авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 || 3 | 4 |   ...   | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 2 ] --

операций в секунду, потом был «Эльбрус-3». Вот мнение руководителя разработок процессоров линии «Эльбрус» член-корреспондента Российской Академии Наук и почетного сотрудника компании Intel Б.Бабаяна об уровне разработок процессоров в СССР: «Вспомните "Эльбрус-3". Проект был запущен в 1986 году. А ныне Intel точно по тем же принципам строит Merced. Кстати, не могу утверждать, что все это делается совсем независимо от отечественных разработок. "Эльбрус-3" был почти готов. Мы первыми в мире использовали суперскалярную архитектуру, поняли все ее достоинства и недостатки. И хотя у нас была отсталая промышленная база, мы активно работали над архитектурой и нисколько не отставали от Запада, даже опережали его. Причем, под архитектурой я имею в виду весь комплекс схемотехнических решений, включая даже системную математику. Операционная система, которую мы выпустили в 1978 году, имела столько инноваций, что они до сих пор не реализованы в зарубежных системах в полной мере.

Теперь, я надеюсь, их удастся воплотить в жизнь в Intel. Мы были первыми в Советском Союзе, и теперь мы хотим стать первыми в Intel.. «Эльбрус-3» создан по технологии 130 нм, В нем порядка 50 млн. транзисторов. И даже при этом «Эльбрус 3» делался не на нашей производственной базе, а на Тайване. В Intel мы работаем над процессором на основе 45 нм техпроцесса». (Журналы "Компьютер" июль года и Сnews, октябрь 2006 г.).

Наиболее важными работами Бабаяна в советский период стали суперкомпьютеры семейства «Эльбрус». Они разрабатывались в 1970-х годах в ИТМ и ВТ АН СССР, когда отечественная вычислительная техника пошла по пути копирования зарубежных компьютеров. При этом «Эльбрусы» не только соответствовали мировому уровню развития вычислительной техники, но и в некоторых областях значительно опережали зарубежные разработки. После прекращения финансирования работ по направлению в ИТМ и ВТ АН в 1992 году на его базе был создан «Московский центр SPARC-технологий», впоследствии преобразованный в ЗАО «Эльбрус», научным руководителем которого стал Б.

Бабаян. В 2004 года вместе со своим коллективом перешел на фирму Intel и занимает должность директора по архитектуре в подразделении программных решений.

Соглашение о слиянии с Intel открыло новые возможности в реализации идеологии «Эльбруса». Всего в рамках договоров в Intel должны были перейти более высококвалифицированных специалистов.

За разработку «Эльбруса-2» Б.Бабаяну и ряду его коллег была присуждена Ленинская премия.

В развитии технологи микроэлектроники можно выделить несколько этапов:

1960 - 1969гг. - интегральные схемы малой степени интеграции: до ста транзисторов на кристалле;

1969 - 1975гг. - интегральные схемы средней степени интеграций: до тысячи на кристалле;

;

1975 - 1980гг. - интегральные схемы с большой степенью интеграции: до тысяч транзисторов на кристалле (БИС);

1980 - 1985гг. - интегральные микросхемы со сверхбольшой степенью интеграции: до 100 тысяч транзисторов на кристалле (СБИС).

С 1985г. - интегральные микросхемы с ультрабольшой степенью интеграции 10 миллионов и более транзисторов на кристалле.

Физические пределы в развитии СБИС будут достигнуты своих критических значений уже в ближайшие годы.

При достижении предельных значений быстродействия и степени интеграции в СБИС микропроцессоров нельзя будет на их основе создать устройства, способные решать перспективные задачи обработки больших информационных массивов.

Однако был найден принципиально новый подход при создании систем обработки больших информационных массивов. Это - многоядерные микропроцессорные системы.

Казалось бы, что количество ядер в новых микропроцессорных системах будет наращиваться постепенно. Но уже в начале 2005 года фирмами Sony, Toshiba и IBM был представлен совместно разработанный девяти ядерный процессор Cell.

Прототип этого процессора вобрал в себя все технологические достижения микроэлектроники (технологию 90 нм, SOI, напряженный кремний, медные соединения). Площадь кристалла (221 кв. мм) и число транзисторов (234 миллиона) очень близки к аналогичным параметрам двуядерных процессоров Intel и AMD, так же, как и у них, из 90-нм технологии выжато все. Близка к предельной для этого техпроцесса и тактовая частота (заявлено значение 4 ГГц). В этом процессоре девять ядер интегрированы в одном кристалле.

«В своих новых работах мы готовы использовать 128 процессоров, использующих кластерную структуру и общую память (в отличие от массивно параллельных систем). И триллион операций в секунду сегодня - вполне реальная цифра». (Б.Бабаян).

Таким образом, барьер технологических ограничений в создании СБИС микропроцессоров для обработки больших информационных массивов, судя по всему, уже взят: двуядерные процессоры - это реальность сегодняшнего дня, они уже в продаже. И микроэлектроника вышла на новый виток своего развития.

После распада СССР рухнула плотина, разделявшая два мира, и мощный поток западной и азиатской микроэлектроники захлестнул на постсоветском пространстве почти все то, что было создано в последнем осуществленном в советской электронной промышленности стратегическом проекте.

2. Последний проект.

Петин Ю.А., Сидоренко В.П.

«Когда я вижу в саду пробитую тропу, я говорю садовнику: делай тут дорогу».

Александр I, российский император «Здесь под его (А.И. Шокина) руководством я по настоящему понял, что такое увлечённость. И значение полупроводниковой электроники и перспективы интегральной электроники он понял практически раньше, чем взял на себя эту миссию... Необходимо было практически на пустом месте создавать новую наукоёмкую отрасль».

Я.А. Федотов, бывший в то время главным инженером одного из главков ГКЭТ, один из первопроходцев отечественной полупроводниковой электроники Во второй половине ХХ века в СССР был осуществлен ряд стратегически важных промышленных проектов: создание ядерного оружия, ракетно-космическая программа, создание стратегической авиации, подводного атомного флота и системы противоракетной обороны, электронной промышленности с главной ее составляющей микроэлектроникой. Постановление ЦК КПСС и Совета Министров о реализации последнего большого промышленного проекта в бывшем Советском Союзе было принято в связи с наметившимся отставанием СССР от США в создании эффективных электронных систем в управлении военно-стратегическими объектами в системе противоракетной обороны (ПРО) и летательными аппаратами.

Начало промышленного выпуска в США интегральных схем и их применение в электронной аппаратуре стало революционным событием в развитии электронной аппаратуры. Изобретение интегральных схем давало возможность получать в едином технологическом цикле, используя только полупроводниковую технологию, функционально законченное электронное устройство.

Возрастало и значение электронной промышленности и для народного хозяйства, особенно с появлением полупроводниковых приборов. В семилетнем плане 1959-1965 годов было намечено расширить действующие и построить новые предприятия полупроводниковой промышленности.

Придавая большое значение организационному обеспечению развития электронной промышленности в 1961 году постановлением Совета Министров СССР на базе ряда НИИ, КБ и заводов оборонной промышленности был создан Государственный комитет по электронной технике (ГКЭТ). Он выделился из Госкомитета по радиоэлектронике (ГКРЭ). Возглавлял ГКЭТ в ранге министра Александр Иванович Шокин, бывший до этого первым заместителем министра радиотехнической промышленности СССР (с 9 августа 1955 г.) и первым заместителем председателя ГКРЭ (с 1958 г.). В 1965 году ГКЭТ был преобразован в Министерство электронной промышленности (МЭП), которое возглавил А.И.

Шокин.

В 60-годы для ГКЭТ развитие микроэлектроники стало актуальнейшей задачей.

Технологическое отставание в этой области от США было очевидным.

Электронная промышленность стран США и Европы, какой бы жестокой ни была конкуренция между фирмами, развивалась в условиях широкого обмена достижениями через международную торговлю лицензиями и патентами, документацией на технологические процессы, новейшим технологическим, контрольно-измерительным и оптико-механическим оборудованием, материалами и т. д.

Изолированность СССР от западного мира и военно-политическое противостояние СССР и США не только исключали возможность общения советских ученых с коллегами других стран и обмен информацией о новых технологиях между собой. Это не позволяло закупать необходимые оборудование и материалы, непосредственно используемые в производстве интегральных схем, а также техники, нужной для производства такого оборудования.

Страны НАТО и Япония определили три списка товаров, которые были запрещены фирмам для экспорта в СССР: первый список включал оружие, боеприпасы и материалы для их производства, второй – всё, касающееся ядерной энергетики, третий - так называемое оборудование двойного назначения. В последний список попадали технологическое и измерительное оборудование для электронной промышленности, ЭВМ, прецизионное станочное оборудование и многое, многое другое. Перечень товаров определялся организацией по многостороннему контролю над экспортом в социалистические страны (КОКОМ).

Советский Союз, имея опыт комплексного решения научно-технических задач по созданию атомного оружия и выполнения ракетно-космических программ, концентрации ресурсов для этого, таким же кардинальным образом приступил к развитию в стране микроэлектроники.

Прежде всего, необходимо было создание единого комплексного центра для исследований в области микроэлектроники и замкнутого цикла разработки и производства интегральных схем. Создание высокой технологии производства, к которой относилась и микроэлектроника, требовало огромных средств. Так в году мировая цена типовой производственной линии составляла 1 млн. долл., в году - уже более 50 млн. долл.

При решении задачи развития микроэлектроники необходимо было создать и обеспечить производство высокоточного оборудования (оборудование для изготовления фотошаблонов, установок совмещения, замкнутых объемов для выполнения отдельных операций, особочистых помещений, так называемых «чистых комнат», с полным энергообеспечением и др.), и высокочистых химикатов, в том числе фоторезистов, газов, воды.

Практически ни одно из машиностроительных министерств заказов на разработку и производство оборудования для электронной промышленности не принимало. Скорее всего, они либо не имели для этого технических возможностей, либо их руководители не хотели разделить с министром электронной промышленности ответственность за выполнение проекта. Задачи, стоявшие перед МЭП’ом, многим тогда представлялись неразрешимыми. Так, например, произошло при разработке оптико-механического оборудования для изготовления фотоштампов и установок совмещения и экспонирования. Отечественные предприятия из Министерства оборонной промышленности (Государственный оптический институт и Ленинградское оптико-механическое объединение) под разными предлогами отказывались от разработки такого оборудования. И министерство электронной промышленности вынуждено было создать свое КБ точного электронного машиностроения в Минске (директор И.М.Глазков). Это предприятие и решило задачу обеспечения отрасли оборудованием, не уступающим по техническим характеристикам оборудованию фирм США и Японии. К созданию оптико механического оборудования была привлечена также широко известная фирма "Карл Цейс Йена" (ГДР).

В конце концов, в отрасли было создано электронное машиностроение, которое обеспечило полное техническое перевооружение всех предприятий и институтов микроэлектроники. Только за первые десять лет работы МЭП’а было разработано, изготовлено и внедрено свыше 1400 технологических линий и комплектов высокопроизводительного оборудования и приборов.

Особые требования к чистоте материалов, технологической среды, где выполнялись операции с кремниевыми пластинами, точности изготовления фотошаблонов, совмещения реперных знаков на фотошаблоне с реперными знаками на кремниевой пластине определялись микронными размерами элементов в послойных структурах приборов, которые изготавливали в объеме пластине. Любой дефект в фотошаблоне, слое фоторезиста, на поверхности пластины кремния, вызванный попаданием пылинки приводил к электрическому пробою диэлектрических слоев, толщина в структуре прибора могла быть меньше 1000- ангстрем.

При возрастании сложности интегральных схем уже до нескольких сотен элементов не могло быть проведено ни их оптимальное размещение на кристалле при проектировании топологии, ни расчет интегральной схемы без применения автоматических систем проектирования. Такие системы необходимо было создавать на основе быстродействующих ЭВМ.

Можно выделить в отдельную проблему и создание корпусов для защиты кристалла от воздействия от внешней среды. Объем в аппаратуре при площади кристалла несколько квадратных миллиметров и толщине несколько десятых миллиметра с количеством выводов более десяти, а по мере роста уровня интеграции - сотни, не должен был «съедаться» корпусом интегральной схемы. При этом он должен был обеспечить необходимый теплоотвод от кристалла и его защиту от воздействия окружающей среды.

В электронной промышленности не было специалистов, владевших технологиями, которые уже осваивались западными фирмами, нужны были новые подходы к проектированию интегральных схем не на плоскости печатных плат, а в объеме кристалла. Соответственно менялись подходы и к проектированию электронной аппаратуры. Точно также как в свое время были унифицированы параметрические ряды резисторов, конденсаторов, радиоламп, диодов, транзисторов теперь требовалась унификация рядов интегральных схем. Если провести грубую аналогию со строительством, то это было похоже на переход от кирпичной кладки к бетонным блочным конструкциям.

Необходимо было расширение научной базы микроэлектроники, концентрация усилий ученых, руководителей инженерно - технических работников, рабочих.

Микроэлектронике нужны были сильные и авторитетные организаторы науки и производства. И нужна была сильная мотивация для научных и производственных коллективов для мощного рывка вперед.

В те годы в электронную промышленность пришли люди, которые хорошо понимали, что значит для советского народа и их семей война. Многие из них видели, каких героических усилий стоило их родителям восстановление разрушенного войной народного хозяйства страны, городов, в которых они провели свое детство и юность. Они гордились победой своей Родины и очень хотели жить в мире без войн, уберечь страну от новой агрессии Однако военно-политическое противостояние между СССР и США постоянно грозило новой войной.

В 1949 г. в США был разработан план «Последний выстрел» (Operation Dropshot), фактически план третьей мировой войны, войны термоядерной. План предусматривал прямое нападение на СССР. Тогда СССР сосредоточил усилия на создании атомной и водородной бомбы, баллистических ракет. Успехи СССР в обеспечении своей обороноспособности вынудили США отказаться от реализации плана «Dropshot».

Напомним о локальных войнах, которые велись в то время в различных регионах мира. По сути, в них США и СССР боролись за свои стратегические интересы в этих регионах. Наиболее значимые среди них - Индокитайские войны 1946-54, 1964-73, 1978-81 г.г., Корейская война1950-53 г.г., Синайская война 1956 г., Шестидневная война между Израилем и Египтом 1967 г., вторжение США в Камбоджу 1970 г., советская операция в Афганистане 1979-1989 г.г., вторжение СССР в Венгрию 1956 г. Вспомните, как резко обострялись отношения СССР и США во время Карибского кризиса (1962 г.), Берлинского кризиса (1958-62 г.г.), ввода войск Варшавского договора в Чехословакию (1968 г).

В середине 1978 г. США отказались от продолжения попыток урегулирования и ограничений вооружений на основе паритета путем достижения взаимоприемлемых договоренностей с СССР. США начали новый виток гонки вооружений с целью приобретения военного превосходства.

В 1982 году Пентагон разработал «комплексный стратегический план»

ведения «затяжной» ядерной войны против СССР, который был прямо ориентирован на упреждающие действия США и применения оружия первого удара, с расчетом лишить подвергшуюся нападению сторону возможности ответить соответствующим контрударом. Особое внимание в планах Пентагона было сосредоточено на вооружения в космосе. О глобальном характере планов США свидетельствовало расширение военного присутствия США во всех важных районах мира. К середине 1982 года Пентагон содержал более 1500 военных баз на территории 32 государств.

Каждому специалисту, работавшему в электронной промышленности, было понятно, что противостояние в холодной войне можно обеспечить путем развития оборонных систем, управляемых надежной, малогабаритной электроникой. Вот откуда брался энтузиазм коллективов НИИ и заводов. Добавим к этому и энтузиазм молодых людей, которым новая отрасль науки открывала путь для профессионального роста. Работа в оборонных отраслях была престижной:

приоритетное обеспечение оборудованием и материалами, финансирование научных исследований было на гораздо более высоком уровне, чем в академических институтах и вузах, да и заработная плата здесь была выше, чем в среднем по стране.

В Министерстве электронной промышленности довольно-таки скоро определились с приоритетами в развитии микроминиатюризации электронной аппаратуры: от гибридных схем нужно переходить к интегральным схемам на кремнии. Отсутствие научных школ в отраслевой науке, таких, какие были в Академии наук, безусловно, влияло на глубину научных исследований молодых научных работников, но в то же не ограничивало их в решении практических задач в быстром применении результатов исследований в промышленности.

Следует отметить, что значительным тормозом для осуществления проекта развития микроэлектроники были некомпетентность руководства страны в вопросах значимости технического уровня комплектующих электронных изделий для развития оборонной техники и волюнтаризм высшего руководства при принятии важных решений, а так же жестокая конкуренция среди влиятельных конструкторов и чиновников за финансовую поддержку своих проектов. В отличие от космических программ проект развития микроэлектроники не имел сильной пропагандистской составляющей. Мощная ракета, уносящая в космос корабль с космонавтами, атомная подводная лодка или новый истребитель - перехватчик и кристалл интегральной схемы, содержимое которого можно было рассмотреть только под микроскопом, были несравнимыми величинами, особенно, если их использовать в пропагандистских целях и устрашения противника. Преимущество в мощности советских ракет для членов ЦК КПСС было более очевидным, чем достижения в «интеллектуальных» возможностях кристалла. Но, тем не менее, идеи о возможностях новой электроники уже обретали звучание в кабинетах ЦК и Совета Министров.

«Считаю необходимым и в высшей степени справедливым отметить особую выдающуюся роль в рождении и развитии полупроводниковой подотрасли промышленности министра электронной промышленности Александра Ивановича Шокина - пишет директор НИИ «Пульсар» с 1963 по 1976 г, Лауреат Государственной премии А.Ф.Трутко. Назначенный в марте 1961 года Председателем Государственного комитета по электронной технике, он быстро осознал приоритетное значение полупроводниковой электроники на современном этапе научно-технического прогресса и с присущей ему энергией и государственной мудростью начал реализации беспрецедентной программы её развития. Он первый понял, что речь идет о строительстве большого числа совершенно новых по своему научно-техническому содержанию заводов, которые потребуют от всех участников процесса новой идеологии, нового менталитета, нового понимания, что такое современные технологии, что такое новая философия сверхпрецизионного, сверхчистого, сверхстрогого технологического процесса. И в новую веру нужно было обратить огромное число людей от проектантов этих заводов до первых руководителей республик, краев, областей, где эти заводы должны были размещаться» (очерк «Становление и развитие «Пульсара» в книге «Очерки истории российской электроники», в.1, 60 лет отечественному транзистору).

А.И.Шокин убедил Н.С.Хрущева и членов Президиума ЦК КПСС построить город-спутник под Москвой как крупный научный центр микроэлектроники, а не город легкой промышленности, как было решено в 1958 году.

Может показаться странным, но наиболее убедительно в партийных и правительственных кругах воспринимались аргументы о возможностях микроэлектроники тогда, когда они демонстрировались не только в бортовой аппаратуре, но и на примере транзисторных радиоприемников. В воспоминаниях А.А.Шокина «Министр невероятной промышленности», проходит мысль, что в принятии решения о создании Центра микроэлектроники в подмосковном городе спутнике Зеленограде сыграло свою роль посещение Генеральным секретарем ЦК КПСС КБ-2 в Ленинграде, в котором под руководством Ф.Староса велись разработки электронной аппаратуры для военно-морского флота. Н.С.Хрущеву, заместителю Председателя Совета Министров - председателю Комиссии Президиума СМ СССР по военно-промышленным вопросам Д. Ф. Устинову, главнокомандующему ВМФ С. Г. Горшкову и министру электронной промышленности А.И.Шокину были продемонстрированы уникальная для того времени ЭВМ, размещавшейся на столе, и маленький радиоприемник "Микро", прикреплявшийся к уху. Трудно согласиться с этим.

Вероятно, это был только последний эффектный штрих в действиях министра, который и запомнился авторам воспоминаний, убедивший Н.С.Хрущева в принятии решения. Но до этого была еще мини-выставка достижений полупроводниковой электроники и перспектив микроэлектроники, организованная А.И.Шокиным во время одного из заседаний Президиума ЦК КПСС и настойчивая работа с оборонными ведомствами о необходимости форсировать в СССР развитие микроэлектроники. Позиции А.И.Шокина укрепляли достижения институтов в разработке полупроводниковых приборов и их применении в аппаратуре.

Предложения А.И.Шокина были приняты, потому что Н.С.Хрущев стремился развить успех в космической гонке и использовать его в целях пропаганды преимуществ социализма. Он быстро понял, что для этого нужны не только мощные ракеты, но и системы для их управления, не уступающие по своим тактико техническим характеристикам американским. О понимании им значения работ в электронном вооружении военной техники, свидетельствует факт создания КБ-2 при его поддержке и те, большие возможности, которые были предоставлены для выполнения работ бывшими американскими инженерами Ф.Старосом и И.Бергом в Советском Союзе.

Н.С. Хрущев поручил А.И.Шокину и руководителям КБ-2 представить ему свои предложения по организации центра микроэлектроники. В своей докладной записке Ф.Старос и И.Берг видели его как мозговой центр микроэлектроники, выполнявший работы от теоретических разработок до выпуска опытного образца. Но министр электронной промышленности понимал задачу шире: необходимо теоретические разработки и опытные образцы доводить до серийного, промышленного производства. У А.И. Шокина были для этого хорошие примеры комплексов, созданных в атомной промышленности И.В. Курчатовым и в ракетостроении – С.П.Королевым. Проект Постановления ЦК КПСС и СМ СССР, который был представлен Н.С.Хрущеву, был ориентирован именно на такое решение задачи.

В начале 2002 г. в российских средствах массовой информации муссировалась тема о том, что советская микроэлектроника была создана благодаря инициативе и действиям американских инженеров-иммигрантов Ф.Староса (Альфреда Саранта) и И.Берга (Джоэла Барра). И факт посещения Н.С.Хрущевым КБ-2 и поручение им подготовить предложения о развитии микроэлектроники в СССР использовался для этого.

Барр и Сарант, подозреваемые ФБР в шпионаже в пользу СССР при рассмотрении дела Розенберга, с помощью советской разведки бежали из США в Чехословакию. Только с 1943 по 1945 год они передали более девяти тысяч страниц материалов по разработкам в ядерной технологии, радарам и компьютерам.

В Чехословакии Барр и Сарант (уже как Старос и Берг) участвовали в разработке системы управления огнем зенитной ракетной батареи. Эти работы привлекли внимание советских военных.

В 1956 году они выехали в СССР. Сначала для Староса была создана лаборатория, а затем при поддержке Н.С.Хрущева в Ленинграде организовано КБ-2, руководителями которого были назначены Ф.Старос и И.Берг. Их авторитет у военных значительно вырос после создания в КБ-2 универсальной ЭВМ УМ1-НХ с применением технологий микроминиатюризации. Ф.Старос и И.Берг были приняты в члены коммунистической партии на Пленуме ЦК КПСС.

Бывшие советские коллеги Ф.Староса утверждают, что его идеи получили признание в Советском Союзе благодаря авторитету и ореолу, который окружал Староса как энергичного человека с присущей американцу деловой хваткой, хорошего организатора коллективной работы, получившего образование и работавшего в качестве инженера на крупных фирмах в Соединенных Штатах, и, конечно, поддержке Н.С.Хрущева и советских военных, по заданиям которых он работал с 1956 года.

В воспоминаниях о А.И.Шокине, когда речь идет о роли Ф.Староса в развитии советской микроэлектронике, приводят такие слова, якобы сказанные А.И.Шокиным Ф.Старосу при беседе с ним в 1974 г.: «Филипп Георгиевич, мне кажется, что у вас возникла странная фантазия, будто вы являетесь создателем советской микроэлектроники. Это неправильно. Создателем советской микроэлектроники является Коммунистическая партия».

Авторы публикаций, превозносившие роль Ф.Староса, судя по всему, не понимали механизма решения важных государственных задач в СССР, либо умышленно стремились умалить роль советских ученых и руководителей предприятий в понимании задач, которые нужно было решать в электронной промышленности.

Ни один крупный проект в СССР не мог быть осуществлен без Постановления ЦК КПСС и СМ СССР. Госплан не мог открыть финансирование такого проекта. Все руководители НИИ и заводов в оборонной промышленности назначались только по согласованию с ЦК. Для осуществления таких проектов нужна было огромная организационная и скоординированная работа министерств и умелый государственный подход их руководителей к решению проблем. И в этом смысле А.И.Шокин прав, что «создателем советской микроэлектроники является Коммунистическая партия».

Но здесь требуется серьезное уточнение.

Истинными создателями микроэлектроники в СССР были многочисленные коллективы НИИ, КБ и заводов, которыми руководили незаурядные организаторы науки и производства. Ф.Старос был только одним из многих. Да и успехи Ленинградского КБ в развитии технологии промышленных серий интегральных схем мало известны в стране. Они не были по своей значимости сравнимы с достижениями НИИМЭ, НИИТТ (Научный центр, г. Зеленоград), КНИИМП (г.

Киев), ПО «Итеграл» (г. Минск), ПО «Электроника» (г. Воронеж). Велика была роль и НИИ «Пульсар» (НИИ-35).

Планарная технология - технологическая основа развития микроэлектроники была разработана и передана из НИИ «Пульсар» на многие полупроводниковые заводы МЭП, в Научный Центр. Размах работ, которые развернулись в стране после принятия Постановления, по созданию оборудования, материалов для микроэлектроники, в проектировании и строительстве новых научно-промышленных предприятий, подготовке кадров был несравним с масштабом предложений Ф.Староса.

В то же время нельзя отметать тот факт, что западные фирмы действительно внесли большой вклад в развитие советской микроэлектроники и, скажем так, США не желая этого, косвенно финансировали этот проект. В сентябре 1985 года, когда был опубликован доклад Пентагона о нелегальном приобретении СССР иностранных технологий, министр обороны США К. Уайнбергер заявил: «Западные страны финансируют развитие советской военной мощи». По оценкам специалистов США, возможно, СССР сэкономил около 100 млрд. долларов на научно исследовательские работы по современным интегральным схемам, благодаря использованию образцов ИС из США. Это помогло СССР сократить отставание от США до 3 лет, а когда-то американцы шли с опережением в 10 лет"(Defence Electronics, 1981, v. 13, № 7, p. 34). И далее: "Каковы бы ни были результаты проведенных исследований советских интегральных схем, они подтверждают мнение о необходимости ограничения передачи американской электронной технологии Советскому Союзу. Приобретение Советским Союзом этой технологии и лучшего современного технологического оборудования наряду с накопленным опытом по созданию схем привело к тому, что в области перспективной электронной техники разрыв между Западными странами и Советским Союзом сократился с лет (в 70-е годы) до, вероятно двух лет". (Defence Electronics, 1982, v. 14, №11, p. 46).

Учитывая то, что легально СССР не мог получить доступ к новейшим технологиям, соответствующая задача была поставлена перед внешней разведкой.

Скооперировавшись с разведками ряда социалистических стран, в 60-е годы ей удалось не только приобрести подробную техническую документацию на производство отдельных электронных изделий, но даже отдельные технологические линии. Эти изделия и оборудование тщательно изучались, в основном копировалось и с учетом отечественных технологий модернизировалось. Оборудование закупалось, в основном, японское и американское. Покупалось оно через третьи страны. Более 300 компаний в 30 странах мира специализировались на экспорте в СССР иностранных секретных технологий и оборудования. За эти услуги советская разведка доплачивала, как правило, более 50% от стоимости интересующей продукции. По оценкам западных спецслужб, за период с 1976 по 1986 годы за «железный занавес» через данные фирмы ушло около 900 тысяч технологических документов и более 75 тысяч образцов и деталей конструкторских разработок, совокупная ценность которых в 10 раз превысила затраченные на их приобретение суммы.

По данным ВПК на начало 80-х годов, 42% продукции советской электронной промышленности было создано с применением западных технологий.

Был еще и другой путь изучения западных технологий и оборудования. В отличие от Советского Союза ограничения в поставках оборудования в социалистические страны не были столь жесткими. Политика Запада в отношении соцстран сводилась к предоставлению дешевого связанного кредита на закупку оборудования, или даже целых заводов для выпуска той или иной радиоэлектронной продукции с обязательствами брать ее в качестве оплаты. Впоследствии под различными предлогами (главным образом ссылаясь на качество продукции) западные партнеры от этих обязательств отказывались. Поставки материалов и технических средств эксплуатации оборудования прекращались. Тогда возникали проблема в расчетах за кредит и необходимость адаптации этих технологических линий и заводов к советским материалам. Так было, например, с производством логических МОП - интегральных схем и калькуляторов на заводе в г. Ботевграде (Болгария). Решить проблемы производства МОП-ИС болгарским коллегам помогли специалисты Киевского НИИ микроприборов.

Оборудование обычно поставлялось без какой-либо документации с обещанием проводить любой ремонт силами фирмы-поставщика. Таким образом, ими контролировалось наличие оборудования на месте его монтажа, и то, что оно не использовалось в других целях, чем предусмотрено контрактом. Если оборудование представляло интерес для советских специалистов, то коллеги из соцстран предоставляли им возможность его изучать.

Действия министра А.И. Шокина и поддержка военных привели к организационным решениям.

И 1962 году было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании Центра микроэлектроники в районе железнодорожной станции Крюково, где строился город-спутник Москвы, позже названный Зеленоградом.

В «Постановлении» были заложены следующие основополагающие идеи:

- Определялся комплексный подход всех основных НИИ с опытными производствами необходимых изделий микроэлектроники, материалов и оборудования для их производства с замкнутым циклом исследование-разработка производство;

- Научному Центру (НЦ) придавался статус головной организации в стране по микроэлектронике;

- Этот комплекс НИИ и заводов должен был располагаться на одной территории (г. Зеленоград), где НЦ должен был стать градообразующей системой.

При этом приоритет, конечно, отдавался разработкам в интересах военно промышленного комплекса страны.

«Постановление» знаменовало собой организационное оформление новой отрасли – микроэлектроники.

Научный Центр должен был стать структурообразующей организацией микроэлектроники в СССР, охватывая своей деятельностью все составляющие микроэлектроники: от проектирования изделий микроэлектроники и от создания материалов с заданными физико-химическими свойствами, оборудования для промышленности до выпуска опытных образцов устройств и передачи их в серийное производство. Весь его научный потенциал необходимо было сосредоточить на создании изделий микроэлектроники не уступающих по техническому уровню таким же изделиям фирм США.

В 1963 г. - директором Научного центра в Зеленограде был назначен (в ранге заместителя министра) Ф.В.Лукин, доктор технических наук, известный ученый руководитель разработок радиоэлектронной аппаратуры для радиолокационных станций, ракетной техники и связи, затем его сменил - А. В. Пивоваров, главный инженер КБ-1.

В 1962 г. были образованы: НИИ микроприборов (НИИМП) с заводом "Компонент"- директор И. Н. Букреев и НИИ точного машиностроения (НИИТМ) с заводом электронного машиностроения "Элион"- директор Е. Х. Иванов.

НИИМП должен был разрабатывать и организовывать производство аппаратуры на микроэлектронике, НИИТМ - технологическое оборудование (в основном термическое и вакуумное).

В 1963 года были образованы НИИ точной технологии с заводом "Ангстрем" (НИИТТ) - директор В. С. Сергеев, НИИ материаловедения (НИИМВ) с заводом "Элма" (электронные материалы) - директор А.Ю.Малинин.

НИИТТ - должен был разрабатывать технологические процессы для производства интегральных схем по гибридной технологии. НИИМВ - материалы для микроэлектроники. На заводе «Элма“ выращивались монокристаллы кремния, изготавливались исходные пластины для выполнения дальнейших операций в изготовлении интегральных схем.

В 1964 г. был создан НИИ молекулярной электроники с заводом "Микрон".

В феврале 1965 г. в НИИМЭ был в полном составе переведен из НИИТТ отдел кремниевой технологии, который возглавлял С.А.Гаряинов. В январе 1965 г.

директором НИИМЭ был назначен доктор физико-математических наук К.А.Валиев.

Он возглавлял НИИМЭ в течение 12 лет, до 1977 г. У НИИМЭ основной задачей была разработка монолитных интегральных схем. В феврале 1967 г. при НИИ молекулярной электроники был создан завод интегральных схем «Микрон».

Для работы с потребителями было организовано Центральное бюро применений интегральных схем (ЦБПИМС).

Для подготовки кадров, в том числе специалистов высшей квалификации, в Зеленограде были созданы Московский институт электронной техники (МИЭТ) и аспирантура.

Поисковыми исследованиями должен был заниматься НИИ физических проблем.

28 декабря 1963 года А.И.Шокин подписал приказ об организации дирекции Научного Центра (ДНЦ) и утвердил ее структуру.

Такой состав предприятий давал возможность Научному Центру осуществить весь комплекс работ по циклу "исследование-производство" в области интегральных схем, а также (частично) в области технологического оборудования, аппаратуры и специальных материалов, и обеспечить взаимодействие с заказчиками из оборонных министерств.

Сразу после создания НИИ в Зеленограде начались научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы. Тогда же, в 1964 году, была открыта большая тема «Рубеж», в которой принимали участие несколько предприятий. Задачей темы «Рубеж» было: практически реализовать идею сквозного проектирования тонкопленочных интегральных схем. НИИТТ создавал технологию, НИИМВ материалы (особенно сверхчистые), НИИТМ - оборудование. Отметим, что уже на этом этапе к работам НИИТМ в создании вакуумного оборудования подключился Киевский НИИ микроприборов, проводивший работы по разработке «электронных пушек» под руководством В.П.Белевского для гибридных интегральных схем с применением пленок на основе тантала.

НИИТТ и НИИМЭ начали разработки интегральных схем. И начиная с года, в Зеленограде выпускались, в основном, приборы и устройства военного и космического назначения. Поэтому было решено создать в Министерстве обороны отдел микроэлектроники, а в Научном центре организовать военную приемку.

Обратим внимание на то, что в Научном Центре было только два института разработчиков интегральных схем. Их специализация была ориентирована на интегральные схемы только для вычислительной техники.

Однако выполнение всего комплекса работ в области микроэлектроники не могло быть решено Научным Центром без привлечения других предприятий страны.

Опытные заводы при НИИ НЦ, оказались загруженными серийным производством интегральных схем, что отрицательно сказывалось на отработке конструкции и технологии изделий. Для обеспечения потребностей страны в интегральных схемах правительством были приняты решения о строительстве ряда КБ (конструкторских бюро) и заводов в Украине, Грузии, Азербайджане, Белоруссии, Молдавии, Прибалтике и ряде городов России.

Через несколько лет в подчинении НЦ были десятки заводов, НИИ, КБ, расположенных почти во всех республиках Советского Союза. На заводы передавались технологическая и конструкторская документация для организации серийного выпуска изделий. Научно-исследовательские институты и КБ, работавшие в области микроэлектроники, свои тематические планы согласовывали с дирекцией НЦ. И при этом в основе тематических планов НИИ лежала принятая специализация.

Не могли решить все задачи по разработке и обеспечению отрасли необходимым оборудованием и НИИТМ с заводом «Элион». К разработке оборудования были подключены КБ точного электронного машиностроения в Минске (директор И.М.Глазков), НИИ технологии и организации производства в Горьком (директор А.Г.Салин), НИИ полупроводникового машиностроения в Воронеже (директор К.А.Лаврентьев), НИИ "Электронстандарт" (директор И.Е.Гаген). Эти предприятия и НИИТМ разработали комплект технологического оборудования "Корунд" для массового выпуска ИС и полупроводниковых приборов по планарной технологии. Накопленный опыт эксплуатации первых линий "Корунд" позволил поставить задачу по разработке новых высокопроизводительных автоматизированных линий на пластинах повышенного диаметра (до 75 мм), предназначенных для оснащения предприятий в следующей пятилетке (1971 - гг.). В дальнейшем стояла задача создания технологических линий для работы с пластинами диаметром 150 мм.

Производство кристаллов интегральных схем могло проводиться только в «чистых комнатах». В первых "чистых комнатах" в 1 куб.м. должно было быть не более 3,5 тыс. частичек в одном кубическом метре. Все необходимые компоненты "чистых комнат" были разработаны и выпускались серийно в МЭП’е. Позже для производства СБИС стала нужна более чистая среда.

В электронной промышленности было создано и оборудование, основанное на новых физических принципах обработки материалов ионами различных веществ или лазерным излучением. Разработка установок ионной имплантации велась на одном из старейших предприятий отрасли, НИИ вакуумной техники, под руководством главного конструктора В. А. Симонова.

С возрастанием сложности интегральных схем потребовалось создание систем автоматизированного проектирования. Такая система «Кулон» и в последующем более совершенные ее модели для автоматического проектирования БИС и СБИС была создана в 1977 году в ПО «Электроника» (г. Воронеж). Методы проектирования МОП БИС, СБИС и программное обеспечение для этих целей на современных ЭВМ типа VAX и «Кулон» в Киевском НИИ микроприборов разрабатывались под руководством В.А.Саватьева и В.В.Бобовского.

Сотрудничество со странами СЭВ дало возможность закупать необходимое оборудование в этих странах. В Венгрии разработали и начали выпускать хорошие измерительные комплексы для контроля параметров микросхем, в Чехословакии установки электроннолучевой литографии и контрольно-испытательное оборудование. Наиболее развитой, с полным производственным циклом микроэлектроники, была электронная промышленность ГДР. НИИ "Пульсар" вел программу по созданию фотолитографического оборудования со знаменитой фирмой "Карл Цейсс, Иена». В результате этого сотрудничества отечественная полупроводниковая промышленность, к 1973 году получила остро необходимые ей автоматические координатографы, установки совмещения и экспонирования и микроскопы. Надо отметить, что если для экспонирования полупроводниковых пластин через фотошаблоны применялось главным образом отечественное оптико механическое оборудование (КБТЭМ), то для изготовления самих фотошаблонов на наших предприятиях применялись в основном немецкое.

Таким образом, менее чем за десять лет МЭП была создана сильная подотрасль в электронной промышленности СССР - микроэлектроника. В ее развитие неоценимый вклад внес Научный Центр.

Следует остановиться и на вкладе Дирекции Научного Центра в развитие управления научными разработками. В начале 70-х г.г. у МЭП возникли большие проблемы в удовлетворении многочисленных заявок заказчиков на разработку и производство новых интегральных схем. Подаваемые заявки превышали возможности предприятий отрасли. Особенно трудно было отказывать в приеме заявок военным. Решение этой проблемы было найдено в создании параметрических функциональных рядов ИС, объединяемых в комплексные целевые программы.

В те годы, пожалуй, только в электронной промышленности было внедрено управление научно-техническим развитием на основе комплексных целевых программ. Исходя из сопоставления заявок потребителей с состоянием и прогнозом развития определенного направления микроэлектроники в СССР и за рубежом, в КЦП помимо создания собственно параметрического ряда стали включать разработку базовой технологии, необходимого состава и единиц оборудования, нужных материалов, корпусов, оснастки и т.д. Совмещение системы приборных КЦП с обеспечивающими программами позволяло просчитывать затраты, мощности предприятий, подготовку новых производственных площадей и с определенной достоверностью прогнозировать объемы выпуска различных ИС. В 1978 году были утверждены комплексные целевые программы создания БИС ЗУ, микропроцессоров, логических ИС.

В формировании и выполнении КЦП «Микропроцессор», «Память» и участвовал и Киевский НИИМП (главные конструктора по «Операция направлениям в институте А.В.Кобылинский, В.П.Сидоренко, В.А.Ткаченко, соответственно). Позднее В.П.Сидоренко был назначен главным конструктором МЭП по направлению «Энергонезависимые перепрограммируемые ПЗУ».

Теперь микроэлектроника развивалась уже главным образом с использованием КЦП. Руководил разработкой КЦП в Научном Центре главный инженер-первый заместитель директора по научной работе НЦ А.А Васенков, до этого работавший с 1965 г. заместителем главного инженера – начальником отдела разработки технологии во 2 ГУ МЭП. Его уважали за знания, ум, аналитический подход к вопросам, системность. Еще в 1979 г. Васенков ставил задачу: к 1990 г. добиться характеристик микропроцессоров по быстродействию в десятки МГц, емкости БИС памяти 64 Мб, конкурентных с перспективными зарубежными моделями. И считал, что отечественной электронике это было по силам. Думаем, он не ошибался в своих оценках. Наши прогнозы развития БИС МОП ПЗУ и РПЗУ разрабатывались с учетом прогнозов фирм США и оптимистичной оценки специалистами возможностей КНИИМП. В 70-е годы и начале 80-х они перекрывались реальными результатами научно-исследовательских работ.

Проблема была в освоении их в производстве. Здесь отставание СССР от США и Японии было еще больше, чем представлялось в правительство и ЦК. То, что было в каталогах американских фирм, у нас было только экспериментальными образцами.

Ориентируясь на комплексные целевые программы, дирекция Научного Центра координировала научно-техническое сотрудничество в разработке интегральных схем со странами СЭВ, однако оно не было столь эффективным как в создании оборудования аппаратуры.

Киевский НИИ микроприборов сотрудничал с предприятиями ГДР (МОП микропроцессоры и ЭКВМ), Болгарии и Чехословакии (МОП БИС ЗУ).

Итоги IX пятилетки показали, что даже лидер отечественной микроэлектроники - Научный Центр при всех своих успехах и достижениях срабатывал недостаточно эффективно: ощущался большой дефицит производственных мощностей, опытные заводы при зеленоградских НИИ не могли переварить в заданном темпе новые разработки и захлебывались от освоения, выпуска и поставок новых ИС и БИС по оборонным заказам.

Решение проблемы освоения в промышленности новых изделий в значительной степени зависело от взаимодействия НИИ и заводов при организации серийного производства интегральных в условиях, когда темп увеличения сложности изделий и точности технологий, предложенный НИИ, стремительно нарастал. Заводы же, заинтересованные в выполнении плану «по валу», противодействовали всему новому, что могло нарушить их привычные плановые показатели и возможность дозировать постепенное их перевыполнения. В отличие от западных фирм, которые в борьбе с конкурентами были заинтересованы в появлении на рынке своего нового более совершенного продукта, в СССР, НИИ должны были «внедрять» свои разработки, преодолевая консерватизм заводов.

В «Этимологическом словаре русского языка» Г.П.Цыганенко, изданном в 1989 г. в издательстве «Радянська школа», слово «внедрить» толкуется, как «заставить прочно войти, укорениться». И такое понимание этого слово отражало очень точно процесс передачи в серийное производство новых изделий.

В МЭП’е решение этой проблемы видели в создании научно производственных объединений, куда входили бы институты, конструкторские бюро и заводы. Тогда считали, что при такой организации результаты работ ученых будут лучше использоваться в производстве, и это будет решающим образом влиять на технико-экономические показатели всего объединения. Одновременно создавались и производственные объединения, но их задача состояла, прежде всего, в концентрации производственных мощностей всех предприятий и подразделений, входивших в его состав, на расширении производства переданных с опытных производств НИИ изделий или модернизированных в объединении.

Создание таких объединений делало более мобильным управление отраслью, поскольку аппарат министерства по мере усложнения техники и роста объемов производства с этой задачей уже не мог справиться.

Так во втором Главном управлении МЭП, отвечавшем за полупроводниковую промышленность, объем выпуска составлял уже около 40% от общего объема выпуска всей отрасли. Тогда в 1976 году руководство министерства приняло решение выделить Научный Центр из его состава, придать ему ряд серийных заводов, НИИ и КБ, расположенных в 5 республиках, создав мощное Научно производственное объединение с правами главка. Новым генеральным директором НПО "Научный Центр" был назначен директор НИИМВ, доктор технических наук, профессор, член-корреспондент АН СССР А. Ю. Малинин.

В состав объединения вошли 39 предприятий, с восемьюдесятью тысячами человек, половина из которых работала в Зеленограде. Создание объединения давало новые возможности, но значительно увеличивало и ответственность. Выступая на конференции в Зеленограде, посвященной созданию нового объединения, министр так сформулировал его задачи: "Центр должен заниматься концентрацией сил, специализацией, кооперированием, объединить научные силы и мощности, определять главные направления ударов и на них набирать силы. Большая перспектива лежит в объединении науки с производством, сокращение сроков разработки, освоении САПР, продвижении в направлении создания структуры "институт-завод".

Ориентация МЭП на научно-производственные объединения дало свои результаты в сокращении сроков освоения новых изделий, особенно когда опытные партии при окончании ОКР проводились в цехах завода, и устанавливалась деловая производственно-техническая связь между отделами-разработчиками НИИ и цехами завода, специализирующихся на определенных видах продукции. При этом постепенно исключалось из цикла разработка - производство опытное производство.

Без научно-производственных объединений электронная промышленность СССР вряд ли бы достигла результатов, которые были получены в 70-80 годы.

Мы хотим подчеркнуть: именно модель научно-производственного объединения НИИ-завод, где планирование основных технико-экономических показателей объединения ориентировалось на достижения НИИ, была наиболее эффективной. Объединение с моделью завод-НИИ, в которой планирование основных технико-экономических показателей объединения осуществлялось все таки от достигнутого, не могло дать того эффекта, который можно было получить в первой модели. Более того, темп развития НИИ замедлялся, поскольку значительные его силы отвлекались на повышение процента выхода и качества изделий, уже освоенных в производстве, а опытного производства для отработки новых технологий изделий в этой системе НИИ уже иметь не мог. Позже мы покажем пагубность такой системы на примере НПО «Кристалл» - ПО «Кристалл», которое в отличие от других объединений, кроме НПО «Научный Центр», имело в своем составе сильный научно-исследовательский институт. Преобразование НПО «Кристалл» в ПО было проведено под давлением партийных органов Украины. К сожалению, МЭП не был последовательным в реализации идеи НПО, когда сталкивался с сильными противоречиями между НИИ и заводом внутри таких объединений. Первая модель НПО по идеологии развития была более близка к модели развития больших фирм, работавших в США в области микроэлектроники.


Энергичные действия министра А.И.Шокина, руководителей главных управлений министерства, дирекции Научного Центра и руководителей крупнейших объединений НПО «Кристалл», ПО «Электроника», ПО «Интеграл», НПО «Интеграл», НИИ, КБ и заводов, разрабатывавших и выпускавших оборудование и материалы, в реализации плана развития микроэлектроники дали свой результат.

Микроэлектронная промышленность в основном обеспечила потребности заказчиков в интегральных схемах и приблизилась по техническому уровню БИС для вычислительной техники к уровню фирм США, в аналоговых ИС достигла уровня передовых фирм, таких как Harris.

В 1976 году предприятия министерства выпустили уже почти 300 млн. ИС, из которых более 85% были полупроводниковыми.

Оценивая достижения СССР, американская пресса писала: "Запад беспокоит способность СССР идти в ногу с современным уровнем развития интегральных схем. СССР создал целый ряд институтов и заводов, специализирующихся в военной электронике в Зеленограде. Здесь новейшие схемы, заимствованные с Запада, тщательно исследуются, копируются и воспроизводятся. Даже если они и не копируются, то дают возможность русским ученым взглянуть на "ноу-хау" разработок Запада. "(Dun's Business Month, September 1983.).

И далее: "Советская микроэлектронная промышленность способна производить 64 Кбит динамические ОЗУ, судя по экспонатам, представленным на ВДНХ. В недавних заявлениях Пентагона указывается, что Советский Союз приобрел, по крайней мере, достаточно технологического опыта, чтобы изготавливать микропроцессоры типа 8080 и кристаллы 16 К ОЗУ. Московские экспонаты демонстрируют, что советские инженеры достаточно компетентны, чтобы освоить любую из основных технологий изготовления ИС: И2Л, ЭСЛ, n - МОП, К МОП, но нигде не упоминается, находятся эти изделия в массовом производстве или нет". (Elektronics Weekly, 1984).

На рубеже 70-80 годов на уровне экспериментальных образцов советская микроэлектроника была наиболее близка к достижениям западных фирм. Объем выпуска интегральных среднего технического уровня в это время достиг уже млн. штук в год. Безусловно, эти успехи электронной промышленности сильно влияли и на развитие отраслей народного хозяйства и военной техники.

Микроэлектроника в СССР стала применяться в спутниковых системах навигационного обеспечения и связи, системах автоматического управления оборудованием, медицинской аппаратуре, телевизорах, видеотехнике, компьютерах, микрокалькуляторах и другой бытовой технике.

План десятой пятилетки электронная промышленность выполнила досрочно в сентябре 1980 года.

На ХХVI съезде КПСС А.И.Шокин представил перспективы развития отрасли так: «На одиннадцатую пятилетку намечено дальнейшее сохранение высоких темпов развития электронной промышленности и ее технико-экономических показателей.

Электронная техника будет принимать на себя решение новых, все более сложных и разнообразных задач. Постоянно расширяется область ее применения, растет число предприятий-потребителей, которых у нас уже сейчас около 30 тысяч. На очереди широкое внедрение электроники в автомобилестроение, в сельскохозяйственное машиностроение, в железнодорожный транспорт. Это потребует новых разработок, большого количества новых электронных приборов и различных систем управления.

В одиннадцатой пятилетке электронная промышленность изготовит миллионы микропроцессоров и десятки тысяч микро - и мини ЭВМ, которые должны оказать революционизирующее воздействие на многие отрасли народного хозяйства".

Приведем основные показатели развития электронной промышленности в период с 1960 -1990 годы, опубликованные в материалах о военно-промышленном комплексе СССР (Часть 2. Глава 8. Электронная промышленность СССР, www.promvest.info).

Основные показатели развития электронной промышленности за период 1960-1990 гг. (в % к 1960 г.) Темпы роста промышленности СССР и электронной промышленности (% к 1960 г.) Удельный вес электронной промышленности в промышленности СССР К моменту распада СССР в электронной промышленности насчитывалось предприятий, НИИ (КБ) и их филиалов, в том числе 584 промышленных предприятий (с филиалами) и 232 НИИ и КБ (с филиалами)). Количественный состав отрасли с 1964 г. по 1991 г. вырос более чем в 10 раз. К этому времени предприятия и организации отрасли в том или ином количестве функционировали во всех союзных республиках.

Основные промышленно-производственные фонды увеличились почти в раз, а фондоотдача - почти в 4 раза. Снижение затрат на 1 рубль товарной продукции составило более 82 %, а материальных - более 74 %. Выпуск основных изделий электронной техники за рассматриваемый период увеличился: микросхемы интегральные - в 128,3 раза (к 1970 г., фактическому началу массового выпуска), полупроводниковые приборы - в 65,5 раза, резисторы - в 21 раз, конденсаторы - в 14,5 раза, изделия квантовой электроники - в 48,6 раза (к 1970 г.), электровакуумные приборы - почти в 3 раза, кинескопы телевизионные - почти в 5,4 раза.

Качественно изменилась структура выпуска ИЭТ. Если в 1965 г. ведущее положение занимали электровакуумные приборы (27,9 %), конденсаторы (15,2 %) и радиокомпоненты (14,9 %), то в 1990 г. ведущее положение заняла микроэлектроника - около 50 % (интегральные микросхемы - 34,1 % и полупроводниковые приборы - 15,5%).

Несмотря на столь значительные достижения советской электронной промышленности и микроэлектроники, в 70-80-х годах появилась реальная угроза того, что она не сможет выдержать темпов развития СБИС и технологии их производства, которые набирали фирмы США, Японии и Европы.

Начинался новый этап в развитии микроэлектроники – переход к субмикронным размерам элементов в СБИС.

В 1976 году была начата программа Пентагона, целью которой было создание сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. Выполнение этой программы за бюджетные средства позволило создать за бюджетные средства технологии, которые впоследствии стали основой для создания мощных гражданских ЭВМ и персональных компьютеров.

В Японии для выполнения шестилетней государственной программы субмикронной технологии были объединены усилия крупнейших электронных компаний. Выполнение программы должно было обеспечить расширение экспорта в области вычислительной и бытовой техники.

Европа, которая значительно уступала США в технологи микроэлектроники, приняла комплексные программы освоения новых технологических уровней микро и нанотехнологии в рамках организационных структур программы "EP7".

Программы финансировались из бюджета ЕС. В результате выполнения научно технической JESSI ("Совместная европейская субмикронная кремниевая инициатива», участники проекта - Франция, Бельгия, Нидерланды, Италия, Германия, Великобритания) к 1995 году были получены минимальные размеры в СБИС- 3000 ангстрем. На предприятии компании TEMIC была введена в эксплуатацию линия производства интегральных схем с проектными размерами элементов в 5000 ангстрем. Причем впервые в истории Европы эта линия была полностью оснащена европейским оборудованием. В начале века Европа контролировала 26% мирового производства оборудования для полупроводниковых технологий.

Для перехода к субмикронным размерам требуется полное технологическое переоснащение микроэлектронной отрасли. Причем капитальные вложения значительно превышали те, которые были на первом этапе. Так, если в 1965 году мировая цена типовой производственной линии составляла 1 млн. долл., то к году - уже более 50 млн. долл. В 60-е годы затраты 1 долл. на капитальное оборудование приносили около 10 долл. в виде поступлений от продажи произведенной продукции, а к середине восьмидесятых отношение указанных затрат к продажам было уже приблизительно один к одному.

Создание дорогостоящих технологий даже крупным фирмам становится не по плечу. Поэтому они создают технологические альянсы и консолидируют свои средства с государством. В США с этой целью был создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в области микроэлектроники.

Также как в США, Японии и Европе в СССР в 1977 году была начата подготовка к разработкам и производству нового поколения СБИС. Предлагалось до 1985 года построить в Зеленограде ряд новых НИИ, ОКБ и заводов, реконструировать действующие предприятия, расширить социальное строительство для города. Несмотря на то, что в СССР в это время складывались благоприятные условия для доходов от экспорта нефти и газа, в правительстве считали, что МЭП предлагает слишком завышенные объемы финансирования. И мало, кто обращал внимание на то, что к 1988 году объем капитальных вложений в электронную промышленность США уже превосходил советские показатели примерно в четыре раза, японский же уровень был выше в шесть раз, а по полупроводниковой подотрасли почти в восемь.

В связи со смягчением отношений между США и СССР все больше и больше в руководстве СССР укреплялась мысль, что новую вычислительную и бытовую технику и даже важнейшие системы радиоэлектронного вооружения и управления, можно создать с помощью импортной элементной базы.

Для представления того, насколько по-разному относились руководители СССР и развивающихся стран к этому вопросу приведем в этой связи пример из зарубежной практики, о котором рассказал лауреат Нобелевской премии 2000 г.

Ж.И.Алферов: «В Сингапуре есть институт микроэлектроники, который ведет практические разработки на десятки миллионов долларов, и, в это же время, много больше получает от государства на фундаментальные исследования. На вопрос:

зачем нужно государству бросать такие деньги, директор института ответил с недоумевающим взглядом: "А как же иначе? То, что нужно сегодня финансирует бизнес, а то, что потребуется завтра и послезавтра - это забота государства".


(Опубликовано в «Бизнес-журнале Онлайн», 27 сентября 2006 года).

Не малую роль в этом играло роль и то, что в управление отраслью постепенно происходила смена руководства За первым заместителем министра В.Г.Колесниковым пришли руководители воронежской «школы». Как пишет в своих воспоминаниях о министре А.И.Шокине его сын, «ее выпускники, даже обладавшие различными степенями и званиями, были довольно далеки от науки, но отличались напористостью и нерушимой взаимоподдержкой, не зависевшей от их взаимоотношений в период пребывания в "alma-mater". Еще одной общей чертой, присущей представителям этой "школы" естественно в разной степени, но все же характерной, - был ограниченный узкий кругозор в части понимания места интегральных схем в общей системотехнике».

Вот оценка будущего министра электронной промышленности, организатором разработок комплексных целевых программ А.А.Васенковым: «…он жесткий талантливый руководитель, знающий специалист, только увлекающийся собственными идеями и нетерпимый к другой точке зрения».

http://www.zelenograd41news.ru/news/120/5125/ Газета «Сорок один» № 34 (120) 22.08.08.

Будучи первым заместителем А.И.Шокина, а потом министром электронной промышленности В.Г.Колесников внес большой вклад в реализацию стратегической программы её развития.

Несмотря на все трудности, с которыми сталкивалось руководство МЭП в финансировании новой стратегической программы развития электронной промышленности в СССР, в 1986 г. такое постановление правительством СССР было принято (об ускоренном развитии электронной промышленности в 1988 2000 гг. с целью «уменьшения наметившегося» отставания от США и Японии).

Постановление предусматривало строительство (или модернизацию) 80-ти объектов по разработке и выпуску средств микроэлектроники на уровне лучших мировых достижений. Из них 14 заводов - в Украине (Киев, Борисполь, Ивано-Франковск, Запорожье, Черновцы, Херсон). В Борисполе и Ивано-Франковске уже к 1991 г. был выполнен значительный объем работ.

В результате начавшейся перестройки и распада Советского Союза эти планы не были осуществлены.

Но дело не только в распаде СССР.

Изделия микроэлектроники были продукцией двойного применения - военного и гражданского, в отличие от ракет и вооружения, они применялись и в бытовой аппаратуре. И как только стала видна коммерческая сторона микроэлектроники, частные западные фирмы стали выполнять не только заказы военных ведомств, но и выпускать продукцию столь же высокого уровня и сложности, но и для применения в промышленной и бытовой технике. В 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в США занималось уже более шестидесяти фирм, и число их росло.

В 1986 году в США количество заводов со сверхчистыми помещениями классов "10 - 100" (10 - 100 загрязняющих частиц размером не более 0,5 микрометра в 28 литрах воздушной среды) было доведено до ста. В США и Японии ежегодно вводилось более чем по 10 заводов для производства новых поколений интегральных схем.

Такая продукция пользовалась огромным спросом на внутреннем и внешнем рынках. Так, например, первое поколение карманных транзисторных приемников дало возможность компании SONY стать в 1961 году первой японской компанией на Нью-Йоркской фондовой бирже Огромные прибыли фирм шли на финансирование не только собственных разработок и расширение производства. Из этих средств финансировались исследования в этой области в университетах и венчурных (рисковых) фирм.

Высокая прибыльность отрасли вызвала рост активности предприимчивых ученых и изобретателей к созданию своих фирм с целью быстрого выхода их разработок уже в виде продукции на рынок.

Приведем несколько примеров.

В.Шокли, один из лауреатов Нобелевской премии за создание транзистора, после получения патента на плоскостной вариант транзистора вскоре покинул фирму Bell Labs. и основал собственную фирму для производства кремниевых транзисторов «Shockley Semiconductor» при финансовой помощи питомца Калифорнийского политехнического института А.Беккмана. Его фирма начала работу осенью 1955 г., как отделение фирмы "Beckman Instruments" в армейских казармах Паоло-Алто. Шокли пригласил 12 специалистов (Хорсли, Нойс, Мур, Гринич, Робертс, Хорни, Ласт, Джонс, Клейнер, Блэнк, Нэпик, Са). В 1957 г. фирма изменила свое название на "Shockly Transistor Corporation". Вскоре 8 специалистов (Нойс, Мур, Гринич, Робертс, Хорни, Ласт, Клейнер, Блэнк) договорились с Беккманом и создали отдельную самостоятельную фирму "Fairchild Semiconductor Corporation" в основе деятельности, которой лежало массовое производство кремниевых биполярных транзисторов.

Гордон Мур, Роберт Нойс вместе с Эндрю Гроув, поняв какой огромный потенциал для бизнеса имеет интеграция большого числа электронных компонентов на одном полупроводниковом кристалле для создания новых видов электронных приборов, уходят из фирмы и организуют в 1968 году крохотную фирму Intel из человек, арендуя комнатку в г. Маунтин Вью (Калифорния). Через десять лет стоимость фирмы составляла 15 млрд. долл. США, а ежегодный доход- 5,1 млрд.

долларов. Компания Intel стала одной их ведущих фирм в мире в производстве СБИС для вычислительной техники. 90% микропроцессоров для персональных компьютеров от общего выпуска в мире составляла продукция этой компании.

Хорни и Ласт, разработав планарную технологию, покинули фирму "Fairchild Semiconductor Corporation" и основали фирму Amelco, которая позже превратилась в Teledyne Semiconductor. Хорни в 1964 году создал Union Corbide Electronics, а в году – фирму Intersil.

В 1975 году два студента Гарвардского университета Билл Гейтс и Пол Аллен узнали о создании персонального компьютера Altair. Они первыми поняли насущную необходимость написания программного обеспечения для персональных компьютеров и в течение месяца создали его для ПК "Altair" на основе языка Бейсик.

В том же году они основали компанию Microsoft, быстро завоевавшую лидерство в создании программного обеспечения для персональных компьютеров и ставшую богатейшей компанией во всем мире.

Там бизнес и наука были совместимы, и приносили друг другу успех. В СССР понятия ученый и бизнес были несовместимы. Там эффективность работы фирм оценивалась прибылью, в СССР выполнением плана по «валу».

Мы остановились только на широко известных именах в истории микроэлектроники. Но таких людей среди специалистов было много.

В Кремниевой долине, как позже назвали регион в Калифорнии, где в основном сосредоточены теперь микроэлектронные фирмы США, ежегодно создавалось по четыре фирмы, и за период с 1957 по 1983 г. там было организовано 100 фирм. Создание новых фирм стимулировалось близостью Стэнфордского и Калифорнийского университетов, а также активным участием их сотрудников в деле организации фирм.

Такой возможности советские ученые и изобретатели не имели. Они были жестко привязаны к государственному финансированию, и не имели права капитализировать свои знания. В советском законодательстве до экономической реформы, когда было разрешено создавать малые государственные предприятия, не было предусмотрена предпринимательская деятельность в оборонной промышленности.

Успех научного коллектива в параллельном советскому миру определялся прибылью, которую он приносил или мог принести фирме. В СССР - способностью руководителя научного коллектива получить государственное финансирование.

Большое количество фирм, работавших в микроэлектронной отрасли, порождало сильную конкуренцию между ними, что, естественно интенсифицировало их развитие с целью укрепления своих позиций на рынке и удовлетворения потребительских интересов населения.

Покупая продукцию с применением микроэлектроники, а сфера ее применения в бытовой сфере разрасталась: от транзисторных приемников до персональных компьютеров, от плееров до музыкальных центров, от телевизоров до домашних кинотеатров и т.д., население этих стран тем самым инвестировало свои средства в микроэлектронную промышленность. И объем этих инвестиций был больше тех, что давало государство. Таким образом, у локомотива, выводившего микроэлектронику в будущее, было два мощных двигателя: государство и частные фирмы.

В основу развития микроэлектроники в СССР были заложены организационные принципы, отработанные при индустриализации страны и выполнении атомных проектов, ракетно-космических программ: жесткая специализация предприятий, концентрации ресурсов на приоритетных задачах и целевое их финансирование, жесткий контроль выполнения планов под контролем не только Совета Министров, ВПК, МЭП, представителей заказчика, но и ЦК КПСС, горкомов, райкомов партии и парткомов предприятий. Учитывая то, что на все руководящие должности, как правило, назначались только коммунисты, их ответственность за выполнение своих обязанностей была двойной: перед государством и партией.

Однако микроэлектроника, как отрасль, развивающаяся очень динамично, требовала более гибкого подхода. На начальном этапе возможно, нужны были и концентрация и специализация. Но жесткая регламентация тематики НИИ, их технологической направленности приводили к старению коллектива, закрывала перспективу роста молодым и, в конечном итоге, к стагнации.

Постановление о создании Научного Центра говорило о монополизации работ в области разработки интегральных схем. Задачи в этой области было поручено решать только НИИТТ и НИИМЭ. Сфера аналоговых ИС была отдана Киевскому НИИ микроприборов и Рижскому НИИ микроприборов. Только большой успех в какой-то области давал другим НИИ возможность в какой-то степени нарушить эту монополию. Так произошло после освоения в минском ПО «Интеграл»

интегральных схем для часов, разработанных НИИ «Пульсар», логических ИС в воронежском ПО «Электроника», создания первых калькуляторов на МОП БИС и ИС для счетно-решающих вычислительных машин в Киевском НИИ микроприборов.

А.И. Шокин пытался удержать руководителей НИИ, когда они самостоятельно предпринимали попытки выхода за установленные границы ответственности, особенно, когда это касалось военной техники. Однако, когда инициатива приносила успех, он уже ничего не мог сделать. И тогда оказывал поддержку таким предприимчивым руководителям и их коллективам.

Министру электронной промышленности были не чужды идеи развития монополистического положения в СССР МЭП’а не только в области электронных технологий. МЭП довольно смело вторгался в сферы ответственности других министерств. Беседуя с представителями западных электронных концернов таких как "Phillips", "Siemens", "Fairchild", "Hewlett Paccard", "Intel", "DEC" А.И Шокин сравнивал свои возможности с возможностями руководителей этих концернов. Не зря же на всем - аппаратуре и оборудовании - стояла фирменная марка «Электроника»!

Монополистическое положение МЭП’а, Научного Центра и его институтов НИИТТ и НИИМЭ в разработках ИС (БИС, СБИС) стало опасным и для развития оригинальных направлений в вычислительной технике. Последствия известны:

переход на идеологию фирм IBM, DEC, Intel и копирование большой номенклатуры интегральных схем для воспроизведения копируемых систем. В этой ситуации уцелела только система «Эльбрус», да и она делалась на аналогах ИС американской фирмы.

Для названных институтов, думается, большой проблемой был подбор специалистов, способных находить оригинальные идеи на уровне таких специалистов как Мур, Гроув, Хорн, Ласт. Врядли в те годы в Подмосковье большим потоком устремились высококвалифицированные специалисты и ученые, имевшие высокий авторитет в своих московских, ленинградских и сибирских институтах, своих учеников и свои направления исследований, тоже очень нужных стране, несмотря на то, что для всех, кто хотел здесь работать, была хорошая приманка: квартира и московская прописка. В высшем и среднем звене управления наукой в зеленоградских институтах явно не хватало сильных научных лидеров, способных создать свои научные школы.

В этом отношении в таком центре микроэлектроники как киевский были иные возможности. В Киеве была высокая концентрация научных работников в вузах и институтах АН со своими школами в области физики полупроводников, а также и отраслевых приборостроительных НИИ. В сочетании с возможностью «точечного»

приглашения нужных специалистов из других полупроводниковых предприятий, подчеркнем «нужных», это открывало путь для более качественного подбора специалистов, и поэтому более интенсивного развития различных направлений.

Может быть, именно потому, что в Киевском НИИМП сформировалось такое многообразие направлений и технологий, что дало ему занять свои ниши, несмотря на то, что в каждом из технологических направлений у него были сильные конкуренты в Научном Центре, и успешно противостоять им.

В книге «Министр невероятной промышленности» пишется: у А.И. Шокина возникали чувства озабоченности и разочарования в том, что «в зеленоградском Научном Центре, да и в целом в микроэлектронике, отставала научная школа. Таких имен, какие были в СВЧ-технике (Н. Д. Девятков, С. А. Зусмановский, В. Ф.

Коваленко и др. - этот список очень длинный, а к нему необходимо добавить еще и ученых Академии Наук), или в квантовой электронике с богатейшей школой академика А. М. Прохорова, многие выходцы которой работали в МЭП'е, в микроэлектронике почти нет. А молодых талантливых ученых здесь захлестывали требования промышленности.

Фактор монополизма играл свою роль в распределении финансовых средств и дефицитного оборудования. Несмотря на поддержку программы развития микроэлектроники государством, финансирование этого проекта велось все-таки из остатков от проектов других оборонных министерств. А при таком дефиците не всегда приоритет отдавался научным идеям. Побеждали порой политика, и личные связи с членами ЦК КПСС, министрами и чиновниками министерства, а в институтах и объединениях решения парткомов были сильнее решений научно технических советов и руководителей НИИ.

Зададим вопрос, почему копирование американских технологий и изделий микроэлектроники (на принципах трансферта технологий) позволило японским фирмам обогнать фирмы США, например, в производстве СБИС динамических ОЗУ, а в СССР дало обратный эффект. Ответ лежит в выше приведенных рассуждениях о монополизме в советской микроэлектронике: японские фирмы работали в конкурентной среде.

Часто называют среди причин отсталости советской микроэлектроники общую технологическую отсталость СССР. Но это было не так. Достижения, например, в ракетной технике, авиастроении и фундаментальных науках красноречиво опровергают это утверждение. Обратите внимание на то, что именно в этих отраслях промышленности была сильная конкуренция между конструкторскими бюро. В ракетной технике это были КБ главных конструкторов С.П.Королева, М.К.Янгеля, В.Н.Чаломея, в авиации - КБ главных конструкторов А.А.Туполева, С.А.Лавочкина, В.М.Петлякова. О.К.Антонова, П.О. Сухого, С.А.Микояна.

В завершение этого небольшого анализа причин, почему советская микроэлектроника не смогла догнать микроэлектронную промышленность США, приведем мнение американского исследователя М.Кастельса:

«Американские электронные оборонные отрасли были спасены от быстрого старения относительной открытостью американских фирм, а также японских производителей электроники. А советские предприятия, которые жили в закрытой экономике, без стимула экспорта, которые не имели другой цели, кроме как придерживаться необязательно современных спецификаций Министерства обороны, были затянуты на технологическую траекторию, которая все больше удалялась от нужд общества и инновационных процессов в другом мире» (Кастельс М.

Информационная эпоха: экономическое общество и культура. - М.: ТУВШЭ, 2000. 608с, - С.457).

3. Как разрабатывался проект Из воспоминаний Б.В.Малина, начальника отдела интегральных схем НИИ «Пульсар» в 1967-1970 г.г. к.т.н.

Начало развития микроэлектроники и формирования концепции технополиса Зеленограда обязано своим появлением в конце 50-х годов головному НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, директор А. А. Маслов) в ГКРЭ.

В 1957-1959 годы в НИИ-35 проводились работы по микромодульной технике.

В эти годы Н. С. Хрущёв уделял большое внимание научно-техническому прогрессу в нашей стране;

он старался привлечь к работе в стране учёных с Запада. Именно тогда в НИИ-35 был приглашён специалист по получению монокристаллов германия и кремния, эмигрант из Франции – русский по происхождению – С. А. Медведев, а в Ленинграде в 1957–1958 годах начал работать Ф. Г. Старос.

Политическая ситуация в нашей стране в этот период характеризуется началом военного освоения космоса и созданием ракетного щита, обстановкой соперничества с Америкой в ракетных и космических вооружениях, которые проводились под техническим руководством С. П. Королёва, М. В. Келдыша, Ю. Б. Харитона.

Радиотехническим и электронным космическим оснащением у Королёва руководил М. С. Рязанский, а у него – А. И. Дунаев (одно время возглавлял Главкосмос) и А. Г.

Алексенко, отец которого работал в то время зампредседателя ГКНТ (где работал до осени 1962 года завербованный иностранной разведкой Пеньковский).

Общее руководство оборонной стороной развития микроэлектроники с года и подготовку принятия важнейших решений осуществляли общий отдел ЦК КПСС (зав. отделом В. Н. Малин** – прямой доклад Хрущёву), оборонный отдел ЦК КПСС (И. Д. Сербин);

в аппарате СМ СССР (в ВПК) – Л. В. Смирнов.

Концепция создания технополиса по микроэлектронике возникла в головном институте НИИ-35 в конце 50-х годов и принадлежит сотрудникам НИИ-35 Н. М.

Ройзину, М. М. Самохвалову и Б. В. Малину, автору данной статьи. После обсуждения концепции у И. Д. Сербина, в котором я принимал участие, было предложено найти место, где можно было бы организовать такой Центр.

М. М. Самохвалов и я ездили на Оку в район нынешнего г. Пущино, где предварительно собирались строить Научный Центр. Но после обсуждения И. Д.

Сербиным было предложено согласовать этот вопрос с М. В. Келдышем, президентом Академии наук СССР.

М. В. Келдыш отказался отдать Пущино, сказав, что там уже размещён радиотелескоп, и будет построен биологический центр. Поиски продолжились.

Первые практические и схемотехнические разработки микроэлектронных монолитных интегральных схем на германии были осуществлены в НИИ-35 в году, почти одновременно с объявлением в открытой технической литературе об изобретении Джеком Килби (США) интегральных схем.

К 1959–1960 годам относится начало работ в НИИ-35 по созданию планарной технологии кремниевых приборов, сначала для получения транзисторов, по аналогии с планарной технологией на кремнии американской фирмы Fairchild, которая первая применила этот тип технологии.

К концу 1960 и началу 1961 года в НИИ-35 сформировался отдел микроэлектроники, где основными технологами-разработчиками были Б. В. Малин, А. С. Добкин, Ф. П. Пресс и др. Отдел заканчивал разработку интегральных схем на германии.

В 1961 году я был отправлен на стажировку в США. После возвращения из стажировки со второй половины 1962 года работы отдела были переключены на воспроизводство образцов кремниевых интегральных схем фирмы Теxas Instruments серии SN-51, или ТС-100, как они были названы в отечественных работах. Этот момент явился поворотным в работах отдела и НИИ-35, а также поворотным этапом к широкому развитию кремниевой планарной технологии.

Действующие схемы из НИИ-35 были А. И. Шокину продемонстрированы в 1965 году, опытное производство подготовлено в специальном цехе НИИ-35 в году, серийный выпуск освоен на Фрязинском опытном заводе с военной приёмкой в 1967 году. Основным заказчиком был комплекс М. С. Рязанского, где схемы устанавливались в баллистические ракеты, в аппаратуру для посылки на Луну и Марс.



Pages:     | 1 || 3 | 4 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.