авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 13 | 14 || 16 | 17 |   ...   | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 15 ] --

Не спасли институт и те крохи финансирования НИИ, которые выделялись ему Министерством машиностроения и конверсии ВПК в 1992 - 1994 годы по программам конверсии военно-промышленного комплекса. С каждым годом они сокращались примерно на 30%. В конце концов, финансирование по этой Программе прекратилось.

В это смутное время менялись приоритеты в деятельности руководителей предприятий: одни стремились занять депутатские кресла в Верховной раде, другие были более прагматичными и решали вопросы по приватизации государственной собственности. Руководители предприятий, которые не подлежали приватизации, стремились удержать в своих руках управление основными фондами предприятий и их интеллектуальную собственность (это в большей степени касалось НИИ), созданные еще в годы развития оборонной промышленности СССР. Эти директора не допускали выхода из их состава подразделений, руководители которых стремились к созданию самостоятельных предприятий.

Личная ответственность руководителей перед государством стала иной. С роспуском КПСС исчез жесткий контроль над их действиями со стороны ЦК КПСС, ЦК КПУ. Даже директора государственных предприятий стали практически не подотчетны коллективам, которыми они руководили.

Директор НИИ Л.Н.Цуканов стремился максимально ограничивать финансово экономическую независимость главных конструкторов. К попыткам снять напряженность в отношениях с главными конструкторами направлений можно отнести создание Совета главных конструкторов и экономически обособленных (ЭОП) подразделений. Главные конструктора направлений настаивали при поддержке председателя Совета трудового коллектива В.Н.Тимонтеева на предоставлении им права распределять средства между подразделениями НИИ и контролировать расход денег по своим темам самостоятельно.

Ю.А.Петин: «Вопрос о финансовых взаимоотношениях дирекции НИИ и главных конструкторов, как этого хотели главные конструктора, - мог быть решен на основе арендного подряда: юридически корректное решение. ЭОП - это был камуфляж административного стиля управления и попыткой такой стиль сохранить. Переход на арендный подряд мог стать первым шагом к созданию отдельными руководителями самостоятельных предприятий. Вероятно, директор НИИ это понимал и предложил идею ЭОП».

Наверное, стремление главных конструкторов о предоставлении им финансово экономической самостоятельности и возможности контролировать расход средств, поступающих на расчетный счет по их договорам, был первым серьезным сигналом о недоверии к директору института, и проявлением желания идти дальше своим путем.

Если формированием тематического плана НИИ фактически управляли главные конструктора направлений (в основном только они определяли объемы финансирования работ НИИ), то проведение структурных изменений, создание, например, малых государственных предприятий зависело от решений директора (прежде всего в передаче им в аренду производственных площадей, оборудования, оказании услуг и др.). Может быть, именно поэтому В.А.Ткаченко смог создать свое предприятие только в 1993 году, а Е.В.Уткину удалось это сделать еще в 1990 году лишь благодаря сильной поддержке директора завода: он дал ему то, что не хотел давать институт.

Возможно, судьба отдельных коллективов НИИ была бы иной, если бы у них была возможность выхода из состава института и создания своих предприятий. Об этом говорят примеры компании «Квазар-микро» и ООО «НПО Кристалл».

Компания «Квазар-микро» была основана в 1990 году на базе малого государственного предприятия, созданного начальником лаборатории НИИ Е.В.Уткиным при поддержке директора завода «Квазар» С.В.Монакова.

Примерно через десять лет компания «Квазар-Микро» уже вошла в число наиболее успешных игроков украинского рынка ИТ - услуг, являлась крупнейшим сборщиком компьютеров. а ее основатель и президент Евгений Уткин еще в 1998 году был признан бизнесменом года. Компания занимается сборкой компьютеров, производством микроэлектроники, дистрибуцией комплектующих, системной интеграцией, управленческим консалтингом и разработкой программного обеспечения. «Квазар-Микро»

является партнером Intel, Oracle, Microsoft, IBM, Sun Microsystems, Dell, Hewlett-Packard, Samsung и работает в 18 странах СНГ, Балтии и Восточной Европы. Суммарный оборот компании в 2004 году составил $335 млн. С 2004-го «Квазар-Микро» входил в состав АФК «Система».

После выхода из состава «Ситроникса» и возвращения Е.Уткина в Украину на основе «Квазар-микро» создана международная корпорация КМ Core.

Так из специалистов, у которых появилась возможность пойти по иному пути, рождались сильные менеджеры. И в их компаниях нашли своё место ведущие специалисты КНИИМП.

Позже, в 1993 году, главным конструктор направления НИИ В.А.Ткаченко было организовано ООО "НПО "Кристалл» (до 2002 г. КО «Кристалл») как независимое предприятие с частным капиталом.

Все ведущие специалисты и производственные кадры ООО "НПО Кристалл" ранее работали в КНИИПМ: В.Н.Тимонтеев - генеральный директор, к.т.н., В.А.Ткаченко главный конструктор, к.т.н., В.С.Рысин к.т.н., С.В Сапон, П.В.Сивобород, Ю.М.Польский, Ю.В.Таякин, Г.Д. Шельпук, к.т.н. Л.Н.Павлов, А.А.Епифанов. Предприятие является разработчиком и производителем интегральных микросхем. Основная специализация разработка аналоговых, аналого-цифровых и цифро-аналоговых микросхем по индивидуальным заказам предприятий России, Украины, Китая, Словакии, Индии.

Опирается в своей работе на научно-технический потенциал НИИ микроприборов, использует производственный потенциал завода «Квазар» и других предприятий для изготовления и поставок микросхем.

Взаимодействие главных конструкторов по направлениям и их заместителей по технологии непосредственно с руководителями цехов завода «Квазар», сложившееся еще в 70 годы, создание новых научно-производственных структур отдел НИИ + цех завода (НПК) могли стать в начале 90-х годов основой для организации самостоятельных научно-производственных фирм с замкнутым циклом разработка производство-реализация. К сожалению, противоречия между руководством НИИ и заводом «Квазар» не позволили использовать эту возможность при реструктуризации НПО «Микропроцессор», хотя законодательная база для этого в стране была.

Создание таких фирм в конце 80-х – начале 90-х годов было вполне реальным и могло уберечь КНИИМП от краха при разумной ориентации этих фирм на использование основных фондов НИИ (технологическая, измерительная и испытательная база, уникальное оборудование Центра физико-химических исследований, производственные площади НИИ) и завода (производственная база, энергообеспечение и др.). Для этого было необходимо создание руководством НИИ и завода приемлемых условий для аренды или выполнения их заказов на определенные виды работ (арендный подряд). Хотя идея реструктуризации НИИ не всеми воспринималась однозначно, и, прежде всего, директором института. У каждого были свои причины и аргументы.

Организация негосударственных небольших фирм в то время могло открыть могла для них путь к иностранным инвестициям и организации совместных предприятий, дочерних фирм - известных производителей изделий микроэлектроники. Можно было привлечь и венчурный капитал, к таким работам, как создание биосенсоров, которые проводились в НИИ под руководством к.ф.м.н. О.С.Фролова совместно с институтом полупроводников НАНУ по японским грантам. Тогда западные фирмы больше доверяли частным и акционерным предприятиям, чем государственным, и гранты давались только авторитетным ученым. Этот путь не закрыт и сейчас.

Петин Ю.А. «Изложенное здесь в определенной мере перекликается с моими предложениями, представленными в 1990 году в «Концепции развития Киевского НИИ микроприборов в условиях рыночной экономики и перехода к ней». Основной целью поэтапных структурных и экономических преобразований в НИИ в течение 1990- годов должно было стать создание на базе НИИ Акционерного общества - Научный центр «Микроприбор». В НЦ «Микроприбор» - основное звено НИИ - технопарк.. В структуре НЦ – научно-технические фирмы (НТФ) - разработка и реализация основной научно технической продукции (в нынешней терминологии дизайн центры), совместные предприятия, Иноформационно - технический коммерческий центр (на базе ГОНТИ), Испытательный цетр (испытания изделий, аттестация, сертификация продукции) на базе отделов испытаний и надежности, Центр внедрения и обслуживания высокоточного оборудования, (на основе ЦФХВИ), Коммерческий банк с фондом развития науки, внешнеторговая фирма и малые предприятия неосновного профиля. Изготовление созданной продукции: опытный мини-завод (на базе технологических подразделении НИИ) в технопарке и/или внешние фирмы - изготовители, владеющие нужными технологиями (вместе с НТФ сейчас бы я это назвал фаблесс-моделью). Опытный мини-завод мог включать в себя производства ИС, фотошаблонов и машиностроительное, с соответствующими технологическими и конструкторскими подразделениями. Для создания НТФ подразделениям главных конструкторов нужно было пройти путь от подразделений, создания совместных коллективов со специалистами разработчиками технологического маршрута изготовления изделия и конструкторов – топологов, работающих на принципах арендного подряда и контрактов с сотрудниками до малых (возможно сначала государственных) предприятий. На арендный подряд должны были перейти и подразделения с замкнутым циклом работ В 1990 г. еще не было законодательной и нормативной базы для преобразования государственного предприятия в акционерное общество. Но, предлагалось, подготовку к такому преобразованию начать уже в 1991 году. До сих пор убежден:

предложенные идеи были правильные и еще жизнеспособны сейчас (с учетом сегодняшней реальности). В этой концепции были предложены организационные принципы научно производственной деятельности НИИ в переходной период и конкретный поэтапный план действий.

Для реализации такого проекта нужна была очень сильная команда менеджеров (не тех, кто руководил объединением по - старинке), людей мыслящих по-новому и убежденных в возможном достижении цели. За такой командой мог пойти коллектив НИИ. Но, к сожалению, такой команды не было. Может быть, ее мог создать генеральный директор НПО «Микропоцессор» В.Л.Августимов. Ему этот проект и был подан. Но приближались выборы в Верховну Раду. И в тот период он выбрал другой путь».

Поиск новых путей Критическое положение НИИ совпало во времени с периодом, когда директора предприятий должны были избираться трудовым коллективом на конкурсной основе. Л.Н.Цуканов не предложил коллективу приемлемой программы выхода из кризиса. И в институте был избран другой директор - В.Г.Вербицкий. В какой - то степени в этом сыграла роль и закрытость переговоров, которые вел Л.Н.Цуканов с председателем правления ОАО «Квазар» С.В.Монаковым о нормализации отношений между НИИ и заводом. Коллектив института беспокоила цена этого мира.

Главными проблемами для нового директора НИИ В.Г.Вербицкого стали финансовое положение НИИ и его энергообеспечение.

Из-за неуплаты долгов за электроэнергию и тепло заводу последовало отчуждение им корпусов, в которых размещались всегда структурные подразделения НИИ, были отключены подача электроэнергии и тепла в лабораторный корпус, где было сосредоточено технологическое оборудование института, и административный корпус, перекрыли воду, забетонировали канализационный слив, магистральная труба которого из института проходила по территории завода…В НИИ выходило из строя оборудование, разрушались трубы тепломагистралей. «Недавно мне показали новенький, буквально с иголочки бетонный забор, разделивший территорию когда то единого предприятия. Рядом торчат срезанные теплоизоляционные трубы - эхо не утихающей войны» - писал в 2004 году корреспондент газеты «Зеркало недели»

А.Рожен в статье «Фантомные боли микроэлектроники» (Зеркало недели №30, 2004).

Войдите сегодня в помещения лабораторного корпуса НИИ: полумрак, облупившаяся краска на стенах, мертвая тишина…Только где-то в отдельных комнатах лабораторного корпуса теплится технологическая жизнь. Разработчики новых интегральных схем сосредоточились лишь на двух этажах когда-то административного корпуса НИИ и объединения. Вряд ли основатели института когда-то думали о таком будущем.

Директор НИИ д.т.н. В.Г.Вербицкий, обращаясь в Минмашпром, в прокуратуру Украины, настаивал на пересмотре результатов приватизации завода «Квазар».

Но Минмашпром не встал на защиту государственной собственности. В процесс уничтожения государственного НИИ должен был прежде всего вмешаться начальник главного управления, а позже заместитель Министра В.В.Зубарев, которому был подчинен КНИИМП и находился в его управлении ОАО «Квазар».

Остается думать, что его действия либо были не поддержаны на более высоком уровне, либо они не были достаточно энергичными.

В 1994 году президент корпорации «Укрэлекор» В.Л.Августимов представил в Минмашпром проект программы «Электроника Украины – 2000». Основной целью программы было обеспечение баланса между научно-производственным потенциалом предприятий отрасли и потребностями Украины в изделиях электронной техники. Эта программа предусматривала ряд мер для развития производства электронных комплектующих на промышленных предприятиях Украины, по обеспечению государственного регулирования кредитными ресурсами для пополнения оборотных средств, введение гибкой защиты предприятий на внутреннем рынке и меры по восстановлению рынков сбыта в России, странах СНГ и Балтии, Восточной Европы и поиск новых рынков в странах Азии и Южной Америки.

Программа не была утверждена Кабинетом Министров Украины.

В 1996 году в Минмашпроме был рассмотрен новый минимизированный проект государственной поддержки микроэлектроники в стране. По результатам обсуждения этого проекта на совещании у заместителя министра В.В.Зубарева с участием главных инженеров предприятий микроэлектроники Украины премьер министру были направлены предложения по возрождению микроэлектроники в Украине. Но это не дало никаких результатов.

Минмашпром предложил правительству следующее.

С целью эффективного использования еще сохранившегося научно производственного потенциала предприятий микроэлектроники для экономического развития государства, ее обороноспособности и сохранения позиций украинских производителей на внутреннем и внешнем рынках предлагалось - оказать в 1997г. и первом квартале1998 г. государственную финансовую поддержку стратегически важным предприятиям, которые могут за два года провести сертификацию и обеспечить производство продукции в соответствии со стандартами ISO и готовы модернизировать свои производства в соответствии с требованиями Государственной промышленной политики относительно развития электронной промышленности;

- провести в первом полугодии 1998 года модернизацию оптимальных производственных мощностей для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов ОАО «Квазар», ОАО «Компания Днепр», ОАО «Радон», ОАО «Гамма», ОАО «Гравитон», опытных производств НИИ микроприборов и СКБ «Элмис» и реализовать проекты сокращения энергозатрат путем перехода к локальным сетям энергосбережения;

- с целью снижения себестоимости кристаллов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в производстве, устранения дублирования в производстве и сокращения энергоемких производств организовать в 1998 году на ОАО «Квазар» централизованное производство кристаллов с проектными нормами 1,2 – 1,5 микрона;

- с целью обеспечения конкурентоспособности уровня микроэлектронных изделий в определенных секторах рынка и эффективных инновационных средств на приоритетных направлениях электроники создать на базе НИИ микроприборов в 1998-1999 годах общеотраслевой Центр микроэлектроники.

Для реализации этих проектов по оценке Минмашпрома нужно было предусмотреть в Государственных бюджетах 1998 г. 12 млн. грн., 1999 г. - 12 млн.

грн. и в инновационном фонде в 1998 г. - 5 млн. грн., 1999 г. - 8 млн. грн. Не так уж много!

Минмашпром считал необходимым рассмотреть вопрос о строительстве в составе общеотраслевого Центра микроэлектроники современного минизавода для производства интегральных микросхем с проектными нормами 0,5 микрона и мощностью 5 тыс. пластин/мес. Для расширения сбыта электронных компонент предлагалось в первом квартале 1998 года разработать 8-10 проектов Государственных программ, направленных на создание систем управления, связи, информации, мониторинга, учета и отчетности с широким применением отечественной элементной базы и импортных интегральных схем высшего технического уровня.

Это был вполне реальный проект. Но Кабинетом Министров Украины даже не было принято решение о подготовке проекта Постановления «О повышении эффективности использования научно-производственного потенциала предприятий электронной промышленности для экономики Украины и создания условий для развития микроэлектроники в Украине в период 1999 – 2005 годы». Это была последняя серьезная попытка Минмашпрома реанимировать украинскую микроэлектронику.

Таким образом, 1997 год можно считать годом, когда микроэлектроника в Украине была окончательно брошена на произвол судьбы.

Когда мы готовили материал для этой книги, сколько было услышано недобрых слов от специалистов в адрес тех, кто пустил отечественную микроэлектронику практически на металлолом, а многих ее создателей обрек на нищенское существование, работу не по специальности… Не находя поддержки в Министерстве промышленной политики коллектив НИИ выступил с предложением передать КНИИМП в Национальную Академию наук Украины. Инициативу НИИ поддержали академик В.П.Семиноженко, руководитель научно-технического комплекса «Институт монокристаллов» и Президент АН Украины Б.Е.Патон. В соответствии с совместным приказом Министра промышленной политики и Президента НАНУ Киевский НИИ микроприборов был передан НАН Украины. Он был введен в состав НТК «Институт монокристаллов» (г. Харьков).

Было ли это правильным решением?

Вероятнее всего НИИ был бы приватизирован и введен в состав ОАО «Квазар».

Путь слияния и создания акционерных предприятий прошли все основные предприятия микроэлектроники в Беларуси и России. Но там было иное отношение к микроэлектронике, чем в Украине.

В институте надеялись, что в Национальной Академии наук благодаря дальновидности ее Президента, руководителей Президиума НАНУ и других ученых, умеющих видеть государственную перспективу, НИИ микроприборов обретет новое дыхание.

Уже в составе НАНУ НИИ начал участвовать в выполнении государственных программ по развитию высоких технологий. Но пока осуществление мечты о возрождении института многим кажется нереальной. Академическая наука также бедна, как и отраслевая наука.

В институте еще работают специалисты - ветераны, которым уже 60+ и 70+.

Смены им пока нет.

От прошлого остались только руины и воспоминания. У оптимистов - надежды на то, что ростки новой микроэлектроники, которые начали уже появляться в Украине, не зачахнут. И эстафету из прошлого понесут в будущее молодые ученые и энергичные менеджеры.

5. Электроника на Эльбе и… на Днепре Рожен А.

Еще не так давно взаимные поездки ученых-электронщиков Киева и Дрездена были обычным явлением. Два города связывал общий интерес по развитию высоких технологий. Однако в начале девяностых прошлого века хай-тэк в обоих городах стремительно покатился вниз. В Киеве дело дошло до того, что однажды в кабинете директора (как и во многих лабораториях) знаменитого некогда Института микроприборов от мороза… полопались трубы центрального обогрева, когда на предприятие прекратили подавать тепло. К настоящему времени большинство электронных заводов Киева превратились в склады безнадежно устаревшего оборудования.

В то же время в Дрездене после нескольких лет запустения (которое, казалось бы, не оставляло надежды на возрождение) началась новая жизнь.

На месте бывшего гедээровского производства как птица Феникс из пепла появилось предприятие «Инфинеон», и буквально на глазах стало превращаться в один из ведущих центров электроники Европы и мира. А в прошлом году властями Германии сделан следующий важный шаг к вершинам хай-тэка - курс взят на развитие нанотехнологий, в частности, и в столице Саксонии.

А как же Киев, который некогда называли интеллектуальным центром украинской электроники, сулили ему счастливую судьбу и необыкновенный научно-технологический взлет? Не так давно в послании Верховной Раде Виктор Ющенко поддержал идею создания силиконовой долины в Украине. Удастся ли Киеву возродить электронику и войти в мир нанотехнологий, как это удалось сделать в Саксонии?

В поисках ответа на эти вопросы обозреватель «ЗН» побывал (по приглашению Института Гете) в Дрездене на ведущих высокотехнологических предприятиях, в научных институтах и получил возможность сравнить нынешний прорыв немецких физиков и менеджеров с состоянием дел у когда-то, пожалуй, ни в чем не уступавших им научных и инженерных коллективов Киева… Ощущение дежа-вю в Дрездене охватило меня сразу же, как только я попал в научный городок с характерными зданиями НИИ на улице Альберта Эйнштейна.

Когда же я вошел во двор гигантского круглого здания с ускорителем ядерных частиц и увидел нарочито небрежно одетых физиков, приезжающих на велосипедах, меня уже не покидало ощущение, что я становлюсь свидетелем событий, которые когда-то видел в фильме «Девять дней одного года». Нет, здесь не делалась физика высоких энергий XXI века. Такую прорывную физику европейцы, объединив усилия, создают на самом большом в мире коллайдере (ускорителе элементарных частиц) в ЦЕРНе. А на небольшом дрезденском разрабатывают, в основном, сугубо прикладные технологические задачи. Но от этого их ценность нисколько не уменьшается - именно такие ускорители позволяют превращать высокие физические идеи в приборы и изделия с фантастическими возможностями. Характерно, что размером эти нанотехнологические изделия в несколько атомов!

На окраине того же Дрездена расположен и гигантский полупроводниковый комплекс, или, как его здесь называют, Центр нанотехнологий. При заводе собственный НИИ и даже учебные корпуса. Здесь не только разрабатывается и изготавливается современнейшая продукция, но и обучаются будущие мастера нанотехнологий. Немцы пришли к выводу, что на стремительно развивающихся направлениях хай-тэка трудно подготовить молодых людей в каких-либо традиционных учебных заведениях, если они не расположены рядом с реальным производством. Поэтому при «Инфинеоне» был создан обучающий центр, где из выпускника школы за три года подготавливают мастера нанотехнологий, получающего право работать с машинами и процессами. Если же на этом производстве студент будет работать с людьми — заниматься менеджментом или управлением - срок обучения продлевают до 3,5 лет. Кстати, в Центре нанотехнологий принята концепция постоянного обучения, и если мастер нанотехнологий захочет учится дальше, его трехлетняя подготовка рассматривается как первая ступень к университету, где он пройдет теоретические курсы и солидную практику, прежде чем стать полноценным инженером или исследователем.

Работа на «Инфинеоне» пользуется популярностью среди молодежи, и завод, спонсирующий обучение, набирает студентов с некоторым запасом в расчете на дальнейшее развитие предприятия. Кстати, полный курс обучения, пройденный в центре, не гарантирует автоматического попадания на работу на завод. Сюда берут только лучших. Кроме того, не исключается сокращение рабочих мест при колебаниях рынка. Тем не менее, обучающиеся понимают, что непосредственное знакомство с самыми передовыми технологиями может послужить хорошим трамплином и при поиске работы на заводах с более традиционным производством… - В девяностом году, - рассказал заместитель директора НИИ микроприборов (Киев) Владимир Рева, - мы находились примерно на одном уровне с предприятиями Восточной Германии. Основной центр таких технологий у них был в Дрездене, и по некоторым разработкам мы имели достаточно тесные контакты. Но затем немецкое производство на пять - шесть лет практически замерло. И только с 1996 года начало потихоньку развиваться. Вначале здесь заработали отдельные подразделения дизайнерских западногерманских фирм. В частности, занимающихся автомобильной электроникой. А в 1997 - 98 годах в эту отрасль начали вкладываться очень большие средства. Тогда во Франкфурте-на-Одере с помощью американской фирмы Моторолла на федеральные и земельные средства был построен один из самых современных заводов под технологию 0,25 микрон. Проект тогда обошелся в 1 млрд.

300 млн. долл. Недалеко от города был создан технополис с емкими высокотехнологическими производствами, в частности с изготовлением солнечных элементов, и несколько дизайнерских центров. Интенсивно происходило развитие и в Дрездене. Был перестроен прежний полупроводниковый завод, который теперь стал работать с наномикронными технологиями.

- Если сравнить их уровень во времена ГДР и сегодняшний с соответствующим уровнем микроэлектроники в Украине, как это будет выглядеть в цифрах?

- Тогда они делали то же, что и мы. Это был так называемый уровень двухмикронной технологии. Сейчас наш лидер - завод «Квазар» и его дочернее предприятие «Квазар - интегральные схемы» - откатился до уровня 2,5 микрона.

Впрочем, думаю, и этого у них сейчас нет. Наверное, им доступен трехмикронный уровень технологии - они изготавливают несложные биполярные схемы. Для таких изделий еще существует рынок, но он очень жесткий и с невысокой рентабельностью. «Квазару» на этом рынке приходится конкурировать с белорусами, россиянами, китайцами. Развитые страны отказываются от подобных устаревающих технологий и передают такое производство куда угодно. Поэтому выжить и продвигаться вперед в этой бурно развивающейся отрасли без серьезных инвестиций очень трудно, необходимо все время покупать новейшее оборудование.

А лучше - сразу приобрести новый завод. Но он стоит миллиарды! Это не подъемно для нас - весь бюджет Украины составляет около 20 млрд. долл., так что решиться на приобретение такого завода трудно.

Понятно, что для решительного прорыва нужны западные инвестиции.

Микросхемы десятками производить не будешь. Здесь счет идет на десятки миллионов. Поэтому все производители ориентируются на мировые рынки. Хорошо Китаю - у него свой необъятный рынок. Китайцы утверждают, что у них работает один из мощнейших заводов в мире по объемам производства интегральных схем с уровнем 0,13 микрона! Кстати, им в этом помог Тайвань - политические проблемы не помешали богатым островным китайцам вкладывать в промышленность континентального Китая свои деньги. И немалые! Так что сегодня два самых крупных завода в мире расположены на Тайване, а третий — в континентальном Китае.

- Неужели США уступили первенство на таком важном направлении?

- У американцев есть завод более высокого технологического уровня, но объемы производства уступают китайским. Высшее достижение на этом направлении сейчас - 0,09 микрона. Это пик, который достигнут только в США и на Тайване.

Понятно, что от таких производств, как у нас, - с размерами в три микрона, передовые предприятия уже отказались. Есть еще ряд параметров, по которым мы резко уступаем передовым электронным державам. Наше производство до сих пор выращивает кристаллы диаметром до 100 мм. Даже Минск работает уже с 150-мм кристаллами. Этот же уровень достигнут и в России. Кстати, последняя сейчас вкладывает значительные средства в развитие электроники. Россияне утверждают, что уже достигли уровня 0,5 микрона… Впрочем, и у нас есть определенные достижения. Для китайцев мы проектируем новую схему по нормам 0,35 микрона. Достижение! Правда, наши инженеры разрабатывают только дизайн. На этом направлении мы сохранили специалистов высокого уровня. В то же время производства такого уровня у нас нет.

И трудно сказать, когда будет, так как оно чрезвычайно капиталоемкое. Даже программный продукт, использующийся для проектирования схем, обходится в суммы от 100 тыс. долл. до полумиллиона. Наш институт не может себе позволить такое приобретение. Не говоря уже о разворачивании самого производства, которое требует на несколько порядков более значительных капиталовложений.

- Тогда как бы вы оценили наши перспективы на этом направлении?

- Хорошо, что у нас в институте сохранились специалисты по важным направлениям. Не является трагедией и то, что несколько иностранных фирм, работающих в Украине, забрали некоторых наших лучших микроэлектронщиков.

Сейчас они работают на «Мотороллу», на бельгийскую фирму «Милексис». Здесь они повышают квалификацию, и если им предложить достойные условия, многие из них вернутся обратно. «Милексис», к примеру, работает в области автомобильной электроники и имеет очень высокие результаты. Так, они делают лучшие в мире чипы для электроподъема автомобильных стекол. Их чипы стоят даже в «Тойотах».

Это умный прибор, который не зажмет вам пальцы стеклом и даже способен запомнить ошибки пассажира. Эти периферийные чипы разгружают центральный «мозг» автомобиля, чтобы он не «морочил голову» мелочами. Участие наших специалистов в таких разработках позволяет поддерживать соответствующий тонус в Киеве, хотя, конечно, нельзя сказать, что этого достаточно для создания в столице Украины Силиконовой долины… В Дрездене мне пришлось встречаться с украинскими электронщиками. Они с болью говорили о том, что доля компьютерных технологий в мировом хозяйстве бурно растет. Почему мы не «отрежем» себе на рынках США и Европы кусок от этого жирного пирога? Наши специалисты уверены, что, несмотря на все эти стоны о том, что нас здесь никто не ждет, в действительности мы многое смогли бы сделать, что было бы интересно нашим развитым соседям. Пример тому - Индия, которая уже стала компьютерной супердержавой.

Украинские электронщики уверены: помощь государства развитию электроники в стране послужит колоссальному росту экономики. В противном случае электронщики, которые уже заняли свои ниши, не пропадут, а вот Украина потеряет очень многое.

В словах наших ученых и инженеров звучала горечь. Ну, ладно Германия - это все-таки Европа с великими традициями, но возьмите Россию. Наши политические обозреватели привлекают внимание к ошибкам Кремля, но очень мало говорят о той хорошо продуманной научно-технической политике, которую упорно проводит команда Путина. Пока нас обнадеживает лишь то, что существенно новым моментом в выступлениях Виктора Ющенко, в отличие от заявлений прежнего президента, стал акцент не на государственные усилия, а на частную инициативу. Это уже принципиально иная философия инновационной политики. Силиконовая долина в США, кстати, создавалась не государством, и территорию для нее никто из руководства страны не выделял, преференций не предоставлял. Более того, сегодня в местах, которые именуются в Калифорнии Силиконовой долиной, чрезвычайно дорогая аренда земли, помещений для офисов, нет никаких специальных льгот, но все это не мешает международному капиталу создавать здесь новые очаги хай-тэка.

Видимо, сам интеллектуальный климат и разумные законы способствуют росту. К тому же, и сердце долины - Стэнфордский университет- является частным, а не государственным вузом.

Удастся ли в Украине создать свою «долину», где бы так же вольготно почувствовали себя ученые и предприниматели, или прекрасная идея вновь превратится в бессмысленную жвачку для сильных мира сего?..

Инициаторы построения Силиконовой долины в нашей стране - рабочая группа при президенте страны по разработке концепции развития научного сектора во главе с академиком Ярославом Яцкивым и ректором НаУКМА Вячеславом Брюховецким - настроены весьма оптимистично. Управляющий директор венчурной компании «Техинвест» Сергей Лобойко, который также входит в эту рабочую группу, считает, что система высоких технологий в Украине должна включать в себя следующие ключевые элементы: венчурную индустрию, технологические центры, бизнес-инкубаторы, университеты, НИИ, развитый рынок интеллектуальной собственности и еще множество других очень важных элементов.

P.S. А пока… В НИИ микроприборов радужные надежды на улучшение состояния дел связывали с обещанием Владимира Семиноженко перевести институт из системы Минпромполитики в систему Национальной академии наук Украины.

Электронщики надеялись, что наконец-то они получат стабильное финансирование.

И надо отдать должное пробивной силе академика - Владимиру Петровичу удалось произвести многосложную рокировку. Увы! Экономическое положение института при этом не только не стало лучше, но даже в чем-то ухудшилось. Во всяком случае, именно так утверждают его сотрудники. Новый статус не принес творцам самого передового направления современной технологии… даже того жалкого, но стабильного финансирования, которое есть в НАНУ.

А вы говорите - Силиконовая долина, процветание, как в Калифорнии, дополнительные деньги в бюджет страны... В общем, таковы нехитрые особенности развития электроники на Днепре… Зеркало недели № 19 (598) 20 — 26 мая На порозі інтелектуальної ізоляції Інтерв’ю В.Августімова, Ю.Петіна Перша персональна ЕОМ (ПК) у США була створена 15 років тому. У нас серійний випуск тільки-но розпочався. Нинішній рівень комп’ютерного виробництва в СРСР (обсяг машинної пам’яті, тираж машин високої швидкодії тощо) ледве сягає одного процента від американського. Про побутову електроніку взагалі немає що сказати.

Світ вже перейшов до так званих НВІС – над великих інтегральних схем. Уявити реально, що е таке, важко: в одному кристалі напівпровідника синтезована радіоелектронна схема з мільйона елементів. Тобто цілі ЕОМ розміщені на одному кристалі. Нам поки що залишається тільки мріяти про таке, поза як технологічний рівень вітчизняної електронної промисловості надзвичайно низький. Ми запізнюємось скрізь із застосуванням найновіших розробок: і в хімії надчистих речовин, і в напівпровідниковій електроніці, і в інших галузях мікроелектронної промисловості.

Тим часом ХХІ століття, на порозі якого стоїмо, буде епохою електронного мозку.

До 2000 року з’являться мікропроцесори, де на одному кристалі розміститься до мільярда елементів.

Одне слово, ми підійшли до межі інтелектуальної ізоляції. Так помстилася нам „лженаука кібернетика”.

Чи є якийсь вхід? Адже свого часу в Києві була створена перша в Радянському Союзі електронно-обчислювальна машина. За тридцять з лишком років мікроелектронний потенціал республіки вийшов далеко за межі своєї Альма матер – Інститут кібернетики АН УРСР. Не так давно у Києві засновано науково-виробниче об’єднання „Мікропроцесор”. Редакція звернулася до його генерального директора, а також директора НДІ мікроприладів, кандидата технічних наук Віталія Леонідовича Августинова з проханням висвітлити ситуацію в республіці в галузі розвитку мікроелектроніки. У бесіді взяв участь учений секретар науково-дослідного інституту мікро приладів кандидат технічних наук Юрій Олександрович Петін. Бесіду записала Нінель Сукманська.

Н.Сукманська:

- Почнемо з найголовнішого-з коштів. У всьому світі мікроелектроніка щедро фінансується урядом. Як у нас стоять з цим справи?

В.Августімов:

- Сьогодні ми є свідками байдужого ставлення до розвитку галузей з високим рівнем технологій - так званих високих технологій. На державу обрушилося стільки турбот, - безліч бідних, хворих, потерпілих, біженців, що в неї просто руки не доходять до мікроелектроніки.

Н.Сукманська:

- Але ж зовсім недавно Рада Міністрів СРСР та ЦК КПРС ухвалили постанову про прискорений розвиток електронної промисловості.

В.Августімов:

- Так. Однак практично до цього питання більше ніхто не повертався. Мова йде либонь про те, що проблему треба розв’язувати. Але це потребує коштів. Сьогодні їх спрямовують у соціальну сферу, забуваючи про те, що без мікроелектроніки не створити й нормальної соціальної сфери.

Ю.Петін:

- Ми відстаємо в галузі обчислювальної техніки років на п’ятнадцять.

Н.Сукманська:

- Мені здавалося набагато більше...

Ю.Петін:

- Це і так жахливо. Якщо врахувати нинішні темпи розвитку обчислювальної техніки, то можна говорити про трагічне відставання. Бо нині обчислювальна техніка - основа всього життя суспільства. У нас не вистачає загальної культури, наукової, технічної. Ми залишилися далеко позаду в самому розумінні цієї проблеми. Брак інформації для держави, для суспільства - це величезна катастрофа.

Як працює американський учений? Щоб одержати певну інформацію. Йому навіть не потрібно ходити до бібліотеки. Варто лише звернутися до персонального комп’ютера, що стоїть у нього вдома. А наш учений, щоб з’ясувати, чи не винаходить він велосипед, надсилає письмовий запит. Поки він отримає відповідь, мине три-чотири місяці. Це колосальне відставання!

Те, що ЕОМ дає змогу підвищити продуктивність праці, якось уже всі зрозуміли. А те що інтелектуальна бідність людини без ЕОМ може набрати катастрофічних розмірів мало кого непокоїть. Тим часом обчислювальна машина необхідна людині сьогодні саме в інформаційному плані. Потрібно оперативно працювати з інформацією. Сьогодні директорові виробництва важко керувати підприємством без оперативних даних про те, що відбувається у цехах. Він повинен бути в курсі справ, чомусь віддавати пріоритет. Якщо директор реагуватиме на зведення, які одержує раз на місяць, то його підприємство пастиме задніх.

В.Августімов:

- Будь яка високо розвинута країна виділяє на розвиток мікроелектроніки величезні кошти - близько десяти процентів національного бюджету. У нас на ті ж самі потреби - менше одного процента. Це може призвести до того, що країна наша надзвичайно швидко перетвориться на другорядну, а, може, третьорозрядну серед таких держав, як США, Японія, навіть Південна Корея, Сінгапур. Японія, скажімо, планує 2000 року 80 процентів прибутку одержувати від мікроелектроніки. У нас же вона перебуває на рівні рядової галузі машинобудування. Надто тяжке нині становище в Україні. Чому? Почасти тому, що центр, який володіє фінансами, відчув тенденцію у нашому регіоні до самостійності і злякався цієї тенденції. Мабуть, спрацювала ситуація у прибалтійських республіках.

Працюючи в об’єднанні „Мікропроцесор”, я помічаю сторожке ставлення керівників вищого керівництва до свого підприємства в Україні. І їх можна зрозуміти: якщо я - розпорядник кредитів, то передусім спрямовуватиму їх туди, де не ризикую втратити. Україну сьогодні коштами обділяють, а надто - валютою. І якщо Україна таки стане економічно незалежною у нашій федерації, то перетвориться на відсталу країну Європи, не маючи власної мікроелектроніки. Дуже хотілося б, щоб Рада Міністрів, Верховна Рада республіки у порядок денний своїх засідань включили цю проблему.

Ю.Петін:

- Коли б наш уряд виявив зацікавленість, ми змогли б стати високо розвинутою республікою в галузі мікроелектроніки. Науково-технічний потенціал України такий, як у Франції. Маючи таку ж потужну промисловість, такі ж енергетичні ресурси й приблизно таку ж чисельність населення, Франція на відміну від нашої республіки посідає одне з провідних місць у світі в галузі мікроелектроніки. Ми звикли до традиційних напрямів розвитку промисловості на Україні: у нас вугілля, у нас сталь, десь там є нафта тощо.

Н.Сукманська:

- Атомні електростанції...

Ю.Петін:

- І атомні. Візьміть республіканські газети. Ви там не прочитаєте, яку продукцію дає „Електронмаш”, не прочитаєте про об’єднання „Маяк”, радіозаводи.

Коли-не-коли промайне згадка про львівський „Електрон”, оскільки він випускає телевізори. І все. Створюється враження, що на Україні є либонь дві-три галузі промисловості, які розвиваються. Але ж це не так. Візьмемо той-таки Київ. Завод „Арсенал” випускає чудову кіно- та фотоапаратуру. Дайте їй високоякісну сучасну мікроелектроніку, і вона вийде на світовий ринок.

Мені не зрозуміла, не ображайтеся, така сліпота журналістського корпусу республіки, який не помічає мікроелектроніку.

В.Августімов:

- У республіці більш як 100 підприємств електронної промисловості. Тільки в нашому об’єднанні працює кілька десятків тисяч чоловік. підприємств.

Маємо монопольні напрями. Ми всі говоримо, що монополія – це погано. Але для монополіста – це добре. Погано для країни. І то вже її клопіт - зробити так, щоб ми не були монополістами.

До речі, в нас вже з’явилося багато конкурентів. Сім великих об’єднаннь у країні, які працюють на мікроелектроніку. Наша мета - створити групу таких підприємств, які конкурували б на союзному ринку. Але потрібні капіталовкладення.

Електроніка сама себе швидко не підніме. Наше відставання дедалі наростає. Навіть та програма, котру ми накреслили до 2000 року, передбачає відставання на 10 років.

Може статися, що ми тут у Росії, на Україні перестанемо розуміти інші нації. Вони розмовлятимуть інформативною мовою. Щоб цього не сталося, потрібна дуже серйозна республіканська програма.

Світова наука вже працює над створенням комп’ютерів з молекулярними інтегральними схемами. Певно, вони будуть такі мініатюрні, що цілком умістяться у людському мозку. Нові ЕОМ неймовірно ускладняться, і може повторитися ситуація з НЛО: щось бачимо, але не розуміємо його.

Н.Сукманська:

- А чи нешкідлива та практика - йти шляхом наслідування?

Адже це наперед запрограмоване відставання. Чи не краще зробити щось своє, оригінальне?

Ю.Петін:

- Все залежить від того, чи буде у нас замкнена система, а чи ми спілкуватимуся з усім світом. У межах замкнутої системи можна бути оригінальним.

Якщо виходити на світову арену, то оригінальність має спиратися на передові ідеї. А ми перший тайм вже програли! Щоб сьогодні говорити про оригінальність, треба мати альтернативні проекти ЕОМ 2000-2010 років. Причому, ці ЕОМ мають бути сумісними з діючими обчислювальними системами.

Рано чи пізно ми прийдемо до ринкової економіки, відкриємо свої кордони для західної техніки. Вже нині західні фірми зняли обмеження на постачання своїх ЕОМ у нашу країну. Вітчизняні підприємства купуватимуть ці машини. Хто ж тоді зацікавиться нашими з меншою пам’яттю і продуктивністю? Навіщо купувати наші чотири кристали, якщо за ті самі гроші можна придбати один закордонний? До того ж з гарантованою якістю і надійністю.

Нам слід кінчати з великодержавною переконаністю у тому, що ми здатні найближчим часом створити сучасну електронну промисловість.

В.Августімов:

- Це дуже песимістична оцінка. Навряд чи з нею можна погодитися, але, справді, зволікати більше не можна.

Як же нашій електроніці вийти з провалу? Вона сьогодні повинна мати не лише потужну технологічну базу, але й високий економічний потенціал, привабливий життєвий рівень, щоб не втрачати своїх спеціалістів. Навіть не знаю, чи впливатиме благотворно на розвиток республіканських підприємств фінансова незалежність, яка нині проголошується.

Ми створили велике регіональне об’єднання, до складу якого ввійшли підприємства - творці інтегральних мікросхем. В Україні є багато підприємств, які працюють на мікроелектроніку: в Луганську, Запоріжжі, Світловодську. Але це не все. Без підприємств інших галузей в інших республіках ми мало чого варті.

Залишимо планування в інтересах центру. Але мікроелектронна промисловість України, як основа розвитку економіки регіону та інтелектуальних можливостей його населення, має міцно стояти на власних ногах.

Ю.Петін:

- Для цього в республіці є великий науковий потенціал. Кілька інститутів, в тому числі мікроприладів, НВО „Мікропроцесор”, інститути кібернетики та напівпровідників АН УССР, КДУ, КПІ. Та більшість договорів академічні інститути і вузи укладають з московськими підприємствами. Чому так сталося сказати важко.

Такий великий інститут, як наш, повинен створювати наукові колективи з правом на ризик. Ризикувати вони мають там, де на світовому ринку залишилися вільні зони. Або ж створювати моделі майбутнього. Такий колектив має формуватися за контрактом з ученими Академії наук, вузів, галузевих НДІ та закордонних фірм, університетів. Отак тільки й можна „вирвати” з монопольних наукових шкіл талановитих учених. Якщо ж колектив із завданням не впорається, контракт уривається.

Н.Сукманська:

- Що ж стримує наші можливості?

Ю.Петін:

- Найперше, мені здається відсутність менеджерів в науці. Немає у нас і законодавчих актів, які давали б свободу дій керівникам підприємств. Маємо надавати всіляку соціальну і законодавчу підтримку творчим працівникам.

Нині науковець, приміром, завідуючий відділом науково-дослідного інституту поважного віку - лідер наукового напряму, з стійкою, досить високою заробітною платою, не зацікавлений ні в якій ініціативі.

Ризикують там, де є соціально-економічні стимули. Та навіть якщо запровадити фонд стимулювання, далеко не всі погодяться, що його не слід ділити порівну. Мало хто розуміє, що технічний рівень підприємства залежить не від сумлінної праці середніх працівників, а від наукового потенціалу десятка лідерів, які генерують передові ідеї.

Та навіть якщо нам і вдасться залучити науково-технічний потенціал республіки, ми абсолютно всі проблеми мікроелектроніки самотужки не розв’яжемо.

Є бар’єр, подолати який нам не під силу: рівень технологічного забезпечення дослідницької та проектної бази. Потрібні спільні підприємства. Нехай не з американцями та японцями, а з фірмами південно-східної Азії. Тайвань, Сінгапур, Малайзія, Гонконг... І не буде великого гріха у тому, що ми підемо шляхом Південної Кореї чи Тайваню. Що швидше ми це зробимо, то краще. Нехай якась частина наших підприємств перетвориться на складальні цехи, нехай ми випускатимемо апаратуру не найвищого класу, то не біда. Зате ми ввійдемо у загальносвітову систему створення нової техніки.

Слід замислитися і над створенням дочірніх фірм. Закордонний досвід говорить про те, що в мікроелектроніці малі підприємства працюють у багатьох випадках ефективніше, ніж великі.

В.Августімов:

- Прагнення одержати державну фінансову підтримку не слід розуміти як наше бажання пограбувати державу. (До речі, сьогодні виробництво персональних комп’терів у США збиткове. Але держава не шкодує на них, бо знає, що завтра вони завоюють увесь світ). Ми хочемо створювати акціонерні підприємства.

Н.Сукманська:

- Наскільки мені відомо, ви, Віталію Леонідовичу, президент першого акціонерного об’єднання з виробництва персональних комп’ютерів – „Перком”...

В.Августімов:

- Акціонерні об’єднання прагнуть використати науково виробничий потенціал мікроелектронних та приладобудівних підприємств (які, до речі, належать різним відомствам) для задоволення потреб республіки у персональних комп’ютерах.

Нам хотілося б, щоб мікроелектронні підприємства об’єдналися на основі акціонерного капіталу. Кожне випускає свої акції – внутрішні і ті, що надходять на фондову біржу. Купуючи ці акції один у одного, ми перетворимося на моноліт, який триматиметься на економічній, а не адміністративно-командній основі, як нині.

Гадаю: якщо держава надасть нам податкові пільги, то, створюючи товариство або об’єднання, ми витягнемо таки мікроелектроніку з тої прірви, в якій вона нині опинилася.

Н.Сукманська. Журнал „Наука і суспільство, №8, 1990 р.

Часть пятая Второе дыхание «В последнее время по разным поводам и на разных уровнях ведутся разговоры о «возрождении» отечественной микроэлектроники. Пожалуй, это понятие не очень корректно распространять на что- либо из прошлого, разве что на памятники, но и здесь лишь уместно «воссоздание»… Лицо электроники определят, прежде всего, цель, которую сформулирует для себя государство, и те люди, которые будут призваны её воссоздать».

Ю.Р.Носов «Время Шокина (тезисы к истории отечественного электронного сообщества)»

«Менеджеры, которые не способные оценить потенциал современной технологии, обязательно окажутся на обочине нашего мира, мира жестокой конкуренции.

Это, конечно, не означает, что управляющие обязаны превращаться в технических специалистов, но они должны точно понимать, что может дать то или иное техническое устройство и чего не может»

Билл Гейтс 1. C научно-техническим заделом прошлого – к новым перспективным разработкам в будущее ИМП.

Вербицкий В.Г.

Спад в развитии микроэлектроники в Украине начался в 1992 году. Этому сопутствовали объективные и субъективные причины: во – первых, произошёл распад Советского Союза. Украина стала «независимым» суверенным Государством.

И практически все предприятия, которые были интегрированы для решения общесоюзной задачи, потеряли заказчика. К ним относится и институт микроприборов, поскольку он подчинялся напрямую МЭП СССР и был завязан на решение целого ряда проблем для создания приборов оборонного и гражданского применения.

Во - вторых приказом № 21 от 14 января 1992 года Гособоронпрома Украины ликвидировано крупнейшее объединение «Микропроцессор», которое фактически объединяло всю электронную промышленность Украины, а институт микроприборов в этом объединении был головной организацией. К большому сожалению подобные процессы произошли и в приборостроительной отрасли, что привело к фактической ликвидации заказов электронной компонентной базы.

Разумеется спад производства происходил не сразу, оставалось много незавершенных работ, появлялись новые задачи и их нужно было решать.

Основной удар по деятельности института нанесла так называемая корпоратизация – приватизация завода «Квазар». Как показали судовые многолетние процессы (которые по некоторым позициям продолжаются и сейчас) приватизация была проведена с грубейшими нарушениями существующего законодательства, что привело к незаконному отчуждению у института целого ряда энергетических и производственных помещений, а также огромной территории, на которой они расположены. Даже проходная института (главный вход) незаконно продана иностранной компании, поэтому сотрудники вынуждены пользоваться запасным входом для того, чтобы попасть на свои рабочие места. Особенно ощутимо приватизация ударила по энергообеспечению института.


В конце 1995 г. было отключено отопление. В феврале 1996г. в 30 градусный мороз по указанию главы правления ОАО «Квазар» Монакова С.В. отключили электроенергию. Понятно, что при таком морозе водоснабжение автоматически отсутствует.

В таких «стартовых» условиях началось возрождение института. В первую очередь необходимо было восстановить электроснабжение. Благодаря помощи совхоза «Пуща-водица» нам удалось восстановить мощности потребления электроенергии всего в 50 квт/час, однако это дало возможность возродить деятельность основных подразделений института. Потребовалась срочная переориентация тематики работ, поскольку технологическая база института в таких условиях работать не могла. В этой непростой ситуации сыграли свою положительную роль дружественные связи между учёными и специалистами нашего института и предприятий России и Белоруссии. Особенно важно это проявилось при воспроизводстве электронной компонентной базы и создании новой на основе новых разработок более высокого технологического уровня. Так, например, институту удалось не только воспроизвести ПЗС-матрицы считывания, но и разработать новую КМОП-овскую технологию изготовления этих матриц, не уступающих по своим характеристикам лучшим мировым стандартам. Руководитель работ к.т.н. Рева В.П.

Возникшие новые проблемы в области сверхвысокочастотных схем решались по кооперации с Белорусскими коллегами, что дало возможность создать ряд приборов, в том числе и в области аналитического приборостроения. Создан принципиально новый прибор для анализа состава материалов по электронной составляющей спектра излучения, что на несколько разрядов увеличило чувствительность и разрешающую способность по сравнению со спектрами ионной масс-спектрометрии. Руководитель работ к.т.н. Сидоренко В.П.

Отдельным классом приборов, заслуживающих внимание и пользующимся спросом у заказчиков, явились приборы радиационного детектирования.

Стоящая перед институтом задача заключалась в создании не только активного полупроводникового детектирующего элемента, но и схем усиления, преобразования и передачи сигналов на одном кристалле. В этом направлении сотрудникам института удалось создать ряд приборов по измерению (альфа, бета, гамма) и ультрафиолетового излучений, готовых для их промышленного производства. Руководитель работ к.ф.-м.н. Перевертайло В.Л.

Примерно на протяжении своего сорока – летнего существования институт микроприборов занимался исключительно кремниевой технологией создания электронной компонентной базы. Начиная с 2000 года благодаря переходу в институт группы сотрудников во главе с профессором Осинским В.И. началась эпоха создания приборов в том числе и с применением полупроводниковых материалов групы АIII ВV. Имея в своём арсенале огромный опыт создания гетероструктур на арсениде галлия и с учетом кремниевых технологий института микроприборов были созданы оригинальные технологии получения светодиодов с очень высоким квантовым выходом. Используя опыт подразделений сборочного производства, институтом создано ряд оригинальных осветительных приборов как в виде отдельных лампочек, так и в виде осветительных систем (метрополитен, освещение помещений, парковочных площадок и т.д.). В настоящее время проводятся работы как по усовершенствованию структур для увеличения излучения, так и конструкций осветительных приборов.

Огромную роль в институте играет центр «Микроаналитика». Благодаря умелому руководству к.ф.м.н. Попова В.М. удалось не только сохранить, но и развить ряд методик по измерению электрофизических параметров структур, анализу материалов, определению характеристик созданных приборов.

К большому сожалению во всей деятельности института Государство Украина практически не принимает никакого участия. Многократно издаваемые институтом проекты «Концепций…» и «Программ…» восстановления и развития микроэлектроники в Украине остались не востребованными. Во всём мире наукоёмким технологиям государства уделяют первостепенное значение, выделяют бюджетные средства на их развитие и соответственно имеют от этого результат и наибольшую прибыль. Ни одна отрасль промышленности не в состоянии конкурировать по прибыли с микроэлектроникой, о чём уже на протяжении не одного десятка лет подтвердили передовые страны мира. Надеемся быть услышанными и из островкового развития, сохраненного не только в институте микроприборов, перейти в мощную электронную индустрию, которая поможет государству в кратчайший срок из отсталой перейти в передовую, высокоразвитую страну мира.

2. СВЧ - интегральные схемы Сидоренко В.П., Попов В.П.

Разработка полупроводниковых интегральных схем СВЧ (СВЧ ИС) становится всё более актуальной задачей. Быстрое развитие сетей беспроводной (сотовой) связи стандартов GSM/EDGE, WCDMA, WiMAX, WiFi, LTE и навигационных систем глобального позиционирования вызывает потребность в массовом изготовлении СВЧ ИС приемников и приёмопередатчиков диапазона частот от 0,45 до 100 ГГц. В таблице 1 представлены основные системы СВЧ устройств и диапазоны их рабочих частот.

Таблица 1 Системы СВЧ устройств Функциональное назначение Системы, стандарты Диапазон частот, ГГц GPS, GLONASS, GALILEO 1,1 – 1, Навигация GSM/EDGE 0,9 – 1, Беспроводная связь, CDMA, WCDMA 3G, 4G 0,45 – 2, Интернет WLAN 802.11b 2,4 – 2, 802.11a 5,15 – 5, 802.11g 2,4 – 2, WiMAX 802.16 5 – UWB WPAN 802.15.3a 3,1 – 10, UWB WPAN 802.15.4a 3.1 – 5;

WLAN ISM 802.15.3с 6 – 10,6 - 1 – 94 ГГц Aвтомобильные радары, UWB радары 1 – Фазированные антенные решетки РЛС 10 Гбит/c, 40 Гбит/c, 80Гбит/c 10 - Оптоволоконная связь Среди перечисленных в таблице 1 систем необходимо выделить сверхширокополосные (СШП - UWB - ultra-wideband) системы связи и радары. СШП (UWB) системы стремительно развиваются после 2000 года и в ближайшие годы окажут значительное влияние на СВЧ электронику.

Анализ мировых достижений в разработке СВЧ ИС для систем навигации, мобильной связи, беспроволочной передачи Интернет данных со скоростями до Гбит/с и других систем показал, что прогресс СВЧ ИС связан с развитием современных микроэлектронных технологий с граничными частотами активных элементов до 300 ГГц. БиКМОП технологии с кремний - германиевыми гетеропереходными биполярными транзисторами (SiGe ГБТ) уровней 0,25 мкм и 0,13 мкм являются сейчас основными в СВЧ микроэлектронике. Значительное применение в СВЧ ИС находят также радиочастотные (РЧ) КМОП технологии с минимальными размерами 90, 65 и 32 нм и нитрид - галлиевые (GaN) технологии с минимальными размерами до 0,15 мкм. Применение GaN технологий особенно актуально в приемопередатчиках с повышенными требованиями к помехоустойчивости и термоустойчивости, например, в радарах. В настоящее время и в обозримом будущем перечисленные СВЧ технологии будут отсутствовать в Украине, но для удовлетворения потребностей отечественных производителей аппаратуры разработка и производство в Украине СВЧ ИС для систем, приведенных в таблице 1, является актуальной задачей. Можно прогнозировать, что до 2020 года приборостроение в Украине возродится. Этому будут способствовать потребности модернизации и реструктуризации экономики Украины, традиции развития, существовавшие в микроэлектронике до 1991 года, и высокий уровень подготовки научно-технических кадров.

В Государственном предприятии НИИ микроприборов (ГП НИИ МП) работы по проектированию СВЧ интегральных схем начаты в соответствии с заданиями Государственной целевой научно-технической программы «Разработка и освоение микроэлектронных технологий, организация серийного выпуска приборов и систем на их основе», задание 4 «Обеспечение развития твёрдотельной сверхвысокочастотной электроники миллиметрового диапазона длин волн».

При определении работ в области проектирования СВЧ ИС и удовлетворения в них потребностей отечественных потребителей мы исходили из того, что в ближайшее время не может быть решен вопрос о создании отечественной фабрики производства интегральных схем субмикронного уровня. Мы имеем намерение занять своё место в быстро развивавающемся рынке fabless-компаний, специализирующихся на разработке, развитии и маркетинге своей продукции, которая выпускается по контракту условиях на многочисленных фабриках кристаллов, оказывающих фаундри (foundry) услуги.

Принимая такую стратегию развития в стране СВЧ микроэлектроники, мы намерены на начальном этапе развития в Государственном предприятии НИИ микроприборов создать дизайн центр (центр проектирования) по разработке СВЧ ИС в диапазоне частот 1-100 ГГц. При этом мы ориентируемся на технологии зарубежных фирм, предоставляющих foundry - услуги. Приоритетным потребителем наших СВЧ-ИС должны стать, по нашему мнению, отечественные производители радиоэлектронных систем. Успешная работа дизайн - центра возможна только при условии установления контактов не только с фаундри-предприятиями, но и с зарубежными исследовательскими центрами Европы и СНГ и выполнения разработок по их заданиям.

На первом этапе решения этой задачи у нас разрабатываются структурные схемы и определяются технические требования к СВЧ-ИС возможных заказчиков, в частности НПО «Арсенал», НПК «Искра», СКБ «Топаз» и других.

Исследованы и разрабатывается ряд СВЧ ИС (усилители, генераторы, смесители и другие) для мобильной, волоконно-оптической и космической связи, спутникового телевидения.

В ГП НИИ микроприборов уже выполнены такие работы:

- проведен анализ структурных схем ИС приемников систем навигации ГЛОНАСС/GPS и определены требования к узлам малошумящих усилителей (МШУ), смесителей (См).


- разработана структурная схема СВЧ ИС приемника ГЛОНАСС/GPS для навигационных систем;

- разрабатываются электрические схемы функциональных узлов приёмника:

МШУ, См, генератора, управляемого напряжением ГУН, цепей согласования, программируемых фильтров и усилителей промежуточной частоты, аналого цифровых преобразователей. Исследованы структурные схемы синтезаторов частоты;

- исследована элементная база активных фазированных антенных решёток (АФАР) на основе кремниевых СВЧ ИС и МЕМС (МШУ, СВЧ ключи, фазовращатели с цифровым управлением);

- исследованы и разработаны СВЧ ИС МШУ (электрическая схема, расчеты и топология) и См (электрическая схема и расчеты) на основе технологии SiGe ГБТ для приемной аппаратуры WLAN 802.11a, рабочая частота 5,25 ГГц и СШП систем диапазона частот 3,1 – 10,6 ГГц;

- проведены исследования структурных схем многофункциональных радаров РФАГ диапазона (1-26) ГГц. Рассмотрено использование ИС на основе AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) и SiGe ГБТ в приемо передающих модулях (ППМ) радаров.

Проведено исследование методов проектирования СВЧ ИС.

Проектированию схемы и топологии предшествует моделирование активных (SiGe ГБТ, КМОПТ, HEMT) и пассивных элементов и разработка правил проектирования (Process Design Kits –PDKs) фаундри-центром.

Проектирование СВЧ ИС проводится с использованием программ SpectreRF (CADENCE), ADS Aligent, ASITIC, PSRICE. Первые три программы являются специализированными программами для проектирования СВЧ ИС и расчета всех характеристик. Из-за отсутствия в ГП НИИ МП указанных программ проектирование ИС МШУ и См проводились с использованием программы PSPICE.

Ниже приведены электрическая схема и топология кристалла СВЧ ИС МШУ, разработанные при выполнении заданий программы.

Рис 1. МШУ на основе SiGe ГБТ для ГЛОНАСС/GPS приёмников.

а) Электрическая схема и параметры:

- Коэффициент усиления– 18,9 дБ;

- Коэффициент шума – 1,1 дБ;

- Средняя частота – 1,58 ГГц;

- Напряжение питания Vc = 3,3 В;

- Полоса пропускания– 1,05 ГГц;

- Ток потребления Іс = 5 мА.

б) Топология кристалла. Площадь кристалла: 0,9х0,95 мм Рис 1. МШУ на основе SiGe ГБТ для ГЛОНАСС/GPS приёмников.

В соответствии с техническим заданием Программы в 2011 году продолжается разработка ряда СВЧ ИМС по технологии: SiGe БиКМОП:

- широкополосного МШУ ГЛОНАСС/GPS/GALILEO с полосой 1,1 – 1, ГГц;

- СШП МШУ систем WPAN 802.15a с полосой 3,1 – 10,6 ГГц.

Технологии изготовления СВЧ ИМС с применением SiGe ГБТ В настоящее время для изготовления СВЧ ИМС в основном используются такие технологии:

а) гетеропереходные биполярные транзисторы (ГБТ) c кремний германиевыми пленками в области базы, (технология SіGe ГБТ);

б) радиочастотный БиКМОП (РЧ БиКМОП) процесс с использованием SіGe плёнок;

в) радиочастотный КМОП (РЧ КМОН) процесс;

г) нитрид-галлиевые технологии AlGaN/GaN HEMT.

Эти технологии обеспечивают проектирование и изготовление SiGe БиКМОП и РЧ КМОП транзисторов с граничними частотами до 300 ГГц и СВЧ ИС на частотах до 100 ГГц.

Во всех перечисленнях технологических процессах, кроме активних элементов, изготавливаются пассивные элементы: резисторы, конденднсаторы с постоянной ёмкостью, варакторы, индуктивности, трансформаторы и линии передач:

микрополосковые (МПЛ) и копланарные волноводы (КПВ).

Мы уже отметили выше, что проектирование СВЧ ИС в ГП НИИ микроприборов проводилось с ориентацией на технологию их изготовления, по которой предосталяются услуги foundry- производствами.

Значительных успехов в разработке и серийном производстве SіGe ГБТ, встроенных в технологию БиКМОП достигла фирма ІBM Характеристики SіGe ГБТ основних технологий фирмы ІBM представлены в таблице.

Таблица 2. Характеристики SiGe ГБТ основных технологий фирмы IBM SiGe ГБТ 5HP 6HP 7HP 8HP 9HP Литографический размер, 0,5 0,25 0,18 0,13 0, мкм ft, ГГц 47 47 120 210 fmax, ГГц 65 65 100 285 Beta 100 100 350 300 BVceo, В 3,4 3,4 1,8 1,7 1, BVcbo, В 10,5 10,5 6,5 5,5 5, jc@ft, peak мА/мкм2 1,5 1,5 8 12 Большое увеличение граничной частоты fТ и коэффициента усиления тока не только за счет поверхностных размеров эмиттера, но и в результате усовершенствования конструкции активной области транзистора, уменьшения размеров эмиттера, базы и коллектора по глубине. Большое влияние на параметры оказывает и оптимизация распределения и концентрация Ge в области базы.

Фирма Jazz Semіconductors разработала 5 видов технологий SіGe БиКМОП с граничными частотами fТ SіGe ГБТ от 30 ГГц в технологии ВС35 до 200 ГГц в самой совершенной технологии SBC18H2.

Фирма Atmel разработала и изготавливает с 1998 г. в г. Гейлбронн, Германия, изделия по SіGe ГБТ технологии с шириной эмиттера 0,8 или 0,5 мкм.

Структура SіGe ГБТ, в основном, соответствует технологиям других фирм.

Радиочастотный вариант технологии SіGe2-RF с шириной эмиттера 0,5 мкм имеет максимальное значение граничной частоты fТ = 80 ГГц и высокое значения коэфициента усиления тока = 250. Такие параметры при наличии 3-х слоёв металла позволяют проектировать любые радиочастотные узлы приёмопередатчиков до частот 24 ГГц.

Больших успехов в разработке SіGe БиКМОП технологии достигла фирма ІHP (Іnnovatіons for Hіgh Performance mіcroelectronіcs), в г. Франкфурт (Одер), Технопарк 25, Германия. Фирма разработала ряд технологий SіGe: 1) технологии SG25H1/SG25H3(P) с шириной эмиттера 0,25 мкм и максимальной граничной частотой fТ до 200 ГГЦ;

технологии SG13B/SG13S с шириной эмиттера 0,13 мкм и граничной частотой до 300 ГГц.

Технологии SG25H1/SG25H3/SG13B/SG13S содержит все пассивные элементы, требуемые для проектирования СВЧ ИС.

Фирма ІHP активно занимается разработкой СВЧ ИМС для беспроводной и широкополосной связи в диапазоне до 124 ГГц, в том числе ИМС для автомобильных радаров диапазонов 24 ГГц, 77 ГГц и 79 ГГц.

Технологией SіGe БиКМОП владеют также фирмы Motorola, Іnfіneon, Taіwan Semіconductor Manufacturіng Company (TSMC).

Все перечисленные зарубежные фирмы открыты для предоставления фаундри услуг и сотрудничества.

В НИИ микроприборов проведены работы по разработке технологии получения эпитаксиальных пленок Si, SiGe и поликремния на установке «Изотрон 2М».

Рассмотрим некоторые особенности технологического маршрута изготовления SiGe ГБТ с шириной эмиттера 0,25 мкм. Этот маршрут (модуль ГБТ) является составной частью БиКМОП технологии SG25H1 фирмы IHP. Технология SG25H1 – серийная и используется, в том числе, для изготовления заказанных СВЧ ИС (фаундри услуги).

Операции модуля ГБТ выполяются после первых операций изготовления КМОП транзисторов, которые включают:

• Формирование МДИ (LOCOS);

• Формирование N, Р карманов КМОП транзисторов;

• Окисление под затвор;

• Нанесение затвора поликремния и структуризация затворов;

• Окисление поликремния;

• Формирование затворных спенсеров.

После этих операций напыляются защитные слои областей КМОП транзисторов и открывается область SiGe ГБТ.

Последовательность технологических операций модуля ГБТ Активная область SiGe ГБТ формируется в кармане, изолированном МДИ (мелкая диэлектрическая изоляция - shallow trench isolation).

1-я маска (рис. 2а) • Формирования МДИ;

• Легирование области ГБТ высокой дозой As, формирование n+ скрытой области;

• Напыление слоя диэлектрика SiO2;

2-я маска (рис. 2б) • Формирование окна коллектора в слое SiO2;

• Эпитаксиальное выращивание слоев Si LDC + SiGe:C база + Si LDE. Над открытым окном коллектора на кремнии слои Si LDC (n-коллектор) і Si LDE (n+ эмиттер) в виде монокремния (светлая область), а над окислом МДИ – в виде поликремния (темная область). В слой (SiGe:C) базы добавлен углерод С для предупреждения обратной диффузии бора в эмиттер;

• Напыление вспомогательного слоя (sacrifical layer), который позволяет сформировать Т-образный эмиттер.

3-я маска (рис. 2в) Формирование эмиттерного окна;

• Ионная имплантация SIC (селективно имплантированный коллектор);

• Напыление изоляционного слоя (SiO2 или Si3N4), формирование внутреннего спейсера в эмиттерном окне;

• Удаление изоляционного слоя, кроме спейсера;

• Напыление эмиттерного слоя n+ Si poly.

4-я маска (рис. 2г) • Формирование n+ Si poly эмиттера;

• Напыление изоляционного слоя (SiO2 или Si3N4) и формирование внешнего спейсера эмиттера;

• Удаление вспомогательного слоя;

• Селективное наращивание (самосовмещение) внешней р-базы с повышенным содержанием примесей (elevated extrinsic base).

5-я маска (рис. 2е) • Формирование р-базового слоя НВТ;

• Напыление изоляционного слоя (SiO2 или Si3N4), формирование внешнего спейсера базы анизатропным травлением.

6-я маска (рис. 3) Напыление контактного слоя (силицид) и формирование контактов • эмиттера, базы, коллектора Рис. 2. Операции техпроцесса изготовления SiGe HBT После завершения последних операций модуля ГБТ выполняются завершающие операции изготовления КМОП транзисторов и наносятся слои металла:

• Имплантация истоков, стоков;

• Нанесение силицидного защитного слоя для резисторов;

• Нанесение Со - силицида в областях контактов;

• Формирование 4-х уровней металла (Al) и МДМ конденсаторов (металл-диэлектрик-металл).

Рис. 3 Структура SiGe HBT с контактами к эмиттеру, базе, коллектору Результирующая структура кристалла в разрезе показана на рис. 4. Кристалл включает SiGe ГБТ, КМОП транзисторы, 4 слоя металла (Al) и МДМ конденсаторы (не в масштабе) Рис. 4. Структура кристалла, которая включает SiGe ГБТ, КМОП транзисторы, 4 слоя металла (Al) и МДМ конденсаторы (не в масштабе) Нижние три слоя металла имеют толщину 580-730 нм, а верхний слой металла, в котором создается индуктивность, имеет большую толщину 2000 нм, что необходимо для увеличения добротности индуктивности. Толщина слоев диэлектрика между 1-м, 2-м, 3-м и 4-м слоями металла выбрана равной 900 нм, соединения между элементами схемы и шинами в разных слоях металла осуществляется через контактные переходы (vias). МДМ конденсатор в данной технологии реализован на основе 2-го слоя металла (нижняя обкладка), нитрида кремния толщиной 58 нм и дополнительного слоя металла.

По описанной технологии в СВЧ ИС формируются все элементы интегральной схемы.

Активные элементы технологии SG25H Минимальные размеры, а также оптимальная конструкция и технология позволяют достичь высоких значений параметров npn-транзисторов - активных элементов функциональных блоков СВЧ ИСС. У таблице 3 приведены основные параметры npn-транзисторов, изготовленных по технологии SG25H1.

Таблица 3. Параметры npn-транзисторов, изготовленных по технологии SG25H Параметр Значение параметра 0,21 х 0,84 мкм Площадь эмиттера Максимальное значение частоты, МАХ 190 ГГц Максимальное значение частоты, Т 190 ГГц Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, 1,9 В BVCE Коэфициент усиления тока, Ёмкость база-коллектор, СВС 2,8 фФ Ёмкость база-эмитттер, CBE 3,8 фФ Ёмкость коллектор-подложка, CCS 3,0 фФ Сопротивление базы, RB 85 Ом Сопротивлени эмиттера, RE 16 Ом Сопротивление коллектора, RC 16 Ом Активными элементами технологии SG25H1 являются также N- и P-канальные МОП транзисторы с эффективной длиной канала 0,24 мкм и пороговым напряжением 0, В - 0,55 В.

Пассивные элементы технологии SG25H Для создания СВЧ ИС, кроме активных компонентов, необходимы пассивные элементы - резисторы, конденсаторы, конденсаторы с ёмкостью, управляемой напряжением (варакторы) и индуктивные компоненты. К последним относятся собственно индуктивности, трансформаторы и СВЧ линии передачи – микрополосковые линии (microstrip line).

При изготовлении пассивных компонентов на кристалле ИС, используются как обычные процессы, так и новые процессы, специально разработанные для этих целей.

Например, толстый 3-4 мкм, последний слой металла используется для создания индуктивностей с повышенной добротностью Q или для создания мощных шин в усилителях мощности. К новым процессам относятся также нитридные (Si3N4) конденсаторы металл-дэлектрик-металл (MДM) с высокой удельной ёмкостью.

Резисторы Основными показателями качества резисторов, применяемых в СВЧ ИС, являются поверхностное сопротивление (sheet resistance – RS), допуски (tolerance), паразитные ёмкости, температурный коэффициент сопротивления (TCR), максимальный ток и напряжение.

У СВЧ и РЧ ИС резистора имеют различное применение: в цепях нагрузки, формирования напряжения смещения, фильтрах и других узлах. Диапазон номинальных значений сопротивлений может изменяться от сотен Ом до сотен кОм. Для некоторых применений имеют значения паразитных элементов эквивалентной схемы последовательная индуктивность резистора и ёмкость: распределенная ёмкость и индуктивность на подложку.

В технологии SG25H1 используются резисторы на основе слоёв поликремния.

Основной тип резистора з поверхностным сопротивлением RS = 310 Ом / и температурным коэффициентом TCR = 50 ppm/V выполняются на основе р+ поликремния внешней базы SiGe ГБТ. При использовании для резисторов n+ поликремния затвора – поверхностное сопротивление RS = 95 Ом /, а TCR = 450 ppm/V.

Конденсаторы У СВЧ ИС конденсаторы используются а) как элемент параллельного или последовательного LC-контуров или LC-фильтров;

б) в переходных цепях развязки по постоянному току;

в) в цепях шунтирования по переменному току;

г) в RC- и gmC фильтрах. Наиболее часто в ИС применяются конденсаторы:

а) МДМ конденсаторы, которые реализуются в технологиях с количеством слоёв металла более 3-х;

б) PІР-конденсаторы (polysilicon1-insulator-polysilicon2 – PIP), в которых обкладки конденсаторов созданы поликремнием 1 и поликремнием 2.

PІР-конденсаторы имею достаточно высокую удельную ёмкость, но невысокая добротность и большой коэффициент VСС (Voltage Coeff.) не позволяют применять их в избирательных цепях СВЧ узлов. Они могут быть использованы в шунтирующих и переходных цепах, а также в радиочастотном тракте на промежуточной частоте для создания RC- і gmC-фильтров. Качество PIP-конденсаторов улучшается, если верхний и нижний поликремний легированы одинаковыми примесями.

MДМ-конденсаторы имеют хорошие характеристики, что дает возможность применять их в избирательных и согласующих цепях МШУ, смесителей и ГКН СВЧ ИС.

Низкоомный металл верхней и нижней обкладки обеспечивает высокую добротность Q 90, приемлемые значения VСС и температурного коэффициента TCC.

Величина удельной ёмкости колеблется в разных технологиях от 0,7 до 1,35 фФмкм2.

Двухслойная поверхностная структура (double stacking) в технологиях SiGe 5HP і BICMOS 6HP удваивает удельную ёмкость, что уменьшает площадь конденсатора.

Индуктивности Индуктивности и трансформаторы являются в настоящее время одними из самих ключевых элементов СВЧ ИС. Параметры МШУ, смесителей и ГКН в диапазоне частот 0,5 – 10 ГГц во многом определяются параметрами индуктивностей, реализованных непосредственно на кристалле: величиной индуктивности L (nН), добротностью Q, частотой собственного резонанса индуктивности SR.

Индуктивности на кристалле изготавливаются в виде спирали, которая может быть прямоугольной, октагональной, гексагональной или круглой. Последовательное сопротивление индуктивности RS, которое непосредственно влияет на добротность Q, будет тем меньше, чем меньше поверхностное сопротивление металла, из которого сделана спираль. Поэтому спираль индуктивности изготавливают из последнего слоя металла толщиной 3-4 мкм. Поверхностное сопротивление толстого металла имеет величину 0,012 Ом, а в металле 1 или металле 2- ая величина значительно больше – 0, Ом.

Многослойная конструкция металлических соединений позволяет проводить параллельное или последовательное соединение спиралей в 2-х и больше уровнях. В первом варианте соединений уменьшается RS и увеличивается добротность Q индуктивности, во втором – увеличивается индуктивность L. Добротность индуктивности зависит не только от сопротивления спирали RS, но и других эффектов, которые появляются на сверхвысоких частотах: скин-эффект, индукционные вихревые токи, а так же от влияния подложки. Для ограничения влияния подложки используют защитные экраны, расположенные непосредственно под индуктивностью и соединенные с «землёй». В качестве материала для экрана используют металл 1 или, в крайнем случае, силицидный поликремний. Специальная конфигурация металлического экрана в виде решетки исключает возникновение в экране вихревых токов.

Номинальные значения индуктивностей L, которые реализуются на кристалле СВЧ ИС, имеют величину от нескольких наногенри до нескольких десятков наногенри, типовые значения добротностей Q = 4-10, а в некоторых случаях до 20. Частотная характеристика добротности достигает максимуму на частотах 1-10 ГГц в зависимости от конструкции, номинального значения индуктивности и технологии. Максимальное значение Q должно быть вблизи рабочей частоты ИМС. Частота собственного резонанса SR должна быть в несколько раз больше рабочей частоты. Частота SR будет тем больше, чем меньше паразитная ёмкость индуктивности относительно положки (экрана) и межвитковая ёмкость.

Анализ развития технологий СВЧ ИС показывает, что для будущих высококачественных СВЧ устройств будут применяться новые перспективные технологии: РЧ КМОП уровня 65/45/32 нм с граничною частотою до 420 ГГц, нитрид-галиевые AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT на подложках SiC, Si, алмаз с граничными частотами до 205 ГГц, графеновые технологии с граничными частотами до 300 ГГц.

РЧ КМОП уровня 65/45/32 нм.

На рис. 5 приведены структуры РЧ КМОП транзисторов уровня 65 и45 нм.

В РЧ КМОП уровня 45 нм в отличие от технологии уровня 65 нм в качестве диэлектрика для затвора МОП-транзистора применяется окисел гафния HfO2, k = (HK), металлический затвор (MG), напряжённый кремний в канале.

РЧ КМОП технологии 65/45/32 нм используют в системах на кристалле СнК.

В РЧ КМОП технологии 32 нм фирмы Интел достигнута граничная частота 420 ГГц.

Рис. 5 Структура РЧ КМОП транзисторов уровня 65 и 45 нм Нитрид-галиевые AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT на подложках SiC, Si алмаз.

На рис.6 приведены структуры нитрид-галиевых AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT транзисторов и их элементов А) В) С) Рис. 6 Структуры нитрид-галиевого AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT транзистора А) структуры нитрид-галиевого AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT транзистора;

В) толщины пленок, применяемых в нитрид-галиевых AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT транзисторах;

С) структура с алмазной пленкой. Тонкий слой алмаза увеличивает теплоотвод.

Лидирующие позиции в AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT технологиях занимают фирмы Cree, TriQuint Sem., Nitronex Corp. Fujitsu, Eudyna Dev.

В Европе работы по созданию GaN технологий ведутся по программам KORRIGAN, MANGA, MORGaN, UltraGaN.

Цели программ KORRIGAN, MANGA:

Разработка технологии SiC подложек диаметром (2-4)”, технологий AlGaN/GaN HEMT 0,5 и 0,25 нм. Создание фаундри-центров, моделирование НЕМТ и пассивних елементов.

Разработка экспериментальных образцов ИС МШУ, усилителей мощности (УМ), СВЧ коммутаторов ППМ радаров диапазона 1-18 ГГц.

Цели программ MORGaN, UltraGaN: внедрение InAlN/GaN HEMT технологий, повышение граничной температуры ИС до 1000 градусов, выходной мощности УМ до 1000 Вт.

Повышенная стойкость GaN HEMT к электрическим и тепловым перегрузкам и отличные электрические характеристики привлекают разработчиков многофункциональных цифровых радаров с фазированными антенными решетками, систем мобильной святи LTE, WiMAX, систем космической связи.



Pages:     | 1 |   ...   | 13 | 14 || 16 | 17 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.