авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 3 ] --

Отдел № 5 НИИ-35 подготовил все необходимые приказы и техническую часть проекта постановления Правительства по созданию Центра микроэлектроники, взял на себя тяжесть разработки планарной технологии производства ИС.

С конца 1962 года до 1965 года всё, что происходило на этом остром фронте разработок, регулярно, не реже одного раза в одну-две недели, докладывалось в оборонный отдел ЦК. Докладывал я, обычно устно, иногда И. Д. Сербин просил подготовить письменные доклады, которые он, внимательно прочитав и сделав ремарки по поводу состояния дел у А. И. Шокина, клал в свой сейф.

Окончательный выбор площадки под строительство Зеленограда был осуществлён во второй половине 1962 года И. Д. Сербиным и В. Н. Малиным в районе ст. Крюково. На месте нынешнего НИИМЭ в момент их приезда паслась привязанная к берёзовому колышку коза. Это посещение будущего строительства совпало с обсуждением у Н. С. Хрущёва вопроса о создании мемориала Неизвестному солдату, погибшему на подступах к Москве. Мемориал был открыт только в 1967 году.

Период подготовки и выпуска постановления правительства по созданию Центра микроэлектроники в Зеленограде, в котором принимали участие и головной институт НИИ-35, и ЛКТБ Ф.Г.Староса на этапе технической подготовки, и оборонный отдел ЦК и общий отдел ЦК на этапе докладов Н. С. Хрущёву, пришёлся на сложный период Карибского кризиса в мировой политике. Осенью 1962 года был арестован сотрудник ГКНТ и ГРУ Пеньковский, а затем снят Хрущёвым с должности председатель КГБ И.А.Серов. Эти события не могли не отразиться на политической обстановке в верхах на уровне Н. С. Хрущёва. Особенно беспокоился И. Д. Сербин, когда говорил, что нам нельзя новые научно-технические направления доверять «иностранцам», имея в виду Ф. Г. Староса. Доклады И. Д. Сербина и А. И.

Шокина Н. С. Хрущёву поселили у него сомнения в целесообразности назначения Ф.Г.Староса директором Научного Центра в Зеленограде. Ф. Г. Старос в это время, после ухода И. А. Серова, лишился и его поддержки.

В конце 1962 года А. И. Шокин послал меня в командировку в Ленинград, где состоялось моё первое личное знакомство с Ф. Г. Старосом и И. В. Бергом.

Технической частью командировки было ознакомление с работой по компьютеру УМ-1, технологией ферритового куба памяти и возможности быстрого применения этих достижений для разработок М. С. Рязанского. Выяснилось, что разработки Ф. Г.

Староса выполнены в единичных экземплярах, а технология НИИ-35 не готова к их восприятию, поскольку НИИ-35 разрабатывал исключительно кремниевый вариант, ограниченный приказом прямого воспроизводства ТС-100. Ф. Г. Старос и И. В. Берг в этот момент были сторонниками гибридной технологии и не рассматривали возможность воспроизводства кремниевых ИС фирмы Fairchild, которые они получили из Москвы. В конце командировки Ф. Г. Старос предложил мне перейти к нему на работу. Я отказался. О результатах командировки было доложено А. И.

Шокину.

Представляется, что именно события конца 1962 года определили тот факт, что постановление правительства по Зеленограду было подписано в пользу чисто московского варианта, и директором Научного Центра был назначен Ф. В. Лукин. Ф.

Г. Старос и И. В. Берг были поставлены в положение, при котором они лишались возможности активного влияния на развитие Зеленограда.

Я не раз сам слышал суждения по этому поводу до 1965 года в общем и оборонном отделах ЦК, где мне приходилось докладывать о состоянии работ у А. И.

Шокина.

После своего назначения директором НЦ и зампредседателя ГКЭТ Ф. В.

Лукин не раз вызывал меня как специалиста по развитию и освоению планарной технологии. Эти беседы служили цели эффективной направленности развития Зеленограда, так как Ф. В. Лукин считал, что в первую очередь надо развивать отрасль полупроводникового машиностроения. Начало было положено созданием термического оборудования на заводе «Элион».

* Крупный оборонный институт в Москве, в котором был сформирован первичный коллектив зеленоградского НИИМЭ.

** Отец автора воспоминаний.

http://zelao50.ru/articles/?ELEMENT_ID=526&SECTION_ID= 4. Электронная промышленность Украинской ССР Августимов В.Л.

В Советском Союзе было несколько промышленных министерств, которые вырабатывали продукцию электронного приборостроения и электронные компоненты. Это электронная промышленность, радиопромышленность, промышленность средств связи, министерство приборостроения, средств автоматизации и систем управления и большая группа предприятий электронного приборостроения авиационной, судостроительной, оборонной промышленности, промышленности общего и среднего машиностроения. Большинство этих министерств входили в состав огромного ВПК Союза, который потреблял даже по официальным данным 14-16% национального дохода, вырабатывал на десятки миллиардов долларов вооружений, а также все телевизоры, магнитофоны, радиоприемники, микрокалькуляторы, электронные часы, вычислительные машины, автоматические телефонные станции и телефонные аппараты. Например, одно из таких министерств – Министерство электронной промышленности – по объему товарной продукции среди 8-ми министерств “оборонки” стояло на втором месте после Министерства оборонной промышленности, уступая ему лишь 15 процентов и опережая авиационную, радио-, судостроительную и другие отрасли. В Министерстве электронной промышленности работало более 1.5 млн. человек и оно было почти натуральным хозяйством с собственным развитым машиностроением, производством специальных материалов, огромным отраслевым научным потенциалом, строительным комплексом, системой подготовки кадров, предприятиями внутренней и внешней торговли, базами снабжения и транспорта.

Весь этот потенциал из 820 предприятий удовлетворял потребности страны в так называемых “изделиях электронной техники” – “ИЭТ”. Отрасль производила интегральные схемы, полупроводниковые приборы, конденсаторы, резисторы, соединители, переключатели, трансформаторы для радиоаппаратуры, блоки питания, кинескопы и электровакуумные приборы, сверхвысокочастотные приборы и аппаратуру, пьезоэлектрические изделия, ферритовые и керамические изделия, лазеры и лазерные гироскопы, средства отображения информации, изделия оптоэлектроники, чистые и специальные материалы и почти на 5 млрд. руб. сложной бытовой техники. Номенклатура Министерства электронной промышленности составляла почти 3 миллиона типономиналов изделий. На 2.5 млрд. руб. в год выполнялось научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Министерство электронной промышленности было основой для развития других отраслей и обеспечения обороноспособности государства. Регулярно издавались постановления ЦК и Совета Министров СССР по вопросам развития этой отрасли.

Последнее такое постановление № 547-114 было принято 28 апреля 1988 года и подписано Горбачовым и Рыжковым. Этим постановлением было предусмотрено “ускоренное развитие электронной промышленности” на 1988-2000 годы с целью сокращения отставания от США и Японии. Надо сказать, что были и такие направления, где электроника Союза не отставала. Постановлением было предусмотрено строительство более 80 объектов-заводов по выпуску микроэлектронных изделий на уровне лучших достижений мировой электроники. На Украине было запланировано построить 14 таких объектов. За 1988 – 1991 года было начато строительство таких объектов в городах Ивано-Франковске и Борисполе и велось проектирование в городах Запорожье, Киеве, Черновцах и Херсоне.

Электронная промышленность имела на протяжении многих лет темпы роста объемов производства 17-20% в год и только в 1990 году “съехала” на 11%. Надо отметить, что в США, Япония и некоторых других странах темпы роста электронной промышленности были еще выше.

Электронная промышленность УССР по объемам производства и номенклатуре выпускаемых изделий всегда занимала второе место после РСФСР.

Развитая инфраструктура, высокий уровень образования, плотность населения, высокий процент городского населения и значительные свободные трудовые ресурсы (особенно на Западе, Юге и в центре республики) огромное количество вузов, мощная Академия наук УССР, позволили руководству СССР в областных центрах Украины привязать, построить и оснастить десятки крупных заводов, НИИ и КБ. В дальнейшем эти предприятия обросли филиалами, заполонив практически всю республику.

Строились заводы, НИИ, КБ, выделялись значительные капвложения на жилье и другие социально значимые объекты, создавалась сеть профессионально технических училищ, техникумов, готовивших специалистов среднего звена и рабочие кадры.

Приведу лишь один пример.

В 1968 году в г. Ивано-Франковске МЭП построил ПТУ с общежитием на человек. На базе этого ПТУ в том же году начато производство импульсных диодов Д-18 (филиал одного из цехов Минского объединения «Интеграл»). В том же году на 17 гектарах земли на окраине города было начато строительство завода «Позитрон»

на 60 тысяч квадратных метров производственных площадей. В 1971 году были построены первые объекты завода, строительство продолжалось. На заводе уже в 1972 году было введено около 15тыс. м2 площадей (станция деионизованной воды, станция нейтрализации, водородно-кислородная станция, энергокорпус, где вырабатывался азот, кислород, сжатый воздух) станция оборотного водоснабжения, котельная на 25 Гкал/час и первый производственный корпус 8тыс. м2, где появились гальваника, инструментальный цех, цех нестандартного оборудования и часть площадей под полупроводниковое производство. Ежегодно вводились новые мощности, осваивались новые изделия, люди шли на завод со всей округи – работа на заводе была престижна, хорошо оплачивалась. За 10 лет на завод принято молодых специалистов, строилось жилье (в т.ч. хозяйственным способом). Завод стал флагманом города. В одном 1979 году было принято на завод 2900 человек. К 1988 году на заводе работало более 9000 человек. В короткие сроки было освоено производство БИС, большая номенклатура ИС многих серий по биполярной, МОП и КМОП технологиям, тонкопленочные гибридные интегральные схемы. Завод выпускал микрокалькуляторы, телефонные аппараты на собственных БИС, цифропечатающие устройства. Более 50% ИС выпускалось для оборонных отраслей, а общий выпуск ИС в 1988 году достиг 100 млн. штук. При заводе был построен техникум электронных приборов, был введен в действие санаторный корпус на курорте Моршин (2800 путевок в год в любые санатории страны), теплица на м2, спортивный комплекс, дворец культуры, общежитие на 1280 мест. К 1988 году для получения жилья работнику завода нужно было простоять в очереди всего 5 лет!

Все молодые специалисты получали жилье (как минимум малосемейку) в течение одного года.

Вокруг завода вырос микрорайон на 25 тыс. жителей, был пущен троллейбус, построена школа на 3000 учащихся. При открытии школы в первый класс пошло человек (11 классов по 40 человек).

И так было во многих областных центрах республики. Особенно бурно строились заводы и НИИ в столице – городе Киеве.

На декабрь 1991 года на 176 предприятиях электронной промышленности на территории Украины работало 261577 человек. В составе отрасли было промышленных предприятия, 8 НИИ, 22 КБ, 12 строительных и 9 торговых организаций. Эти заводы, НИИ и КБ входили, в основном, в состав 32 научно производственных и производственных объединений, каждое из которых отвечало за своё направление разработки и производства изделий электронной техники. Украина имела почти все подотрасли бывшего Министерства электронной промышленности СССР.

В 1991 году на территории УССР действовали по направлениям развития электроники, следующие предприятия.

Микроэлектроника. Концерны: “Родон” г. Ивано-Франковск и “Днепр” г.

Херсон. ПО: “Гамма” г. Запорожье, “Гравитон” г. Черновцы, “Квазар” г. Киев, “Полярон” г. Львов. НИИ микроприборов г. Киев, несколько КБ. В микроэлектронике работало более 60 тыс. человек.

СВЧ – техника. НИИ “Орион” и “Сатурн”. НПО “Сатурн”. ПО “Октава» (г.

Киев). ПО “Знамя” г. Полтава. Всего около 20 тыс. работающих.

Производство конденсаторов. НПО “Катион” г. Хмельницкий. ПО: “Элитан” г. Харьков, “Эпсилон” г. Одесса, “Никонд” г. Николаев. НИИ “Букон”, ОКБ “Элитан” г.Харьков. Завод “Конденсатор”, г. Рахов. Всего 27 тыс. человек.

Производство соединителей, разъединителей, контактных устройств. ПО:

“Коннектор” г. Харьков, “Лтава” г. Полтава, “Сейм” г. Сумы. СКБ “Радиокомпонент”, ЦКТБ. Всего около 20 тыс. человек.

Производство резисторов. ПО: “Реом” г. Одесса, “Элегал” г. Великие Мосты.

СКТБ “Элегал” г. Червоноград. ОКБ “Эра” г. Одесса. Всего более 11 тыс. человек.

Производство кинескопов, электровакуумных приборов. ПО: “Кинескоп” г.

Львов, “Октябрь” г. Винница. НИИ “Эротрон” г. Львов. Вольногорский завод электровакуумного стекла. Всего более 20 тыс. человек.

Производство средств отображения, лазерной техники, жидкокристаллических индикаторов, вычислительной техники. НПО “Инфракон” г. Винница. ПО: “Октябрь” г. Винница, “Газотрон” г. Ровно. Завод “Калькулятор” г.

Светловодск, НИИ“Гелий” г. Винница. ЦНИИ “Инфракон” г. Винница. Всего более 15 тыс. человек.

Производство ферритовых и керамических изделий. ПО: “Феррокерам” г.

Белая Церковь, “Элком”. Более 10 тыс. человек.

Производство трансформаторов, блоков питания. ПО “Ингул”, ОКБ “Ингул”, г. Николаев. Завод “Индуктор” г. Ивано-Франковск. Всего 6,5 тыс. человек.

Производство резонаторов, пьезокерамики. Завод “Импульс”, ОКБ “Резонанс” г. Черкассы. Всего 2 тыс. человек.

Производство специального технологического оборудования, оснастки, инструмента. ПО: “Донец” г. Луганск, “Тисса” г. Ужгород. НИИ “Эсмаш” г. Киев.

Заводы: “Сегмент” г. Кировоград, “Стандарт” г. Красный Луч, “Машлит” г.

Северодонецк. ОКБ “Тисса” г. Ужгород. ЦКБМ “Донец” г. Луганск. Всего более тыс. человек.

Численность работающих и названия предприятий – состоянием на 01.09. года.

Рынками сбыта электронных компонентов, которые вырабатывали предприятия Украины, на 70% были приборостроительные и оборонные предприятия России, 5% - предприятия других республик, 5% - страны СЭВ и 20% приборостроительные и оборонные заводы Украины.

В 1990 году предприятия электронной промышленности УССР произвели продукции основной номенклатуры (ИЭТ) на сумму 7678,76 млн. рублей, в том числе:

интегральных микросхем 346 млн.шт.

– СВЧ – приборов 2,0 млн.шт.

– диодов, варикапов, стабилитронов 556,3 млн.шт.

– транзисторов 354,4 млн.шт.

– резисторов 3000,0 млн.шт.

– конденсаторов 1189,0 млн.шт.

– кинескопов и ЭЛТ 1,32 млн.шт.

– ферритов, керамики 14900 тонн – пьезоэлектрических изделий 17,4 млн.шт.

– газовых лазеров 17,1 тыс.шт.

– средств отображения информации 256,3 млн. руб.

– Кроме изделий электронной техники заводы выпускали специальное технологическое оборудование, штампы, пресс-формы, оснастку, микрокалькуляторы, телефонные аппараты, телевизоры, огромную номенклатуру товаров народного потребления на сотни миллионов рублей.

5. Микроэлектроника в Украине Вербицкий В.Г., Добролеж С.А.,Петин Ю.А., Сидоренко В.П.

«По совету внутреннего голоса: «Копай здесь», человек копнул из любопытства, откопал мешочек золота.

- Бери золото и езжай к морю! - говорит голос. Человек радостный поехал к морю. Когда доехал до скалистого берега, голос говорит:

- Кидай мешочек в море. Человек выкинул мешок со скалы, в надежде, что произойдет что-то чудесное.

Мешочек улетел и исчез в глубинах.

И голос сказал:- Слыхал, как здорово булькнуло?»

Анекдот Ко времени распада СССР Украина имела высокоразвитую электронную промышленность и огромный потенциал для ее дальнейшего развития на основе современной полупроводниковой техники и микроэлектроники.

В ниже приведенной таблице показано, как соотносился потенциал электронной промышленности Украины с потенциалом других республик и её составляющая в общесоюзном масштабе.

В электронной промышленности Украины удельный вес оборонного заказа в 1991 году составил 10,2%.

На предприятиях электронной промышленности Украины, работало более четверти миллиона рабочих, ИТР и ученых. Эти предприятия выпускали почти все основные компоненты электронной техники: интегральные микросхемы разного назначения и сложности, полупроводниковые приборы, изделия СВЧ - техники, конденсаторы, резисторы, соединители, кинескопы, электровакуумные приборы, средства отображения информации, лазерную технику, жидкокристаллические индикаторы, ферритовые и пьезокерамические изделия, трансформаторы, резонаторы и многое другое.

Киевский НИИ микроприборов, НИИ «Орион», НИИ «Сатурн», НИИ «Радиокомпонент», СКБ «Элмис», НИИ «Гелий», НИИ «Эратрон», ЦНИИ «Инфракон», ЦКБМ «Донец» были ведущими научными организациями и обеспечивали высокий технический уровень разработок электронных приборов и оборудования.

Количество предприятий и объем продукции МЭП по союзным республикам Потребности бывшего Советского Союза в изделиях электроники обеспечивали ПО «Кристалл» (г. Киев), НПО «Сатурн» (г. Киев), ПО «Родон» (г.

Ивано-Франковск), ПО «Днепр» (г. Херсон), ПО «Гамма» (г. Запорожье), ПО «Гравитон» (г. Черновцы), ПО «Полярон» (г. Львов), ПО «Лтава» и ПО «Знамя» (г.

Полтава), ПО «Октава» (г. Киев), По «Октябрь» (г. Винница), ПО « Феррокерам» (г.

Белая Церковь) и др.

Электронные предприятия во многом определяли облик и социально экономическое развитие целого ряда городов, в том числе Киева, Харькова, Львова, Винницы, Полтавы, Ивано-Франковска, Запорожья, Днепропетровска, Светловодска, Сум, Черновцов, Херсона, Луганска. Создание филиалов в небольших городах и населенных пунктах создавало условия для их социально-экономического развития и повышало уровень занятости населения в высокотехнологических производствах.

В 70-80-х годах Украина была монополистом в бывшем СССР и вторым в Европе поставщиком полупроводниковых материалов – кремния, германия, арсенида галлия и средств их обработки (Запорожский титаномагниевый завод, Светловодский завод чистых металлов и др.). Предприятия Украины поставляли производителям электронных компонент бывшего СССР 48% основных материалов, 21% сырья в общем объеме материалов, необходимых для электронной промышленности СССР.

Предприятия радиоэлектронной промышленности в Украине выпускали радиолокационную технику, электронные прицелы для танков, приборы ночного видения, системы управления для современнейших ракет, подводных лодок, навигационное оборудование. И почти все эти изделия были на мировом уровне.

Среди предприятий выпускавших такую технику можно назвать НПО "Квант", НПО «Электронмаш», НПО «Импульс», «Завод электронных микроскопов и электроавтоматики», ПО «Электроника», НПО «Сатурн» (Киев), НПО "Луч", НПО « Хартрон» и другие.

В 1961 г. Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР «О развитии полупроводниковой промышленности» был дан старт промышленному производству полупроводниковых приборов. Заводы полупроводниковых приборов были построены в Киеве, Запорожье, Ивано-Франковске, Херсоне. С освоением планарной технологии они перешли к выпуску интегральных схем. Наряду с другой продукцией на предприятии «Гравитон» (г. Черновцы), выпускались мощные транзисторы и фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии в электрическую (солнечные батареи), силовые диоды и тиристоры – на заводе «Преобразователь» (г. Запорожье). На базе этих предприятий в начале 70-х годов были созданы производственные объединения – «Кристалл», «Гамма», «Родон», «Днепр», «Преобразователь».

Микроэлектроника в Украине развивалась в соответствии с общей стратегией развития русле советской электронной промышленности. Постановление ЦК КПСС и Совета Министров о создании Научного Центра микроэлектроники предполагало концентрацию основных средств на развитие НИИ и опытных заводов при них в Зеленограде. В то же время было очевидным, что без подключения к решению задачи развития микроэлектроники других научных центров Союза невозможно.

Таким центром был, безусловно, Киев.

В столице Украины в 60-е годы был сосредоточен огромный научный и производственный потенциал. Лидирующее положение в СССР по многим направлениям науки занимали научные школы институтов Академии наук Украины.

В интересующей нас сфере научных знаний это были, прежде всего, институт полупроводников и институт кибернетики, основанный известным в мире математиком и кибернетиком В.М.Глушковым. В Киевском политехническом институте, Киевском государственном университете, готовили специалистов по радиоэлектронике, вычислительной технике, системам автоматизированного проектирования. Многие из тех, кто закончил эти вузы, стали известными учеными и специалистами в микроэлектронике Над созданием электронной аппаратуры для военно-морского и подводного флота работали Киевский НИИ радиоэлектроники и Киевский институт гидроприборов. Электронную аппаратуру выпускали заводы «Буревестник», «Коммунист», «Радиоизмеритель», «Генератор», полупроводниковые приборы Киевский завод полупроводниковых приборов. Развивались работы по созданию СВЧ-техники в институте электротехники АН УССР, Киевском политехническом институте.

После ознакомления с работами киевских институтов недавно назначенный руководитель нового Государственного комитета электронной техники СССР А.И.Шокин принял решение о создании в Киеве конструкторского бюро (КБ-3) со статусом филиала НИИ микроприборов Научного центра в г. Зеленограде со специализацией микроминиатюризация радиолокационной аппаратуры.

В 1966 году КБ было преобразовано в Киевский НИИ микроприборов с опытным заводом. Основанием для этого был высокий уровень разработок гибридных ИС радиоэлектронной аппаратуры и аппаратуры на их основе.

Гибридные интегральные схемы выпускались на опытном заводе института. В году на опытном заводе был начат серийный выпуск гибридных интегральных схем по новой технологии на основе тонких пленок тантала, по технологии, разработанной в КНИИМП. Такой технологией в то время владели три фирмы, и только одна из них (фирма «Bell Labrs. США) разработала ее самостоятельно.

В 1965-1966 году в Киевском НИИ микроприборов, НИИ точной технологии и НИИ молекулярной электроники были созданы первые МОП-транзисторы.

Результаты исследований в этих институтах и публикации американских ученых показали чрезвычайную перспективность развития в СССР направления МОП интегральных схем. Приказом министра электронной промышленности А.И.Шокина в июне 1966 года были определены институты, ответственные за развитие интегральных схем на основе МОП - структур: НИИМЭ, Киевский НИИ микроприборов, НИИТТ, Ленинградское конструкторское бюро, НИИ физики полупроводников (г. Тбилиси).

С созданием МОП - транзистора и освоением планарной технологии в КНИИМП и его опытном заводе начался переход от гибридных интегральных микросхем к кремниевым интегральным схемам: МОП ИС для вычислительной техники и биполярных - для аналоговой.

В соответствии с решениями XXIV съезда КПСС в IX пятилетке (1971- годы) осуществлялась программа широкого внедрения вычислительной техники в народное хозяйство. Важным элементом этой программы явилось создание рядом предприятий Министерства приборостроения и средств автоматизации и систем управления и Министерством электронной промышленности материально технической базы для производства современных электронных клавишных машин на основе новой элементной базы – МОП - интегральных схем.

К 1970 году в производстве ЭКВМ СССР существенно отставало как от наиболее развитых капиталистических стран, так и стран народной демократии. Для удовлетворения потребностей народного хозяйства в СССР закупались ЭКВМ «Зоемтрон» (ГДР), «Элка-22» (НРБ), а также отдельные типы и партии машин из Италии, Японии, ФРГ и других странах. Заявочные потребности даже Центрального статистического управления СССР (150-200 тыс. в год) не удовлетворялись полностью.

Создание ряда современных ЭКВМ на основе интегральных схем было начато в 1968 году в соответствии с Постановлением СМ СССР от 27.09.1967 г. по координационным планам, утвержденным Постановлениями Государственного комитета СССР по науке и технике. Основные разработки элементной базы выполнялись Киевским НИИ микроприборов (1971-1973 годы) и ЭКВМ – Государственным союзным конструкторско-технологическим бюро по проектированию счетных машин Министерства приборостроения и систем управления (1971-1975 годы), технологии серийного производства ЭКВМ Рязанский проектно-технологический институт (г. Рязань). Освоение в серийном производстве было закончено в 1972-1975 годы (по типам ЭКВМ и сериям интегральных схем) – на заводе «Квазар» НПО «Кристалл» (г. Киев) (интегральные схемы), на заводах «Счетмаш» (г. Курск) - головном заводе Минприбора по производству ЭКВМ и изготовителе моделей ряда ЭКВМ для научно-технических и математических расчетов, УВМ (г. Орел) - базовом заводе объединения Союзэлектронсчетмаш по производству моделей ряда ЭКВМ для планово экономических и учетно-статистических расчетов.

По техническим заданиям ГСКТБ КНИИМП были разработаны серии МОП ИС К172, К501 и заданиям других заказчиков ИС регистров сдвига серий 178, 186, а для микрокалькуляторов - серия К145. Освоение в серийном производстве на заводе «Квазар» этих ИС, их массовое применение в ЭКВМ и микрокалькуляторов стало важным этапом в развитии МОП - электроники в стране. ИС серий 178, 186 в году стали первыми МОП-ИС, которые начали применяться в военной аппаратуре.

Технология МОП ИС, разработанная для этих интегральных схем, стала базовой в объединении «Кристалл» для такого класса ИС и БИС. При создании этой технологии была обеспечена максимальная преемственность достижений планарной технологии и использование новых базовых процессов и конструкций. Все технологические процессы выполнялись на отечественном оборудовании и с применением отечественных особочистых материалов. Это давало возможность быстрого ее освоения на заводах, владеющих планарной технологией.

Благодаря тесному творческому сотрудничеству коллективов ГСКТБ, завода «Счетмаш» и завода управляющих вычислительных машин, НПО «Кристалл» были решено множество задач, связанных с особенностями впервые осваиваемых изделий на новых принципах.

Уже в 1972-1974 г.г. серийными заводами Минприбора было выпущено более 150 тыс. ЭКВМ на интегральных схемах, что в 8,3 раза превысило выпуск ЭКВМ за предыдущую пятилетку и позволило удовлетворить потребности наиболее массовых потребителей. А выпуск микрокалькуляторов в 1974 году составил 200 тыс. штук.

Достижения в этой области, а затем в разработках и производстве интегральных схем операционных усилителей, что в электронной промышленности СССР появился еще один крупный разработчик и производитель изделий микроэлектроники. Стало ясно, что специалисты КНИИМП могут создавать изделия высокого уровня сложности.

В середине 70-х годов в Украине сформировались основные научно производственные направления развития интегральных схем на основе МОП и биполярных транзисторов:

- МОП - логические ИС для вычислительной техники, - МОП - БИС ЗУ (ОЗУ, ПЗУ, перепрограммируемые ПЗУ), БИС микропроцессоров функциональных аналогов -МОП - микропроцессоров фирмы Интел (США), - МОП - БИС однокристальных ЭВМ, - МОП - БИС для программируемых однокристальных калькуляторов, в т.ч.

для инженерных и научных расчетов, - МОП ИС коммутаторов аналоговых сигналов, - ИС операционные усилители различного назначения, - ИС перемножителей аналоговых сигналов, - ИС для бытовой аппаратуры (магнитофоны, радиоприемники, электронные часы, телефоны и др.). А позже были начаты разработки ИС на основе приборов с зарядовой связью. Все эти интегральные схемы (кроме БИС для ЭКВМ и ИС для бытовой аппаратуры) имели двойное применение – в промышленности и в военной аппаратуре.

В середине 70-х годов МЭП перешел к программно-целевому управлению развитием микроэлектроники. КНИИМП стал соисполнителем комплексно-целевых программ «Операция», «Память», «Микропроцессор». В рамках КЦП «Память»

КНИИМП был определен головным по направлению энергонезависимые перепрограммируемые ПЗУ.

Научно-технический уровень всех комплексов, обеспечивающих проектирование и изготовление БИС и аналоговых ИС, повышался в тесной взаимосвязи друг с другом. Новые требования заказчиков к техническим характеристикам интегральных схем давали толчок к развитию новых технологий. В технологиях все шире применялись ранее неизвестные технологии: ионное внедрение атомов в кристаллическую структуру кремния, плазмохимические процессы, синтез слоев материалов при пониженном давлении… Достижения в технологии вели к созданию более сложных БИС, а затем и СБИС. Результаты физико-технологических исследований порождали новые идеи в применении МДП структур в БИС ЗУ с электрической перезаписью информации, УФ - стиранием, приборов с зарядовой связью. Развитие аналоговых ИС шло по пути сочетания в них биполярных и полевых транзисторов, структур с диэлектрической изоляцией.

Совершенствовались САПР, технологии изготовления фотошаблонов координатографы заменили фотонаборные установки. В процессах переноса рисунка с фотошаблона на пластину стали применяться бесконтактные методы. Менялись требования к технологическому и контрольно-измерительному оборудованию. На смену САПР «Кулон» пришли более совершенные системы «Кулон-4» и VAX.

В соответствии с заданиями комплексно-целевых программ КНИИМП направлял свои усилия, прежде всего на наращивание емкости памяти МОП интегральных схем оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), создание нового класса энергонезависимых постоянных ЗУ на МДП-структурах – перепрограммируемых ПЗУ (РПЗУ), расширении функциональных возможностей и технических характеристик МОП БИС микропроцессоров, однокристальных микро ЭВМ, МОП БИС для программируемых калькуляторов, расширение классов операционных усилителей.

На базе НИИ, его опытного завода и Киевского полупроводникового завода в 1970 году было создано научно-производственное объединение «Кристалл», преобразованное позднее в производственное.

Объединение «Кристалл» и КНИИМП занимало лидирующие позиции в электронной промышленности СССР в создании и производстве БИС перепрогаммируемых ЗУ, БИС 8-16 разрядных микропроцессоров – аналогов фирмы Интел (США) и операционных усилителей.

Объединение «Кристалл» выпускало БИС ПЗУ емкостью 16, 64, 128 кбит и БИС РПЗУ емкостью 4, 16, 64 и 256 кбит, БИС 8- разрядного микропроцессора – функционального аналога 8080 (серии К580, 580) и БИС 16- разрядного центрального процессора и сопроцессоров - функциональных аналогов 8086, 8087, 8088, 8089 (серии К1810, 1810), БИС однокристальных ЭВМ и БИС для перепрогаммирумых калькуляторов.

Украина была крупнейшим производителем в СССР ИС операционных усилителей различных классов: прецизионные, быстродействующие и широкополосные, микромощные, высоковольтные и мощные, инструментальные, электрометрические, малошумящие, ОУ общего применения, спецстойкие ИС ОУ.

Лучшие разработки ИС операционных усилителей могли успешно конкурировать с подобными изделиями зарубежных фирм.

В 1988 году в КНИИМП были разработаны и получены экспериментальные образцы СБИС ПЗУ, перепрограммируемого ПЗУ на основе флэш - элементов емкостью 1 мегабит. В 1990 - было закончено проектирование СБИС 32-разрядного микропроцессора – функционального аналога 386 микропроцессора фирмы Интел.

Однако изготовить образцы этих СБИС и начать ОКР по разработке СБИС ПЗУ и РПЗУ емкостью 1мегабит КНИИМП уже не мог. Технологическая база НИИ и завода «Квазар» значительно отставала от новых требований. По той же причине не были доведены до освоения СБИС для 32 разрядной супермини ЭВМ «Марс-Т», которая разрабатывалась в Сибирском отделении АН СССР.

Мощными научно-производственными центрами в создании и производстве СВЧ полупроводниковых приборов и СВЧ - микросхем в Украине были НПО «Сатурн» с НИИ «Сатурн» и НИИ «Орион». Годы развития этих институтов пришлись на период становления СВЧ - электроники в Украине.

НИИ «Сатурн» был создан в 1968 году как отделение НИИ «Криоэлектроника». Разработки и производство приборов СВЧ и монолитных многофункциональных интегральных схем базировались на планарно эпитаксиальной арсенид - галлиевой технологии с использованием в приборах барьера Шоттки. В НПО разрабатывались и выпускались СВЧ - супер мало шумящие транзисторы, работающие в диапазоне частот 1-40 Ггц, 4-300Ггц умножители, миксер - детектор диоды, 8-120 Ггц фазовые манипуляторы, балансовые смесительные детекторы и др., 0,1-40 Ггц малошумящие транзисторные усилители, 0-120 Ггц усилительно-конверторные модули, датчики температуры и давления, гибридные и монолитные интегральные схемы. Полупроводниковые приборы и СВЧ изделия микроэлектроники НПО «Сатурн» могли конкурировать с аналогичными приборами любой высокотехнологичной фирмой в мире.

НИИ «Орион» (первоначальное название - Институт радиотехнических проблем АН УССР, затем с переходом в 1968 году в МЭП – НИИ радиотехнических проблем) был создан в 1961 году на базе лаборатории токов высокой частоты Института электротехники АН УССР. Работы этой лаборатории велись совместно с учеными кафедры радиопередающих устройств Киевского политехнического института. Научным руководителем нового в Украине научного направления являлся член-корреспондент АН УССР С.И. Тетельбаум. Основное направление научной деятельности института было определено как «генерирование и усиление мощных колебаний сверхвысоких частот применительно к задачам противолокационной защиты, когерентной радиолокации, космической радиосвязи и управления ракетами, использование радиометодов в народном хозяйстве».

В 1968 году Постановлением СМ СССР перед научными предприятиями отрасли была поставлена задача ликвидации отставания отечественного уровня твердотельной СВЧ - электроники. Наряду с вакуумной электроникой в короткий срок создание полупроводниковых приборов СВЧ стало вторым важнейшим тематическим направлением института. Разработки, изготовление СВЧ приборов проводилось на кремнии и арсениде галлия. Были созданы первые двухпролетные лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна миллиметрового диапазона длин волн с КПД 11-15 %.

Затем - первые отечественные твердотельные генераторы 8-миллметрового диапазона и твердотельные управляющие устройства. Последние уже работали на космических станциях «Марс-4», «Марс-7». Для «Марс-5», «Марс-6», полупроводниковой приемо-передающей аппаратуры опытной волноводной линии связи Москва-Зеленоград коллективом НИИ было разработано 17 твердотельных СВЧ - приборов. Разработка этой аппаратуры явилось началом создания в институте многофункциональных (комплексированных) модулей на основе микроволновых элементов собственной разработки.

В 1971 году институт с опытным заводом вошел в состав ПО «Октава». В НИИ постоянно совершенствовалась полупроводниковая технология, что позволяло производить в необходимых количествах кремниевые ЛПД и лавинно умножительные диоды непрерывного и импульсного режима, арсенид - галлиевые диоды Ганна, pin – диоды, варикапы, смесительные диоды. Был выполнен большой объем разработок по созданию генераторов на диодах Ганна с электрической и магнитной перестройкой частоты. Благодаря постоянной модернизации технологической базы эффективное развитие твердотельных приборов было обеспечено во всем диапазоне частот вплоть до 300 Ггц. Поставленные Правительством перед институтом задачи в части ликвидации отставания СССР в области полупроводниковой СВЧ – электроники были успешно решены. Начав освоение СВЧ твердотельного направления с нулевой отметки НИИ «Орион»

своими работами достиг в этой области высших мировых достижений. Благодаря разработкам НИИ «Орион» в Украине к 1991 году сконцентрировался значительный научно-технический потенциал СССР в области микроволновой технологии, и в частности, миллиметрового диапазона длин волн. Институт своими разработками в области СВЧ – электроники внес значительный вклад в развитие военной техники всех родов войск СССР. Зенитно-ракетные комплексы С-300, противотанковые комплексы «Тунгуска», всепогодные обзорно - прицельные РЛС, системы самонаведения и управления, радиотехническое вооружение самолетов МИГ-29 и др., системы защиты различных объектов, системы противодействия и помехозащищенные многоканальные системы связи оснащались приборами, разработанными в НИИ «Орион».

После распада СССР в Украине осталось 32,5% научного потенциала бывшего Министерства электронной промышленности по твердотельным СВЧ – приборам и устройствам].

В начале 90-х годов институт в связи с потерей заказов и сокращением объемов финансирования НИОКР переживал трудные времена. Но институт выстоял. Сегодня разработки НИИ «Орион» востребованы как за рубежом, так и в Украине. В области СВЧ электроники приоритет Украины не утрачен.

В 1991 году заводы микроэлектроники Украины выпустили и реализовали 316,4 млн. интегральных схем на сумму около 500 млн. рублей или почти четверть их производства в СССР.

Быстрому становлению микроэлектронной промышленности содействовал высокий уровень научных исследований в области микроэлектроники в отраслевых НИИ (КНИИМП, НИИ «Сатурн», НИИ «Орион»), институтах Академии наук Украины (Институт физики полупроводников) и вузах (прежде всего Киевский государственный университете, Киевский политехнический институт, Харьковский институт радиоэлектроники, Черновицкий государственный университет), в которых сформировались авторитетные научные школы.

В 28 институтах и университетах различных городах Украины была организована подготовка кадров специалистов по микроэлектронике и электронной технике. Они полностью удовлетворяли потребности ее электронной промышленности в специалистах.

КНИИМП сотрудничал с предприятиями ГДР (БИС микропроцессоров и микрокалькуляторы), Болгарии (БИС МОП ЗУ), Чехословакии (МОП БИС ЗУ).

Украина была одной из немногих в мире стран, имевших собственное производство кристаллов интегральных схем и весь цикл изготовления чистых металлов, необходимых для микроэлектроники.

По инициативе В. М. Глушкова еще в 1965 г. было задумано строительство научно-экспериментального производства микроэлектроники как (НЭП) самостоятельного учреждения Кибернетического центра, создание которого было начато по постановлениям Совета Министров Украины, принятым в июле 1969 г. А.

И. Шокин поддержал этот план и согласился снабдить НЭП микроэлектроники новейшими технологическими линиями. Однако этот проект в дальнейшем не получил своего развития.

С целью создания производств изделий микроэлектроники на уровне высших мировых достижений в соответствии с Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР об ускоренном развитии электронной промышленности в 1988-2000 гг., принятом в 1986 г., в Украине предусматривалось строительство и модернизация предприятий (в Киеве, Ивано-Франковске, Запорожье, Черновцах, Херсоне, Борисполе). К 1991 году в концерне «Родон» задание было выполнено на 65 %.

Таким образом, к моменту обретения суверенитета украинская микроэлектроника находилась в стадии глубоких качественных технических и технологических преобразований.

В 1988 году в Украине было создано научно-производственное объединение «Микропроцессор». В него вошли Киевский НИИ микроприборов (головное предприятие), завод «Квазар» с заводами-филиалами, концерн «Родон» (г. Ивано Франковск), ПО «Гамма» (г. Запорожье), ПО «Гравитон» (г. Черновцы) и завод «Прометей» (г. Борисполь).

Создание столь мощного научно-производственного комплекса открывало новые возможности для развития микроэлектроники в Украине. С одной стороны возрастала роль Киевского НИИ микроприборов в прогнозировании будущего развития микроэлектроники в Украине и планировании научно-технического развития его основных направлений. С другой стороны – производственные мощности концерна «Родон», ПО «Гамма» и ПО «Гравитон» расширяли возможности для выпуска новых изделий. Со строительством завода «Прометей»

открывалась перспектива для выпуска персональных компьютеров на основе современной элементной базы и развития машиностроения в объединении.

Но для перехода на новый уровень технологии средств ни у МЭП, ни в Украине уже не было. Приведем для понимания сложности проблемы перехода на новый технологический уровень данные о затратах фирмы Интел на НИОКР фирмы 32 разрядного микропроцессора 80386: цикл разработки – 5 лет, затраты на разработку – 150 млн. долл. США.

Технологический уровень научной и производственной базы микроэлектроника Украины остался на уровне конца 70-х – начала 80 – х годов. Это привело к тому, что разработки и продукция микроэлектроники в Украине стали значительно отставать от мирового уровня.

После распада СССР в Украине остался значительный научно-технический и промышленный потенциал, способный на 80-90% обеспечить потребности отечественного приборостроения в электронных компонентах из них 10-20% могли быть отнесены к изделиям высшего технического уровня.

Закат микроэлектроники в Украине начался, когда произошел обвал всех рынков сбыта. Рынками сбыта электронных компонентов были Россия (70%), другие республики бывшего СССР (5%), страны СЭВ (5%). Около 20% продукции потребляли предприятия Украины.

Определенную роль в разрушении электронной промышленности сыграло и то, что Верховная рада и Кабинет министров решили слишком стремительно двигаться к рынку. Непродуманной была приватизация и реструктуризация стратегически важных государственных предприятий. Этот процесс проходил без ответственного отношения к будущему развитию высокотехнологических отраслей промышленности, которые наиболее сильно пострадали во время экономического кризиса.

«Заезжие «эксперты» с удовольствием наблюдали беспрецедентный отказ собственника в лице государства от неприходящих ценностей. Помогла и «дармовая» (так называемая дешевая) приватизация: новые хозяева под сурдинку зарубежных конкурентов создали бесчисленные малые предприятия, разобщили многие единые технологические комплексы, безнаказанно растянули значительную часть достояния народа.

При отсутствии научно обоснованной стратегии структурной перестройки, основанной на долговременных национальных интересах, предприятиям стала навязываться реструктуризация чисто административного характера, фактически обрекая их на распад» (В.И.Ольшевский «Стратегия воссоздания гражданского и оборонного машиностроения (теория, практика), Национальная академия наук Украины, Совет по изучению производительных сил Украины, МИИВЦ, 2001, ISBN 966-7933-00-9).

В перестройке экономики на новые рельсы в Украине не учли опыта Китая, Южной Кореи, Японии, Малайзии, Тайваня, Сингапура, Франции, Германии и, наконец, такой же постсоветской республики Беларуси. Кроме Франции, Германии ни одна из этих стран не имели ни такого научно-промышленного потенциала в электронной промышленности, ни достижений в фундаментальных науках, ни системы подготовки кадров, которые были в нашей стране.

Спад производства средств микроэлектроники за период с 1992 по 1997 гг.

составил 90% по сравнению с уровнем 1991 г.

Значительно сократилось производство кремния и германия. С 90-х гг. за десятилетие в Украине объемы производства монокристаллического кремния уменьшились в 5,5 раза, а поликристаллический кремний перестал выпускаться вообще. Основные потребители кремния - Светловодский завод чистых металлов и завод «Квазар» перешли на переработку сырья из Германии, Швейцарии, Италии.

Кремниевое производство ЗТМК стоит, и ясных перспектив сбыта не имеет. Имея лет том назад почти 7% мирового производства полупроводникового кремния, Украина ныне снизила свои показатели более чем на порядок.

Не дала желаемого эффекта в сохранении высокого технологического потенциала в электронной промышленности и программа конверсии военно промышленного комплекса.

По объемам финансирования основных приоритетных направлений конверсии оборонного производства Украины изделия микроэлектроники занимали достойное место. Удельный вес этого направления в объеме финансирования программы составлял 9,6%, в них - 40,5%- бюджет и 59,5%-собственные средства и кредиты.

Это было на уровне приоритетов «Продукции авиационной промышленности»

(10,8%) и «Продукция судостроения» ((10,4%). Общий объем финансирования приоритетного направления «Изделия микроэлектроники» в 1993-1996 г.г. по плану должен был составить10785,5 тыс. грн. Фактически профинансировано на 74,3% от плана.

Программами конверсии предусматривалось выполнение научно исследовательских, опытно-конструкторских работ, освоение изделий гражданской продукции, их выпуск, строительство и в отдельных случаях реконструкция. Из Государственного фонда содействия конверсии осуществлялось финансирование социальной защиты населения.

Всего за 1991-1995 г.г. на конверсию оборонного машиностроения было израсходовано в долларовом эквиваленте 420 млн. долл., при этом почти половина из них расходовалась в 1992 г.

На 1999 г. Государственным бюджетом на финансирование мероприятий по конверсии оборонной промышленности и создание в связи с этих новых видов гражданской продукции предусматривалось 35,0 млн. грн. Однако уже в марте эти затраты постановлением Кабинета Министров были сокращены в 1,5 раза. На выполнение НИОКР для обеспечения конверсии выделялось средств в 6-10 раз меньше чем необходимо было для полноценного выполнения работ.

«На начальном этапе конверсионного перепрофилирования и диверсификации с трудом удалось придать конверсии более или менее программно-целевой характер.

С 1994 года регуляторная функция государства в проведении конверсии была значительно утеряна. Неудачные шаги в финансово-кредитной сфере обрекли некогда могучие машиностроительные комплексы на угасание. А начавшаяся реструктуризация под прикрытием структурной перестройки экономики, спорадические процессы перепрофилирования вконец расстроили их. Слепая борьба с монополизмом разрушила уникальные производства, которые могли быть честью для любого государства». (В.И.Ольшевский «Стратегия воссоздания гражданского и оборонного машиностроения (теория, практика), Национальная академия наук Украины, Совет по изучению производительных сил Украины, МИИВЦ, 2001, ISBN 966-7933-00-9).

В 1998 году Верховным Советом Украины был принят закон о «Концепции Национальной программы информатизации».

В Концепции состояние электронной промышленности Украины оценивалось так:

«Общий кризис и технологическое отставание поставили в затруднительное положение области, которые занимаются созданием и использованием средств информатизации и соответствующей элементной базы.

Украина из производителя современных машин превратилась в потребителя устаревших иностранных моделей средств вычислительной техники. Парк вычислительных машин по состоянию на 01.01.97, по данным Министерства статистики Украины, составлял 264 тысячи единиц сравнительно с 180 тысячами в 1995 году, но почти половина его - устаревшие модели персональных электронно вычислительных машин (ПЕОМ) типа IBM PC XT 286 и им подобные, 21 процент PC XT 386, 26 процентов - PC XT 486. С 1996 года в общем парке машин появляются новые типы ЭВМ. Так, с 32,2 тысячи новых ПЕОМ 50 процентов составляют PC XT 486 и 30 процентов - современные ПЕОМ типа "Pentium".

Приведем оценку ситуации в электронной промышленности Украины в году первым заместителем министра промышленной политики В.Г.Падалка:

«За истекшие восемь лет в электронной промышленности Украины произошли существенные негативные изменения. Вследствие обвальной конверсии и открытия границ Украины для зарубежных товаров аналогичного назначения производство электронных компонентов и изделий электронного приборостроения в Украине стало сворачиваться. Почти полностью остановилось производство телевизоров, радиоприемников, магнитофонов, телефонных аппаратов и другой техники бытового назначения. Конкурировать с иностранными фирмами в условиях гиперинфляции, потери оборотных средств, высоких процентов по кредитам и тяжелого налогового пресса предприятиям Украины стало невозможно.

Объём выпуска электронных компонентов в 1998 году по сравнению с годом составил: интегральных схем - 0,57%, полупроводниковых приборов - 4,16%, резисторов - 0,92%, конденсаторов - 0,63%, соединителей - 1,22%,, трансформаторов для РЭА-0,4%, изделия из ферритов - 20,3% и т.п. Полностью остановлено производство технологического оборудования для электронной промышленности… Подострасли электронного приборостроения и производства электронных компонентов понесли также большие кадровые потери. Общие потери численности за последние 7 лет составили около 500 000 человек. Уровень заработной платы в этих отраслях сегодня значительно ниже среднего в промышленности.

Следует отметить, что основные фонды предприятий не обновлялись почти лет, морально устарели и зачастую находятся в нерабочем состоянии. В лучшем случае значительная их часть законсервирована». (Состояние, проблемы и перспективы возрождения электроники в Украине. Технология приборостроения в электронной аппаратуре,1999, №2-3).

В Концепции утверждалось, что « в развитии национальной инфраструктуры особое место принадлежит производству элементной базы, собственных конкурентоспособных средств вычислительной техники и информатики, которые аккумулировали бы в себе достижения отечественной и мировой науки и ориентировались на реализацию перспективных информационных технологий».

Однако за десять лет со времени принятия Концепции правительcтво Украины не сделало никаких реальных шагов для создания отечественной элементной базы для развития в Украине ИКТ.

С целью возрождения электроники в Украине Министерством промышленной политики был разработан и передан на рассмотрение Кабинета Министров и Верховной рады проект Национальной программы развития электронной промышленности Украины на 1999-2005 годы.

Об этой программе в 1999 году первый заместитель министра промышленной политики В.Г.Падалка писал так:

«Программа опирается на ещё сохраняющийся потенциал, который при поддержке государства и создании благоприятных экономических условий мог бы обеспечить реализацию программы.


В проекте Национальной программы развития Украины предлагается определить в ближайшие годы два уровня приоритетов возрождения электроники государственный и отраслевой.

Государственные приоритеты предусматривают развитие наиболее наукоемких технологий создания элементной базы, измерительной техники, конкурентоспособных технологий электронного приборостроения.

На базе приоритетов государственного уровня необходимо сосредоточить усилия на развитие следующих отраслевых приоритетных направлений:

информационная техника, телекоммуникационные системы, экологическое и медицинское приборостроение, силовая и преобразовательная техника, автоматизация (электронизация) промышленного комплекса, автоматизация (электронизация) агропромышленного комплекса, автоматизация (электронизация) подвижных объектов, в т.ч. авиакосмическое приборостроение, бытовая радиоэлектронная аппаратура, оптикоэлектронное приборостроение, повышение качества и надежности продукции радиоэлектроники».

Программой предусматривалось принятие ряда законодательных актов, направленных на улучшение экономических условий и стимулирования деятельности предприятий электронной промышленности.

Программа не была принята.

Новые попытки НИИ, предприятий и Министерства промышленной политики по изменению ситуации с учетом реальных возможностей государства, а также все ухудшающемся экономическим положением предприятий и неуклонным разрушением их основных фондов, не находили поддержки в Верховном Совете.

Так, решение Верховного Совета о принятии закона «О принципах возрождения и развития электронной промышленности Украины» в мае 2001 года было им отменено с учетом предложений Президента, не подписавшего закон.

Кабинету Министров было предложено разработать и представить проект закона «О государственной поддержке электронной промышленности в Украине». Позже при подготовке материалов в 2002 году ко дню Правительства отмечалось, что ситуация, которая сложилась в электронной промышленности Украины, крайне обострилась.

Особенно сильные потери понесла микроэлектроника. Практически прекратилось финансирование НИОКР по этому направлению. Проект закона «О государственной поддержке электронной промышленности в Украине» Кабинетом Министров был представлен только в конце 2005 года. Законопроект был отклонен в первом чтении.

Инновационно-инвестиционная деятельность в сфере микроэлектроники является высокозатратной. Своих средств финансирования долговременных проектов, утверждают, в Украине нет. Нет доверия к Украине и у иностранных инвесторов, говорят они. Украинскому же бизнесу нужны «быстрые» деньги. Вот и стали основной промышленной продукцией нашей страны черные металлы и химические удобрения. Да некоторые проекты строительства, в том числе, в подготовке к чемпионату Европы по футболу 2012. Для имиджа Украины? Нет.

Имидж Украины будет определяться рейтингом ее научно-промышленного развития.

По уровню высокотехнологического экспорта Украина Всемирным банком была отнесена к странам с показателем «очень низкий». Вместе с нами - Индия, Литва, Словения, Беларусь, Латвия, Болгария, Польша, Румыния, Словакия, Турция.

С технологическим уровнем нашего ВПК мы могли достичь большего.

Верховный Совет и Правительство Украины не смогли создать условия для привлечения потенциальных инвесторов, подобные тем которые были в Китае, Республике Корее, на Тайване, в Сингапуре. Повторим еще раз: ни одна из этих стран не имела такой развитой научно-производственной инфраструктуры в микроэлектронике как Украина. И, тем не менее, благодаря целенаправленной и последовательной политике правительств в сочетании государственного регулирования и рыночных условий эти страны сегодня в числе мировых лидеров в электронной промышленности.

В программах, которые принимались, предлагались вполне реальные меры по защите отечественного производителя в электронной промышленности и её возрождению. Но в парламенте наиболее успешно лоббировались интересы металлургической промышленности.

В микроэлектронике Украина остановилась на рубеже промышленной технологии уровня 1,5-2 мкм. Мировые лидеры обладают технологиями уровня ниже 0,18 мкм, переходят на 0,13–0,11 мкм. Ведущие производители – на технологии уровня 65 нм.

В настоящее время экспериментальные образцы сложных СБИС, разрабатываемые НИИ микроприборов, изготавливаются в Германии на заводе в г.

Эрфурте, в Белоруссии в НПО «Интеграл», в России в г. Зеленограде. Сохранилось еще производство кристаллов ИС операционных усилителей в ОАО ««Квазар» и изделий СВЧ - микроэлектроники в НПО «Сатурн».

Не потерял своих позиций НИИ «Орион».

На основе опыта прежних лет, накопленного в КНИИМП, еще ведутся разработки некоторых ИС. Так, созданное ведущими специалистами-разработчиками КНИИМП ООО "Научно-производственное объединение "Кристалл" разрабатывает и поставляет интегральные микросхемы операционных усилителей, для автомобильной электроники, телевидения, измерительной техники, связи и телефонии, источники опорного напряжения, сенсоры и датчики Холла, ИМС управления ЖКИ и таймеры, а также аналоговые микросхемы, стойкие к воздействию специальных факторов. Производитель ИС ДП "Квазар-ИС", дочернее предприятие завода «Квазар» успешно прошел аттестацию "Органа по аттестации производств и квалификации электрорадиоизделий военного назначения" (НТЦ ССЭТ "ЭЛСИ") и получил свидетельство об аттестации, зарегистрированное в Реестре 22 ЦНИИИ МО РФ.

В Украине имеется техническая и научная база для развития гелиоэнергетики, существуют крупные предприятия, занимающиеся производством полупроводникового кремния, а так же предприятия, способные за короткий срок наладить выпуск солнечных элементов и батарей. Энергично работает в этой области ОАО « Завод «Квазар», уже начавший экспорт солнечных батарей в южные страны.

В Украине, несмотря на отсутствие инвестиций в создание современной технологической базы, уже зарождается будущая микроэлектроника.

В её становлении и развитии важную роль могут сыграть технологические парки: «Институт монокристаллов», «Полупроводниковые технологии и материалы, оптоэлектроника и сенсорная техника», «Институт полупроводников», Научно производственный концерн «Наука».

В состав технологического парка «Институт монокристаллов» входят научные центры, которые являются лидерами в разработках новых функциональных материалов и приборов на их основе не только в Украине, но и в мире. Кроме НТК «Институт монокристаллов НАНУ», в его составе - Институт сверхтвердых материалов им. Бакуля, НИИ радиотехнических измерений, ННЦ Харьковский физико-технический институт, Харьковский ГТУ радиоэлектроник, НИИ микроприборов.

Технопарк «Полупроводниковые технологии и материалы, оптоэлектроника и сенсорная техника» создан на базе Института физики полупроводников НАН Украины.

Научно-производственный концерн “Наука” в настоящее время объединяет две киевские организации (ГосНИЦ “Фонон” и НПО “Сатурн”), два харьковских академических института (Радиоастрономический институт и НТК Институт монокристаллов, НПО “Карат” из Львова, а также Светловодский завод чистых металлов.

Государственная поддержка развитию полупроводниковой электроники в Украине оказывалась в рамках научно-технических программ, разработанных в период с 1999 по 2007 г.г. Так, в ГНТП "Развитие конкурентоспособных направлений микроэлектроники в Украине" представлено 75 научно исследовательских и опытно-конструкторских работ по таким направлениям: новые материалы, функциональная микроэлектроника, энергетическая микроэлектроника, сенсорная электроника, технологическое оборудование для микроэлектроники, интегральные схемы и полупроводниковые устройства и др. В 2006 г. программа была пересмотрена, дополнена новыми работами, а часть работ микроэлектронной тематики была передана в другую ГНТП - "Развитие высоких наукоемких технологий". Отметим также ГНТП "Развитие техники и технологий СВЧ на 2005 2009 годы в Украине" и программу "Развитие микро- и оптоэлектронных технологий в Украине на 2005-2007 годы". Основной задачей последней программы являлась реализация нескольких "прорывных" технологий, по которым Украина имеет наиболее серьезный задел на уровне лучших мировых достижений, и которые могут дать быструю отдачу в виде конечных наукоемких изделий высокого уровня, пользующихся спросом на рынке. Существенная часть этой программы не была выполнена из-за значительного недофинансирования.

В последние годы работы в области микроэлектроники выполнялись по программе «Разработка и освоение микроэлектронных технологий, организация серийного выпуска приборов и систем на их основе на 2008-2011 годы». В рамках программы предусматривалось проведение работ по направлениям: создание микроэлектронных приборов для охраны здоровья человека, мониторинга (в частности ядерного) внешней среды, предупреждения терроризма;

создание приборов инфракрасной микроэлектроники, развитие и реализация конкурентных направлений СВЧ электроники миллиметрового диапазона волн, создание принципиально новых материалов (в том числе наноматериалов) и компонентов для микроэлектроники, развитие средств отображения информации и сенсорных приборов, создание производства общего пользования фотошаблонов и участков с проекционной фотолитографии и изготовления эпитаксиальных структур». К выполнению программы были привлечены предприятия, имевший существенный задел по указанным направлениям Важнейшее значение имеет и сформированная межведомственная научно техническая программа "Нанофизика и наноэлектроника", которая одобрена КМ Украины в 2001 году. Она включает достаточно широкий перечень финансируемых проектов из госбюджета по таким направлениям, как физика, технология и диагностика наноструктур, наноэлектроника и нанофизика По мнению авторов программы, в настоящее время в Украине имеются реальные условия для реализации этих планов. В этом отношении они сравнивают нынешнюю Украину с послевоенной Японией, которая, взяв в свое время курс на развитие новых наукоемких технологий, сравнительно быстро вышла на выпуск конкурентоспособной продукции. Причем, стартовые условия на Украине несравненно более предпочтительны. Оптимистичные надежды на то, что через 5 10 лет Украина сможет обеспечить свои внутренние потребности в электронных материалах, элементах и устройствах на 80 - 90 % основываются на том, что Украина имеет:


высокий уровень фундаментальных исследований по проблемам • наноэлектроники, богатую сырьевую базу, • налаженное производство современных материалов (в частности, • Украина - это крупнейший в мире производитель новых материалов типа арсенида галлия и магнитных материалов для функциональных устройств), более ста предприятий радиоэлектронной промышленности, способных • освоить выпуск современной элементной базы и сложных устройств, высококвалифицированную рабочую силу.

• В реализации новой программы примут участие 12 базовых организаций, в том числе, академические и прикладные институты, а также производственные предприятия. Управление всей программой осуществляет Научно-производственный концерн «Наука». Возглавлять Программу будут С.Ю.Ларкин (генеральный директор НПК В.Г.Литовченко отделения ”Наука”), (руководитель микроэлектроники Института полупроводников НАНУ), В.И.Осинский (директор Центра оптоэлектронных технологий НИИ микроприборов) и Ю.И.Якименко (первый проректор КПИ).

По инициативе лауреата Нобелевской премии за работы в области физики полупроводников Ж. И. Алфёрова - вице-президента Российской академии наук, директора Санкт-Петербургского научного центра совместно с академиком НАН Украины Н.Г.Находкиным организована Российско-Украинская программа «Нанофизика и наноэлектроника». Украинская сторона одобрительно встретила предложение Ж.И. Алферова, чтобы украинские предприятия электронной отрасли вошли в глубокую кооперацию с российскими, восстановили старые, весьма плодотворные связи.

Совместная украинско-российская научно-техническая программа «Нанофизика и наноэлектроника» утверждена президентом Национальной академии наук Украины Б. Патоном. Таким образом, открывается реальная возможность нашего возвращения к высоким технологиям и сотрудничества с Россией.

На следующий период Национальной академией наук Украины разработана концепция Государственной целевой программы «Развитие микроэлектроники в Украине на 2010-2014 годы». Программа ставит своей целью создание организационных и правовых условий возрождения отечественной микроэлектронной промышленности для обеспечения интенсификации экономического развития Украины и национальной безопасности, обороноспособности и её суверенитета путем ускоренного приоритетного развития микроэлектроники и применения её достижений во всех сферах производства, науки, просвещения и общества в целом. Среди первоочередных мер технологического обеспечения - модернизация существующей технологической базы с целью доведения её до уровня 0,5-0,3 мкм и закупка технологического мини-модуля уровня не ниже 0,25 мкм, ориентированных на использование КМОП И БиКМОП технологий и технологий гетероструктур А3В5 и А2В6. Основные работы направления работ: микроэлектроника и гетероэлектроника. Ожидаемые результаты выполнения программы:

- производство отечественных электронных паспортов, меток для товаров и грузов, мобильной связи, БИС защиты компьютеров от SIM-карт несанкционированного доступа к информации и гетероструктур твердотельных источников света приведет к укреплению информационной и энергетической безопасности Украины;

-разработка и изготовления микроэлектронных приборов, в т.ч. радиационно и температуростойких, даст возможность украинским приборостроителям изготавливать спецаппаратуру для АЭС, систем космической связи и военного назначения.

Сегодня, очевидно, что прежней микроэлектроники в Украине уже не будет.

Технологическое отставание, начавшееся еще в бывшем СССР, стало необратимым в 90-е годы. Практически все, что было создано старшим поколением ученых и специалистов в 70-80 годы стало невостребованным после обретения Украиной государственной самостоятельности и разрушения научно-технических и промышленных связей в области высоких технологий с Россией.

В последние годы в Украине формируются новые направления в микроэлектронике в рамках государственных научно-технических программ.

Появилась перспектива возрождения научно-технического сотрудничества в области нанотехнологий с Россией.

Однако технологическое отставание в развитии высоких технологий в Украине не может быть ликвидировано без решительных действий правительства в создании благоприятного инновационно - инвестиционного климата в стране и реальной эффективной господдержки приоритетных новых направлений в микроэлектронике. Если таких действий со стороны государства не будет в ближайшее время, то дальнейшее разрушение электронной промышленности может привести к экономической зависимости наукоёмких отраслей Украины и её безопасности от других государств и иностранных фирм.

Часть вторая Становление и развитие научно-исследовательской и проектно-конструкторской базы Киевского НИИ микроприборов «Основа дома - фундамент. Именно его устройству следует уделить особое внимание. Неправильно устроенный фундамент может привести к неравномерной осадке и разрушению дома».

Совет строителя «Кабы знать, кладя фундамент, чьё на башне будет знамя…»

Станислав Ежи Лец 1. От КБ-3 до научно-производственного объединения «Кристалл»

Петин Ю.А., Сидоренко В.П.

Подольский плацдарм Датой рождения Киевского научно-исследовательского института микроприборов (КНИИМП) принято считать 1962 год. Тогда, после ознакомления с работами киевских институтов по созданию электронной аппаратуры недавно назначенный руководитель нового Государственного комитета электронной техники СССР А.И.Шокин принял решение о создании в Киеве конструкторского бюро (КБ 3) или Киевское конструкторское бюро.

КБ-3 должно было специализироваться на микроминиатюризации радиолокационной аппаратуры, и подчиняться второму Главному управлению МЭП.

Свои научно-тематические планы должно было согласовывать с Научным центром в г. Зеленограде.

По предложению директора КНИИРЭ И.В.Кудрявцева руководителем КБ был назначен Станислав Алексеевич Моралёв, который возглавлял группу молодых инженеров по разработке предложений о развитии микроэлектроники по направлению работ этого НИИ. Первое время сотрудники КБ работали на территории КНИИРЭ.

В КБ вместе с С.А.Моралевым перешли В.Д.Борисенко, В.И.Кибальчич, Г.П.Апреленко и другие. В.Д.Борисенко стал главным инженером КБ, а его заместителем В.И.Кибальчич.

Годы становления и развития микроэлектроники в Украине тесно связаны с именами Станислава Алексеевича Моралева, Виктора Дмитриевича Борисенко и Вадима Ивановича Кибальчича.

Под руководством С.А.Моралева к середине 70-х годов маленькое КБ на киевском Подоле выросло в мощный научный центр не только в Украине, но и в СССР - Киевский НИИ микроприборов. После создания в 1970 г. НПО «Кристалл»

КНИИМП стал наряду с НИИ «Орион» научно-организационным центром развития промышленной микроэлектроники в Украине.

Личные взаимоотношении директора КБ - директора НИИ, а с созданием научно-производственного объединения «Кристалл» - генерального директора НПО, С.А.Моралева с руководителями предприятий создавали хорошие условия для успешного развития научно-производственных отношений института с харьковским «Хартроном», ленинградским ГСКТБ, минским КБТЭМ и другими предприятиями заказчиками интегральных схем, разработчиками и изготовителями нового оборудования, нужного для оснащения НИИ и завода «Квазар».

Благодаря организаторским способностям С.А.Моралева и его умению убеждать руководителей и в МЭП, и в Украине, и в ее столице, находили нужное решение вопросы землеотвода для строительства корпусов и энергообеспечения НПО, жилых домов для сотрудников, предоставления квартир приглашенным специалистам, транспортного сообщения «хутора» Нивки с центром города и многие другие вопросы промышленного развития микроэлектроники в Объединении.

Добавим к этому и те проблемы управления, которые стояли перед каждым руководителем научно-производственных и производственно-технических объединений: ликвидировать разрыв между планированием производства и планированием науки, обеспечить эффективное сочетание высокого технического уровня разработок, быстрого освоения их в производстве и высоких планово экономических показателей производства новых изделий.

В МЭП были убеждены, что новая форма организации электронной промышленности - крупное научно-производственное объединение способно нести ответственность за целое техническое направление, здесь легче решаются проблемы специализации, есть возможность сосредоточить объединенные ресурсы и средства там, где это дает наибольшую эффективность. Именно под руководством генерального директора С.А.Моралева НПО «Кристалл» стало одним из лидеров в советской микроэлектронике в середине 70-х годов.

В своей научной деятельности С.А.Моралев руководил работами по созданию научно- технической базы для системы автоматизированного проектирования интегральных схем (САПР). В 1970 р. С.А. Моралев успешно защитил кандидатскую диссертацию «Моделирование и статистический анализ МОП-ИС с применением ЭВМ» по специальности «микроэлектроника».

В силу сложившихся сложных отношений с руководством завода и парткомом Объединения и недопонимания партийными руководителями в области и ЦК Компартии Украины приоритета науки в развитии новой отрасли промышленности, С.А.Моралев в 1974 году перешел в НИИ «Квант». 12 лет своей жизни, отданные КНИИМП и НПО «Кристалл» С.А.Моралевым, оставили памятный след в отечественной микроэлектронике. Годы, когда Станислав Алексеевич руководил КБ, институтом, НПО всегда с теплотой вспоминались ветеранами института. 1962- годы были, возможно, самыми динамичными и успешными в утверждении институтом своих позиций в отрасли.

В 1963 г. КБ начало осваивать выделенную ему территорию по улице Глубочицкой на Подоле, где раньше размещалась мебельная фабрика. Это был район у северо-восточного подножья нагорного Киева – Старого города. Здесь когда-то протекал ручей Глубочица, ставший потом «канавой» и замощенный для проезда.

В этом районе Киева не было крупных промышленных предприятий. По улице Глубочицкой проходила трамвайная линия, соединявшая Контрактовую площадь (тогда Красную) с площадью Победы и вокзалом. Если вы ехали на работу трамваем, вам нужно было выйти на остановке «Кудрявский спуск». По нему можно было подняться в Старый город, к Львовской площади, Покровскому женскому монастырю. Тыльной стороной двор КБ-3 упирался в крутую гору, за которой начинались дома частного сектора, тянувшегося к Лукъяновке, Куреневке. По бокам КБ-3 было зажато какими-то одноэтажными строениями. Для будущего развития КБ здесь территории не было.

Теперь эта улица становится совсем иной - типичной современной торгово сервисной. Многие старые здания снесены. Корпусов бывшего КБ-3 уже нет.

Улица Глубочицкая 2012 Здесь были корпуса КБ- "Постоянную поддержку и помощь в организации строительства зданий для КБ-3, а затем института, подборе кадров, внедрения наших разработок на заводах Украины мы получали от Центрального комитета Компартии Украины, областного и городского комитетов КПУ, - вспоминает С.А. Моралев, - При областном и городском комитетах партии были созданы комиссии по содействию в применении ИС на заводах Киева. Было поддержано наше предложение по разработке и организации производства приемника "Меридиан" на ИС в ПО им. С.П. Королева.

По предложению заведующего оборонным отделом ЦК КПУ Я.К.Руденко мы разработали специальные радиационноустойчивые ИС для запоминающего устройства бортовой ЭВМ, проектируемой Харьковским научно производственным объединением "Хартрон" (генеральный конструктор В.Г.Сергеев), и помогли харьковчанам организовать их производство». (Б.Н.Малиновский "Очерки по истории вычислительной техники в Украине" ("Феникс", 1998). ISBN 5-87534-218-8) В первые годы в КБ-3 было три научно-тематических отдела: отдел разработки схемотехники интегральных схем и аппаратуры (начальник В.И.Кибальчич, позже он стал заместителем главного инженера КБ и НИИ), технологический отдел (начальник отдела А.М.Корнев, позже он стал главным инженером опытного завода НИИ, некоторое время работал ученым секретарем института), конструкторский отдел (начальник отдел В.Т.Бондарь) и физико-технологический отдел (начальник отдела кандидат физико-математических наук В.П.Захаров).

Технологический отдел вел работы по разработке процессов напыления тонких пленок, сборки и герметизации гибридных интегральных схем.

Конструкторский проводил работы по разработке подколпачных устройств для напыления пассивных элементов микросхем и другой оснастки;

топологии масок для ГИС, корпуса для первой серии ГИС, конструированию спецаппаратуры.

Первыми разработками интегральных схем были гибридные (ГИС). Их пассивная часть (межэлементные соединения, конденсаторы, резисторы) выполнялись напылением пленок на диэлектрические пластины (подложку) в вакууме через маски. Маски определяли послойно геометрию будущей ГИС.

Полупроводниковые диоды и триоды впаивались в нужные точки готовой пассивной части ГИС В физико-технологическом отделе проводились исследования в области перспективных технологий и микроэлектронных приборов: разработка технологии электронно-лучевого напыления тантала и создание для этих целей мощных электронных пушек (В.П.Белевский), полевых транзисторов на основе тонких пленок СdS, CdSe (В.В.Заика), тонкопленочных экранов отображения информации (А.А.Вдовенков). Исследовались процессы кристаллизации тонких пленок под воздействием лазерного излучения (В.П.Захаров) и возможности использования эффекта Ганна для генераторов СВЧ - излучений (Ю.А.Цвирко). Как видно, все они были ориентированы на применение тонкопленочных технологий.

В становлении и развитии научно-технической направленности работ КБ большую роль сыграло понимание главным инженером Виктором Дмитриевичем Борисенко того, что для будущего развития КБ нужно искать в применении новых материалов и технологий.

Он энергично поддерживал исследования, проводимые в физико технологическом отделе. В 1964 году В.Д.Борисенко дал «добро» на начало работ по разработке МОП - транзистора и технологии возможного применения его в интегральных схемах вместо пленочных полевых транзисторов на основе тонких пленок СdS, CdSe. Это создало предпосылки к постепенному переходу от тонкопленочных гибридных интегральных схем к планарной технологии кремниевых интегральным схем. Такую же роль он сыграл и в развитии в Украине твердотельной СВЧ - микроэлектроники на основе исследований проводимых под руководством к.ф.м.н. Ю.А.Цвирко.

Отклоняясь несколько от хронологической последовательности событий, вспомним, что первые технические задания на НИР «Когерер» (использование эффекта Ганна для генераторов СВЧ-излучений), «Ключ» (разработка технологии электронно-лучевого напыления тантала и создание для этих целей мощных электронных пушек) и «Канал» (МОП-транзистор и применение его в аналоговых интегральных схемах), а также НИР «Калейдоскоп» (тонкопленочный экран), представлял на утверждение директору Научного центра в Зеленограде Ф.В.Лукину В.Д.Борисенко вместе с начальником физико-технологического отдела В.П.Захаровым и научными руководителями этих работ Ю.А.Цвирко, В.П.Белевским, Ю.А.Петиным, А.А.Вдовенковым. Результаты работ по НИР «Когерер», «Ключ», «Канал» повлияли на будущее развитие микроэлектроники в КНИИМП и НИИ «Орион». При его активном участии был подготовлен и приказ Министра о разработке и применении интегральных схем со структурой металл – окисел - полупроводник на предприятиях МЭП, в котором и было утверждено новое направление работ в КНИИМП.

В.Д.Борисенко проработал в КНИИМП недолго. В 1968 году он был назначен директором НИИ «Орион». Вместе с ним перешла и группа специалистов КНИИМП (Ю.А.Цвирко, В.Н.Иванов, С.Н.Гуменный, П.Ратнер и др.), которые вели работы по созданию СВЧ - приборов на основе эффекта Ганна.

В.Д. Борисенко и в НИИ «Орион» был энтузиастом создания полупроводниковых СВЧ - приборов. Так же как и в КНИИМП, результаты первых работ по твердотельной тематике, в свое время поддержанных В.Д.Борисенко, в НИИ «Орион» открыли путь к успехам в области твердотельной СВЧ - электроники.

Это направление наряду с вакуумной электроникой стало вторым важнейшим направлением работ института. Здесь в научно-исследовательском отделении, которым руководил Ю.А Цвирко, были разработаны модули СВЧ аппаратуры, которые были поставлены на вооружение истребителей МИГ. Более современная такая же аппаратура была создана под руководством к.т.н. С.Н.Гуменного и была установлена на истребителях СУ. В разработку арсенид - галлиевой технологии в НИИ «Орион большой вклад внес В.Н.Иванов. Начатое в КНИИМП нашло свое продолжение в НИИ «Орион».

Коллектив КБ-3 был молод и работал с большим энтузиазмом, слаженно и дружно.

К первому приезду министра А.И.Шокина осенью 1963 года были продемонстрированы действующие образцы ГИС, доложены предложения по перспективе их применения в конкретных аппаратурных разработках, решены вопросы дальнейшего развития предприятия. Министр одобрил разработки и тематику КБ, похвалил за оперативность в подготовке помещений и оборудования и выделил КБ фонды на строительство жилья, дополнительные лимиты по труду и фонды на оборудование и транспорт.

Производство первых ГИС было начато на опытном заводе НИИ по технологии, разработанной в отделе А.М.Корнева.

Опытное производство гибридных интегральных схем. 1969 г.

Следующим шагом в развитии технологии гибридных интегральных схем была технология создания пассивной их части на основе тонких пленок тантала.

Применение тантала позволяло создавать в интегральной схеме все ее пассивные элементы: резисторы и конденсаторы. В технологии, разработанной коллективом, которым руководил В.П.Белевский, для напыления пленок тантала были созданы принципиально новые электронно-лучевые пушки большой мощности. Такой технологией в мире в то время владели лишь три фирмы в мире. Но самостоятельно эту технологию разработали только фирма Bell Laboratories (США) и КБ-3 (СССР).

Тогда же, в 1964 году, в Научном Центре была начата большая тема «Рубеж», в которой принимали участие несколько предприятий. Задачей темы «Рубеж» было:

практически реализовать идею сквозного проектирования тонкопленочных интегральных схем. НИИТТ создавал технологию, НИИМВ — материалы (особенно сверхчистые), НИИТМ — оборудование. Соисполнителем темы в части оборудования было КБ-3. Именно при создании технологии гибридных интегральных схем (ГИС) на основе тонких пленок тантала была решена поставленная задача сквозного проектирования тонкопленочных интегральных схем.

На основе этой технологии по техническому заданию, согласованному с генеральными конструкторами бортовой аппаратуры для самолетов (ВНИИРА, Ленинград) и космической техники (НПО "Хартрон", Харьков), был разработан ряд гибридных интегральных схем (ГИС) «Пенал» серия 210, а для бытовой техники – ГИС серии «Кулон», которые были применены в радиоприемнике «Меридиан»



Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.