авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 14 | 15 || 17 | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 16 ] --

Графеновые технологии, полевые транзисторы Графен – двумерная модификация углерода, образованная слоем атомов углерода С толщиной в один атом, связанных в гексагональную двумерную кристаллическую решетку. Этот удивительный материал является наиболее подходящим кандидатом для посткремниевой наноелектроники, в том числе и для будущей РЧ электроники ГГц и ТГц диапазонов.

Исключительные особенности графена:

• Самый тонкий и прочный материал (в 5 раз прочнее стали и многократно легче);

• Графен является полуметаллом, его проводимость выше, чем у металлов (электропроводность графена 108 Ом-1·м-1, меди – 0,59·108 Ом-1·м-1), электрические свойства графена могут быть модулированы (может быть включен и выключен);

• Прекрасный проводник тепла;

• Очень высокая плотность тока.

Сравнительные характеристики графена и некоторых полупроводниковых материалов приведены в таблице 4.

Таблица Параметры Кремний Si Графен AlGaAs/ SiC AlGaN/ InGaAs GaN Подвижность 1500 8500 700 1500-2200 электронов при 300К, см2/В·с Дрейфовая скорость 1,0 1,3 2,0 1,3 5- электронов, см/с Теплопроводность, 1,5 0,5 4,5 1,5 48,4- Вт/см·К V-образная характеристика тока стока графенового полевого транзистора от напряжения на затворе ID (VGS) при минимальном токе в точке Дирака отличают графеновый транзистор от обычных полевых или биполярных транзисторов. Зоне проводимости соответствует правый участок с электронными носителями, а валентной зоне - левый участок с дырочной проводимостью. Такая особенность вольтамперной характеристики графенового транзистора дает новые возможности реализации в нелинейной СВЧ электронике таких схем как умножители частоты, детекторы, смесители, демодуляторы и аналого-цифровые преобразователи. Другая особенность графеновых транзисторов - отсутствие участка насыщения в характеристике тока стока от напряжения стока. Следствие этого – пониженное выходное сопротивление усилительного каскада.

В программе США CERA (Carbon Electronics for RF Applications) (2008 2012pp), финансируемой военным агенством DARPA предусматривается несколько этапов исследований. На трех этапах работы проводится разработка технологии изготовления графеновых полевых транзисторов (FET) на пластинах диаметром более 200 мм с характеристиками: 1) граничные частоты более 500 ГГц;

2) плотность тока более 2000 мкА/мкм;

3) подвижность носителей более 15000 см2/Вс;

4) отношение максимального к минимальному току ION/IOFF более 1000. На последнем этапе программы CERA для демонстрации возможностей разработки графеновых СВЧ ИС для систем связи, электронного оружия, радаров разрабатывается МШУ диапазона ГГц с усилением более 15 дБ, коэффициентом шума менее 1 дБ, процентом выхода годных на пластине более 90 %. Такое сочетание параметров недостижимо для стандартных технологий.

В программе ЕС GRAND (Graphene-based Nanoelectronic Devices) проводится разработка технологии на основе модификаций графена (графан и графон) с расширением запрещенной зоны до 2,7 эВ. Это позволит разрабатывать логические ИС с большим отношением токов ION/IOFF.

Основными исполнителями программы CERA являются фирмы IBM и HRL, США.

Рис.7 Структура и внешний вид графенового транзистора фирмы IBM (два затвора) На рис. 7 представлена структура и внешний вид графенового транзистора фирмы IBM с длиной канала 40 нм и граничной частотой 155 ГГц. Технология изготовления транзисторов максимально использует стандартные процессы серийного производства, например, метод CVD (chemical vapor deposition) при формировании качественного графенового слоя большой площади на медной фольге с последующим переносом графена на подложку с алмазоподобной углеродной пленкой поверх слоя двуокиси кремния (SiO2). В технологии используются также стандартные процессы литографии при формировании транзистора. Проблемные вопросы в данной и других графеновых технологиях – уменьшение контактного сопротивления к электродам транзисторов и выбор материала и технологии нанесения диэлектрика с сохранением подвижности носителей более 15000 см2/Вс.

Решение этих и других проблемных вопросов позволит приблизить параметры транзисторов к целям программы CERA.

Выводы Приобретенный ГП НИИ МП опыт проектирования СВЧ ИС на основе SiGe ГБТ и РЧ КМОП, а также наличие фирм, прежде всего в Европе, готовых оказывать фаундри услуги для изготовления заказанных СВЧ ИС, позволяют нам надеяться, что Украина в области СВЧ ИС сможет в ближайшее время войти в развивающийся рынок fabless-компаний. Однако для достижения этой цели необходимы государственные или частные инвестиции для создания современного дизайн-центра, способного проектировать СВЧ и другие типы ИС, в том числе системы на кристалле (СнК), включающие СВЧ, аналоговые и цифровые блоки. Для реализации этого проекта необходимо следующее:

1. Обеспечение современной компьютерной техникой (не менее 5- рабочих станций) подключенных к Интернет сети;

2. Приобретение лицензионного программного обеспечения для проектирования цифровых, аналоговых, СВЧ ИМС фирм Cadence, Aligent, Mentor Graphics со стажировкой специалистов в фирменных учебных центрах;

3. Формирование инженерного персонала инженеров-проектировщиков ИМС из числа сотрудников ГП НИИ МП и студентов и выпускников НТУУ КПИ.

Процесс формирования коллектива может занять 1-3 года с проведением индивидуальной работы со студентами (чтение лекций, дипломные работы и другие формы подготовки);

4. Формирование лабораторно-измерительного комплекса, оснащенного современной измерительной аппаратурой, в том числе и зондовыми установками, позволяющими проводить измерения пластин диаметром 200-300 мм. Функционально измерительный комплекс входит в состав дизайн-центра.

Через 3-4 года после становления и формирования портфеля заказов дизайн центр ГП НИИ МП сможет проводить разработки по заказам предприятий Украины и стран СНГ, а также начать сотрудничество с ведущими фирмами других стран, например, в рамках европейской программы РП7. Этот путь является сейчас единственным для возрождения микроэлектроники Украины на современном технологическом уровне.

4. В погоне за фотонами (исповедь технолога) Осинский В.И.

Дорогу осилит идущий.

(Из Библии) Потребности современного общества в обработке все возрастающих объемов информации привели к созданию транзисторных больших, сверхбольших (СБИС) и сверхскоростных (ССИС) интегральных схем, в основном на кремнии. Увеличение информационной способности осуществляется главным образом за счет увеличения количества элементов транзисторов и уменьшения их размеров. Чисто технологические объединения транзисторных структур в сверхбольшие интегральные схемы наталкивается на физические пределы уменьшения размеров микро- и нанообластей, низкую подвижность электронов и дырок в кремнии, а также на возрастание перекрестных тепловых и электромагнитных взаимодействий подвижных зарядов электронов и дырок.

Создание новых производств в области кремниевой транзисторной микроэлектроники становится исключительно дорогим процессом и противоречит требованиям повышенной прибыльности, лежащим в основе экономики современного мира. Помимо экономических и физико-химических ограничений существуют серьезные системные кибернетические ограничения фактически последовательного принципа обработки информации транзисторными структурами, основанными на увеличении частот при дискретизации по времени. Выход из этих принципиальных затруднений – в увеличении функциональных возможностей введением фотонов в качестве носителей информационных сигналов. Возникает возможность дискретизации информации не только по времени, как в транзисторных ИС, но и по пространственным координатам, что позволяет вести параллельную обработку и передачу больших массивов информации.

Следуя работам выдающегося кибернетика В.М. Глушкова, это в большей мере соответствует реальным информационным системам, которые существуют в природе, например, параллельное восприятие внешнего мира зрительным аппаратом человека.

Хотя наш мир буквально залит потоками квантов света из космоса, эффективная искусственная генерация и управление потоками фотонов средствами электроники представляет фундаментальную проблему. Она состоит в том, что в природе и в большинстве известных физических процессов вероятность генерации фотонов электронными потоками не является стопроцентной, а сопровождается превращением части энергии электронов в тепловую или другие виды энергии, с потерей части информации. Единственным теоретически стопроцентным превращением энергии подвижных электронов в энергию фотонов обладает процесс рекомбинации в некоторых так называемых прямозонных полупроводниках группы А3В5, А2В6 типа арсенида галлия, зонная структура которых обеспечивает излучательную рекомбинацию электронов и дырок без участия фононов, т.е. квантов тепла. Кремний, германий и большинство других полупроводников не обладают этим свойством. Использование фотонов в качестве носителей информационных сигналов требует согласования сигнальных физико-химических и технологических параметров микро- и наноструктур в отдельных микро- и нанообластях. Рассогласование микро- и нанообластей по параметрам кристаллической решетки и коэффициентам термического расширения приводит к большой концентрации дефектов, которые являются центрами безизлучательной рекомбинации. Это приводит к потере информации в процессе электрон-фотонных преобразований информационных сигналов. Да и сами полупроводниковые материалы первое время были несовершенны по кристаллической структуре и содержали большую концентрацию неконтролируемых примесей, которые снижали квантовый выход излучения. В первых опытах по излучению полупроводников он составлял миллионные и тысячные доли процента. Поэтому с самого начала исследований рекомбинационного излучения полупроводников увеличение количества излучаемых фотонов становилось основной задачей технологии получения приборных структур.

Фотоны начали вводить в электронику примерно 50 лет назад, что радикально изменило ее функциональные возможности. Это развернулось в последующие десятилетия и определило направления и характер развития этой науки и техники на многие годы, возможно на столетия, вперед. Целью настоящей статьи является обзор нашего вклада в эту область технологии и знаний. Задавая интригу рассказа, необходимо сказать, что нами впервые экспериментально выявлена эффективная излучательная рекомбинация в четырехкомпонентных твердых растворах арсенида-фосфида-галлия индия (InGaAsP) в которых возможно полное согласование технологических параметров гетерослоёв. На них впервые получены светодиоды и лазеры в видимом и инфракрасном диапазонах спектра;

предложены и реализованы новые элементы интегральной оптоэлектроники.

Сейчас больше 80% волоконно-оптических линий связи в Украине и других странах мира работают на лазерах, светодиодах и фотоприемниках на основе соединений InGaAsP, а также других многокомпонентных материалов A3B5 введенных нами в электронику.

В первых работах для получения заметной интенсивности излучения использовали инжекцию электронов и дырок в р-п- переходах. В дальнейшем для увеличения количества инжектированных носителей зарядов воспользовались предложением Крамера по увеличению инжекции гетеропереходов в эмиттерах транзисторов. Однако реализация таких транзисторов и светодиодов была затруднена большой концентрацией дефектов на гетерограницах, которые захватывали электроны. Основной причиной дефектности было различие в параметрах кристаллической решетки двух полупроводников гетероперехода.

В начале шестидесятых годов прошлого столетия в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе в Санкт-Петербурге под руководством Ж.И. Алферова группа в составе Д.Гарбузова, Е Портного, В.Андреева, Д.Третьякова и С.Конникова развернули интенсивные работы по выращиванию методом жидкофазной эпитаксии на подложках арсенида галлия почти идеальных гетеропереходов AlGaAs/GaAs, в которых параметры решетки составляющих частей очень близки. В шестидесятые семидесятые годы ХХ столетия во многих лабораториях мира разрабатывались технологии создания полупроводниковых светодиодов и лазеров на гомо- и гетероструктурах, которые работают при комнатных температурах. Сначала работы проводились в основном на р-n-переходах в арсениде галлия, арсениде-фосфиде галлия и гетероструктурах AlGaAs/GaAs, а после открытия нами интенсивной люминесценции в четырехкомпонентной системе InGaAsP - в нашей стране, а также в США, Японии и других странах мира были созданы лазеры, светодиоды, транзисторы, фотоприемники на идеальных" гетероструктурах "почти многокомпонентных полупроводников А3В5. В нашей стране эти исследования были поддержаны Нобелевскими лауреатами П.Л.Капицею, Н.Г. Басовым и А.М.Прохоровым, Ж.И.Алфёровим, академиками В.М. Тучкевичем и С.В.Свечниковым (Рис. 1, Рис. 2).

Рис. 1. Нобелевский Лауреат П.Капица (справа) и разработчики сверхяркого многокомпонентного светодиода В.Осинский и академик Н.Сирота.

Рис 2. Лауреат Нобелевской премии академик Н.Г. Басов (в центре) знакомятся с первыми работами по лазерам и светодиодам на многокомпонентных полупроводниках.

1.Старт.

О том, что полупроводниковые диоды могут излучать свет, я узнал от моего научного руководителя, выдающегося технолога, бывшего московского профессора, академика Н.Н. Сироты в 1960 г. Тогда я занимался аппаратурой для измерения ядерных излучений на Минском приборостроительном заводе.

Фотовспышки люминофора харьковского завода «Химреактив», который облучался частицами, регистрировали с помощью фотоэлектронного умножителя. Это был также год изобретения лазеров на рубине Дж. Мейманом (США), Басовым Н.Г. и Прохоровым А.М. (СССР). Открытие лазеров вызвало большой интерес к реализации лазерного эффекта в полупроводниках. В Физическом институте им. Лебедева в Москве мне продемонстрировали генератор мощных наносекундных импульсов тока на тысячи ампер, которым пытались возбудить лазерный эффект в полупроводниковом кристалле. В это время Ю.М. Попов (ФИАН им.Лебедева) теоретически вывел условие положения уровней Ферми в полупроводнике, при которых возможно реализовать стимулированное излучение. В Физико-техническом институте им. А.Ф.

Йоффе (Санкт-Петербург) начинающий сотрудник Борис Царенков получил незначительное сужение спектра излучения р-п перехода в арсениде галлия при увеличении прямого тока через диод. Эффект был настолько незначительным, что мог бы остаться незамеченным. Однако его руководители М.С. Рывкин и Д.Н.

Наследов среди возможных вариантов объяснений этого явления в опубликованной статье дали эффект стимулированного лазерного излучения. Через несколько месяцев вышла публикация R.N.Holla, из фирмы General Electric (США), в которой описан лазерный диодный чип на арсениде галлия с резонатором Фабри-Перро, полученным полировкой противоположных боковых граней микрочипа. В это время (1962 г.) я уже сделал генератор мощных наносекудных импульсов тока в тысячу ампер на ударных электромагнитных волнах, возбуждаемых мощным тиристором в ферритовом сердечнике.

Это было мое первое изобретение, которое позволяло возбуждать излучения в р-п структурах, в частности на арсениде галлия и фосфиде индия. Технологию получения кристаллов бинарных соединений А3В5 осваивал в лаборатории Н.А.

Горюновой в ФТИ им.А.Ф.Йоффе и Н.И. Малышева в НИИ «Сапфир» г. Москва.

Вскоре мною была сделана собственная установка, на которой эти кристаллы получали по методу Бриджмена. Кроме бинарных соединений были получены кристаллы твердых растворов арсенида-фосфида галлия, светодиоды на которых давали красное излучение. Однако гетеропереходы на них давали более слабое излучение, чем из бинарных соединений. В то же время американский исследователь Ник Холоньяк опубликовал результаты получения первого лазера видимого света (красного) на гомопереходах GaAsP. Все полупроводниковые лазеры в то время работали при низких температурах, близких к жидкому азоту. В ФТИ им. А.Ф. Йоффе активно продолжались работы по снижению граничных дефектов в лазерах на гетеропереходах AlGaAs/GaAs. В 1962 г. Ж.Алферов и Казаринов запатентовали двойную гетероструктуру, в которой в активный слой излучателя инжектируются как электроны, так и дырки. Методом жидкофазной эпитаксии получали гетероструктуры GaAs/AlGaAs, некоторые прямозонные составы, которых имели близкие параметры решетки. Отработка технологии гетероэпитаксии позволила после нескольких лет напряженных исследований получить лазеры, работающие при комнатных температурах.

Аналогичные работы активно проводились во многих лабораториях других стран, однако по параметрам лазеры ФТИ лидировали. Все эти работы проводились на тройных твердых растворах, в которых необходимый параметр решетки задавался концентрацией катионов или анионов в твердом растворе, что ограничивало возможности управления параметрами как технологии, так и излучения структур.

В институте Физики твердого тела и полупроводников в Минске Н.Н. Сирота организовал широкий фронт технологических работ по твердым растворам А3В5, которые выращивали мои коллеги по аспирантуре Л. Маковецкая, Э. Болванович, В.

Шипило. Физико-химические и структурные исследования этих материалов проводили Н. Олехнович, А. Шелег, Е. Гололобов. Лидия Маковецкая синтезировала четверные твердые растворы арсенида-фосфида, галлия-индия и исследовала их термодинамические свойства.

В 1962 г. мы начали выращивать четверные твердые растворы арсенида фосфида галлия-индия приборного качества, их легирование примесями п- и р- типа.

На кристаллах приборного качества были получены p-n переходы, на которых были созданы светодиоды и лазерные диоды, которые излучали в широком спектральном диапазоне. Излучение было в несколько раз (иногда на порядок) сильнее, чем на арсениде галлия и фосфиде индия. Средние составы излучали видимый красный, желтый и белый свет, что не соответствовало ожиданиям по закону Вегарда только инфракрасного излучения. Как оказалось в последствии, это излучали структуры с квантовыми точками, которые образуются в наногетерогенных системах. Сильное излучение диодов на четверных твердых растворах удивило Д.Н. Наследова, Ж.И.

Алферова, П.Л. Капицу, Н.Г. Басова, А.М. Прохорова, П.Г. Елисеева и других ученых, которые посещали нашу лабораторию и знакомились с работами (фото 1).

Кристаллы выращивались по методу Бриджмена 8-10 суток непрерывно. Основными технологами кроме меня были Г. Шиенок, В.И. Привалов, А. Лукомекий (Рис. 3).

Рис.3. Лауреат Нобелевской премии Ж.Алферов (в центре) с профессором В.Осинским и группой разработчиков (1980).

Всесторонние исследования излучательных свойств проводили на созданном нами спектрально-измерительном комплексе в стационарном и импульсном режимах при синхронном детектировании и от гелиевых до любых положительных температур. Основным энтузиастом этих исследований был Михневич В.В. В 1964 г.

результаты работ были доложены на семинарах в Физическом институте им.

Лебедева. Многие участники семинара в штыки приняли неординарные результаты по высокоэнергетическому, красному свечению диодов на многокомпонентной системе InGaAsP, которые не соответствовали закону Вегарда. Они не рекомендовали дать положительный отзыв по работе. Однако положение спас Н.Г. Басов, который вел семинар, он сказал, что не сомневается в достоверности экспериментальных данных, которые представляют большой интерес для лазерной и светодиодной техники, и поручил Попову Ю.М. и Елисееву П.Г. оформить положительный отзыв на доложенную работу. Интересно, что в последствии группа Елисеева П.Г. вместе с технологами ГАРЕДМЕТА развернули активную разработку лазерных диодов для ВОЛС на системе InGaAsP, которые сейчас являются источниками излучения во всех ВОЛС.

2. Международное сотрудничество.

После публикации статьи в Докладах Академии наук СССР и выступлений на международных конференциях (Рис. 4) по физике рекомбинационного излучения многокомпонентной системы твердых растворов InGaAsP я был приглашен для работы в США по программе научного сотрудничества с нашей страной. Там в 1969 1970 гг. я выполнял исследования люминесценции лазерных эпитаксиальных структур арсенида галлия в Национальном бюро стандартов, г. Вашингтон, Д.С. – Институт полупроводниковых материалов и приборов (Рис. 5). Лабораторией руководил доктор Nicolas Winogradoff, потомок русских дипломатов. За короткий срок была создана установка исследований излучения арсенида галлия. Результаты, которые опубликованы в Physical Review и Solid State Communication, выявили механизмы стабилизации и увеличения интенсивности излучения фотонов при повышении температуры самого чистого в то время арсенида галлия, выращенного американским профессором Пульвари. При посещении ряда университетских лабораторий и фирм американские ученые и специалисты были ознакомлены с нашими работами, обсуждались физические свойства многокомпонентных полупроводников и перспективы их применения в оптоэлектронике. В Исследовательском центре фирмы ІВМ проф. Лео Есаки продемонстрировал первую в мире систему молекулярно-лучевой эпитаксии и результаты полученных на ней полупроводниковых сверхрешеток. В Исследовательском центре фирмы RСA (Radio Corporation of America) в г. Принстон доктор Ж. Панков был инициатором применения жидкофазной эпитаксии излучающих структур А3В5, тогда у него было несколько установок, на которых выращивались структуры для светодиодов с рекордными параметрами.

В Иллинойском университете, Urbana, штат Иллинойс, с профессором Nick Holonyak (Микола Голодняк, сын украинских эмигрантов начала прошлого века) и Дж. Бардиным, дважды лауреатом Нобелевской премии, обсуждались перспективные методы газофазной эпитаксии излучающих структур, а также возможности их развития в нашей стране. Особенно интересной была встреча с изобретателем транзистора, лауреатом Нобелевской премии, профессором У. Шокли в Стенфордском университете – сердце знаменитой кремниевой долины. Легенда транзисторной электроники У. Шокли в 1970 г. уже отошел от активной промышленной деятельности и занимался научной и преподавательской работой. Он с большим интересом воспринял мой рассказ о наших излучающих структурах, их возможности внедрения в информационную технику, которая тогда базировалась на кремниевых транзисторах. Он согласился с моей мыслью о том, что фотоны помогут разрешить физические, технологические и экономические проблемы транзисторной микроэлектроники.

Рис. 4. Разработчики технологии излучателей на многокомпонентных полупроводниках на IX Международной конференции по физике полупроводников, 1968г. Москва, МГУ. Первый ряд слева направо: А. Лукомский, В. Осинский и Г. Шиенок.

Рис. 5. Исследования фотолюминесценции эпитаксиальных лазерных структур арсенида галлия в Национальном бюро стандартов США.

После возвращения на Родину руководство Белоруссии направило меня в электронную промышленность для организации разработки и производства интегральных схем на вновь строящемся заводе «Мион» (сейчас объединение «Интеграл»). Были стены и крыша без полов и окон. Первую половину дня работали на стройке, а вторую – разрабатывали и получали интегральные схемы.

Финансирование строительства было уже израсходовано, поэтому приходилось в Москве брать заказы на интегральные схемы и под них получать средства для окончания строительства. В этих условиях была налажена разработка и изготовление интегральных схем ТТЛ, ДТЛ и высоковольтных ключей средней степени интеграции для управления газоразрядными индикаторами, главным конструктором которых я был назначен. Генеральный директор, бывший белорусский партизан, выдающийся организатор И.М. Глазков требовал только воспроизведения иностранных аналогов, без потерь времени на упреждающие разработки.

Эта методика всюду использовалась на предприятиях Министерства электронной промышленности, что впоследствии способствовало их коллапсу после открытия наших рынков для продукции иностранных фирм. В начале 70-х годов на электронных предприятиях республики была проведена очередная реорганизация, направленная на освоение новых видов продукции. Для усиления инновационных тенденций на предприятиях различных ведомств в системе Академии наук республики был создан Институт электроники, в который я был направлен с заданием организации работ по новым, перспективным технологиям и приборам.

Рис.6. Бездислокационные селективные области арсенида галлия в интегральных структурах на кремнии.

В течение одного года была создана технологическая и диагностическая база с полным замкнутым циклом изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем со степенью интеграции до нескольких сотен элементов, которая позволяла изготавливать структуры на кремнии и материалах А3В5 от полировки подложек до корпусирования и испытания микро- оптоэлектронных изделий. В то время это была самая мощная технологическая структура микро-оптоэлектроники в системе Академии наук СССР. На четырех установках газофазной хлоридно гидридной эпитаксии материалов А3В5 были получены гетероструктуры светодиодов, лазеров и полевых транзисторов, на которых созданы интегральные матрицы для записи и считывания информации на фотопленку, которые применялись в космических аппаратах. Впервые в мире были получены интегральные GaAs/Si оптроны и интегральные матрицы оптронов (Рис. 6). Эти работы проводили Кацапов Ф.М., Груздев Ю.А., Тихоненко О.Я., Тявловская Е.А., Зайцев И.И., Привалов В.И., Сергеев В.И.

Впервые были получены варизонные слои, на которых созданы полевые фототранзисторы, которые нами запатентованы под названием «зонисторы». В них Малышев С.А. и Рыжков М.П. получили двумерный электронный газ в узкозонной части канала, что впоследствии за рубежом было названо транзистором с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) (Рис. 7).

Рис. 7. В. Осинский, О. Тихоненко и С. Малышев исследуют зонисторы на растровом электронном микроскопе.

Это получено на 5 лет раньше, чем этот эффект был открыт в других странах и нашел широкое применение в космической, мобильной, волоконно-оптической связях. По заданию предприятий Зеленограда и Москвы была налажена разработка и изготовление небольших партий монолитных матриц быстродействующих фотоприемников для считывания одно- и двумерной оптической информации.

Главным технологом по кремниевой технологии был Врублевский Л.Л., разработчики-исследователи Блынский В.И., Залесский В.Б. Высокую культуру оптических измерений и электронной спектроскопии Оже, ВИМС, РФЭС прививали аспирантам и начинающим сотрудникам опытные электроники К.Каспаров и В.Староверова. Многие работы проводились в тесном сотрудничестве с объединениями «Интеграл» и «Планар», зеленоградскими предприятиями, особенно НИИ Молекулярной электроники, НИИ Материаловедения, НИИ Микроприборов, НИИ Сапфир (Москва) и другими. Интересные работы по измерительным оптронам и фотоприемникам проведены Трофимовым Ю.В. и Залесским В.Б. Внедренные в Минском приборостроительном институте оптроны позволили на порядок повысить чувствительность измерительной аппаратуры, их производство также налажено в Болгарии, г.Пловдив, для автоматизации сеялок зерна.

В 1980 г. методом газофазной эпитаксии из ионизированных источников были выращены средние составы четверных твердых растворов InGaAsP, которые подтвердили результаты, полученные 15 лет тому назад методом Бриджмена. Была разработана модель рекомбинации через квантовые точки, которые формировались в нанообластях гетерогенных твердых растворов. Для их управляемого формирования нужны были другие методы эпитаксии, чем позволяло наше оборудование.

Для дальнейшего развития технологии нужны были системы молекулярно лучевой или МОС-гидридной эпитаксии наноструктур. Средств на их приобретение в системе Академии наук не было. Поэтому я принял предложение организовать работы по технологии гетероструктур в НИИ «Сатурн» г.Киев, который входил в систему богатого Министерства электронной промышленности СССР. По аналогии с подмосковными предприятиями МЭП в этом институте велись работы по малошумящим полевым транзисторам на арсениде галлия, и развитие работ по приборам на родственных материалах представлялось перспективным. Я заинтересовал новыми технологиями эпитаксии и приборов моего коллегу по студенческим годам в Киевском политехническом институте Гасанова Л.Г., который был директором НИИ «Сатурн» и главным конструктором МЭП СССР по космической связи, для которой нужны были арсенид галлиевые малошумящие транзисторы. Министерство выделило средства на разработку первой советской системы молекулярно-лучевой эпитаксии для НИИ «Сатурн», которая была создана и установлена в институте в 1986-1987 гг. В это же время была закуплена в Швеции импортная система эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС) «Epiquip».

Ее сборку и пробные технологические процессы получения квантово-размерных гетероструктур на шведской фирме мы провели с Довгим В., а также сотрудником ФТИ им. А.Ф.Иоффе Б. Явичем, который также получал аналогичную систему МОС эпитаксии для ФТИ им. А.Ф. Иоффе. В «Сатурне» был создан коллектив и организован весь полный цикл получения наногетероструктур на этой установке, а также диагностики, включая рентгеновскую, электронную и оптическую лазерную спектроскопию, микроскопию (Махнюк В.И., Воронько А.А., Фелинский Г.С.).

Состав лаборатории эпитаксии был сформирован из выпускников кафедры микроэлектроники НТУУ «КПИ» (Ю. Друченко, Д. Елманов, И. Манк) (Рис. 8).

Химические исследования, а также организацию работ и взаимодействие с энергетическими и экологическими службами обеспечивала Гончаренко Т.И.

Систематически выращивались гетероструктуры светодиодов, лазеров и НЕМТ транзисторов. Качество эпитаксиальных слоев было высоким, квантовый выход люминесценции был на уровне передовых зарубежных фирм и составлял 50-60 %. С 1981 г. после ликвидации МЭПа и акционирования НИИ «Сатурн» все средства, которые мне удавалось получать от государственных органов на проведение работ по эпитаксии, фактически использовались руководством НИИ «Сатурн» на другие потребности, и в 1995 г. работы были остановлены, оборудование законсервировано.

Параллельно с получением гетероструктур было организовано производство индикаторных красных светодиодов на гетероструктурах AlGaAs/GaAs (Гриненко Е., Ляхова Н.Н., Панкратова А., Манк И.), а также ряд работ по лазерам и фотоприемникам на 0,82;

1,3 и 1,55 мкм и приемо-передающих модулей волоконно оптических линий связи (Мержвинский А.А., Воронько А.А., Пономаренко А.) (Рис.

9).

Наиболее интересным результатом этих работ были гигабитные трансиверы по заказу американской фирмы «Computer Technology» (Рис. 10).

Рис.8. Коллектив разработчиков оптоэлектронных технологий в НИИ «Сатурн», 1985-1998 гг.

Рис.9. Система юстировки одномодового оптоволокна и лазера, 1990 г.

Это были самые скоростные в Европе приемо-передатчики ВОЛС, которые тогда и сейчас не производятся в Украине. Как и другая высокотехнологичная электроника, они импортируются из других стран, в ущерб нашей экономике. В г. остатки нашего коллектива вместе с тематикой переведены в Государственное предприятие НИИ Микроприборов для организации работ по оптоэлектронным технологиям, в частности, сверхярким светодиодам видимого диапазона на III нитридах, которые активно внедрялись во всех странах.

Традиционно в НИИ Микроприборов всегда занимались только интегральными схемами на кремнии, однако технологическая инфраструктура микроэлектроники частично сохранилась. Главное, что основные разработчики с пониманием приняли новую тематику, перспективную в непростых условиях того времени.

Рис. 10. Гигабитные лазерные приемопередатчики, «Сатурн», 1991 г.

Важно то, что Институт Микроприборов - это единственное ещё сохранившееся научное учреждение Украины, в котором вся инфраструктура и тематика выживания направлены на микро- и нанотехнологии электроники. Несмотря на большие экономические трудности, за последние 10 лет было выполнено ряд фундаментальных и прикладных исследований новых технологий.

3. Развитие технологических принципов многокомпонентной оптоэлектроники в Институте микроприборов НАН Украины.

Введение в хорошо изученную трехкомпонентную систему GaAsP атомов индия впервые позволило получить дополнительную степень свободы для управления физико-технологическими параметрами гетероструктур, которые в тройных твердых растворах реализовать невозможно. В частности в многокомпонентных системах создаются существенно большие возможности конструирования зонной структуры полупроводников, что позволило нам уже в 1965 г. впервые создать на основе четырехкомпонентных гетероструктур InGaAsP сверхяркие светодиоды, лазеры и фотоприемники которые работают в широком диапазоне длин волн видимого и ближнего инфракрасного излучения. Впервые в мире на гетерогенных структурах А3В5 были получены одночиповые белые светодиоды без применения люминофоров.

Развито новое направление зонной инжекции, в основе которого лежит фундаментальное свойство полупроводниковых соединений A3B5 образовывать непрерывные ряды твердых растворов. Стало возможным создание виртуальных и реальных материалов, которые содержат практически все атомы известных бинарных полупроводников А3В5, то есть мультикомпонентных систем AlGaInNPAsSb, среди которых огромное значение имеют прямозонные бинарные соединения и твердые растворы нитрида галлия, индия и алюминия GaInAlN. Излучающие и сверхвысокочастотные микро-, наноструктуры получаются на гетерогенных системах атомов в микро-, нанообластях, среди которых наиболее широкое применение получили арсенид и нитрид галлия, фосфид индия и твердые растворы на их основе.

При определенных термодинамических условиях (объем, температура, давление, энергия связи) все соединения А3В5 теоретически создают непрерывные ряды твердых растворов, но для режимов, которые можно реализовать практически, существуют значительные области плохой растворимости. Эти зоны плохого растворения располагаются в центральной части диаграммы растворения. В наших экспериментах на установке МОС-гидридной эпитаксии “Epiquip” (рис. 11а) с квазибинарной системой GaAs - InP хорошая растворимость наблюдалась вблизи бинарных соединений. Плохая растворимость наблюдалась в твердых растворах In0,7Ga0,3As0,12Р0,18. Необходимость создания бездефектных гетероструктур светодиодов и других оптоэлектронных приборов в системе InGaAsP обусловили всесторонние исследования другими авторами изопериодически твердых растворов этой системы. Выявленные нами зоны плохой растворимости, в которых создаются гетерогенные микро- и наноучастки, которые являются квантово-размерными структурами, в их исследованиях не выявлялись.

Рис. 11. Директор Института микроприборов проф. Вербицкий В.Г. и проф. Осинский В.И налаживают эпитаксиальные процессы на установке “Epiquip” В работах ряда зарубежных авторов рассмотрены зоны растворимости для большинства четверных твердых растворов и приведен их теоретический анализ.

Термодинамика смешивания в жидкой, твердой и газообразной фазах рассмотрены в ряде работ как теоретически, так и экспериментально. Наиболее важной работой для продвижения в участок твердых растворов нитридов является исследование растворимости в системе GaN-GaP, в которой теоретически и экспериментально выявлена очень малая зона растворимости GaN в GaP. Критическая температура растворимости в этой системе составляет больше 7000 К. В традиционных технологиях получения гетероструктур такие температуры получить невозможно.

В Институте микроприборов еще до наших работ по излучающим приборам на А3В5 было развито применение ионных и ионно-плазменных технологий для управления примесными и дефектными параметрами микроструктур на кремнии (Белевский В., Вербицкий В.Г.). В нашей работе эти технологии получили развитие для модификации основных атомных составов наногетероструктур А3В5. Применение ионов позволяет достичь соответствующих значений энергии в нанообластях. Это расширяет области растворимости и снимает ограничения на получение любых комбинаций атомов третьей и пятой групп Периодической системы типа АхВ1 хRzCyD1-yK1-z.

Наиболее важным результатом предложенной технологии является получение высококачественных гетероструктур нитрида галлия, алюминия и индия, что позволило расширить диапазон излучения гетеролазеров и светодиодов в зеленую, синюю и фиолетовую участки спектра. Поскольку фундаментальной особенностью многокомпонентных твердых растворов III-нитридов, фосфидов и арсенидов является ограниченная взаимная растворимость при обычных температурах технологических процессов, для них особенно перспективно применение ионных технологий.

Практическое применение для лазеров, светодиодов и транзисторов получила система AlGaInN, в которой базовым соединением является GaN, полученный на подложках сапфира или карбида кремния. Узкозонным активным слоем является тройной твердый раствор InGaN c незначительной концентрацией индия. В тройной системе InGaN Eg меняется от 1,9 эВ для InN до 3,5 эВ для GaN.

Ионное стимулирование построения кристаллической решетки многокомпонентного твердого раствора позволяет снизить температурный диапазон участка растворимости на тысячи градусов, что расширяет число составов, в которых существует полная растворимость. Ионное управление процессом разделения фаз позволяет создавать механически ненапряженные гетерогенные структуры с размерно-ограниченными островками квантовых ям, квантовых точек или квантовых проволок, а также их ансамбли с заданной топологией. Наиболее перспективной технологией получения гетероструктур многокомпонентных систем является молекулярно-лучевая эпитаксия из ионно-стимулированных источников. Такие системы развиты в американской фирме SVT Associates, с которой налажено творческое сотрудничество (Рис. 12). Это особенно важно для создания многослойных структур для белых светодиодов.

Рис. 12. Работы по молекулярно-лучевой эпитаксии на фирме SVT Associates (США, г. Меинеаполис), февраль, 2009 г.

Проф. В. Осинский и президент фирмы доктор Peter Chow.

Таким образом, стимулирование плазмой процессов получения многокомпонентных твердых растворов А3В5 обеспечивает увеличение скорости осаждения, которое без активации при той же температуре было бы недопустимо долгим. Многофакторность задачи решалась с помощью использования специальных компьютерных программ управления эпитаксией и лазерных методов диагностики.

Благодаря этому фактически снялись ограничения на растворимость в шестикомпонентной системе твердых растворов AlGaInNPAs, что открывает широкие возможности как конструирования зонной структуры материалов и приборов оптоэлектроники, так и их реализации.

Эпитаксия, которая стимулируется ионами при энергиях Е50 эВ, довольно перспективна для получения более резких профилей легирования. Она снижает механические напряжения на наноучастках гетероструктур, где используются материалы с разными коэффициентами термического расширения. Кроме того стимулирование ионами технологических процессов эпитаксии создает условия для выращивания тройных, четверных и других твердых растворов с высокой возможностью контроля состава. Это особенно важно для квантово-размерных и варизонных структур, а именно для создания белых светодиодов на основе многокомпонентных полупроводников типа А3В5 без применения люминофоров.

Выращивание кристаллов твердых растворов InGaAsP из расплава при свободной кристаллизации в кварцевых контейнерах показало спонтанное образование микро- и нанокристаллов разных составов, на размеры и концентрацию которых существенно влияют атомные веса и характер химических связей атомов, которые образуют кристаллическую решетку. Для фосфидов важным есть давление паров фосфора, что равно в условиях равновесия 49 атмосферам. В наших экспериментах при давлении паров фосфора 2 атмосферы сильное концентрационное влияние на макрогомогенность оказалось не в центре четырехугольника (состав In0,25Ga0,25As0,25P0,25), а смещенным в область больших концентраций фосфида индия (In0,4Ga0,1As0,3P0,2), что связано с большой степенью ионности фосфида индия, обусловленной сильной асимметрией атомов фосфора и индия. В частности, их атомные весы различаются в 114,8/30,97 =3,71 раз, а ионные радиусы - в 4,5 раз.

Соответствующие значения для арсенида галлия составляют 0,93 и 0,9.

Электроотрицательность характеризует равновесное состояние системы атомов, их отличие от идеальной ковалентной связи. Всегда существует некоторая полярность химической связи. Для снятия различий в атомных весах при кристаллизации в г. нами предложено проводить рост гетероструктур в невесомости.

Возможно возникновение упорядоченного расположения атомов, что создает твердый раствор замещения в узлах соответствующей решетки. Флуктуации концентраций компонентов твердого раствора рассматриваются как суперпозиция всех концентраций с разными амплитудами и волновыми векторами. Возможны длинноволновые и коротковолновые флуктуации состава с длинами волн в несколько периодов кристаллической решетки. Если их протяжности равны величине порядка длин волн электронов, происходит самоорганизация квантово-размерных гетероструктур. В условиях космических технологий особенно перспективно выращивание варизонных структур многокомпонентных полупроводников. В системе InGaAsP наибольшую разницу Еg у варизонных слоях дает квазибинарная система GaР-InAs, для которой Eg = 2,4 эВ - 0,7 эВ = 1,7 эВ. Еще большее значение Eg, возможно для нитридов и соединений алюминия.

Рост варизонных структур можно проводить как по концентрационным линиям, которые пересекают плоскость, так и по периметру многоугольников бинарных соединений. Условия невесомости облегчают получение пятикомпонентных систем GaInAsPN, шестикомпонентных AlGaInAsPN и семикомпонентных AlGaInSbAsPN. Возможно получение варизонной структуры из Eg= Eg(AlN)- Eg(InSb)=6,2-0,17=6,03 эВ, получение разных законов изменения Eg(x, y, z) и встраивание в середину структур нанообластей квантовых точек, квантовых нитей, квантовых ям, слоев с 2D электронным газом, твердотельных электронных линз, а также различных сверхрешеток и фотонных кристаллов.

Альтернативой традиционным эпитаксиальным подходам в технологии полупроводниковых слоев А3В5 предложен новый метод получения гетерогенных наноструктур арсенидов-нитридов галлия путем замещения части атомов мышьяка низкоэнергетическими ионами азота в твердой фазе монокристаллической пленки арсенида галлия. Полученные гетероструктуры могут быть перспективными для создания оптоэлектронных устройств на основе квантово размерных систем, в том числе изобретенных нами квантовых процессоров на гетерогенных системах А3В5.

Во всем диапазоне составов квазибинарного разреза арсенида галлия фосфида индия четверные твердые растворы имеют прямую структуру зон Бриллюэна, а вблизи абсолютных экстремумов Г1с и Г15 края зон деформируются через отклонение от потенциала идеального кристалла. Получение высокоэффективных источников излучения на =1,3 мкм и =1,55 мкм для ВОЛЗ стало возможным благодаря полученным данным по высокому внутреннему квантовому выходу четверныих твердых растворов. Метод газофазной эпитаксии позволяет получать изопериодические ненапряженные структуры InGaAsP, эффективность люминесценции которых на порядок больше соответствующих тройных растворов GaAsP как благодаря уменьшению скорости безизлучательной рекомбинации, так и благодаря оптоэлектронному преобразованию и облегчению условий выведения излучения из квантовых ям сквозь широкозонные гетерогенные микро-, нанообласти.

Впервые получена генерация лазерного излучения квазигомогенных и гетерогенных структур InGaAsP с резонаторами Фабри-Перро вертикального типа в микрообластях (microcavity), что позволило освоить новые диапазоны длин волн 1,3 и 1,5 мкм в волоконно-оптических линиях связи и локальных компьютерных сетях.

Предложена и обоснована следующая классификация гетерогенных твердых растворов по размерах микрообластях r в сравнении с параметром решетки а и длиной свободного пробега фотонов lф и электронов lе:

r а, (r = 3 - 10;

a = 15 - 50 ) - квазигомогенные твердые растворы;

r а, (r = 20 - 100;

а = 100 – 500 ) - квантово-размерные гетерогенные твердые растворы;

lе r lф, а, (r = 0,1 - 10 мкм) - оптические гетерогенные твердые растворы.

Таким образом, центр внимания в конструировании и создании функциональных микроприборов переносится из схемотехнических решений с использованием десятков и сотен тысяч отдельных транзисторов, соединенных в единственную СБИС, в область функциональной электроники и дизайна зонных структур на атомном уровне полупроводников – зонную инженерию волновых функций электронов.

Для объединения информационного потенциала транзисторной микроэлектроники и гетерогенной оптоэлектроники разработана технология селективной эпитаксии соединений А3В5 в оксидах кремниевых структур.

Получение практически бездислокационных селективных областей арсенида галлия в окнах кремниевых ИС позволило создать на их основе монолитные интегральные структуры излучающих диодов, фотоприемников, сверхбыстродействующих транзисторных схем, интегральных оптронов, усилителей яркости, преобразователей длин волн излучения и других микроприборов, интеграция которых только на кремнии или только на арсениде галлия невозможна или очень усложнена. То есть, предложена и реализована схемотехническая интеграция с использованием БИС на основе кремниевой технологии и оптоэлектронная интеграция на основе арсенид-галиевой технологии в одном технологическом цикле, что важно для создания монолитных оптоэлектронных функциональных схем систем обработки, сохранения и транспортировки информации.

Для этого в 2008 г. разработана технология применения темплетных слоев при формировании наногегероструктур А3В5 на кремнии. Совмещение элементов на кремнии с гетероструктурами А3В5 является актуальной проблемой создания сложных функциональных приборов на одном чипе (Si/А3В5), в частности интегральных светодиодных излучателей со схемами управления, устройств СВЧ связи, которые включают дуплексеры, конверторы, схемы модуляции и усиления мощности, которые функционируют в гигагерцовом (гигабитном) диапазонах. Многообещающим является формирование структур GaN и твердых растворов нитридов III-группы в порах нанопористой мембраны, в частности, в самоорганизованных упорядоченных порах анодного оксида алюминия (так называемый "темплетный синтез). При выполнении необходимых условий для проведения селективной эпитаксии могут быть получены самосогласованные массивы упорядоченных структур нитридов третьей группы, структурные и оптоэлектронные свойства которых задаются полученной рентгеновской или электронной литографией наномаской пористого оксида алюминия Рис.13. Структуры Si/GaN, полученные в самоорганизованных нанопористых слоях оксида алюминия Запатентовано квантовый процессор на варизонных гетероструктурах многокомпонентных полупроводников А3В5 c использованием ионных методов эпитаксии. Это делает его конкурентно способным с транзисторными микропроцессорами не только по скорости вычислений, но и по всем технико экономическим показателям, что особенно важно для обработки сверхбольших информационных потоков в режиме реального времени.

Разработана технология интеграции чипов сверхярких светодиодов на подложках из металлокерамики и анодированного алюминия. Экспериментально показана перспективность увеличения рабочей плотности тока и энергетической эффективности в многокристальных матрицах светодиодов, собранных на алюминиевых подложках.

4. Интеграция и восприятие излучения суперлюминесцентных светодиодов. Гибридная интеграция матриц мощных светодиодов на нитридах и фосфидах элементов ІІІ-группы используется в излучателях, для которых необходимо иметь в одной конструкции светодиодные чипы красных, желтых, зеленых и синих излучений, например в белом RGB источнике света. При конструктивно технологической гибридной интеграции мощных суперлюминесцентных светодиодных гетероструктур на основе III-нитридов и фосфидов в матрицы, основной проблемой является обеспечение эффективного излучения матрицы при отводе тепла от активных областей кристаллов.

Конструкция матриц мощных светодиодов создается на базе гибкого носителя алюминий-полиимид, который используется как для соединения кристаллов, так и в качестве электрического соединителя с внешними элементами.

Для обеспечения достаточного теплоотвода от активных слоев гетероструктур на сапфировой подложке кристаллы были изготовлены с удаленной подложкой и сформированной контактной системой непосредственно к n- и n+ слоев.

Механической основой кристаллов служил толстый слой металла, выращенный на р+ - слое гетероструктуры.

Светодиодные и традиционные источники света с одинаковыми светотехническими характеристиками отличаются по визуальному восприятию, что связано с малой шириной спектра излучения светодиодов и их частичной когерентностью излучения. В определенных условиях это способствует созданию интерференционных максимумов, что позволяет увереннее регистрировать слабые световые сигналы, обеспечивая голографический характер регистрации информации в слое родопсина зрительного аппарата человека. Такая ситуация объясняет существующее несоответствие реального объема регистрируемой информации о трехмерных объектах (~ 1013 бит) с принятой в телевидении традиционной последовательной моделью (- 1010 бит).

Проведенные эксперименты важны для оптимизации RGB-светодиодных излучателей и программирования микропроцессоров, которые управляют их характеристиками.

В результате выполненных исследований, впервые показано, что когерентная составляющая суперлюминесцентных светодиодов способствует голографическому механизму регистрации информации человеком и экономит необходимую мощность питания.

Исследование распределения тепловых полей в интегральной структуре лампы показывает наличие значительных областей перегрева зеленых кристаллов, которое равно 127 % по сравнению с "наиболее холодными" красными кристаллами.


Экспериментально установлено, что для разработанной теплоотводящей конструкции и материалов корпуса лампы, оптимальная плотность посадки чипов равна 12шт/см2, что обеспечивает баланс теплоотвода и смешение цветов.

После многолетних экспериментальных исследований конструкций и технологий изготовления матричных приборов нами обоснованно, что наиболее перспективным является использование в конструкциях матриц мощных светодиодов алюминиевой основы как для интегральных матриц, так и для сигнально осветительных и информационных приборов на их основе, в частности дорожных светофоров нового поколения, серийное производство которых организовано на Государственном предприятии Машиностроительной фирмы «Артем», г. Киев.

Алюминий является единственным металлом, на электропроводной поверхности которого можно получать высококачественные диэлектрические слои толщиной от нанометров до сотен микрометров, что широко используется в микроэлектронных технологиях Центра оптоэлектронных технологий (ЦОТ), Института микроприборов НАН Украины, г. Киев, где активно проводится разработка твердотельных источников белого света (светодиодные лампы), которые основаны на совмещении матриц мощных светодиодов на твердых растворах полупроводников А3В5 с кремниевыми интегральными схемами управления излучением матриц.

Рис.14. Лампа СИД. Разработаны гибридная и монолитная технологии интеграции (Рис.

15,16).

Рис.15. Гибридная интеграция Si/A3B5 RGB светодиодной лампы белого света.

Рис.16. Монолитная интеграция Si/A3B5 RGB светодиодной лампы белого света.

На данном этапе развития технологии в Украине и в развитых странах мира экономически целесообразная гибридная технология интеграции твердотельных источников белого света, в которых микропроцессорное управление позволяет ввести элементы искусственного интеллекта. Проведена оптимизация твердотельного освещения с учетом особенностей восприятия и обработки информации зрительным анализатором человека. Показано, что твердотельное освещение с микропроцессорным управлением дает возможность человеку воспринимать информацию, которая эквивалентна созданной при энергетической эффективности источника света 150-200 лм/Вт, что обусловливает экономическую целесообразность массового перехода к твердотельным источникам света.

5. Дорожная карта фотонизации микроэлектроники автором с коллегами в ХХI столетии Время, уровень Прибор, технология Эффективность Соавторы патентов, приоритета (п.) преобразования разработок.

электроны - Степень фотоны, параметры использования.

2000-2004, Украина, Гибридно-интегральные эф 50% Тучинский И.А., Жора Институт матрицы мощных В.Д., Грунянская В.П., микроприборов светодиодов Коба В.Л., НАНУ, г. Киев, Мацкевич В.М., патент Сомотовка Л.И.

2002-2005, мировой Квантовый процессор Палагин А.В,, приоритет, 3 Вербицкий В.Г., Золот патента Украины А.И., Яворский И.А., Мержвинский А.А., Ходаковский Н.И., Осинский А.В.

2004-2007, мировой Одночипный светодиодный эф= 70% Немчин А.Ф., приоритет, 3 RGB эпитаксиальный Вербицкий В.Г.

патента источник белого света 2006-2009, мировой Гибридная интегральная Приведенная Тучинский И.А., приоритет, RGB светодиодная лампа эффективность 200 Мурченко Д.C., Институт лм/Вт, Жора В.Д., Грунянская микроприборов эф 90% В.П., Радкевич А.И., НАНУ, г. Киев Завалишин В.А.

Время, уровень Прибор, технология Эффективность Соавторы патентов, приоритета (п.) преобразования разработок.

электроны - Степень фотоны, параметры использования.

2007-2010, мировой Голографическая модель Суперлюминесцентн Новиков Е.И., приоритет, зрения человека, СИД ые СИД излучение с Раков А..

Институт частично-когерентного частичной микроприборов излучения когерентностью ~0,1 НАНУ 1% 2007-2009, мировой Si/GaN самоорганизованная эф 80% Лабунов В.А., Поляков приоритет, Киев- наноструктура на основе А.Я., Минск-Москва оксида алюминия Горох Г.Г.

Ляхова Н.Н.

2008-2010, мировой Интеллектуальный источник Осинский В.И., приоритет, света (световой процессор) Мурченко Д.С., Институт Деминский П.

микроприборов НАНУ 2008, мировой Ионная нанотехнология Нанослой GaN- Вербицкий В.Г., приоритет, эпитаксии GaAs/GaN GaNAs толщиной 200 Мазунов Д.О., Глотов Институт В.И.

микроприборов НАНУ, г. Киев 2008, Украина, Светодиодные светофоры, эф 70% Салюта В.Г., Институт серийное производство Тучинский И.А., микроприборов Грунянская В.П., НАНУ, ГП МФ «Артем», г. Киев лицензия, патент 2005-2010, мировой Кожемяко В.П., приоритет, Киев- Павлов С.В.

Винница 2010, мировой |||-оксидные положки для Идеальное Дяченко О.Д.

приоритет, г.Киев, эпитаксии |||нитридов согласование Институт параметров микроприборов а0,01%, эф=95% НАНУ, НТУУ «КПИ»

2012, перспектива Самоорганизованные эф95% Серийное наноструктуры производство одночиповых белых СИД 2016, перспектива Интеллектуальный Количество функций Серийное процессор света 10;

эф=98% производство 2020, перспектива Квантовый процессор Серийное производство Si/A3B 2050, перспектива Индивидуальный фотонный Средняя Все население Земли процессор здоровья продолжительность жизни ~ 100 лет «photonHelth»

6. Вместо заключения - из интервью проф. Осинского В.И. (В.О.) корреспонденту Всеукраинского информационного агентства «Контекст медиа»

Оксане Выговской (корр.)(www.context-ua.com).

Корр. - Расскажите о ситуации в отрасли оптоэлектроники Украины.

В.О. - В Украине до 1991 года работало около 150 предприятий электронной промышленности. Сейчас их производственные мощности простаивают или производят изделия не связанные с высокими технологиями. Оборудование морально и физически устарело, что привело к кризису отрасли. Мы не можем производить свою конкурентно-способную компьютерную технику, а также системы мобильной и спутниковой связи. Единственный выход – это развитие новых наукоемких и перспективных направлений. Украина располагает научными наработками и кадрами, которые на имеющимся оборудовании, без финансовой поддержки не в состоянии реализовать высокие технологии оптоэлектроники, что более выгодно, чем энерго - и металлоемкие отрасли, такие как металлургия и тяжелое машиностроение.

У нас разработаны технологии получения светодиодов многокомпонентных полупроводников. Мы разработали свою оригинальную технологию получения сверхярких диодных процессоров белого света, которая произведет революцию в индустрии освещения, аналогичную информационной революции, произведенной компьютерами. Наша концепция состоит в реализации белого свечения непосредственно в светодиоде, в одном кристалле (чипе). Мы получили такие белые светодиоды еще в 60-х годах прошлого века.

Корр. - Расскажите более подробно о производстве светодиодов и продукции на них.

В.О. - Производство светодиодов сейчас – это весьма прибыльный сектор экономики, который приносит до 300% прибыли. Так, переход только дорожного освещения (осветительные фонари) на светодиодные лампы позволит сэкономить около 70% потребляемой ими энергии. Если заменить в Украине 50 % ламп накаливания на светодиодные, то это позволит отказаться от украинских атомных электростанций. Например, разработанные нами интегральные матрицы позволяют существенно снизить стоимость светофоров и сделать их доступными не только для Киева, а и для всей Украины.

Корр.- Какие выгоды будут от реализации проекта производства светодиодов в Украине?

В.О. - Если запустить линию по производству всего спектра цветов, то мы сможем удовлетворить собственные потребности в светодиодах и их экспортировать.

Решится проблема рабочих мест, появятся небольшие предприятии, которые будут из этих светодиодов собирать различную продукцию: светофоры, приборы освещения, информационные и рекламные табло, фонари.

Корр. - Какие материалы необходимы для производства светодиодов?

В.О. - Для производства светодиодов и лазеров необходимо развивать всю химико-металлургическую инфраструктуру производства многокомпонентных полупроводников А3В5 на основе арсенида и нитрида галлия. Эти материалы являются основой современной опто- и СВЧ- электроники. Это – компьютеры, волоконно-оптические и спутниковые системы связи, мобильные телефоны, медицинские аппараты. Производство этих материалов предприятиями цветной металлургии экономически более выгодно, чем экспорт низкосортного металла.

Корр. - Итак, микроэлектроника в Украине – одно из перспективнейших направлений бизнеса, на которое пока не обратили должного внимания?

В.О. - На данный момент наиболее эффективно производить инвестирование в оптоэлектронику производства лазеров и светодиодов. В мире 70 % лазеров выпускаются по открытой нами технологии многокомпонентных полупроводников.

В настоящее время выгодно инвестировать средства в электронику процессорного управления светодиодным освещением. Развитие этого направления очень перспективно для энергосбережения. Процент прибыльности этой отрасли составляет 150-180%.

Послесловие Фотоны, как материальная субстанция, по А.Эйнштейну являются самыми быстрыми частицами мироздания. В прямом физическом смысле их догнать нельзя.

Однако в рассматриваемой в этой статье их роли в качестве носителей информационных сигналов погоня за фотонами приближается к 100 % преобразованию потоков информационных электронов в потоки информационных фотонов. В настоящее время достигнутая энергетическая эффективность электрон фотонного преобразования составляет больше 90 %, а информационная эффективность преобразования потока электронов в частично-когерентный поток фотонов, полученная по нашим технологиям и нашим измерениям в Центре оптоэлектронных технологий Института микроприборов НАНУ составляет 96 %, что почти в миллион раз превышает эффективность электрон-фотонного преобразования первых светодиодов, полученных нами пол века назад.


Мы близки к финишу, которым будет массовая фотонизация информационной техники на благо людей. Уверены, что это произойдет в ближайшие 5-10 лет.

4. Новая игра: проиграй миллиард, или Полупроводники - надежда из-под глыб Итервью В.Ревы, Ф.Сизова Начнем с задачки - попробуйте назвать страну, которая еще недавно выпускала миллионы весьма пристойных телевизоров, сотни тысяч магнитофонов, миллионы электронных часов, игрушек, десятки миллионов чипов в год. Все это хорошо служило дома и успешно экспортировалось в соседние страны. И вдруг страна добровольно отказалась от многомиллиардного современнейшего бизнеса и начала… завозить электронный ширпотреб гораздо более низкого уровня.

Не знаете?.. Тогда наводящая справка - у этой страны такое гигантское производство было лишь пятым колесом в оборонном комплексе. Она еще выпускала электронные прицелы для танков, приборы ночного видения, умную начинку для современнейших ракет, подводных лодок, навигационное оборудование, радиолокационную технику. И почти все эти изделия были на мировом уровне...

Ко всему эта страна была одной из немногих в мире, имеющих собственное производство кристаллов и весь цикл изготовления чистых металлов, необходимых для микроэлектроники. Слово «была» здесь употреблено не случайно, так как она отказалась и от этих золотых россыпей, чтобы сосредоточиться на… экспорте обыкновенного металла. Итак, догадались?.. Действительно, эта удивительная страна — Украина.

Задача третьего материала рубрики «Красная книга украинской науки» — не только познакомить читателей с тем, как мы расстались с достижениями, о которых мечтают многие развитые страны. Попытаемся среди обломков разыскать то, что еще живо, поскольку ничто просто так не исчезает, и если когда-то существовала великая микроэлектронная отрасль, то пока живы специалисты, она способна возродиться в совершенно неожиданном качестве.

Пожалуй, одной из наиболее обнадеживающих историй в этом ряду может послужить судьба двух незаурядных ученых из разных институтов. В момент наибольшего развала своих учреждений они не ушли в так называемый бизнес, не стали предлагать свои знания шоколадным королям или примерять на себя переменчивое счастье челноков. Они решили объединить усилия, чтобы вместе развить направление, которое, на их взгляд, имело перспективу.

Мотивация - это важно!

В начале 1990-х о жизни сотрудника Института физики полупроводников Федора Сизова можно было сказать, что она удалась. К тому времени он стал автором интереснейших исследований, одним из самых молодых в академии докторов физико математических наук. Вскоре был избран членом-корреспондентом НАНУ. Для человека, который окончил педагогический институт, это было двойным успехом.

Впрочем, для тех, кто хочет узнать секрет столь блестящей научной карьеры, следует вспомнить, что студент педагогического вуза регулярно посещал лекции выдающегося физика Александра Давыдова в Киевском университете. Это помогло ему сразу же поступить в аспирантуру и начать несуетную жизнь физика исследователя.

Наверное, его судьба определилась бы, как и у многих других ученых: все пошло бы по устоявшейся академической колее, были бы еще интересные работы, семинары, международное признание. Но грянули перестроечные события, и Федор Федорович понял, что они угрожают самой основе существования в своеобразной «башне из слоновой кости», в которой жили до того советские ученые. Он почувствовал, что пришла пора делать не просто настоящую науку, но и такую, необходимость и безусловная полезность которой была бы очевидна обществу.

- Какие у вас были перспективы, перед тем как вы задумались о необходимости перемен в рутинном академическом труде? — спросил обозреватель «ЗН» у Ф.Сизова.

- Если бы у нас осталась лишь та тематика, которой мы занимались на тот момент, - ответил Федор Федорович, - думаю, до сих пор продолжалась бы обычная лабораторная работа. В Национальной академии наук многие остались на таком уровне понимания задач науки - исследовать, чтобы исследовать. Но мы в 92-м поставили цель - поменять мотивацию и ориентироваться на создание конкретного продукта. Как ясно уже сейчас, при этом научная работа не страдает - она выполняется на таком же, а может, и более высоком уровне, потому что при таком подходе необходимо не просто исследовать, а и выполнять четкое задание.

- Собственно, принципиальной новизны в такой постановке задачи нет — об этом Борис Патон говорит при каждом удобном случае. Видимо, ученый даже с самой банальной истиной должен прежде «переспать», как недавно сказал один политик, чтобы принять ее как родную… - Думаю, работай мы по старинке, особых перспектив у нас не было бы. Об этом говорит и динамика развития нашего коллектива - сейчас в несколько раз увеличилось количество работающих. Из 50 исследователей половина занимается новой тематикой. Часть людей в нашем отделе пожилые, не желающие ничего менять. Но при этом нам удалось привлечь молодежь. Цель - создать продукт, который кому-то нужен, - увлекла молодежь.

А начались преобразования с того, что академический ученый снял трубку и позвонил в отраслевой НИИ микроприборов. Он попросил познакомить его с людьми, занимающимися так называемой зарядовой связью. Дело в том, что к тому времени Федор Сизов провел исследования на полупроводниках, которые позволяли по другому посмотреть на проблему создания тепловизоров. Киевскому ученому удалось найти интересные подходы для их производства.

О том, что в этих исследованиях есть «божья искра», говорило и то, что работы опубликовали в лучших мировых журналах, а самого ученого стали регулярно приглашать на авторитетные научные конференции. Загвоздка возникла в одном нужны были коллеги-инженеры, которые смогли бы научный результат превратить в технологию и приборы… Вскоре Федору Сизову организовали встречу с несколькими учеными из НИИ микроприборов. Не все из них проявили желание и даже элементарное любопытство по отношению к предложению исследователя из академии. Денег на расширение работы у него не было, а проект выглядел непростым. К этому Сизов был готов, поэтому искал не просто профессионала, но и по-человечески надежного человека - в новый коллектив набирались люди разных специальностей. Если один в таком деле дрогнет, проект автоматически провалится… Однако предложение Федора Федоровича вызвало интерес у начальника отдела киевского НИИ микроприборов Владимира Ревы.

Похоронный марш на электронном пианино Владимир Рева закончил Львовский политехнический институт по специальности «полупроводниковые приборы» и получил в 71-м распределение на киевское производственное объединение «Кристалл», объединявшее КЗПП (Киевский завод полупроводниковых приборов) и НИИ микроприборов. Владимир Павлович начал свою карьеру инженера-исследователя в лаборатории приборов с зарядовой связью. Вскоре такие устройства начнут широко использоваться при создании видеоматриц для видеокамер.

В НИИ разрабатывали, кроме микросхем для преобразования изображений, устройство для цифровой памяти. Однако это направление не нашло широкого применения. Когда в 80-х годах Владимиру Павловичу пришлось поменять направление исследований, он переключился на разработку микросхем для бытовой техники.

Помните, когда-то продавались электронные часы с зеленым свечением?

Половина таких часов была спроектирована отделом Владимира Ревы - он вместе со своим коллективом разрабатывал для них микросхемы… Здесь также занимались магнитофонными микросхемами. В то время все магнитофоны Советского Союза были начинены ими. Было несколько очень удачных бытовых разработок - среди них и недорогое электронное детское пианино. В подразделении Владимира Ревы разработано несколько микросхем для телевизионной техники, которые могли бы резко повысить качество советских телевизоров. Они даже заинтересовали южнокорейскую фирму «Голдстар».

Сейчас Владимир Павлович понимает, что это были заплатки на «Титанике».

Час гибели отрасли был предрешен. Вскоре отколются большие российские заводы, занимавшиеся бытовой техникой, рухнет производство магнитофонов на киевском «Маяке», закроются телевизионные заводы, прекратится выпуск магнитофонов, приемников. Все эти направления захлебнутся в потоке дешевого китайского ширпотреба.

Украинские микроэлектронщики в отчаянии смотрели на все это и не понимали, что происходит - китайский ширпотреб был значительно хуже их продукции. Но они были бессильны против экономического тайфуна, пронесшегося над их отраслью. Начался системный кризис направления. Перед учеными во весь рост стал вопрос: что делать, чтобы элементарно выжить?..

Вот в этот драматический момент и раздался звонок Федора Сизова, искавшего единомышленников для разработки украинского тепловизора. Звонил в НИИ микроприборов Федор Федорович не случайно - к этому времени приборы с зарядовой связью, которые не пошли в качестве памяти, стали основой для схем считывания в начавшей бурно развиваться инфракрасной технике. Видимо, в науке не пропадает ни одно настоящее исследование. А Владимир Рева вместе с коллегами запатентовал несколько изобретений на тему применения принципа зарядовой связи.

Теперь наступил час попытаться применить все это в совершенно новой для него инфракрасной технике.

Глаз, видящий в темноте Чтобы развить новое для Украины направление - многоэлементные фотоприемники для получения изображения в инфракрасной (невидимой) области спектра с обработкой получаемых сигналов - в 92 году был организован совместный коллектив из ученых киевского Института микроприборов Минпромполитики и Института физики полупроводников НАНУ.

Все это происходило в годы наибольшей разрухи и неопределенности в Украине, когда в институтах месяцами не выплачивалась зарплата, а в некоторых лабораториях даже лопались от мороза батареи, когда многие выдающиеся инженеры и академические работники жаловались на то, что не хватает денег на метро, чтобы приехать на работу. И вот в это время небольшой коллектив единомышленников взялся по собственной инициативе (фактически за собственные деньги) за принципиально новую задачу для украинской науки.

Интересно отметить при этом, как истинные ученые оборачивают себе на пользу обстоятельства, которые для многих их коллег становятся причиной прощания с наукой. Так, поскольку информацию извне ученые не получали - не было ни журналов, ни статей, а также средств, чтобы поехать в другие лаборатории, ученые принялись разрабатывать свою идею в полной информационной изоляции. В результате удалось развить несколько совершенно оригинальных схем, которые обеспечили украинским микроэлектронщикам на этом направлении полный приоритет. Это оценили профессионалы - на украинские достижения откликнулся иностранный потребитель. У коллектива появилось несколько зарубежных контрактов.

О «тепловом глазе», видящем в темноте, сквозь листья, пыль и туман, сквозь толщу воды и даже земли может дать некоторое представление фасеточный глаз стрекозы. Глаз тепловизора киевских ученых состоит из массы инфракрасных фотоприемников, площадь которых примерно в три-четыре раза меньше площади поперечного сечения человеческого волоса. И таких элементов - сотни и тысячи. Они принимают сигнал с определенного участка человеческого тела или другого объекта, а затем с помощью специальных схем считывания рисуют тепловизионную картинку.

- А чем они отличаются от обычного тепловизора?

- В Украине своих тепловизоров вообще нет, — разъяснил Владимир Павлович. — Кроме того, обычный тепловизор дает один кадр в несколько секунд. На нем динамические процессы не отследишь. А тот, который делаем мы, будет иметь, по крайней мере, телевизионный стандарт, то есть 25 или 30 кадров в секунду. Это позволит увидеть процессы в динамике.

Когда мы занялись инфракрасными детекторами, молодые ребята у Федора Федоровича сделали метрику (приборы для тестирования фотоприемников), конкурирующую с зарубежной. К примеру, американское оборудование для тестирования фотоприемников, которое мы видели в Китае, стоит полмиллиона долларов и представляет собой огромный стенд с управляющей машиной, блоком питания и со всем остальным. А мы сделали все это на маленьком столе. И наш стенд позволяет проверять все характеристики. Интерес он вызвал большой, и теперь мы можем выпускать его серийно. Тем более что стоимость нашего стенда в 10 раз меньше американского.

Ночной пожарный - Первый проект, который Институт физики полупроводников выиграл в конкурсе, - рассказал Владимир Рева, - был медицинским, другой - для контроля пожаробезопасности, далее - для контроля технологических процессов в промышленности. Глазом не увидишь, где перегрелся изолятор на высоковольтной линии, а нашим тепловизором с расстояния в сто метров мы это можем обнаружить.

Также без особого труда мы можем измерять тепловые потери зданий. К примеру, мы исследовали тепловизором наружную часть стены кафе в холодное время года.

Выяснилось: окно на стене просто горит на нашем экране, а это значит - тепло уходит. Нашим прибором очень хорошо контролируется пожарная безопасность, так как он показывает в доме точки потенциального возгорания. Им удобно производить контроль отвалов в шахтах. До сих пор для этого контролеры ходили и протыкали поверхность терриконов специальными щупами. А это неточно и весьма опасно. Мы же можем с расстояния в километр точно очертить подземные очаги возгорания в десять, двадцать квадратных метров и сказать, что там происходит. То же самое можно проделать и с торфяниками, где очень трудно до сих пор было определить потушили пожар или же очаг возгорания еще где-то тлеет в глубине… Медицинский тепловизор первого поколения уже прошел аттестацию, и на него получен сертификат в Министерстве здравоохранения. Интересно и то, что прибор будет выпускаться на базе отдела Института физики полупроводников, его же СКТБ, и Института микроприборов.

Идея начать серийное производство в академическом институте может показаться странноватой, но логику ученых можно понять. Они уверены, что промышленность недостаточно высоко оценивает их усилия, а то, что она на себя берет, может быть без особого труда самостоятельно изготовлено научным коллективом. Так, корпус и механику прибора может сделать СКТБ, как и криостат для него. Ну а львиную долю усилий по созданию тепловизора (начинка его программным обеспечением, тестирование, калибровка) должны делать высококвалифицированные специалисты, глубоко понимающие процессы.

- Вы, насколько я знаю, вскоре будете работать с НТК Институт «Монокристалл». Что это открывает перед вами?

- Мы еще тесно не сотрудничали с «Монокристаллом», - объяснил Владимир Павлович. - Возможно, их тоже заинтересуют какие-то наши разработки. В будущей программе по микроэлектронике наш проект «Инфракрасная микроэлектроника»

занимает прочные позиции среди других четырех, если я не ошибаюсь. Сейчас одна из наших основных проблем - это материалы, которые выпускает предприятие «Багира» в Светловодске (дочернее предприятие бывшего завода «Чистые металлы»).

Оно единственное в своем роде в Украине, но его все время пытаются поставить на грань банкрота. Мы стараемся помочь ему как можем - покупаем у них кристаллы, подписываем совместные договора. Но наших сил для спасения этого важнейшего предприятия явно не хватает. Оно включено в программу академика Владимира Семиноженко. Возможно, это поможет решить сложную задачу.

Да, в Светловодске материалы не самого лучшего качества. Многое утеряно за годы, когда все было в развале. Но сохранить такой завод перспективнее, чем открыть и разрабатывать алмазные или золотые копи. Один грамм или один квадратный сантиметр необходимого нам материала, изготовленного на этом заводе, стоит от 300 до 500 долларов. Это значительно дороже золота. А из одного квадратного сантиметра такого материала изготавливается несколько фотоприемников. Если сюда добавляется схема считывания, то цена вырастает на порядок и более. Вот как растет цена при изготовлении.

Вижу золото!

Там, где в земле находятся полезные ископаемые руды, металлы, те же нефтеносные пласты, температура почвы отличается от пустой породы. Это отличие всего одна-две десятых градуса. Но так можно обнаружить подземные клады. Таким же образом под толщей воды в 30-40 метров находили подводные лодки, которые обычно не видны с поверхности. Их выдавал едва заметный тепловой фон на поверхности воды. Однако чтобы все это увидеть, необходимо специальное программное обеспечение. Кстати, и в медицинской диагностике для обработки таких изображений требуются свои специалисты.

Большие перспективы открылись и для фундаментальной науки. В астрономии было обнаружено много новых объектов в инфракрасной области спектра. Многие галактики, которые ранее не были видны в видимом спектре из-за пыли, были обнаружены в инфракрасном. Такие приборы установлены на легендарном космическом телескопе Хаббла. Конечно, подобные приборы необычайно дорого стоят, но полученная информация стоит того, так как никаким другим путем ее нельзя получить. Важно довести все разработанное до готовой продукции. В этом плане у киевлян есть свои нестандартные идеи.

- В Институте микроприборов распространилась идея о том, что лучше опираться на чужое производство, а институту оставить создание интеллектуальной продукции. Как вы относитесь к этому?

- В таком варианте есть свои перспективы, - считает Владимир Рева. - Именно поэтому наши разработки сейчас используются в Китае. Кстати, последнюю свою разработку ни в Украине, ни в России внедрить не можем. И все же дальновидный менеджер конечный продукт должен держать в своих руках. Когда мы продаем какую-то составляющую, она стоит лишь сотую часть всего изделия. Целиком гораздо выгоднее делать тепловизор или тепловой прицел, чем одну схему считывания. А для этой цели, как верно сказал Сизов, нужно держать интеллект, тестирование и аттестацию у себя. Тогда можно без опаски размещать заказы на любых заводах.

- Так вы сможете работать и с технологическими нормами для приборов уровня 0,13 микрон?

- Откровенно говоря, мы еще не готовы к таким параметрам. Однако наши бывшие специалисты работают в США с подобным уровнем, так что есть у кого спросить, как подойти к таким рубежам.

- Каково материальное положение людей, которые у вас работают? Ваша молодежь не смотрит на сторону?

- Смотрит, потому что ее не устраивает 1000 гривен в месяц, хотя это выше средней зарплаты по Киеву. Ей нужно хотя бы 1000 долларов. Но молодежь ценит то, что она у нас может учиться, приобретать опыт, поэтому на несколько лет у нас задерживается. Часть уезжает, но есть люди, которые выбиваются в руководители проектов. Тогда они получают и у нас значительно больше. Это все процессы, которые говорят, что в нашей области наблюдается определенное движение. Так что, скажем так, надежда еще не умерла… А.Рожен Зеркало недели 36 (511) 11 — 17 сентября 2004 г.

5. С опытом прошлых лет в новый век В.П.Сидоренко Опыт работы Киевского НИИ микроприборов в создании интегральных схем различного назначения (от прецизионных операционных усилителей до микропроцессорных комплектов, БИС памяти и однокристальных микро-ЭВМ) позволял институту перейти уже в 90-е годы к разработкам сложных функционально законченных приборов.

Однако фактический отказ в середине 80-х годов от развития приборостроительного направления в объединении не дал специалистам НИИ использовать эти возможности.

В то же время технологический уровень изготовления больших интегральных схем, достигнутый в институте в 90-е годы, позволяет создавать БИС для применения в системах управления и приборостроении.

Сегодня в информационно-коммуникационные системы включают различные элементы: датчики, средства обработки информации от датчиков, хранения, систематизации, анализа информации и выдачи данных для принятия решений человеком.



Pages:     | 1 |   ...   | 14 | 15 || 17 | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.