО «Днепр», ПО «Гамма» и Радиозаводе в г. Чернигове.

Основными исполнителями указанных работ были В.М. Попов, А.П.

Поканевич. О.М. Журавлев, Э.М. Литвинова.

В 80-е годы в ЦФХИВИ была выполнена серия НИОКР по разработке оборудования и технологических процессов нанесения различных материалов перспективным методом термоионного осаждения (ТИО). Работы проведены под руководством д.т.н. В.П. Белевского и С.А Добролежа.

Разработанный способ изготовления ТИО алюминиевой металлизации был внедрён в НИИ микроприборов и в цехе № 3 завода «Квазар».

Исследованы также возможности применения в МДП - технологии ТИО плёнок других материалов, в частности, титана, кремния и нитрида титана. Были проведены исследования по применению плёнок титана и нитрида титана в качестве барьерных слоёв в областях контактов алюминия к легированным областям мелких p-n переходов.

Постоянное внимание в ЦФХИВИ уделялось разработке новых информативных методов исследований и контроля.

В.М Поповым был разработан комплекс оригинальных методов определения основных электрофизических параметров ДП (МДП) систем на основе динамических неравновесных вольтамперных характеристик (ДНВАХ) и импульсно модулированных (ИМ) ДНВАХ. Эти характеристики обладают рядом существенных преимуществ по сравнению с традиционными высокочастотными вольтфарадными характеристиками, широко используемыми в технологии микроэлектроники. К этим преимуществам относятся более высокая чувствительность к регистрации токов генерации неосновных носителей заряда, возможность прямого определения поверхностного потенциала МДП структур независимо от профиля легирующей примеси на поверхности полупроводника, а также более высокая точность определения плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик полупроводник.

На основании ДНВАХ и ИМДНВАХ разработаны методы, позволяющие определять следующие важнейшие параметры ДП (МДП) структур в технологии ИС, БИС: объемное генерационное время жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном (рабочем) слое кремния, эффективное генерационное время жизни неосновных носителей заряда в кремнии, скорость поверхностной генерации неосновных носителей заряда, заряд поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик- полупроводник, профиль концентрации легирующей примеси на поверхности полупроводника.

Кроме того показана возможность обнаружения дефектов с аномально высокой скоростью генерации неосновных носителей заряда на поверхности кремния по ДНВАХ МДП структур, что необходимо для улучшения характеристик p-n переходов и параметров ИС, БИС на ПЗС структурах.

В Центре были разработаны новые методы растровой электронной микроскопии (РЭМ) в режиме токов, индуцированных электронным лучом (ТИЭЛ), позволившие локализовать электрически активные дефекты (ЭАД) в полупроводниковых материалах непосредственно в МДП структурах, выявлять дефекты, приводящие к отказам изделий микроэлектроники, проводить оптимизацию технологических режимов изготовления изделий с целью минимизации концентрации ЭАД, ответственных за деградацию электрических параметров приборов. Разработки в области применения РЭМ для диагностики ЭАД, начиная с 70-х годов, в течение длительного времени проводились В.А. Денисюком и В.М. Поповым. Работы по практическому использованию РЭМ в стандартном режиме для отработки технологии изготовления слоев и измерению критических размеров элементов БИС постоянно велись Я.И. Менем и В.М. Федоровым.

Большое внимание при совершенствовании методологии контроля технологических процессов уделялось повышению информативности тестовых структур. Был разработан целый ряд тестовых структур, позволявших проводить анализ свойств технологических слоев ИС, БИС на основе как электрических, электрофизических измерений, так и электронно-микроскопических исследований.

Начиная с середины 80-х годов, в ЦФХИВИ проводился большой объем работ по заказам ОГТ и серийного производства объединения. Эти работы ежегодно систематизировались в рамках НИР «Техпомощь». В общей сложности было выполнено более ста работ, направленных на постановку новых методов контроля, выяснение причин технологического брака и отказов изделий. В частности, под руководством И.И Гаврилюка были проведены следующие работы: разработана и внедрена конструкция специального графитового зонда для контактирования к окислам без напыления металлов (разработчик А.П.Поканевич) и поставлена соответствующая методика определения подвижного заряда в диэлектрике.

Методика контроля подвижного заряда была внедрена в серийное производство ИС и позволяла проводить неразрушающий экспрессный операционный или аттестационный контроль диэлектрических слоев непосредственно после их формирования на всех технологических этапах изготовления ИС, исключала необходимость изготовления тестовых структур, что давало возможность более оперативно управлять технологическими процессами, а также позволяла исключить вклад операций нанесения металлизации и фотолитографии на величину указанного заряда.

В 1997 г на базе ЦФХИВИ был создан Центр физико-технологических исследований «Микроаналитика», который возглавил к.ф.-м.н В.М. Попов. В условиях ограниченного финансирования все усилия сотрудников Центра были сосредоточены на развитии методической базы, разработке и внедрении новых информативных методик исследования и контроля материалов, технологических структур и изделий микроэлектроники. При этом вследствие объективного сокращения разработки и выпуска интегральных микросхем диапазон проводимых исследований был значительно расширен в сторону изучения новых материалов и структур, в частности материалов и структур в области энергосберегающих технологий (при разработке и производстве солнечных батарей, исследовании свойств и параметров приборов оптоэлектроники - светодиодов), изучении сенсоров излучений различных типов, включая приёмники УФ излучения, p-i-n фотодиоды, на анализе свойств материалов для производства СВЧ приборов и т.д.

Основными сотрудниками Центра, обеспечившими его функционирование и развитие в последующие годы, были В.М Попов, А.С. Клименко, И.И. Гаврилюк, С.А. Добролеж, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов и М.И. Городыский.

Главным заказчиком научно-технической продукции Центра являлось Министерство промышленной политики Украины.

За период 1997 по 2009г по договорам с Минпромполитики были успешно выполнено семь научно-исследовательских работ.

В течение г.г. постоянно проводились исследования 2002- электрофизических, оптических, примесных и др. свойств кремния и технологических структур на его основе в процессе разработки технологии и изготовления солнечных элементов на заводе «Квазар». В общей сложности за восемь лет по заказам департамента производства солнечных батарей ОАО «Квазар»

было проведено более ста работ, обеспечивавших изготовителей солнечных батарей практически важной информацией, касающейся выявления, локализации и выяснения природы шунтирующих дефектов в p-n переходах, оптических характеристик разных типов антиотражающих покрытий и их зависимости от технологии получения слоев, спектральных характеристик, особенностей химического состава технологических структур и т.д.

Начиная с 2000 г, постоянно велись исследования в обеспечение разработки новых и перспективных технологий изготовления материалов, структур и изделий электроники (в т.ч. совместно с организациями НАН Украины):

1. По Проекту № 1590 УНТЦ «Разработка технологии создания дешевого модуля для солнечных батарей на основе аморфных полупроводников» совместно с Институтом проблем материаловедения НАН Украины проведены комплексные исследования оптических, электрофизических, примесных и др. свойств аморфных пленок карбида кремния, сформированного на кремниевых и стеклянных подложках с целью отработки технологии создания экономичных солнечных элементов на базе указанного материала. Создан макет солнечной батареи с использованием аморфного карбида кремния в качестве электрода барьера Шоттки.

2. Совместно с НПП «Карат» (г. Львов) и ДП «Сатурн-Микро» (г. Киев) проведены исследования элементного состава и электрофизических свойств многослойных технологических структур на основе арсенида галлия, применяемых для производства СВЧ приборов.

3. Совместно с Институтом сварки им. Е.О Патона НАН Украины в 2002- г.г. проведены исследования металлического конденсата, велись работы по прецизионному препарированию образцов с квазикристаллами для их исследования методом просвечивающей электронной микроскопии. С этой целью в Центре «Микроаналитика» внедрена методика прецизионного ионного травления металлических и полупроводниковых образцов для получения сверхтонких слоев для анализа 4. Совместно с Институтом физики НАН Украины проведены исследования структурных дефектов и однородности примесного состава кремниевых пластин, легированных свинцом и оловом. Соответствующая технология получения кремниевых подложек является одной из перспективных в целях повышения радиационной стойкости кремния и приборов на его основе.

5. Совместно с Киевским национальным университетом им. Т.Г Шевченко на базе оборудования Центра разработаны методики прецизионного препарирования и проведены исследования конструкции и технологии изготовления СБИС с субмикронными проектными нормами.

Среди оригинальных методических достижений Центра, полученных в последние годы, следует отметить разработку В. М. Поповым нового практически важного метода определения профилей электрически активных дефектов в кремнии, основанного на анализе распределения объемного генерационного времени жизни неосновных носителей в кремнии по ДНВАХ МДП структур;

работы А.С. Клименко в области жидкокристаллической диагностики технологических структур и изделий (как солнечных батарей, так и ИС, БИС), а также методические разработки А.П.

Поканевича в области препарирования ИС, БИС для анализа их конструкции и технологии изготовления. В Центре выполнены также поисковые исследования в области изучения электрофизических свойств структур Si-SiO2 cо сверхтонким окислом кремния. Все эти результаты имели своей целью расширить методические возможности Центра «Микроаналитика» при решении технологических и научных задач, возникающих в процессе изготовления и контроля свойств современных полупроводниковых приборов.

Центр «Микроаналитика» принимал участие в выполнении Государственной научно-технической программы развития микро- и оптоэлектронных технологий (2005-2007 гг.). Проведены исследования исходного материала, технологических слоев и диодов Шоттки при разработке технологии создания приемников ультрафиолетового излучения на основе селенида цинка. Разработана методология их контроля. Исследовано влияние технологических факторов на электрофизические характеристики p-i-n фотодиодов на основе кремния. Проведена диагностика дефектов в СБИС считывания на этапах отработки технологических режимов и маршрута изготовления кремниевых фокальных процесором на базе КМОП технологи.

Новые научные результаты, полученные сотрудниками Центра за период 1995 2010 гг., отражены в многочисленных публикациях в научно-технических журналах (в т.ч. зарубежных), патентах Украины, а также в тезисах различных конференций.

Результаты исследований Центра «Микроаналитика» докладывались В.М. Поповым на следующих крупных международных конференциях за рубежом: 1. Конференция EMRS-2001, г. Страсбург (Франция), июнь 2001 г, 2. Конференция DRIP-IX, г.

Римини (Италия), сентябрь 2001 г., 3. Конференция EMRS-2004, г. Страсбург (Франция), май 2004 г.

В целом за период с 1995 по 2010 было разработано более 50 новых методик Практически функционирует система межоперационного контроля материалов, структур и изделий микроэлектроники на основных этапах их изготовления. Система позволяет проводить контроль параметров структур микроэлектроники, начиная с исходного материала и заканчивая анализом причин отказов готовых изделий. При этом объектом контроля служат как самые простые изделия (различные полупроводниковые сенсоры и солнечные батареи), так и сложные интегральные схемы. Создана также система выявления, локализации и анализа свойств ЭАД в материалах, структурах и приборах опто- и микроэлектроники, позволяющая контролировать дефекты и в результате углубленного физико-химического анализа способствовать их устранению.

По мере возникновения задач по изучению конструктивно-технологических особенностей изделий- аналогов, исследованию электрических характеристик тестовых структур и анализу причин отказов ИС, БИС, разрабатывавшихся главными конструкторами изделий микроэлектроники института (В.П. Сидоренко, В.П. Рева, Л.И. Самотовка и др.), в Центре проводились соответствующие работы, способствовавшие улучшению параметров разрабатываемых изделий.

Часть четвертая Перед закатом «Отыщи всему начало, и ты многое поймёшь».

К.Прутков «Один из законов жизни гласит, что, как только закрывается одна дверь, открывается другая. Но вся беда в том, что мы смотрим на запертую дверь и не обращаем внимания на открывшуюся".

Андре Жид 1. Моё пятилетие в Киевском НИИ микроприборов Зубашич В.Ф.

В конце 1976 года я был назначен директором Киевского НИИ микроприборов и заместителем генерального директора по науке производственного объединения «Кристалл», в состав которого входил институт.

В институт я пришел с должности первого заместителя главного инженера Киевского НИИ «Квант», который по численности в несколько раз превышал НИИ микроприборов и решал совершенно другие задачи. НИИ «Квант» разрабатывал большие комплексы радиоэлектронного вооружения. Задача каждого его подразделения состояла в том, чтобы его часть работала в составе комплекса. Все были объединены конечной общей задачей. Отсюда и чисто человеческие взаимоотношения разработчиков, дружба, поддержка, взаимовыручка и в техническом и человеческом плане. Комплексы проходили испытания и на воде, и в воздухе, и на суше.

Совершенно с другой обстановкой я столкнулся в новом институте.

Подразделения института разрабатывали отдельные микросхемы различного назначения, и каждый тянул одеяло на себя. Руководители этих подразделений были личности сильные и грамотные, авторитетные и внутри института и во внешнем мире. В министерстве единства в понимании значения такого института для отрасли и его роли в управлении научно-производственной деятельностью Киевского объединения не было.

Все институты МЭП'а, проводившие разработки микросхем, были специализированы по классам изделий. Одни разрабатывали логические ИС, другие микросхемы памяти, третьи - операционные усилители и некоторые аналоговые ИС.

В Киевском же НИИ микроприборов было уникальное сочетание сильных специалистов по разработке микросхем для вычислительной и аналоговой техники, технологии МОП БИС и биполярных ИС, системам автоматизирования проектирования БИС, аппаратуры на основе микроэлектронных технологий.

Были и крупные организационные трудности. Раньше это было научно производственное объединение, а при мне производственное. Во главе объединения стоял не институт, а завод, т.е. впереди стояла телега, а не лошадь. Но и в МЭП'е и в ЦК компартии Украины многие видели главную роль института в обеспечении стабильных производственных показателей Объединения и его головного предприятия – завода «Квазар».

Приходилось приспосабливаться. Первой моей победой было расширение производственных площадей института. Институту выделили новый корпус № площадью 10 тыс. кв.м.

Я прекрасно понимал, что разработки новых микросхем требуют соответствующего измерительного оборудования, и отвоевал в состав института ОКБМ (особое конструкторское бюро машиностроения), которое было самостоятельным подразделением и подчинялось заводу.

Следующим моим шагом была реорганизация самого института. Были созданы научно-исследовательские отделения: схемотехническое отделение (начальник НИО - В.И.Кибальчич), проектирования топологии (В.А.Саватьев), технологическое (Ю.П.Медведев), проектирования и изготовления фотошаблонов (В.К.Рець), автоматизированных измерительных систем (В.В.Горин), приборостроительное (Ю.Г.Клещев), отделение специальной техники (Ю.И.Цымбалист) и НИО физико химических исследований (С.А.Добролеж).

Такая структура должна была привести к усилению координации работ в технологии и создании контрольно - измерительной аппаратуры, сосредоточении потенциала схемотехников на комплексных разработках (возможно, аппаратурных), в которых могли бы объединить свои усилия коллективы главных конструкторов направлений в НИИ. Подобная структура эффективно работала в «Кванте» и во многих крупных оборонных НИИ. При этом могли образоваться хорошие научно производственные альянсы по спецтехнологическому оборудованию между технологическим НИО и ОКБМ, между НИО автоматизированных измерительных систем и ОКБМ, в приборостроении - со схемотехническим НИО.

По моему приглашению в институт пришли способные организаторы и специалисты. Каждый из них внес свою лепту в решение задач, стоявших перед НИИ. И.Ф.Жмаченко руководил ОКБМ, Ю.Г.Клещев возглавил приборостроительное НИО. Перед В.В.Крамским с группой специалистов, пришедших из Института кибернетики АН УССР, была поставлена задача воспроизвести японскую АИС «Takeda Riken» для измерения БИС, и они её успешно решили. С участием кандидата медицинских наук А.А.Вернигора была разработана микроЭВМ «Электроника-К1-КМ» для анализа электрокардиограмм. А.И.Дмитриев внес большой вклад в развитие материально-технической базы для испытаний приборов НИО-1. А.С.Лавров, проработавший некоторое время ученым секретарем НИИ, разработал методические документы по организации работы научно технического Совета института и его секций, аттестации научных работников, которыми руководствовались председатель НТС и руководители научных подразделений. А.С.Лавров много работал с аспирантами и соискателями научных степеней, участвовал в подготовке многих документов по развитию тематики НИИ.

Г.З.Матий организовал четкую работу по приему иностранных специалистов, руководителей зарубежных фирм и министерств стран СЭВ, работавших в области микроэлектроники.

Меня, как бывшего приборостроителя, особенно прельщала идея создания на базе элементной базы, разрабатываемой институтом, законченных изделий.

Постепенное увеличение объемов работ по приборостроению и сокращению номенклатуры разрабатываемых микросхем, с одной стороны, помогло бы сбалансировать возможности завода и НИИ, с другой - смягчить проблемы НИИ, связанные с постепенным отставанием его технологической базы от всё возраставшего технического уровня новых разработок микросхем.

Для этого нужно было время. Но его-то, как оказалось, у меня не было.

Существовала точка зрения, что уровень создаваемой микроэлектроники отражает уровень технологии и интеллекта нации. Я понимал, что достижение высокого технического уровня неразрывно связано с уровнем технологического оборудования, на котором создаются микросхемы. Оборудование для этих целей разрабатывалось в Зеленограде и Минске и распределялось министерством по предприятиям отрасли. Институт его практически не получал, все шло на завод.

Экспериментальная технологическая база института не обновлялась. А министерство придумало «новую формулу» - все отрабатывайте на заводских линейках, мол, быстрее пойдет внедрение. Кругом были одни трудности: все «помогали» институту.

Горя желанием прорваться, и понимая, что в Киеве можно сделать любое оборудование (здесь был институт теплотехники и теплофизики АН УССР, ОКБ и завод «Арсенал», создававшее уникальную оптику, институт газа АН УССР, институт кибернетики и другие), я пошел в ЦК компартии Украины, в Академию наук к Б.Е.Патону, но встретил везде только недопонимание.

Более того, объединение им.С.П.Королева (директор - будущий мэр Киева В.А.Згурский) начало создавать свой институт микроэлектроники с целью разработки и производства микросхем коммутаторов для телефонных систем. Эти микросхемы мы уже практически разработали. И на мой вопрос в ЦК КПУ, зачем это делается, с последующим объяснением, что это ведь большие новые капвложения, отток наших же кадров и эти проблемы мы можем решить за средства в 5-10 раз меньшие, мне ответили, что я не патриот города, мол, город получит деньги на промышленное и жилищное строительство, а я этому враг.

Замечу, уровень аппаратчиков украинского ЦК во всех смыслах не «тянул» по сравнению с московскими. Их интересовала в основном «бытовуха» - кому орден дать, кому квартиру, а кому должность. А в аппарате ЦК КПСС сидели профессионалы, которые и решали, и помогали, но и по шее давали.

Вспоминаю такой эпизод. Когда я хоронил в родном селе отца, вынесли икону.

В иконе, завернутой в пожелтевшую газету, я обнаружил фотографию, на которой В.И.Ленин, такой старичок, в старом зипуне, глади очаровательную собаку. Эту фотографию я никогда не видел. Фото отретушировали, поместили в рамку, и с ней поехал в Москву. Был «родительский день» у министра А.И.Шокина. В конце доклада я показал Александру Ивановичу эту фотографию. Он вызвал начальника ГНТУ В.М.Пролейко и тут же отправил его в музей В.И.Ленина, который был недалеко от министерства. Довольно таки быстро запыхавшийся В.М.Пролейко вбежал к Министру с возгласом: «Александр Иванович, в музее такой фотографии нет!». А.И.Шокин распорядился сделать аналогичную, и мы догадались, кому она предназначалась…лучшему его другу Леониду Ильичу. Было велено фото не размножать, а мой экземпляр был тут же размещен в комнате отдыха министра.

Чтобы выслужиться, я приехав в Киев, нарушил указание Министра, изготовил еще один экземпляр фотографии, и отправился ЦК компартии Украины к секретарю ЦК по оборонной промышленности, заведующему оборонным отделом товарищу В.Д.Крючкову. Василий Дмитриевич мельком глянул на фото, небрежно бросил его в шкаф и накинулся на меня с вопросом: «А ты выполнил мое поручение?

Часы, которые я тебе дал, починил?». Это не об отношении к В.И.Ленину, это о реакции на историческую, важную для партийных работников реликвию. Кто жил в то время, поймет. Это сравнение приоритетов в мышлении.

Так и жили. Но шли вперед.

Прекрасный коллектив во главе с Альфредом Витольдовичем Кобылинским Н.Г.Сабадаш, В.А.Темченко и другие) создали (А.И.Москалевский, микропроцессорный комплект БИС К580 с центральным процессором К580ИК80, аналогом фирмы Интел.

Его создание имело международное звучание. Газета «Геральд Трибюн» от ноября 1980 года писала: «Контрол Дейта Корпорация через свои венгерские контакты сумела получить советский микропроцессор - основной элемент, используемый для создания компьютеров и их периферийных устройств, и, таким образом приобрела редкую возможность оценить истинное состояние советской микроэлектроники».

Убеждение в том, что СССР отстает от США в этой области только на три года, основано на результатах испытания микропроцессора К580ИК80, 77 («77» в обозначении - год выпуска), проведенных специалистами «Контрол Дейта». А «подсунул» его этим «венгерским контактам» я, «случайно» забыв его на столе в своем кабинете, когда у нас был венгерский министр электротехники и электроники.

Начался большой шум. Результаты испытаний нашего микропроцессора опубликовали американский журнал «Электроника», японский журнал по микроэлектронике. Наш министр А.И.Шокин, когда говорил об уровне отечественной микроэлектроники на ХХV съезде КПСС, приводил именно этот факт. Но «спасибо» нам не сказал никто. И когда в журнале «Электронная промышленность» разрешили опубликовать статью о микропроцессорном наборе и микро-ЭВМ на его основе, никто не сказал, что это сделали мы - наш институт. Даже «Геральд трибюн» написала: «по мнению экспертов этот «чип» был изготовлен, видимо, в Зеленограде, городе в 90 милях на северо-восток от Москвы, который иногда называют «силиконовой долиной Советского Союза».

Но он был сделан здесь в Киеве, на Нивках.

Я говорил коллегам: «Нам отступать некуда - за нами Берковцы». При этом я имел в виду, что, несмотря на то, что наши успехи стараются не замечать, редко нам помогают, нужно идти вперед.

Примечание: Берковцы - кладбище, расположенное тогда на окраине города, Нивках.

За эту микро-ЭВМ «Электроника К-1» я тоже получил «большую благодарность».

Начинала сбываться моя мечта, как прибориста: институт начал осваивать на базе свих микросхем, готовые изделия. Первые 10 микро-ЭВМ изготовил наш филиал в г.Борзне.

И тут приехал первый заместитель Министра В.Г.Колесников, который очень нас «любил», в отличие от Министра А.И.Шокина и начальника ГНТУ В.М.Пролейко.

Оказывается, история была давняя. Его объединение «Электроника» в Воронеже, где он был директором, до того не «потянула» этот интеловский процессор, и он воспринял наш успех как свое поражение.

Спускаясь по ступенькам вагона СВ поезда №1 Москва-Киев, он среди встречающих увидел меня и хлопнул меня по спине газетой «Правда»: «Ты читал?

Почему не доложил? Кто тебе дал право?». Я удивился. Оказывается в газете «Правда» в статье В.В.Щербицкого говорилось о том, что на Украине создана первая в стране микро-ЭВМ. Я развел руками, и мы поехали в Академию Наук к Б.Е.Патону выяснять, кто мог дать В.В.Щербицкому такую информацию. Оказалось, как всегда, В.М.Глушков со своим Институтом кибернетики. А создана была микро-ЭВМ на базе обычных цифровых микросхемах ленинградской «Светланы».

После всего этого я поехал с А.В.Кобылинским в Москву к Е.П.Велихову, тогда вице-президенту АН СССР, и стали пробивать будущее нашей микро-ЭВМ.

Получили добро у Министра на строительство корпуса под производство микро ЭВМ в г. Светловодске на нашем заводе, выпускавшем микрокалькуляторы. Корпус был построен. Но первый заместитель Министра В.Г.Колесников все-таки поручил выпуск микро-ЭВМ Научному Центру в Зеленограде, и там выпускались микро ЭВМ ряда «Электроника - НЦ».

Кстати, о микрокалькуляторах. Мы были головными по разработке микрокалькуляторов в отрасли. Владимир Петрович Захаров и Юрий Михайлович Польский создали программируемый микрокалькулятор на одной БИС, аналогов которому не было. Но разрабатывать новое поколение микрокалькуляторов, не имея К-МОП технологии, институт не мог, а оборудование для этого нам не давали, чем и угробили это направление у нас.

За микропроцессорами к нам потянулись многие: и ракетчики, и бомбометатели, и мирная промышленность.

Запомнился один приезд своей необычностью. На черной «Чайке» к зданию института со своей свитой в национальных одеждах подъехал директор Ташкентского НИИ сельхозтехники. Впереди его помощник нес огромную корзину с вином и фруктами. Большой ученый узбек - директор сказал, что Рашидов (первый секретарь ЦК компартии Узбекистана) велел без микропроцессора для комбайна по уборке хлопка домой не возвращаться.

На эту тему была и такая история. Меня в обстановке секретности срочно вызвали в Министерство. Поехали мы с Министром на ВДНХ, где заместитель председателя Совета Министров СССР, Председатель военно-промышленной комиссии Л.В.Смирнов проводил совещание по вопросу копирования американского зерноуборочного комбайна с микропроцессорным управлением, лазерными устройствами определения цветности и регулируемыми механизмами управления в зависимости от рельефа местности. Не машина - чудо, живое существо. Разработчик и изготовитель - авиационная фирма «Локхид».

Возник вопрос: кто у нас какую часть сможет сделать. Министр дернул меня за рукав: «Не высовывайтесь». «Высунулся» министр авиационной промышленности Дементьев: «У нас все есть, мы сделаем, да у нас уже комбайн есть - «Дон». На том и порешили. Как комбайн «Дон» похож на комбайн «Джон Дир», мы уже знаем.

Большой объем в производстве объединения занимали интегральные схемы операционных усилителей, которые разрабатывались под руководством Владимира Александровича Ткаченко. При мне его коллектив уже добрался до прецизионных «операционников» фирмы «Harris». Трудно шли первые образцы: малый процент выхода. Раздавали поштучно.

Вот случай. Вдруг звонит мне из Ленинграда директор Института по изучению мозга и психической деятельности академик Н.П.Бехтерева, внучка выдающегося русского ученого В.М.Бехтерева, и просит дать им два «операционника» фирмы «Harris». «Для чего?» - спрашиваю. «Будете в Ленинграде - расскажу», - отвечает.

Прибыл от неё гонец, дали ему нужные «операционники». Будучи в Ленинграде в объединении «Светлана», заехал в институт к Н.П.Бехтеревой. Оказывается, их ученые поняли, почему принято отмечать 40 дней после смерти умершего человека.

И чтобы доказать свои выводы экспериментально, им нужны были очень чувствительные и точные приборы для исследования электрической активности мозга. Применив наши «операционники», они установили, что именно на сороковой день после смерти человека исчезают биотоки мозга.

В то время мы старались прорваться по всем направлениям, где мы уже занимали ведущие позиции в стране. Так было в программе «Операция», где головным предприятием был Рижский НИИ микроприборов, и, тем не менее, наиболее современные ИС операционных усилителей разрабатывал наш институт.

Так было в микропроцессорной технике, где только наш институт смог создать аналоги микропроцессоров, которые широко применялись в персональных ЭВМ и системах управления западных фирм, и которые выпускались не только в ПО «Кристалл». Так было и по программе «Память», где институт всегда имел твердые позиции в создании МОП БИС постоянных запоминающих устройств, а в 1980-е годы утвердился как лидер в области перепрограммирумых МОП-ЗУ.

Коллектив Владимира Павловича Сидоренко создал целый ряд БИС ПЗУ (с информационной емкостью до 1Мгбита), РПЗУ с электрической перезаписью информации и РПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением и электрической записью новой информации.

Все наши микросхемы широко применялись в промышленности и военной аппаратуре.

Серьезные задачи стало решать НИО-1 во главе с Юрием Ивановичем Цымбалистом. От разработки отдельных блоков и узлов, они перешли к созданию систем. Для развития этих работ готовилось Постановление ЦК КПСС и СМ СССР, которое должно было предусмотреть и расширение территории для решения научно - производственных задач.

Но тучи над нашим объединением продолжали сгущаться. В министерстве были недовольны и нашим генеральным директором Олегом Николаевичем Сазоновым, человеком весьма порядочным, приличным организатором и хозяином.

Его слабым местом были профессиональные вопросы микроэлектроники.

Деятельность института он поддерживал, но заводская «команда» и министерство его «съели». Я никогда не забуду свою ошибку в том, что я тогда недостаточно поддержал его в верхах, в чем сегодня и каюсь перед его именем.

Потом стали выжимать и меня, аккуратно предлагая мне различные руководящие должности в городе. Пришлось сдаться, понимая, что противостоять давлению, объединив свои усилия с коллективом института, раздираемым внутренними противоречиями, вряд ли удастся.

Несмотря на все трудности институт за годы, в которые я был его директором, сохранил темпы создания новых интегральных схем, выполнив все важнейшие задания для промышленности и обороны страны. Этим можно гордиться и быть благодарным всему научному коллективу КНИИМП.

И, тем не менее, досадно, что мне не дали довести намеченное до логического завершения. Мне очень жаль, что не удалось добиться интенсивного развития приборостроительного направления в институте на основе соей элементной базы, модернизации технологической базы НИИ и увести его с орбиты технологического придатка завода «Квазар».

2. Последний круг Мисюра А.В.

В конце 70-х годов по инициативе нового директора института В.Ф.Зубашича научно-тематические отделы в соответствии с их задачами были объединены в научно - исследовательские отделения. Было создано технологическое НИО-3.

НИО возглавил Ю.П.Медведев. Под его руководством технологическая база НИИ была практически полностью реорганизована - построены чистые помещения для всех технологических участков и установлено современное на то время оборудование, в том числе для проекционной фотолитографии. На заводе «Квазар»

начато было освоение n-канальной технологии. С этого времени разработки р канальных ИС практически прекратились, поскольку n-канальная технология с поликремниевым затвором открывала более широкие возможности для проектирования ИС высокого быстродействии и интеграции.

В начале 80-х годов по инициативе Ю.П.Медведева были начаты НИОКР по разработке КМОП-технологии.

За рубежом КМОП ИС появились в конце 60-х годов. В то время большинство ИС изготавливалось на базе р-канальной технологии, и эта же технология была принята за основу для КМОП-ИС (технология с р - карманом).

В конце 70-х годов с освоением n-канальной технологии ведущие зарубежные фирмы начали разработку КМОП ИС на основе этой технологии (с карманом n типа).

При обсуждении вопроса о вариантах КМОП-технологии мнения главных конструкторов направлений разделились. В.П.Захаров ратовал за КМОП технологию с карманом р-типа и алюминиевым затвором. Для него такая технология была привычна и удобна для проектирования калькуляторных ИС и однокристальных ЭВМ. Но эта технология не имела перспективы в наращивании степени интеграции и повышения быстродействия ИС. А.В.Кобылинский видел перед собой в перспективе целый ряд зарубежных процессорных наборов, реализуемых на базе n канальной технологии, и считал для своего направления преждевременным переход на КМОП - транзисторы. В.П.Сидоренко занимал не столь категоричную позицию, но склонялся к выбору КМОП с традиционным карманом р-типа.

Для решения вопроса о выборе КМОП-технологии предварительно проводились частные консультации, а затем было организовано совещание с участием главных конструкторов (разработчиков ИС) и технологов.

В качестве главного аргумента за вариант технологии с n-карманом выдвигалась практически полная совместимость с n-канальной технологией, уже освоенной на заводе.

Таким образом, одна и та же линия позволяла производить как n-канальные, так и КМОП ИС с добавлением операций формирования n-кармана. Для варианта с р-карманом нужны кремниевые пластины другого типа проводимости и дополнительное оборудование для термических процессов. Хотя не все разработчики ИС были удовлетворены, но всё же согласились с представленными доводами технологов и остановились на варианте КМОП - технологии с карманом n типа, совместимой с более перспективной n-канальной технологией.

Осторожность, с какой относились разработчики ИС к новой КМОП технологии, иллюстрирует тот факт, что первой КМОП ИС, изготовленной в НИИ, была ИС операционного усилителя (главный конструктор В.А.Ткаченко).

Ориентация при разработке КМОП технологии на n-канал оказалась настолько оправданной, что никаких технических затруднений для реализации её на технологической базе НИИ не возникало. Практически разработка КМОП технологии свелась к выбору оптимальных режимов формирования n-кармана.

Первой БИС, изготовленной по разработанной в НИИ КМОП – технологии, была однокристальная мини ЭВМ, аналог 80С48 (главный конструктор П.В.Сивобород). Имеющийся зарубежный аналог БИС был изготовлен по технологии с р - карманом. Поэтому на этапе проектирования топологии БИС возникли серьезные разногласия из-за типа кармана. Руководство НИИ в лице начальника В.И.Кибальчича и главного инженера институтута В.А.Саватьева выражало опасение, что при изменении типа кармана с р на n-тип, микросхема не будет функционировать.

Технологам удалось снять характеристики тестовых транзисторов на кристалле-аналоге. Оказалось, что основные параметры - транзисторов - пороговое напряжение и крутизна характеристик - близки к параметрам, реализуемым по технологии с n-карманом. Это позволило прогнозировать работоспособность БИС и с n-карманом.

Тем не менее, на совещании у заместителя директора НИИ Л.Н.Цуканова было принято решение проектировать топологию БИС по двум вариантам - с карманами р и n-типа. Для ускоренной проверки возможности проектирования БИС с n-карманом технологи предложили изготовить тестовую структуру, содержащую один из основных узлов БИС - генератор фаз. Уже через полгода тестовая структура была изготовлена, и результаты замера параметров генератора превзошли все ожидания запас по быстродействию был более чем достаточный. После этого проектирование БИС с р - карманом было прекращено. Функционирующие кристаллы 80С48 были получены из первой же партии. После чего вопрос о КМОП - технологи с р карманом был окончательно снят.

С середины 80-х годов проектирование БИС (память, однокристалки, аналоговые и микропроцессорные), осуществлялось по разработанной в НИИ КМОП - технологии с n-карманом.

Следующим этапом развития и совершенствования КМОП - технологии была разработка БИС с повышенной устойчивостью к воздействию внешних факторов.

Повышение устойчивости БИС к радиации достигалось путем изменения конструкции n-транзисторов и технологии формирования подзатворного диэлектрика. Эта работа выполнялась совместно с Институтом полупроводников и Институтом физики НАНУ. По разработанной технологии были изготовлены БИС 16-разрядного микропроцессорного набора, в т.ч. центральный процессор (главный конструктор В.И.Золотаревский).

В этот же период под руководством начальника НИО-3 В.К.Реця (некоторое время НИО после перехода Ю.П.Медведева в ПО им.С.П.Королёва НИО руководил Ю.Г.Кононенко) было закончено переоснащение технологической базы НИИ и проведена реорганизция НИО.

В основу новой структуры отделения был положен принцип специализации подразделений по технологическим процессам и технологическим маршрутам изготовления ИС. Подразделения, ответственные за разработку технологических процессов, обеспечивали не только выполнение НИОКР по разработке процессов, но и непосредственно участвовали в изготовлении образцов ИС. При такой организации разработчики вплотную сталкивались с технологическими проблемами и решали их в процессе выполнения НИОКР. Фактически все участки технологической базы НИИ вошли в состав научно-исследовательских отделов и лабораторий.

Руководили лабораториями по технологическим процессам: термические процессы - Ю.А.Алексеев, осаждение пленок в реакторах пониженного давлении (РПД-процессы) - В.Г.Кобка, плазмо-химическое травление пленок - В.Я.Айвазов, электронно-лучевое напыления пленок - В.Г.Вербицкий, проекционная фотолитография - В.М.Мацкевич, обработка пластин кремния - В.Д.Кизилов, ионное легирование - Ю.Полищук. Электрофизические исследования МДП структур проводились в лаборатории О.С.Фролова. Разработка тестовых структур для контроля параметров элементов ИС и статистическая обработка результатов измерений проводилась в лаборатории Ю.А.Верницкого.

На вторую половину 80-х годов приходится пик по количеству ИС, разрабатываемых НИИ (несколько десятков ежегодно). Для контроля качества выполнения технологических процессов возникла необходимость пооперационного контроля инженерным составом по всему технологическому маршруту.

Так сформировался коллектив технологов - «маршрутчиков», заместителей главных конструкторов по технологии. И если раньше «маршрутчики» были разбросаны по разным подразделениям НИО, то в 1988 году они были объединены в одном подразделении - отделе 910. Отделом некоторое время руководили Ю.Г.Кононенко, Ю.П.Деркач. В пору, когда вошла в практику новая форма назначения руководителей - коллективом отдела на эту должность был избран начальник лаборатории КМОП - технологии, автор этого очерка.

В состав отдела входили три лаборатории, ориентированные на разработку БИС памяти (главный конструктор В.П.Сидоренко) - лаборатория В.А.Ярандина (РПЗУ с электрической перезаписью информации), В.Лосева (РПЗУ с УФ стиранием информации), А.Дубчака (МНОП РПЗУ). Лаборатория А.Москалевского (ведущие специалисты А.Кудина, Л.Галька) была опорой главного конструктора микропроцессорных БИС А.В.Кобылинского, лаборатория Н.И.Ерошенко работала с главным конструктором КМОП однокристальных ЭВМ П.В.Сивобородом, лаборатория В.И.Маранды В.И.Паламарчук) (основной «маршрутчик»

ориентировалась на разработку ПЗС-ИС (главный конструктор В.А.Рыжов).

Направление линейных ИС (главный констуктор В.А.Ткаченко) вели «маршрутчики» отдела В.Е.Устилко, который был отдельным технологическим подразделением в НИО.

Благодаря совместной работе технологов - «маршрутчиков» в одном отделе КМОП технология производства БИС различного назначения была максимально унифицирована.

3. Закон Мура Петин Ю.А.

«Оставь надежду всяк сюда входящий». А.Данте «Не посеешь - не пожнешь». Пословица При формировании планов создания новых МОП-БИС, да и не только этих интегральных схем, в КНИИМП часто возникал вопрос: что первично - уровень технологии (и, следовательно, конструктивно - технологические ограничения для проектирования будущих ИС), достигнутый хотя бы на уровне научно исследовательской работы, или требования главного конструктора к технологии, которую нужно создать для изделий боле высокого технического уровня?

Вероятно, ответ на этот вопрос был дан американскими фирмами в 70-80 - х годах, когда происходило становление фирм-производителей изделий микроэлектроники. Никто никогда не финансировал проекты, которые не приносили прибыль на рынке сбыта новой продукции. Стимулировала развитие технологий всегда только потребность в новых изделиях. Тем более, очередные шаги в создании новых изделий, и, соответственно, технологий были очевидны, поскольку СССР в микроэлектронике шел по стопам США. Все программы, определяющие развитие МОП направления, исходили из тенденций возрастания функциональной сложности БИС и степени интеграции.

Насколько большое значение при оценке успехов предприятий придавалось в МЭП такой характеристике как степень интеграции ИС, свидетельствует довольно таки курьезное разъяснение Центрального бюро применения интегральных микросхем (ЦБПИМС), направленное руководителям предприятий в 1981 году: «За последнее время участились случаи, когда предприятия - калькодержатели при определении степени интеграции ИС неправильно производят подсчет (выделено нами) числа элементов…В полупроводниковых и в гибридных микросхемах нельзя учитывать как отдельные элементы части, элементы, которые неизбежно образуются при их изготовлении микросхемы…Считать за элементы микросхемы следует только те радиоэлементы, которые целенаправленно спроектированы и реализованы конкретными технологическими операциями…».

Наиболее очевидным показателем технологического уровня для передовых фирм была информационная емкость БИС с регулярной структурой. Именно такими схемами были БИС динамических ОЗУ (ДОЗУ) и БИС ПЗУ.

В 1965 году Гордон Мур, один из основателей фирмы Интел, обратил внимание на довольно-таки интересную закономерность. Каждая новая БИС ЗУ, которая появлялась через 18-24 месяца после предыдущей, содержала в два раза больше транзисторов. А, поскольку по технологическим соображениям размеры кристаллов остаются примерно одинаковыми, то это означало, что плотность упаковки транзисторов также должна приблизительно удваиваться каждые два года.

Это правило, известное сейчас как закон Мура, довольно точно выполнялось, по крайней мере, в течение трех десятилетий. Так как быстродействие напрямую связано с размерами транзисторов, то, как следствие закона Мура, быстродействие БИС должно было расти экспоненциально. Эти закономерности широко использовались для прогнозирования развития технологии и параметров не только МОП-БИС ЗУ, но и микропроцессорных БИС. Казалось, закон не будет действовать, когда технологии вплотную приблизились к своему физическому пределу. Но он удивительным образом, продолжает действовать и по сей день: например, на то, чтобы пройти путь от 1 ГГц до 2 ГГц, ушло как раз полтора года.

Разработка n-канальной технологии МОП-БИС в НИИ была начата в 1974 году в лаборатории Ю.П.Троценко, а затем уже продолжена в отделе, руководимом им, и доведена в 1978 году до освоения в серийном производстве. Переход на n-канальную технологию открыл новый этап в развитии МОП-БИС в объединении. Начиная с 1976 года по этой технологии в НИИ разрабатывались все БИС по программам «Память» (кроме РПЗУ на МНОП - транзисторах) и «Микропроцессор», Катализатором ее совершенствования в 80-е - первой половине 90-х годов были БИС РПЗУ с УФ-стиранием информации и РПЗУ с электрическим перепрограмированием на основе элементов «Flotox».

Наиболее сложной с точки зрения проектирования и технологии были последние. Они имели двухтранзисторную ячейку, содержащую туннельно-тонкий окисел толщиной 120 ангстрем и окисел поликремния толщиной 900-1000 ангстрем, высоковольтные цепи программирования (напряжение 22 в), короткоканальные транзисторы в низковольтных цепях. Технологический маршрут включал:

многостадийное выращивание туннельного окисла, термическое окисление первого уровня поликремния, комплекс процессов легирования и термических обработок, направленный на повышение пробивного напряжения n+-p переходов в высоковольтных цепях при сохранении глубины залегания n+-p переходов на уровне 0,5-0,6 мкм Технология n-канальных БИС развивалась на принципах пропорционального масштабирования размеров элементов - уменьшение длины канала, толщины подзатворного окисла, глубины залегания n+-p переходов в выбранном масштабе.

Эти принципы последовательно реализовывались и передовыми фирмами США в технологических маршрутах HMOS, HMOS-I, HMOS-II, HMOS-III. Ниже приведены конструктивные параметры элементов, которые закладывались при проектировании МОП-БИС по этим маршрутам.

Элемент конструкции НMOS-I HMOS HMOS-II HMOS-III Топологческая длина канала, 5,0 4,0 3,0 2, мкм Толщина подзатворного 700 500 300 окисла, А Глубина n+-p переходов, мкм 0,6-0,8 0,4-0,6 0,3-0,5 0,1-0, Динамика изменения топологической длины канала по мере увеличения емкости РПЗУ с УФ-стиранием информации в наших разработках была такой: кбит - 6 мкм, 64 кбит - 3,2 мкм, 256 кбит – 2,4 мкм. РПЗУ емкостью 1 Мбит были спроектированы по нормам превышающим нормы HMOS-III (топологическая длина канала - 1,2 мкм). БИС 8 разрядных процессоров (серия К580) были созданы по нормам n-канальной технологии (топологическая длина канала – 6 мкм), 16 разрядных микропроцессоров (серия К1810) - по нормам HMOS - технологии.

Развитие основных параметров современной элементной базы МОП-БИС.

Параметр 2001 г. 2003 г. 2006 г. 2009 г. 2012 г.

Площадь ячеек ДОЗУ, 380 770 2,2х1000 6,1х1000 17х млн.шт./кв.см Плотность транзисторов в МП, 10 18 39 84 млн.шт./кв.см Площадь кристалла, кв.мм.

- память 445 560 790 1120 - процессор 385 430 520 620 Минимальное напряжение питания, в 1,2-1,5 1,2-1,5 0,9-1,2 0,6-0,9 0,5-0, Максимальное число уровней 7 7 7-8 8-9 монтажа Максимальная тактовая частота 2 4 6 8 процессора, Ггц Для реализации кристаллов БИС с такими параметрами наряду с совершенствованием процессов n-канальной технологии таких как диффузия, окисление, фотолитография, «мокрое» химическое травление, электронно-лучевое нанесение тонких пленок, разрабатывались и применялись новые процессы: ионное легирование, плазмохимическое травление, нанесение пленок в реакторах пониженного давления и другие термоионные процессы, осуществлялся переход к проекционной фотолитографии, на пластины кремния диаметром 100-120 мм.

Конечно, все это требовало применения нового оборудования, которое выпускалось на заводах отрасли или модернизации используемоего в НИИ, новых материалов.

В конце 80-х годов в НИИ под руководством начальника отдела А.В.Мисюры и начальника лабораторий Н.И.Ерошенко была разработана КМОП - технология.

Чтобы представить какой путь пришлось бы пройти КНИМП в развитии технологии МОП СБИС, если бы отечественная электронная промышленность выдержала бы темпы мирового развития этой отрасли, приведем прогноз развития микроэлектроники, разработанный Ассоциацией полупроводниковой промышленности США (SIA), представленные в таблице «Развития основных параметров современной элементной базы МОП - БИС».


Но дело не только в том, что отечественная микроэлектроника столкнулась бы с технологическими трудностями достижения этих параметров. Второй закон Мура говорит о том, что затраты на производственные мощности, используемые для создания микросхем, растут быстрее, чем спрос на микросхемы. Вот как прокомментировал этот закон доктор Стэн Уильямс из лаборатории HP Labs в Пало Альто: «…второй закон Мура… многие не понимают. И в первую очередь не понимают ученые, которые склонны больше говорить о будущем. Этот закон свидетельствует о даре предвидения, которым обладал Гордон Мур. Расходы на организацию производства, хотя и были значительными, исторически составляли лишь незначительную часть всех затрат на производство и распространение. Теперь же затраты на новые производственные мощности достигают нескольких миллиардов долларов, и, согласно прогнозам, к 2010 году затраты на строительство одной фабрики составят 30-50 млрд. долл. Это существенная часть всего рынка микросхем, в силу чего и возникает вопрос: сможет ли компания или даже группа компаний профинансировать строительство такого монстра».

В 2000 году фирма Интел стала первым производителем СБИС по технологии 0,13 мкм (130 нм). В 2001 году она представила микросхему флэш-памяти, созданную по этой технологии. Кристалл был в 200 раз меньше кристалла первой микросхемы флэш-памяти, выпущенной в середине 80-х годов. Новая технология позволяет создавать СБИС ЗУ емкостью 512 Мгб и больше. СБИС микропроцессоров Pentium IV c частотой 2,2 Ггц, выпущенные в 2002 году содержали 55 миллионов транзисторов.

Вот как выглядела схема развития технологии МОП БИС до того как КНИИМП сошел с дистанции забега.

А далее изменение уровня технологии было таким: 2005 год – 90 нм, 2006 – нм, 2007 - 45 нм, ожидается 2011 – 22 нм, 2013 – 16 нм.

Размеры современного МОП транзистора сравнимы с размерами молекулы ДНК (см.фото).

Многие фирмы перешли уже на использование пластин кремния диаметром 300 мм. Планируется переход на пластины еще большего диаметра – 450 мм.

Очевидно, что прогресс в технологии СБИС базируется на развитии электронного машиностроения, которое требует не только колоссальных инвестиций, но соответствующего уровня общего машиностроения. Но в бывшем Советском Союзе электронное машиностроение остановилось на уровне конца 80-х годов. Даже на уровне технологии H-MOSI КНИИМП приходилось дорабатывать оборудование уже своими силами. Да и решение всего комплекса научно производственных задач в этой области не под силу одному государству: по каким то видам оборудования лидируют американские компании, по другим - японские, немецкие, французские и пр.

В бывшем СССР, а потом в Украине, таких государственных средств не было.

Привлечение негосударственных инвестиций в этот сектор требовало уверенности инвесторов в окупаемости проекта за счет продаж изделий не только на внутреннем рынке, но и на внешнем. Но сбыта такой продукции не могло быть. Внутренний рынок современной вычислительной техники удовлетворялся за счет импорта, а в производстве такой техники в Украине - импортом комплектующих изделий.

Внешний рынок был бы просто недоступен: он уже давно занят мощными фирмами США и Японии.

Это стало главной причиной, почему КНИИМП остановился в технологическом развитии, не достигнув даже уровня изготовления опытных образцов ПЗУ, РПЗУ ёмкостью 1 Мгбит и 32-разрядного процессора 80386. Для мирового лидера - фирмы Интел это был уровень 1985 года. В технологии МОП БИС мы остались в прошлом веке. А лидеры от нас уже убежали на три десятка лет.

Есть принципиальные физические ограничения дальнейшего уменьшения размеров МОП - транзистора (точнее - МДП-транзистора) и роста степени их интеграции на кристалле.

Они обобщены в нижеприведенной таблице.

Возможные направления для дальнейшей миниатюризации МДП – транзисторов: уменьшение толщины диэлектриков и применение вместо окисла кремния других диэлектриков, наращивание областей истока и стока, технология кремний на изоляторе, транзистор SiGe-каналом.

Параметр Физические ограничения Минимальная величина одного Статистические флуктуации легирования элемента, 30 нм подложки, разрешение фоторезиста, космические лучи и радиоактивность, конечная ширина p-n перехода Толщина подзатворного Туннельные токи через диэлектрик диэлектрика, ~1 нм Минимальное управляющее Тепловой потенциал kT/q напряжение 0,025 В Минимальный ток 3·10-9 А при f = Дискретность заряда электрона, флуктуации 1 ГГц встроенного заряда:

3·10-9 А Дискретность заряда Минимальный ток электрона, флуктуации при f = 1 ГГц встроенного заряда:

Минимальная мощность, Тепловые шумы:

10-10 Вт/элемент при f = 1 ГГц Предельное быстродействие, 0,1 нс Скорость света: = (размер кристалла)/nс;

(10 ГГц) Перезарядка емкостей соединений и контактов Максимальное напряжение питания Пробой подзатворного диэлектрика, смыкания областей истока и стока Максимальная плотность тока Электромиграция, падения напряжения на паразитных сопротивлениях контактов Максимальная мощность Теплопроводность подложки и компонентов схемы Количество элементов на кристалл, Совокупность всех ранее перечисленных ограничений + минимальное тепловыделение ~ 10–13 Дж/бит 1 ГГц процессор производит 50 Вт/см2, электроплита 10 Вт/см По мнению специалистов IBM, в будущем прогресс в электронике станет возможным за счет создания сверхпроводящих и молекулярных компьютеров, углеродных и полупроводниковых нанотрубок, а также спинтроники.

Можно ли достичь в Украине такого мирового уровня технологии ультра БИС (УБИС)? Да, ещё можно. Если такой проект будет выгоден крупной зарубежной фирме для увеличения своей прибыли в мировых продажах УБИС и аппаратуры на их основе. Украинские специалисты тогда получат современную технологическую базу для своих разработок. Но для реализации такого проекта нужна разумная политика правительства в электронике.

Без этого нельзя ожидать, что Украина в технологии УБИС когда либо выйдет на уровень передовых фирм в мире. А впереди очередной технологический виток наноэлектроника.

4. Разрушение иллюзий Петин Ю.А, Сидоренко В.П.

«Где начало того конца, которым оканчивается начало?»

К.Прутков «Не давайте святым псам и не бросайте жемчуга вашего пред свиньями, чтобы не покрали они его, и обратившись, не растерзали вас».

Евангелие, Матвея,7,6.

Нам - В 1987 году институт отмечал своё 25-летие. Тогда у нас было традицией каждое новое пятилетие отмечать на торжественном расширенном заседании научно-технического совета. Приглашались коллеги из других институтов, с заводов, выпускавших наши изделия, и представители заказчиков. К этому дню выпускалась огромная (длиной 5-6 метров) серьезно – юмористическая стенгазета, где наши ученые не только вспоминали прошедшие годы, но и от души шутили не жалея ничьих титулов и званий.

В докладе генерального директора объединения Н.С.Дяденко были подведены итоги работы института в пятом его пятилетии. Свой доклад генеральный директор закончил словами:

«Мы выражаем искреннюю признательность всем сотрудникам института за их добросовестную работу на благо Родины и сердечно поздравляем трудящихся Объединения с 25-летием нашего Киевского НИИ микроприборов.

Желаем ветеранам НИИ доброго здоровья, больших успехов в последующие годы их деятельности, а молодым людям, принимающим эстафету поколений, поскорее развить эти успехи в конкретных делах по созданию новой техники!»

В том году институту было чем гордиться.

За четверть века Киевский НИИ микроприборов стал одним из крупнейших институтов в отрасли по направлению микроэлектроника.

В 1982 году в институте работало более 2000 высококвалифицированных ИТР и рабочих, 3 доктора наук и более 150 кандидатов наук. Заказчиками новых изделий микроэлектроники были многие предприятия - разработчики аппаратуры для общепромышленного применения и для систем военного назначения. По программам СЭВ в области микроэлектроники специалисты НИИ сотрудничали со специалистами ГДР - в разработках микропроцессоров, НРБ и ЧССР - в разработках БИС ЗУ, по отдельному соглашению в производстве калькуляторов - с ГДР.

Полезным было сотрудничество с институтами Академий наук УССР и СССР, предприятиями - разработчиками оборудования и материалов, Киевским политехническим институтом и Киевским государственным университетом.

В Киевском политехническом институте совместным приказом МЭП и Минвуза УССР в 1986 году были организованы филиалы профилирующих кафедр КПИ на базе ПО «Кристалл»: диэлектрики и полупроводники, САПР, электронных приборов и устройств. На этих кафедрах преподавали около 20 ведущих специалистов института.

Ниже приведены наиболее значимые научно-технические достижения КНИИМП за истекшее пятилетие в сравнении с предыдущим, четвертым, отмеченным в 1982 году.

1978 – 1982 годы 1983 – 1987 годы Базовый 8-разрядный Базовый 16-разрядный микропроцессорный комплект (7БИС) в микропроцессорный комплект и сопроцессоры пластмассовых корпусах КР580 и первая (К1810);

очередь комплекта 580 для спецприменения Семейство 8-разрядных однокристальных ЭВМ, в том числе выполненных по КМОП технологии БИС - контроллеры ПДП и НГМД БИС ПЗУ информационной емкостью 16, БИС РПЗУ с УФ -стиранием 64, 128 кбит, ПЗУ 16 кбит для спецприменения;

информационной емкостью 16, 64, 256 кбит;

БИС ППЗУ информационной емкостью 4, БИС РПЗУ с электрической перезаписью 16 кбит для общепромышленного и информации емкостью 4, 16, 64 кбит спецприменения ИС операционных усилителей и Ряд новых ИС операционных усилителей аналоговых перемножителей (140УД12, и аналоговых перемножителей 140УД14, 140УД20, 1408УД1, 525ПС1, 525ПС2) ИС аналоговых линий задержек, Новые ИС аналоговых линий задержек, динамических фильтров и фильтров- динамических фильтров и фильтров корреляторов на приборах с зарядовой связью корреляторов на приборах с зарядовой связью (ПЗС) (ПЗС) ИС многоканальных коммутаторов, в том числе в бескорпусном исполнении и на основе структур кремний на сапфире (КНС) ИС (9 типов) для стереомагнитофонов Ряд ИС для высококачественной магнитной записи БИС для микрокалькуляторов различного Внедрены новые технологические назначения и на их основе ЭКВМ: Электроника процессы:


Б3-14К;

Б3-32;

Б3-34;

МК-43;

МК- 46;

МК-47;

- технология производства МОП-БИС на МК-48;

МК-54 n-канальных МОП-транзисторах с пропорциональным масштабирование размеров Микро-ЭВМ «Электроника К1-10», элементов;

«Электроника К1-20» и микро-ЭВМ - технология производства МОП СБИС специализированного медицинского на n-канальных МОП - транзисторах с кардиометра «Электроника К1-КМ»

Разработана промышленная технология «плавающим» затвором;

- комбинированная технология изготовления интегральных схем на основе аналоговых СБИС (комплементарные ДИКЭД - структур.

биполярные транзисторы, р - канальный МОП Внедрены принципиально новые транзистор, прецизионный полевой транзистор);

технологические процессы - универсальная технология аналоговых - нанесение пленок нитрида кремния и СБИС, содержащих различные блоки на одном поликремния в реакторах пониженного кристалле (комплементарные биполярные и давлении;

МОП- транзисторы, - плазмохимическое травление пленок;

супер - транзисторы, прецизионный - сборка микросхем в бескорпусном полевой транзистор);

исполнении на основе гибких носителей - КМОП - технология с n-карманом и - сборка микросхем с применение поликремниевым затвором для цифровых и ультрадисперсных сред аналоговых СБИС;

- конструкция и технология сборки БИС, микроэлектронной аппаратуры на гибком носителе.

Специалисты, которые работали в электронной промышленности, вряд ли смогут назвать другой институт в стране, который владел бы такой суммой технологий в микроэлектронике, такой суммой знаний и опыта в проектировании различных классов интегральных схем для вычислительной и аналоговой техники.

Вот что говорил об институте один из главных конструкторов изделий, начальник отдела КНИИМП П.А. Копыл корреспонденту газеты «Зеркало недели» в 2006 году: «Я проработал 25 лет в Киевском институте микроприборов, - рассказал бывший главный конструктор изделий в институте Петр Копыл. - Мы подчинялись Министерству электронной промышленности. Подобных НИИ в Союзе было около восьми. Но такого крупного, как наш (причем в плане диапазона проблем, которыми занимались), не было ни одного. К примеру, в Зеленограде под Москвой - городе Министерства электронной промышленности - жили 200 тысяч человек. Все новейшее в Союзе было собрано там. И все же в Зеленограде занимались узкими проблемами, например, памятью или физикой процессов. А у нас успешно разрабатывали микропроцессорную технику, контроллерную, калькуляторы, управляющие схемы, аналоговую технику. И это в то время, когда в Союзе любили все разбрасывать по отдельным городам - аналоговую технику разрабатывали в Прибалтике, логические элементы - в Минске, микропроцессоры - в Воронеже, память - в Зеленограде. В Киеве это все было собрано под одной крышей и почти по всем направлениям работали лучшие специалисты в стране… Вот с таким потенциалом вступал институт в шестое свое пятилетие.

25- летие института стало последним праздничным юбилеем для его коллектива.

Если на торжественном заседании НТС в 1987 року, которое проводилось в большом актовом зале, не было свободных мест, присутствовали представители заказчиков и заводов-изготовителей изделий, разработанных НИИ, то в 1992, когда НИИ стало 30 лет, в малом актовом присутствовало лишь несколько десятков ветеранов НИИ. Не было ни представителей предприятий-заказчиков наших изделий, ни коллег из других институтов.

В 1987 году свой праздник отмечали люди, верившие в новые успехи в своей жизни, будущее развитие техники, которой они отдали лучшие годы своей жизни.

Кто-то скажет, это ностальгия ветеранов по прошлому… 25 лет Киевскому НИИ микроприборов.

Ветераны НИИ.В первом ряду – генеральный директор объединения - директор института Н.С.Дяденко, слева от него П.Ф.Пахомов, справа - В.А.Саватьев.

Но это далеко не так. Это, скорее, стремление сохранить память о большом трудовом подвиге ученых, ИТР и рабочих института, выполнявших поставленные перед ними задачи. И стремление понять и переосмыслить, как и почему большие надежды оказались лишь нашей иллюзией, почему знания и опыт этих людей стали ненужными нашей стране. Причины ведь не только в общем кризисе, связанном с перестройкой экономики. Вероятно, у коллектива нашего института мог быть и иной путь, и лучшая судьба его сотрудников.

Результаты работы Киевского НИИ микроприборов, как и многих институтов, создававших комплектующие изделия для электронной аппаратуры ракетоносителей, спутников, систем противовоздушной обороны и подводного флота страны, широко не рекламировались. Но их научные коллективы создавали в нужное время изделия, благодаря которым также обеспечивался паритет СССР и США в военной сфере.

Для программ создания новых видов вооружений и оборонных систем, которые по своим тактико-техническим характеристикам не должны были, по крайней мере, уступать военной технике США Постановлениями Советом Министров СССР и ЦК КПСС устанавливались жесткие сроки их разработок и производства. Такие же требования предъявлялись и к НИИ, работавшим на выполнение оборонных программ в тесной взаимосвязи с другими НИИ, расположенных в разных регионах страны.

25 лет Киевскому НИИ микроприборов. Главный инженер объединения В.П.Болдырев (второй слева) и начальник отдела - один из первых сотрудников НИИ Г.П.Апреленко встречают первого директора института - его основателя С.А.Моралёва, приглашенного на торжественное заседание научно - технического Совета КНИИ МП.

Перед началом торжественного заседания научно-технического Совета НИИ: ученый секретарь НИИ Ю.А.Петин (справа) знакомит первого директора КНИИМП С.А.Моралёва с программой торжественного заседания НТС института (слева).

В центре – начальник НИО Ю.И.Цымбалист.

25 лет Киевскому НИИ микроприборов.

В Президиуме торжественного заседания НТС института. Слева направо: в первом ряду - начальник НИО В.А.Саватьев, председатель профкома В.И.Скрипка, первый директор НИИ С.А.Моралев (за букетом цветов), генеральный директор объединения – директор НИИ Н.С.Дяденко, главный инженер НИИ Л.Н.Цуканов, ученый секретарь Ю.А.Петин, во втором ряду - начальник отдела В.В.Бобовский, начальник НИО В.В.Горин, начальник ЦФХВИ С.А.Добролеж, начальник лаборатории Н.В.Добровольский, секретарь парткома НИИ Л.В.Хороших.

25 лет Киевскому НИИ микроприборов.

В большом актовом зале объединения во время торжественного заседания НТС.

Во втором ряду - главный инженер завода «Квазар» В.В.Костиков (первый справа), рядом с ним представитель заказчика М.М.Чуянов.

На научно-технической конференции, проведенной в связи с 25 - летием Киевского НИИ микроприборов.

На переднем плане - главные конструктора направлений В.П.Сидоренко (первый справа), В.А.Ткаченко (второй справа) Именно в борьбе двух конкурирующих в мире систем рождалась та новая техника, в том числе и микроэлектроника.

Но в начале 80 - х годов было очевидно, что догнать по техническому уровню зарубежные фирмы мы уже не сможем. Экономические условия в США, Японии и передовых европейских странах могли обеспечить очень высокие темпы развития многих высокотехнологических отраслей. СССР же, с большим напряжением выполнивший первый проект развития микроэлектроники, уже не имел сил для дальнейшего движения вперед.

Эту борьбу проиграли не специалисты, а система управления развитием новой техники в СССР и руководители государства, не нашедшие эффективные пути использования потенциала своего народа. А в Украине и вовсе не понимавшие значение отрасли для будущего страны.

Но даже в условиях кризиса советской экономики, вероятно, руководители передовых предприятий отрасли могли найти решения, которые смягчили бы удар по их коллективам.

Перестройка вектора интересов Чтобы лучше понять, почему еще до экономического кризиса в стране затормозилось во второй половине 80-х годов движение вперед нашего института, остановимся на политике МЭП СССР в развитии научно-производственной базы микроэлектроники в Украине и роли ЦК Компартии Украины в этом.

Предприятия электронной промышленности в Украине по линии государственного управления подчинялись МЭП СССР. И Совет Министров республики никак на их деятельность не влиял. Единство целей у ЦК КПУ и МЭП определялось по партийной линии управления - по линии ЦК КПСС и его оборонного отдела: постановка задач, контроль их выполнения, подбор кадров и контроль их деятельности.

МЭП в создании полупроводниковой промышленности, позже микроэлектроники ставил своей целью в республиках, прежде всего, развитие производственных мощностей. Обратите внимание в Украине, Белоруссии и Латвии, - заводы полупроводниковых приборов в Киеве, Запорожье, Херсоне, Минске, Риге.

На них выпускались приборы, разработанные в московских НИИ. То есть до определенного времени в республиках не предполагалось создание научной базы для новой отрасли. Максимум: СКБ, СКТБ при заводах, или отдельные конструкторские бюро при постановке новых задач.

Однако в Украине в силу высокой активности руководства и специалистов Киевского КБ и проявленной ими самостоятельности в поисках партнеров заказчиков ситуация в определенной степени вышла из под контроля МЭП. И министерство было вынуждено удовлетворять требования оборонных предприятий исполнителем их заказов назначать Киевское КБ (затем КНИИМП), а поставщиком новых приборов - Киевский завод полупроводниковых приборов и опытный завод НИИ (после их объединения - завод «Квазар»).

Но, несмотря на это, МЭП все годы последовательно сохранял свою позицию:

главное в Украине - развитие производственной базы микроэлектроники. КНИИМП ему был нужен только как исполнитель заказов Министерства обороны по ряду изделий. Другого исполнителя этих заказов у МЭП не было.

При этом многие руководители в МЭП не хотели видеть в мощном научном коллективе КНИИМП одного из лидеров новой отрасли промышленной науки. Для них основной научной базой микроэлектроники оставались НИИ Научного центра в г. Зеленограде. Вероятно, не только потому, что для развития двух центров микроэлектроники в стране не хватало средств.

Исходя из этого, можно понять, почему МЭП пошел на преобразование научно-производственного объединения «Кристалл» сначала в производственно техническое, а затем в производственное.

Научно-тематические планы КНИИМП и планы производства изделий завода «Квазар» утверждал МЭП. Но, учитывая, что многие задания были следствием постановлений СМ СССР и ЦК КПСС, ответственность за их выполнение возлагалась и на партийное руководство республики, прежде всего оборонный отдел ЦК КПУ. Так было принято в стране: решение важнейших задач в обороноспособности страны контролировалось ЦК КПСС и Военно-промышленной комиссией при Совете Министров СССР.

В первые годы развития микроэлектроники в стране ЦК КПУ было заинтересовано в привлечении значительных капитальных средств в республику по линии МЭП для строительства новых предприятий, развития социальной структуры городов (прежде всего для жилищного строительства), увеличения занятости населения в непромышленных районах западной Украины.

Но после ввода в эксплуатацию новых предприятий приток капитальных средств сократился, а задачи перед ними были поставлены очень серьезные: и перед КНИИМП и перед заводами. Теперь от ЦК КПУ требовали выполнения планов, жестко требовали, и главное - по поставкам очень нужных обороной промышленности изделий.

В оборонном отделе ЦК КПУ, вероятно, понимали, что основной задачей для МЭП в развитии микроэлектроники в Украине расширение и укрепление её научной базы не является главной задачей.

Мера ответственности ЦК КПУ за новое дело стало решающим фактором в его действиях.

Новая ситуация изменила отношение в ЦК КПУ к достижению поставленной в начале 60-х годов цели в микроэлектронике. Тем более в условиях, когда формирование планов создания новых изделий и их производства определялось без участия Правительства УССР и ЦК КПУ.

Можно предположить, что в МЭП уже зрело решение о концентрации ресурсов на создании научно - технической базы только в Зеленограде.

Это была идеология Центра в размещении производственных мощностей в СССР, заложенная еще во времена индустриализации страны: производственные связи строились таким образом, чтобы ни одна республика, ни в одном секторе экономики не была независимой от Центра.

Политику МЭП ЦК КПУ восприняло как руководство к действию. О комплексном развитии микроэлектроники в Украине вопрос уже не стоял. Развитие КНИИМП отошло на второй план.

Изменение ЦК КПУ своего отношения к масштабной цели - развитие научно производственной базы микроэлектроники в Украине, поставленной в 60-е годы, стало одной из причин краха украинской микроэлектроники.

Решить принципиальные вопросы с МЭП о комплексном развитии микроэлектроники в республике ЦК КПУ не мог. А решение проблем, которые стали возникать в научно-производственном, а затем в производственном объединении «Кристалл» перевел в сферу смены его руководителей.

В 1975 году приказом МЭП от 16.06.1975 г. №276 в целях повышения эффективности производства изделий электронной техники Киевское научно производственное объединение «Кристалл» было преобразовано в производственно техническое объединение «Кристалл» с головной организацией объединения завод «Квазар». КНИИМП был введен в его состав без права юридического лица. А в мае 1977 года производственно-техническое объединение стало производственным.

Генеральный директор НПО-директор НИИ С.А. Моралев, главный инженер В.Ю.Тимофеев, заместитель директора по науке К.М.Кролевец и руководители отделов разработчиков интегральных схем проводили политику, направленную на расширение номенклатуры новых изделий, повышение их технического уровня и скорейшего освоения в производстве на заводе «Квазар». Примером этого может быть создание и начало серийного производства первых больших интегральных схем.

Завод «Квазар», как всякое производство, стремился к стабильности, и, естественно, всеми возможными действиями ограничивал влияние возмущающих факторов. Одним из таких факторов были разработки интегральных схем, особенно выполненные по плану важнейших работ. Они должны были выпускаться заводом.

В этом отношении руководство завода «Квазар» поддерживали горком, обком и оборонный отдел ЦК КП Украины. Именно первичность задачи обеспечить выполнение производственных планов завода и стало причиной преобразования НПО в ПО и назначения руководителями объединения производственников, не имевших авторитета ни в научных кругах министерства, ни в НИИ.

Объединение большой партийной организации завода и гораздо меньшей НИИ привело к тому, что его партком во главе с Е.Лобаревым стал проводником в партийных органах политики руководства завода в преобразовании НПО в ПО.

Действия секретаря парткома объединения Е. Лобарева не способствовали нормализации взаимоотношений в руководстве Объединения. Более того, благодаря ним они становились все хуже. Противоречия в руководстве Объединения постепенно разрушало атмосферу взаимопонимания, сложившуюся в НИИ в 60- годы.

В 1975 году НПО «Кристалл» посетил первый секретарь ЦК КПУ В.В.Щербицкий.

Вот как вспоминает об этом визите генеральный директор НПО-директор НИИ С.А.Моралев:

"Было это в субботу, но ряд цехов завода, выпускающих БИС, работал. Решили показать, как изготавливаются БИС прямо на рабочих местах в гермозоне, а в кабинете директора завода организовали выставку всей продукции объединения.

Встретили гостей у входа на завод. После краткого доклада о состоянии работ предложили одеть спецхалаты и прошли в производственную гермозону. Щербицкий высокий, красивый, обаятельный человек - сразу покорил нас своей открытостью и улыбкой. Подробно ознакомили гостей с процессом производства БИС. Дружелюбный разговор со специалистами и рабочими создал атмосферу доверительного общения.

Говорили о том, как министерство обеспечивает работу коллектива оборудованием, материалами, какие возникают трудности по внедрению в производство новых изделий, о социальных вопросах развития коллектива.

После знакомства с цехами собрались в кабинете директора. Осмотрев выставку Щербицкий, дал высокую оценку деятельности коллектива, говорил о важности дальнейшего развития микроэлектроники для Украины. Я был удивлен обширностью его знаний о том, что делается в области микроэлектроники в Советском Союзе, за рубежом и точности в оценках наших достижений, просчетов, рекомендаций по развитию работ».

Посещение Секретарем ЦК Компартии Украины НПО «Кристалл» ( за столом - первый слева).

Рядом - заместитель генерального директора НПО «Кристалл» по производству – директор завода «Квазар» Н.К.Фролов, далее - секретарь парткома НПО Е.Н.Лобарев.

О работе и задачах НПО «Кристалл» докладывает генеральный директор С.А.Моралёв.

После его посещения у многих в НИИ сложилось впечатление, что во главу угла развития объединения В.В.Щербицкий прежде всего поставил наращивание объемов производства. Он ознакомился только с цехом, изготавливавшим кристаллы БИС, беседа с руководителями объединения проходила в кабинете директора завода Н.Фролова, где была представлена продукция завода. Первый секретарь ЦК КПУ не посетил КНИИМП - крупнейший научный центр микроэлектроники, не беседовал с главными конструкторами, руководителями научных подразделений. Тем самым обозначив, «кто есть кто», и кто его принимает - не генеральный директор объединения - директор НИИ, а секретарь парткома объединения и директор завода.

Тогда у первого секретаря ЦК КПУ была возможность поставить точку в вопросе: это научно-производственное объединение и «Кристалл» производственное. Судя по всему, он выбрал последнее.

Идея ЦК КПУ была поддержана МЭП. Через некоторое время после посещения В.В.Щербицким НПО «Кристалл» было преобразовано сначала в прозводственно - техническое, а затем в производственное объединение.

Реакция С.А.Моралева была принципиальной: он ушел из института, теперь ставшего бесправной структурной единицей объединения. Трудно было противостоять интеллигетному ученому напору производственников при поддержке их секретарем парткома. Так что прав был А.И.Шокин, когда говорил о роли КПСС в развитии микроэлектроники в стране.

То, что ЦК Компартии Украины устранил от управления НПО С.А.Моралёва, руководствуясь меркантильными интересами некоторых партийных деятелей и руководителей, и не дал ему продолжить начатое дело, было большой ошибкой. Это в дальнейшем привело к чехарде в управлении объединением и потере им позиций, завоеванных в отрасли.

Пожалуй, ни в одном институте и объединении МЭП не было столь частой смены руководителей, какая была допущена ЦК КПУ у нас. Кратковременное пребывание на своем посту руководителей не давало им возможности раскрыть в полной мере свой потенциал и, может быть, стать сильными лидерами в электронной промышленности республики и признание этого руководством МЭП Второй ошибкой было преобразование НПО «Кристалл» в производственное объединение по решению руководства МЭП - прежде всего как непоследовательный шаг в построении перспективной организационной структуры новой отрасли.

Обратите внимание: большинство производственных объединений, имевших в своем составе КБ (не НИИ!), становились научно-производственными - НПО «Светлана»



Pages:     | 1 |   ...   | 11 | 12 || 14 | 15 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.