авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 || 10 | 11 |   ...   | 18 |

«Стратегия выбора 50 лет Киевскому НИИ Микроприборов (1962 - 2012) Киев - 2012 Стратегия выбора 50 лет Киевскому ...»

-- [ Страница 9 ] --

Научным лидером в разработке технологии МОП БИС и мудрым организатором работ в этой области был Константин Михайлович Кролевец. После преждевременного ухода из жизни ученого секретаря института А.М.Корнева К.М. Кролевец предложил мне стать ученым секретарем НИИ и быть начальником небольшой лаборатории исследований перспектив применения МДП-структур в микроэлектронике (НИЛМ). После моего перехода на новую должность отделом технологии МДП- интегральных схем руководил Ю.П.Троценко - начальник лаборатории n - канальной технологии. Эстафета была передана в надежные руки».

Под руководством Ю.П.Троценко отделом была разработана и внедрена на заводе «Квазар» промышленная технология n-канальных МОП БИС.

Работы НИИ по МОП - тематике вышли на новый уровень. Эта технология стала основной в создании и производстве новых МОП-БИС в объединении во второй половине 70-х -80 годах. А технологии, которые создавались в это время для БИС репрогаммируемых ЗУ, открывали путь для новых решений.

В последующие годы успешно работали в этом отделе Л.Абессонова, Ю.Алексеев, Л.Бебко, В.Бережной, В.Березкин, О.Бородинец, И.Боринец, Б.Васильев, Ю.Верницкий, И.Гайворонский, Л.Галька, С.Герасименко, Г.Глебец, В.Глотов, Ю.Голтвянский, В.Гудименко, Ю.Дариевич, А.Дубчак, О.Копылов, В.Костюк, Ю.Красноносов, А.Кудина, В.Лосев, Э.Мамыкин, В.Марков, А.Москалевский, В.Омельченко, С.Романенко, А.Сахно, Л.Скиданчук, В.Смирнов, В.Скрипка, В.Суздальцев, В.Тивоненко, А.Ткаченко, С.Фабриков, Н.Цеменко, Б.Чижов, М.Шваенко, В.Щеткин, С.Щеткина, В.Ярандин и многие другие, кто создавал первые промышленные МОП - технологии.

Для решения задач по созданию энергонезависимых БИС перепрограммирумых ЗУ на основе новых МДП-структур (МНОП, FAMOS, FLOTOX, Flash), микропроцессорных БИС и разработки технологических маршрутов их промышленного выпуска в отделе были созданы новые лаборатории.

Более мощным становился отдел схемотехники МОП – ИС (БИС). Об этом отделе – в «Записках главного конструктора».

Для проведения работ по разработке микропроцессорных БИС на основе КМОП - технологии на базе лаборатории В.И.Золотаревского отдела №280 был создан новый отдел № 450.

Успешно работали в отделе физико-технических основ МДП-структур лаборатории О.С.Фролова (физико-технические исследования МДП-структур) и Ю.П.Деркача (функциональные устройства на приборах с зарядовой связью). Кстати, именно под руководством О.С.Фролова в 90 годы Ю.М.Ширшовым и С.П.Фабриковым были проведены первые исследования по созданию биосенсоров на основе МДП-структур.

На всех этапах освоения и внедрения новых изделий в крупносерийное производство активное участие принимали инженерно-технические работники завода «Квазар». Особенно следует отметить сотрудников отдела: главного технолога к.т.н. Дунаевского В.И., Вознюка Н.И., Бербеку И.В, Сахарову Л.И. и др., которые своим трудом и квалификацией давали жизнь многим изделиям электротехники.

Мы столь подробно остановились на работе отдела МОП-БИС, потому что он сыграл, с нашей точки зрения, очень важную роль наряду с другими базовыми отделами института в утверждении позиций КНИИМП в развитии МДП электроники в стране.

2.3. Записки Главного конструктора.

Сидоренко В.П.

2.3.1.Мой путь в микроэлектронику В начале 60-х годов, после принятия Постановления ЦК и Совета Министров в 1962 году о создании Научного Центра микроэлектроники под Москвой, началось интенсивное развитие микроэлектроники в нашей стране. Тогда же было создано и Киевское конструкторское бюро. И ему были нужны специалисты – электронщики.

1 ноября 1965 года я был зачислен на должность ведущего инженера на это новое предприятие.

Несколько раньше в ККБ были приняты на разные должности В.Белевский, В.Атаманенко, В.Чугаев и В.Иванов. До этого мы работали в СКБ Сумского завода электронных микроскопов и электроавтоматики (директор П.П.Барзилович).

Этот завод был уникальным предприятием. Оно создавалось как центр научного приборостроения СССР. Тесные связи с ведущими НИИ и КБ Союза уже в 60-е годы привели к практической реализации разработок и выпуску электронных микроскопов, масс-спектрометров различных назначений, электронных пушек для сварки электронным пучком, анализаторов различных типов аппаратуры для диагностики плазмы, приборов для ориентации космических кораблей с помощью ионных пучков и др.

После окончания Харьковского ордена Ленина политехнического института им. В.И.Ленина (радиотехнический факультет) я прошел в СКБ СЗЭМ хорошую техническую и практическую школу в разработке и применении сложного радиоэлектронного оборудования и приборов.

В ККБ начал работать в отделе 11 (начальник отдела, зам.главного инженера В.И.Кибальчич) – лаборатория Л.П.Пасекова.

В тот период формировалась тематика ККБ. Уже шли разработки радиомаяков (главный конструктор, начальник лаборатории Г.П.Апреленко), генератора импульсов «Контроль» (главный конструктор, начальник лаборатории С.И.Яровой).

Другие разработки были в начальных стадиях.

Учитывая, что ККБ было ориентировано на разработку элементной микроэлектронной базы для аппаратуры различных классов и назначений, а практического опыта у сотрудников не было – всё начинали с нуля.

Первые работы были начаты с разработки гибридно-пленочных интегральных схем (ГИС) с применением бескорпусных транзисторов. Параллельно необходимо было создать технологическое и контрольное оборудование, разработать технологию получения пассивных элементов ГИС на ситаловых подложках. Непосредственного участия в этих работах я не принимал, поэтому ограничусь вышесказанным.

В ноябре месяце 1965 года вышел приказ Государственного комитета по электронной технике СССР - ГКЭТ (председатель - А.И.Шокин), где была поставлена задача по разработке и изготовлению бортового спецвычислителя для космических кораблей. Приказом был определён ряд НИИ и КБ ГКЭТ для решения этой важнейшей государственной задачи. Головной НИИ – Московский НИИ микроприборов (МНИИ МП) Научного Центра г.Зеленоград (директор И.Н.Букреев).

Главным конструктором комплексной разработки был назначен Фроловский – начальник лаборатории МНИИ МП.

После получения приказа меня пригласил директор ККБ С.А.Моралев и предложил мне возглавить работы, которые по приказу должно было выполнить наше КБ.

Вариантов не было - я дал согласие. Приказом по КБ я был назначен главным конструктором по разработке аппаратуры контроля блоков ОЗУ и ПЗУ бортового вычислителя. Создание блоков ОЗУ и ПЗУ на основе ферритовых пластин было поручено Ленинградскому конструкторско-технологическому бюро - ЛКТБ (директор Ф.Г.Старос).

В составе лаборатории С.Ярового была создана автономная комплексная группа для выполнения задания в составе: В.Сидоренко - руководитель группы, главный конструктор, Н.Хцынский – заместитель главного конструктора по схемотехнике, Е.Семенович, А.Харченко, А.Стариков. Конструирование аппаратуры было поручено конструкторской лаборатории во главе с М.Панковым, назначенным – заместителем главного конструктора по проектированию аппаратуры.

Ответственные разработчики – Г.Бойко и Е.Захарченко.

Началась напряженная ответственная работа. Наши рабочие дни длились от до 16 часов в сутки. Работали и в выходные дни. Выручала молодость и желание достойно выполнить Приказ.

Уже в марте 1966 года были разработаны электрические схемы приборов.

Было выдано задание конструкторам на проектирование аппаратуры на основе дискретных компонентов. Другого пути не было. Разработка аппаратуры – два блока (для ОЗУ и ПЗУ) была закончена через четыре месяца. Началась технологическая проработка для её изготовления в опытном производстве (руководитель и главный технолог В.П.Николаев).

В сентябре 1966 года началась настройка и комплексное тестирование аппаратуры. Учитывая, что изделия предназначались для спецаппаратуры, их приёмку проводил представитель заказчика Ю.Перевертун.

Следует отметить, что слаженная работа всех участников и высокий уровень ее организации позволили в октябре месяце поставить первые образцы аппаратуры в НИИ точной технологии и на завод «Ангстрем» для настройки блоков ОЗУ и ПЗУ (руководитель П.Силантьев – начальник лаборатории, главный конструктор НИИ ТТ).

Ещё примерно год продолжались совместные работы МНИИ МП и НИИ ТТ по выпуску опытных партий бортовых вычислителей. Эта аппаратура прошла проверку на космических пилотируемых кораблях, показали высокую надежность и практическую ценность для космонавтов.

Все участники реализации этого проекта были отмечены правительственными наградами, почетными грамотами, благодарностями и денежными премиями.

Новый этап приближения к микроэлектронике начался в лаборатории С.Ярового, которой было поручено разработка и реализация блоков азимута и дальности по техническому заданию ВНИИРА (г. Ленинград) для бортовой навигационной аппаратуры самолетов. Разработку блока азимута поручили мне, блока дальности – ведущему инженеру А.Сироте.

Совместная работа с ВНИИРА расширила кругозор разработчиков и дала возможность сформулировать требования к микроэлектронной базе на основе полупроводниковых интегральных схем.

После ряда обсуждений на научно-технических советах НИИ в выработке элементной базы для аппаратурных систем, которые проводил заместитель директора НИИ по науке К.М.Кролевец, перспективным направлением развития твердотельных (полупроводниковых) ИС была принята технология на основе МДП структур.

Накануне октябрьских праздников 1968 года я был назначен начальником схемотехнической лаборатории отдела 150 (начальник отдела А.А.Мартынюк).

Лаборатория должна была стать связующим звеном с технологами и конструкторами по разработке первых ИС для вычислительной техники на основе МДП-структур и выработать стратегию развития микроэлектронной элементной базы на основе МДП-структур на перспективу.

В конце мая 1969 года лаборатория в полном составе была переведена в отдел 190 (начальник отдела Ю.А.Верницкий) с целью усиления отдела схемотехниками разработчиками ИС. Это вскоре дало положительные результаты при проведении ОКР «Кант» и «Кобра».

Первым серьезным испытанием для моего коллектива стала опытно конструкторская работа «Кобра» по разработке логических ИС малой степени интеграции на МОП - транзисторах с алюминиевым затвором (до 20-транзисторов, высокопороговая технология р - канальных ИС), по техническому заданию, согласованному с ГСКТБ (г. Ленинград) Министерства приборостроения и средств автоматизации и Министерством обороны.

До этой работы выполнялась ОКР «Компонент» по разработке подобных ИС, не имевших конкретного заказчика. ОКР не нашла продолжения ни в опытном, ни в промышленном производстве. Результаты этой работы для подготовки крупносерийного производства ИС для заводов «Счетмаша» могли нами рассматриваться только как результаты НИР.

Учитывая важность и сложность задачи главным конструктором ОКР «Кобра»

был назначен заместитель главного инженера НИИ В.И.Кибальчич, заместителями главного конструктора по схемотехнике стали ведущий инженер Е.А.Зеленевская, по технологии – ведущий инженер В.Н.Щеткин.

Работа шла сложно. Параллельно с разработкой схемотехники, анализом и расчетом схем, проводилась кропотливая работа по отработке технологических процессов, технологии изготовления фотошаблонов, разработка топологии, методов измерения и измерительной аппаратуры, оснастки для испытаний.

В итоге было разработано и изготовлено пять типов первых в КНИИ МП ИС для широкого промышленного применения и в спецаппаратуре, проведены всесторонние исследования их параметров, а также испытания при различных воздействиях в соответствии с отраслевыми стандартами.

На заключительном этапе ОКР возникла организационная проблема при её подготовке и сдаче Госкомиссии. Работа проводилась с приемкой двух серьезных заказчиков, и результат работы Госкомиссии под председательством представителя 22 ЦНИИ Министерства обороны П.А.Арутюнова были для института очень важны.

Руководить этим процессом должен был начальник отдела 190 ответственного за выполнение тематического плана НИИ по ОКР «Кобра». Но Ю.А.Верницкий не имел опыта работы с представителями заказчика (Министерство обороны), да и непосредственно в этой разработке не участвовал. Заместителями главного конструктора были ведущие инженеры. Естественно, необходимых административных возможностей для этого они не имели.

По предложению главного конструктора разработки – заместителя главного инженера института В.И.Кибальчича С.А.Моралев поручил организацию сдачи ОКР мне, как руководителю, имевшему опыт работы с представителями Министерства обороны и начальнику лаборатории, в состав которой входила группа заместителя главного конструктора по схемотехнике Е.А.Зеленевская.

Помню курьёзный случай. После доклада Главного конструктора о результатах ОКР дали слово Ю.И.Цымбалисту (начальнику лаборатории испытаний) доложить результаты испытаний ИС на надёжность. И каково уже было удивление членов Госкомиссии, когда на их просьбу предъявить ИС, проходившие испытания, Юрий Иванович невозмутимо произнес: «Они повреждены испытательным оборудованием».

Мёртвая тишина. Все присутствующие молчат. П.А.Арутюнов берет инициативу в свои руки, подводит итоги работы Госкомиссии, подписывает все документы с рекомендацией к освоению в серийном производстве на заводе «Квазар».

Так была дана жизнь крупносерийному производству ИС серии К172 и этих же ИС с приемкой заказчика - серия 178.

Завершение этой работы было большой творческой и трудовой победой коллектива НИИ. Она продемонстрировала правильность выбора стратегического пути разработок ИС на основе МДП-транзисторов и послужила толчком для перспективных направлений развития новых поколений ИС и БИС.

Но эта серия ИС по номенклатуре не в полной мере удовлетворяли потребности цифровой электронной аппаратуры.

Расширение номенклатуры дискретных ИС было выполнено в ОКР «Кант»:

разработка последовательных регистров сдвига разряда (21 и 90-разрядные) с уровнем интеграции 150-500 транзисторов на кристалле. Основные разработчики:

ведущий инженер А.Я.Сирота, старшие инженеры Ю.В.Прокофьев, А.М.Копытов и ведущий технолог начальник отдела 190 Ю.А.Верницкий.

После выпуска опытных партии ИС «Кобра» и «Кант» в 1970г. у разработчиков аппаратуры появилась возможность разработать первые ЭКВМ ряда «Искра» полностью на интегральных схемах.

Флагманом этих разработок выступило Лениградское ГСКТБ (ведущие разработчики А.И.Бухштаб, Ю.А.Фролов, А.Л.Сорока, В.И.Мурзин и др.). Заводы Курский, Смоленский, Орловский «Счётмаш» Министерства приборостроения и средств автоматизации в короткие сроки развернули крупносерийное производство ЭКВМ практически для всех отраслей народного хозяйства. Применение этих ЭКВМ резко увеличило производительность расчетов в НИИ, КБ и производствах.

Наращивая объёмы разработок, специалисты лаборатории 218 (этот номер лаборатория получила в новом отделе МОП БИС №210 - начальник отдела Ю.А.Петин, созданном на базе отдела №190) вышли на новый рубеж проектирования МОП БИС – ОКР «Кант – 1».

В рамках ОКР «Кант-1» (главный конструктор Ю.А.Петин, заместитель главного конструктора А.А.Цымбал и заместитель главного конструктора по технологии В.Н.Смирнов) было разработано и внедрено в серийное производство типов ИС для аппаратуры широкого применения - серия К 501 в том числе:

многофункциональные логические элементы, дешифратор 16-4, 4-х разрядный счётчик-регистр универсальный, строенный УКД – триггер, строенный 4-входовый кодовый ключ, сумматор вычислитель - десятичный, ПЗУ 256 кбит со схемой управления и др.

ОКР «Кант -1» стала очередным этапом по переходу к большим интегральным схемам. Большой вклад в эту разработку внесли начальники лабораторий В.П.Сидоренко, Г.Д.Шельпук, А.С.Клименко, С.Н.Деменин, ведущие инженеры В.А.Бондаренко, Е.А.Зеленевская, старший инженер Р.И.Третьякова, инженеры С.С.Витренко, Л.Н.Лисица и др.

В 1970 году в МЭП СССР стал резко вопрос о разработке микрокалькуляторов на основе БИС. Руководство МЭП не могло реагировать по- иному на сообщение в журнале «Electronics» об успехах в этом направлении одной из японских фирм.

Подобные сообщения об успехах американских и японских фирм в микроэлектронике и требования военных о воспроизведении элементной базы, которая применялась в аппаратуре военной техники США, всегда были сильным раздражителем для постановки новых задач перед НИИ и КБ МЭП.

При постановке этой задачи перед специалистами МЭП базовой моделью был выбран микрокалькулятор QT-8D (Япония) на 4-х МОП-БИС с вакуумным дисплеем.

Приказом Министра ее решение было поручено КНИИМП и ЛКТБ. На первых этапах работа предприятиями велась совместно. Время разработки затягивалось. Это создавало напряженную обстановку в Министерстве. Министр А.И.Шокин или по его поручению начальник ГНТУ В.М.Пролейко проводили регулярные совещания с вызовом на них руководителей предприятий и подразделений - исполнителей работ.

От нас в этих совещаниях участвовали С.А.Моралёв, К.М.Кролевец, В.П.Сидоренко, Ю.А.Петин, Э.С.Карпенко, В.А.Саватьев.

Несколько раньше, до выхода приказа Министра в нашем институте была начата НИР «Катамаран». Цель работы - разработка методов проектирования и технологии МОП-БИС с уровнем интеграции порядка 1000 элементов на кристалле (научный руководитель НИР – В.П.Сидоренко, его заместитель - Ю.А.Петин). В техническом задании на НИР тогда не было указано, на примере каких БИС именно будут отработаны научно-технические решения.

На определенном этапе, после очередного посещения ЛКТБ, я убедился в том, что разработку БИС надо вести своими силами в рамках НИР «Катамаран".

Предложив такой подход С.А.Моралёву, я понимал, какую ответственность мы принимаем на себя и за выполнение приказа Министра, и за успешное окончание НИР «Катамаран». Директор института предложение принял.

Через некоторое время была начата ОКР «Катамаран-1» по разработке микрокалькулятора. Учитывая высокую ответственность перед Министром и необходимость жесткого управления ходом работ со стороны директора НИИ, Станислав Алексеевич согласился быть главным конструктором ОКР. Его заместителями были назначены В.П.Сидоренко (первый заместитель главного конструктора), В.А.Саватьев (конструкция и её элементы, технология изготовления).

Ответственными исполнителями были определены - изготовление БИС - Ю.А.Петин, фотошаблонов - Э.С.Карпенко, калькулятора Н.Л.Остроброд. Параллельно с нами проектирование конструкции калькулятора проводило ГСКТБ.

Имея опыт совместной работы с Ленинградским ГСКТБ, я по телефону предложил А.И.Бухштабу (в то время начальник комплексного отдела) встретиться и обсудить проблему и как её совместно решить. Адольф Игоревич, человек энергичный и инициативный, через день был у нас. Это было начало апреля года. Встреча произошла один на один в лесу рядом с НИИ на пеньках деревьев.

После двухчасового обсуждения проблемы пришли к решению – будем сотрудничать. Задачи распределили следующим образом: функциональная схема и конструкция микрокалькулятора – за ГСКТБ, схемотехника и разработка БИС – за КНИИМП.

О результатах встречи я доложил директору НИИ С.А.Моралеву. Ближе познакомил его А.И.Бухштабом. Наш директор одобрил предложенный план. Нужно было согласие директора ГСКТБ А.М.Хохлова. Буквально в считанные дни оно было получено и сообщено об этом мне А.И.Бухштабом по телефону. Лёд тронулся!

Учитывая, что численность схемотехнической лаборатории достигала в то время 56 человек, а годовое количество выполняемых НИОКР составляло более 10, совмещать руководство лабораторией с осуществлением этого проекта в очень сжатые сроки могло быть не столь эффективным и оправданным, директор института принял решение на период выполнения НИР «Катамаран» создать комплексную творческую группу схемотехников, топологов и технологов под моим руководством, освободив меня от выполнения функций начальника лаборатории, а специалистов группы – от решения других задач.

Мне предстояла трудная задача подобрать совместимых специалистов схемотехников. Выбор пал на группу А.Я.Сироты со специалистами Ю.В.Прокофьевым, А.М.Копытовым, Ю.В.Таякиным и др. Разработку методологии измерений тестовых структур и БИС было поручено провести Ю.М.Золотареву.

Александр Яковлевич Сирота – специалист от Бога, но очень осторожный, после серии переговоров, инициированных мной, дал согласие взяться за решение задачи. В группу вошли - от технологов А.И.Москалевский, от топологов Ю.И.Ткаченко. Кроме них, - начальники отделов В.Г.Табарный (математическое обеспечение расчетов на ЭВМ), В.А.Дуболазов (выбор корпуса для кристалла и технология сборки БИС), А.Г.Солод (разработка ИС 4-х фазного генератора импульсов).

Снижение мощности потребления столь сложных БИС (а это было принципиальной задачей) не могло быть достигнуто, если их проектировать на основе традиционных схемотехнических решений (инвертор в составе ключевого и нагрузочного транзисторов).

После детальной проработки функциональной схемы и анализа возможных схемотехнических решений была выбрана 4-х фазная схемотехника инверторов с попарно перекрывающимися фазами без питания и «земли». Привязка к постоянному источнику питания и «земле» выполнялась на выходных каскадах БИС. Это позволило резко сократить активную площадь кристаллов, потребляемую ими мощность и повысить быстродействие БИС.

Такой подход на долгие годы предопределил схемотехнику БИС для следующих типов микрокалькуляторов, разрабатывавшихся в НИИ позже под руководством В.П.Захарова.

Расположение элементов БИС на топологическом чертеже кристалла, их конструктивные размеры с учетом технологических ограничений отрабатывались в цепочке схемотехник - технолог - разработчик топологии кристалла, как говорят, за одним рабочим столом без обычной процедуры согласования технического задания на каждый вид работ. Это значительно сократило сроки выдачи исходных данных для изготовления фотошаблонов и соответственно БИС. Ко времени окончания разработки топологий БИС и отдел 110 (фотошаблоны), и «чистая комната» отдела 210 были уже готовы к выполнению этих работ.

В сентябре 1971 года первая БИС для микрокалькулятора была изготовлена в «чистой комнате».

В связи с тем, что институт не имел универсальной контрольно измерительной аппаратуры для фукционального контроля логических блоков ЭВМ, совместно с ГСКТБ были созданы физические модели каждой БИС на основе ИС малой степени интеграции (серия К-172 – «Кобра»).

В октябре 1971 года, когда я был в командировке в Ленинграде, мне в два часа ночи позвонили А.М.Копытов и В.И.Мурзин (ГСКТБ) и сообщили о том, что последняя из четырех БИС тоже функционирует. Нашей общей радости не было предела.

Хорошо скоординированная во времени разработка, а именно: разработка и изготовление БИС, разработка конструкции микрокалькулятора, изготовление её элементов, получение комплектующих от других предприятий позволили нашему институту решить поставленную Министром задачу в установленные им сроки.

Коллектив НИИ в лице разработчиков БИС, технологов и конструкторов одержал новую трудовую и научную победу.

Накануне Октябрьских праздников на расширенное заседание Коллегии Министерства, где должна была рассматриваться «калькуляторная проблема», были командированы главный инженер НПО-главный инженер НИИ В.Ю.Тимофеев и начальник отдела Ю.А.Петин с первыми образцами микрокалькулятора на БИС.

Демонстрация микрокалькулятора в Министерстве произвела большое впечатление на членов коллегии и присутствующих. Это были образцы первых в СССР микрокалькуляторов на БИС, и это означало, что мы не будем их импортировать из-за рубежа.

Впереди была напряженная работа по выполнению ОКР «Катамаран-1»:

разработка технической документации на БИС и калькулятор, подготовка к серийному производству БИС и микрокалькуляторов. Ведь мы вошли в ОКР, фактически еще не закончив НИР.

ОКР «Катамаран» был принят Государственной комиссией 8 сентября года. В результате этой работы было разработано 5 типов БИС серии К-145 ИК с максимальным уровнем интеграции 1050 элементов:

- устройство памяти и синхронизации (К1 ЖГ 451);

- арифметическое устройство (К1 ЖГ 452);

- устройство ввода (К1 ЖГ 453);

-устройство управления (К1 ЖГ 454), и ИС 4-х фазного генератора импульсов (К1 ГФ 651).

Производство БИС серии К 145 на заводе «Квазар» было начато за 8 месяцев до начала работы Госкомиссии ОКР (председатель – главный инженер Центрального бюро применения ИМС МЭП С.В.Якубовский). К началу её работы было выпущено 23600 БИС и 5300 микрокалькуляторов на их основе.

Это говорило о высоком уровне разработки и правильности инженерных решений.

Интегральные схемы серий К145 и К165 позже были освоены в крупносерийном производстве в ПО «Родон» (г. Ивано-Франковск), был разработан и серийно выпускался микрокалькулятор «Электроника МК-59».

Наш приоритет в этих работах защищен рядом авторских свидетельств на изобретения. Научные результаты опубликованы в печатных работах, в т.ч.

«Применение МДП-структур в устройствах дискретной техники» (В.П.Сидоренко, Ю.А.Петин, Н.И.Хцынский и др., Сб. ИК АН УССР Конструирование и внедрение средств вычислительной техники, 1971 г.);

«Многофазный способ переработки информации в больших интегральных схемах (В.П.Сидоренко, Г.И.Корниенко, А.Ф.Сурдутович, Сб. Проблемы кибернетики. Тезисы докладов 2-й конференции молодых ученых, специалистов, г. Ленинград, 1971 г.);

«Серия динамических МОП БИС для настольных вычислительных машин (В.П.Сидоренко, С.А.Моралев, А.Я.Сирота и др. Сб. Большие интегральные схемы, 1972г.);

«Особенности разработки БИС на МДП - транзисторах (В.П.Сидоренко, А.Я.Сирота, Ю.В.Таякин, ж. Электронная промышленность, №8, 1975 г.).

Так завершилась эра разработки и выпуска первых в СССР (и в Европе) больших интегральных.

Впереди нас ждали большие задачи по разработке и внедрению в производство новых поколений БИС на основе МДП - технологий.

C 1970 года в НИИ МП проводилась работа (шифр «Маневр-ВК») по разработке комплекса ИС для построения бортовых радиотехнических систем, в состав которых входили аналоговые переключатели и многоканальные коммутаторы.

В апреле 1970 года была создана группа под руководством ведущего инженера отдела 280 Золотаревского В.И. по разработке ключей и коммутаторов. В группу входили инженеры Ткачук А.Д., Седов В.И., Тесленко В.А., Покровский Е.Н.

Интенсивное развитие вычислительной техники и автоматики, усложнение задач, решаемых телеметрией, вызвало широкое применение многоканальных систем сбора и обработки аналоговой информации.

Значительный удельный вес в таких системах составляют многоканальные аналоговые коммутаторы, обеспечивающие подключение к единой измерительной линии большого числа датчиков, выдающих информацию о функционировании многих систем, узлов и агрегатов исследуемых объектов.

Методы и средства микроэлектроники и, в частности, успехи в освоении полупроводниковой технологии обеспечивали возможность создания ИС микроэлектронных ключей и многоканальных коммутаторов.

Эффективность проектирования ИС многоканальных ключей и коммутаторов во многом зависела от решения ряда задач, связанных с принципами схемного построения аналоговых переключателей, анализом и оптимизацией их структурных элементов, технологическими вопросами их изготовления.

Решение всех этих вопросов и было возложено на группу Золотаревского В.И.

В довольно короткие сроки (в рамках ОКР «Континент») были разработаны ИС 2-х (168КТ1) и 4-х (168 КТ2) канальных ключей на основе р - канальной МДП технологии.

В 1974 году группа в полном составе была переведена в отдел 280. Группа проводила теоретические и экспериментальные исследования основных качественных показателей интегрального МДП - транзистора в режиме аналогового переключателя. С использованием полученных результатов группа разрабатывала в ОКР «Клык» ИС аналогового переключателя со схемой управления (143КТ1).

Все исследования аналоговых переключателей и многоканальных коммутаторов проводились под руководством и непосредственном участии аспиранта (без отрыва от производства) НИИ МП, г. Зеленоград, Золотаревского В.И. Результаты исследований легли в основу его диссертационной работы «Разработка и исследование аналоговых переключателей на основе МДП структур», которую он успешно защитил в феврале 1975 года.

Сотрудники лаборатория №285. Начальник Золотаревский В.И.

В связи с увеличением объема работ по разработке БИС многоканальных коммутаторов на основе МДП-структур, в том числе и на основе КНС-структур, в 1975 году в отделе 280 была создана лаборатория № 285 под руководством к.т.н.

Золотаревского В.И. В лабораторию вошли Ткачук А.Д., Покровский Е.Н., Седов В.И., Тесленко В.А., Ковтун Г.Л., Лукашенко А.В., Некрасов В.М., Уткин Е.В., Вощинкин А.Ф.

В лаборатории в рамках ОКР «Континент» были разработаны БИС 543 серии в 42-выводном корпусе и 723 серии в бескорпусном исполнении, модификация 2:

– 8-канальный переключатель 543КН8 (723КН8-2);

– 16-канальный коммутатор с последовательным управлением 543КН (723КН1-2);

– 8-канальный коммутатор с адресным управлением 543КН2 (723КН2-2).

БИС внедрены в серийное производство на заводе «Квазар» и нашли широкое применение в разработке бортовой РЭА предприятий п/я А-1173, п/я В 2749, п/я В-8185, п/я Р-6886 и ряде других предприятий.

В связи с широким развитием твердотельных ФЭП в НПО «Электрон» и п/я В-2307 требовалось разработать в рамках ОКР «Континент-8» специализированные 16- и 32-канальные коммутаторы на КНС-структурах с малыми импульсными помехами и высоким быстродействием. Были разработаны БИС 1834КН1 (16 канальный коммутатор) и 1834КН2 (32-канальный коммутатор) на КНС-структурах.

В декабре 1987 года на базе лаборатории 285 был создан отдел 450 по разработке микропроцессорных БИС на основе КМДП-структур. Отдел возглавил к.т.н., с.н.с. Золотаревский В.И. Были разработаны по НИОКР «Катран» КМДП БИС серии 1834:

– центральный процессор 1834ВМ86;

– параллельный интерфейс 1834ВВ55;

– шинные формирователи 1834ВИ82 и 1834ВИ83.

По контракту с КНР была разработана радиационно стойкая КМДП БИС 1834ВМ86 с двумя уровнями металлизации.

В проектировании конструкции кристаллов ключей, коммутаторов и микропроцессоров наибольшее участие приняли ведущий инженер-конструктор Вирозуб Т.М., начальник лаборатории Ткаченко Ю.И., начальник отдела Тильс А.А., начальник лаборатории Балай Б.А. (отдел 170).

В технологическом обеспечении работали: начальник лаборатории Фабриков С.П., ведущий инженер Сахно А.И., ст.инженер Ерин Н. (ключи и коммутаторы, отдел 210), начальник лаборатории Товмач Е.С., начальник лаборатории Маранда В.И., начальник отдела к.т.н. Ляшенко А.Ф.(отдел 230), Самотовка Л.И., Борткевич П.С. – цех №8 завода «Квазар». Бескорпусное исполнение кристаллов ключей и коммутаторов осуществлялось отделом 520 под руководством начальника отдела к.т.н. Шеревени А.Г.

2.3.2 Память о «Памяти»

После создания первых цифровых интегральных схем на p-канальных МОП транзисторах стало ясно, что для разработки аппаратуры необходим новый класс ИС, а именно схемы памяти.

С 1968 года начали проводиться первые исследовательские работы по проектированию оперативной, постоянной и полупостоянной памяти на базе р – канальных транзисторов с алюминиевым затвором.

Следует отметить, что такая инициатива без особого желания была встречена руководством института. Мне пришлось неоднократно на НТС и технических совещаниях настойчиво доказывать о перспективности разработок и выпуске запоминающих устройств (ЗУ). Предприятия электронной промышленности г.

Зеленограда тоже без энтузиазма воспринимали наши предложения.

Прорывом в осуществлении наших предложений стало посещение мной и ведущим инженером Хцынским Н.И. Генерального директора Научного центра МЭП СССР (г.Зеленоград) Лукина Ф.И. Человек высокообразованный, доктор технических наук, внимательно выслушав наши доводы, подписал Решение о постановке работ по разработке схем памяти в нашем НИИ.

Декабрь 1971 года стал отправной точкой для коллективов НИИ о расширении разработок классов ИС и БИС в Киевском НИИ микроприборов.

В составе лаборатории №218 была создана автономная группа инженеров во главе с ведущим инженером Хцынским Н.И. В состав группы вошли Безшапкин Н.В., Невядомский В.И., Тальнова В.А., Филимонова Е.Н., Радугин А.И., Максимов А.Н., Кузнецова С.В. Хцынский Н.И., Безшапкин Н.В. и Тальнова В.А. участвовали в разработке и исследованиях первой экспериментальной схемы квазистатического ОЗУ информационной емкостью 64 бита на триггерах с импульсным питанием, что резкого сокращало потребляемую мощность (1970-1971 г.г.).

Хцынский Н.И. и Филимонова Е.Н. в это же время разработали схему и топологию 1 Кбит постоянного запоминающего устройства (ПЗУ) статического типа со знакогенератора (алфавит и цифры от 0 до 9 на базе матрицы 4х8). Они исследовали экспериментальные образцы этой ИС ПЗУ и создали демонстрационный стенд на основе двухступенчатой развертки для осциллографа Tesla.

В 1971-1972 г.г. с участием схемотехников Хцынского Н.И., Невядомского В.И. технологами Дариевичем Ю.С. и Кардащуком М.Д. были разработаны и реализованы ячейки памяти с электрической записью и стиранием информации на основе МНОП (металл-нитрид-окисел кремния – полупроводник) структур и созданы экспериментальные образцы ИС репрограммируемого ПЗУ на 4 бита.

В 1972-1973 г.г. этими инженерами вместе со Смирновым В.Н., Максимовым А.Н. была проведена НИР «Квазар» по созданию ИС ОЗУ квазистатического типа емкостью 256 бит и ПЗУ 4 Кбита (Хцынский, Радугин, Кузнецова) на основе технологии р - канальных МОП - транзисторов с алюминиевым затвором.

В феврале 1972 года приказом Министра электронной промышленности СССР Шокина А.И. (№46 от 22.02.72 г.) Киевскому НИИ микроприборов было поручено выполнить ряд разработок по ИС памяти, и НИИ был определен головным по направлению энергонезависимых и постоянных ЗУ.

С этого времени началась напряженная работа по разработке и формировании Программы обеспечения конкретных разработок. Для общего прогноза развития микроэлектроники в стране, который разрабатывался Научным Центром (г.

Зеленоград), Головному предприятию по развитию ИС (БИС) КНИИМП был представлен прогноз развития ИС (БИС) по направлению энергонезависимых ЗУ.

Учитывая, что многие научно-технические вопросы решались впервые, необходимо было - разработать программы по анализу и синтезу (расчету) ИС на базе существующих универсальных ЭВМ;

- разработать модули электрофизического и математического моделирования элементной базы БИС ЗУ;

- сформулировать требования под перспективную контрольно-измерительную аппаратуру (КИА) и испытательную оснастку для контроля параметров и испытаний БИС;

- выработать требования к технологии и проектированию топологии БИС;

- разработать новую структуру подразделений НИИ с учетом новых задач, поставленных перед институтом.

Первая реальная разработка БИС ПЗУ информационной емкостью 4 Кбит для специальной аппаратуры (ОКР «Квазар – 4») - главный конструктор Сидоренко В.П., зам.главного конструктора по схемотехнике – Хцынский Н.И. была проведена в сроки апрель 1973 г. - март 1974. и принята Государственной комиссией с рекомендацией к внедрению в серийное производство.

Максимальный вклад в эту работу внесли: Хцынский Н.И., Гусева Т.Г., Тальнова В.А., Смирнов В.Н., Клименко А.С., Деменин С.Н., Жерихин А.Г.

зам.главного конструктора по топологии, Смирнов Вл.Ник.- зам.главного конструктора по технологии и многие другие. Благодаря их труду разработка была проведена в короткие сроки и успешно сдана Госкомиссии.

С целью концентрации усилий разработчиков по направлению БИС ЗУ и определению конкретных их классов с учетом специфики и физики работы элементной базы директором НИИ С.А.Моралевым было предложено организовать схемотехнический отдел №280, и приказ №702 о его создании был подписан 24.06.74г.

Первоначально структуру отдела составили - лаборатория №281, начальник лаборатории Сирота А.Я., - лаборатория №282, начальник лаборатории Цымбал А.А., - лаборатория №283, начальник лаборатории Яровой С.И., - лаборатория №284, начальник лаборатории Хцынский Н.И., - группа технических средств и измерений, руководитель группы Приходько П.В.

- группа электрофизического моделирования элементной базы БИС ЗУ, руководитель группы Груданов Н.Б., - группа разработок коммутаторов и электронных ключей, руководитель группы Золотаревский В.И.;

- группа планово-экономического и материально-технического обеспечения разработок.

Такая структура отдела позволяла оперативно решать научно-технические и практические задачи по направлению БИС ЗУ, создаваемых на различных принципах работы элементов памяти.

В 1976 г. была закончена разработка БИС динамического регистра сдвига емкостью 1024 бита (ОКР «Колонна») – главный конструктор Семенович Е.И., основные исполнители – Алексеев Ю.А. – зам. главного конструктора по технологии, Зуб П.Н., Бондаренко В.А., Деменин С.Н., Пешков А.С.

Логическим продолжением этой работы стала ОКР «Колонна 1» по разработке серии быстродействующих БИС многоканальных ЗУ регистрового типа на МДП – транзисторах, совместимых с логическими ТТЛ-схемами (1978 г) – главный конструктор Сидоренко В.П.

Эта разработка была уже выполнена по технологии р – канальных МДП транзисторов с поликремниевым затвором, которая уже отрабатывалась при выполнении ОКР «Квазар 1М» (ОЗУ 1Кбит) «Квазар 4М» (ПЗУ 4Кбит). При выполнении этой работы были учтены все те проблемы, с которыми столкнулись разработчики БИС по новой технологии. Её разработка шла сложно: многие вопросы решались впервые.

Итогом работы явилось разработка серии БИС с техническими характеристиками:

а) информационная емкость и организация:

- 505 ИР 4 - 128 бит, 4х32 бита;

- 505 ИР 5 – 256 бит, 4х56 бит, -505 ИР 6 – 1024 бита, 4х256 бит.

б) максимальная частота приема и считывания информации – 5МГц;

в) температурный диапазон работы - -60 - +850С.

Основные разработчики и исполнители ОКР: Семенович Е.И. - зам.главного конструктора, ведущий инженер, Зуб П.Н. – ведущий инженер, Третьяк М.А. – старший инженер, Бондаренко В.А. – зам главного конструктора, начальник лаборатории, Тильс А.А. – начальник отдела, Клименко А.С. – начальник лаборатории, Алексеев Ю.А. – зам главного конструктора, ведущий инженер;

Деменин С.Н.- начальник лаборатории.

Разработка была успешно внедрена в серийное производство, а серия БИС ИР широко применялась в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

С повышением требований к БИС по быстродействию и потребляемой мощности необходимо было искать новые технологические пути в разработках.

Такой работой стала ОКР «Кассиопея» - «Разработка технологии изготовления и схемотехнических принципов проектирования МДП БИС на n – канальных транзисторах» - главный конструктор Троценко Ю.П.

На основе полученных результатов по ОКР «Кассиопея» была успешно проведена разработка БИС ОЗУ статического типа информационной емкостью 1Кбит на n – канальных транзисторах (ОКР «Крыло» - 1977 год) – главный конструктор Сидоренко В.П., заместители главного конструктора – Чекалкин В.П., Лосев В.В. - по технологии, Куприец П.Ф. – по топологии. Основными исполнителями ОКР были: ведущий инженеры – Радугин А.И., старшие инженеры отдела 280 Лисица Л.Н., Витренко С.С., Корниенко М.И., Кравец (Исаева) С.Н., начальники лабораторий Москалевский А.И., Тильс А.А., Деменин С.Н., Клименко А.С., старший инженер Шульга Л.В. В выполнении работы принимали участие и многие другие сотрудники структурных подразделений НИИ.

Результаты этих работ на многие годы предопределили разработки НИИ и стали классической основой для разработок БИС по n – канальной технологии:

микропроцессорные комплекты, энергонезависимые БИС ЗУ на элементах с различными физическими принципами работы, БИС ПЗУ, транспьютерные наборы БИС, БИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК), программируемые логические интегральные схемы и другие.

В 1978 году лабораторией Сироты А.Я. при активном участии ведущих инженеров Таякина Ю.В., Прокофьева Ю.В., Жерихина А.Г., Смирнова В.Н., начальников отделов – Тильса А.А., Троценко Ю.П., Агафонова В.В., начальников лабораторий Костюка В.Д., Клименко А.С., Роля Ю.В., ст. инженера Бородинец О.Ф., инженера Чернецкой Г.В. была выполнена ОКР «Комета 5» (Сирота А.Я. – зам.

главного конструктора) – разработка БИС статического ОЗУ на n – канальных МДП транзисторах емкостью 16 кбит. Это была первая в отрасли БИС ОЗУ такой информационной емкости. К сожалению, из-за непрофессионального технологического обеспечения нашими разработчиками – технологами БИС не была внедрена в серийное производство.

В 1978-1979 г.г. в НИР «Комета-7» - исследование конструктивно-элементной базы для создания БИС ОЗУ информационной емкостью 64 Кбит была сделана ещё одна попытка развить работы по тематике ОЗУ. Но в связи с тем, что НИИ точной технологии (г. Зеленоград) был определён головным по направлению БИС ОЗУ дальнейшие работы в нашем институте были свёрнуты, а научно-технический задел использован в других направлениях БИС памяти.

В том же 1978 году лабораторией Ярового С.И. была успешно проведена НИР «Капля» - разработка электрически программируемого ПЗУ информационной ёмкостью 2 Кбит с УФ - стиранием информации. Инициатором этой работы выступил ведущий инженер Калитенко В.Ф.

Работа была пионерской, и в те годы мало кто предполагал, что спустя всего три года это направление займет достойное место в тематике НИИ.

С целью расширения фронта работ по тематике РПЗУ с УФ - стиранием информации, а этого настоятельно требовало Министерство, в отделе 280 на лабораторию Ярового С.И.были возложены новые функции:

- исследование и разработка БИС РПЗУ с УФ - стиранием информации на запоминающих n – канальных МДП-транзисторах и управляющими затворами.

Одновременно для технологического обеспечения этих разработок в отделе №210 (начальник отдела Троценко Ю.П.) была организована лаборатория под руководством Лосева В.В.

Сотрудники лаборатории №283. Начальник лаборатории Яровой С.И.

Серьезным испытанием для коллективов разработчиков и технологов явилась «Разработка электрически программируемого ПЗУ информационной емкостью Кбит с УФ - стиранием информации (ОКР «Карат-2»). Для выполнения ОКР, учитывая её сложность и сжатые сроки работы, кроме сотрудников лаборатории Ярового С.И. Калитенко В.Ф., Забиржевского Л.И., были подключены и другие специалисты отдела – Прокопенко А.М., Груданов Н.Б. В работе также принимали участие сотрудники подразделений НИИ Троценко Ю.П., - начальник отдела, Галька Л.В. – ст.инженер – зам.главного конструктора, Алексеев Ю.А. –начальник лаборатории, Бондаренко В.А. – начальник лаборатории, Скрипка Н.А. –начальник КБ, Федулов В.В. –начальник лаборатории и другие.

В 1982 году разработка была принята Госкомиссией.

Учитывая, что многие схемотехнические, топологические и технологические вопросы решались впервые, от коллективов требовалась высокая самоотдача на всех этапах разработки и внедрения в серийное производство.

Не всегда предсказуемо вёл себя элемент памяти. На первых этапах внедрения часто с производства приходили пластины со всеми неработающими кристаллами.

Пришлось организовать комплексную группу для анализа работы БИС. В состав группы вошел Груданов Н.Б. со своими специалистами, Зуб П.Н., Сирота А.Я.

После кропотливых исследований стало ясно – в зависимости от технологических отклонений на производстве не всегда характеристики записи элемента памяти согласуются с нагрузкой. Была проведена срочная корректировка топологии кристалла с введением дополнительно в электрическую схему БИС схемы согласования. Картина резко изменилась в лучшую сторону. Вскоре на это решение было получено авторское свидетельство на изобретение.

Следует отметить, что задача производства БИС была настолько важной для отрасли, что руководством объединения в лице главного инженера Болдырева В.П.

было организовано ежедневное техническое совещание с участие разработчиков, технологов и инженерно-технических служб завода. Как правила совещания начинались в 19 часов. Рассматривались вопросы прохождения в динамике партий в цехе №9. Через сравнительно короткое время были получены устойчивые результаты по проценту выхода годных БИС.

БИС К573 РФ5 стала самой массовой в производстве и выпускалась вплоть до 90-х годов. Максимальный вклад в разработку и постановку на крупносерийное производство К 573 РФ5 внесли Яровой С.И., Груданов Н.Б., Галька Л.В., Тильс А.А., Хоружий А.А., Калитенко В.Ф., Забиржевский А.И., Прокопенко А.М., Алексеев Ю.А.

В ОКР’ах «Карат-3» (1984 г.) и «Карат - Д» (1987 г.) – основные разработчики Сирота А.Я.(зам. главного конструктора), Прокофьев Ю.В., Зуб П.Н., Лосев В.В., Троценко Ю.П. (зам. главного конструктора), Красноносов Ю.В., Бондаренко В.А., Тильс А.А. и другие исполнители принципиально на новом уровне решили схемотехнические и технологические вопросы, которые успешно перенесли на БИС К 573 РФ 5. Это позволило резко поднять процент выхода годных БИС в производстве.

Используя научно-технический задел, созданный при разработке БИС К РФ5 коллектив лаборатории Ярового С.И. провёл ряд разработок по БИС РПЗУ с УФ – стиранием информации повышая информационную емкость и технические характеристики БИС.

Это – НИР «Карат», «Карат-1» - РПЗУ информационной емкостью 128- Кбит (конструктивно-технологические особенности создания элементной базы и БИС). Затем ОКР «Карат-3» - РПЗУ с УФ стиранием информации емкостью 64 Кбит, которая была внедрена в крупносерийное производство и выпускалась вплоть до 1992 года.

На основе кристаллов БИС РПЗУ с УФ стиранием информации емкостью 16 и 64 кбит были созданы ПЗУ, программируемые на производстве и однократно программирумые БИС у потребителя.

НИР «Карат – 4к» завершились разработки n – канальных РПЗУ с УФ стиранием информации. Это был 1987 год. В НИР были уверенно получены образцы БИС РПЗУ с информационной емкостью 1 Мбит и создан фундамент для проведения ОКР.

Дальнейшие разработки этого коллектива были сосредоточены на создании БИС РПЗУ с УФ стиранием информации на основе технологии КМДП транзисторов.

Это – ОКР’ы «Крот- 1» - РПЗУ с информационной емкостью 64 Кбит, НИР «Крот – 2» - элементная база для БИС с информационной емкостью 256 Кбит – 1 Мбит, ОКР «Крот -3» - РПЗУ с информационной емкостью 256 Кбит (1991-92 г.г.). РПЗУ наших разработок успешно внедрены на фирме «Tesla» (Чехословакии), в НПО «Электроника» (г. Воронеж) и на других предприятиях отрасли.

Родоначальником практически всех направлений БИС РПЗУ в отделе была лаборатория №284 – начальник лаборатории Хцынский Н.И. – талантливый инженер и энтузиаст нового в науке и технике.

В 1981 году для этого коллектива началась эра «Кремней». НИР «Кремень – 1»

- разработка элементной базы БИС РПЗУ информационной емкостью 16 Кбит с электрической сменой информации (запись и стирание) на МДП-транзисторах с «плавающим» затвором и туннельным окислом.

В этой работе основательно были изучены физические механизмы записи и стирания информации, циклоустойчивость элементов памяти и время хранения информации, получены экспериментальные образцы БИС, что послужило основой для разворачивания работ по этому направлению.

Сотрудники лаборатории 284. Начальник лаборатории Хцынский Н.И.

ОКР «Кремень-2» - РПЗУ 16 Кбит была успешно сдана Государственной комиссии. Это вселило уверенность у коллектива в правильности выбранного направления и его перспективности.

В дальнейшем в период 1984-1990 годы этим коллективом был проведен ряд НИОКР: «Кремень – 3» ( РПЗУ 64 кбит), «Кремень – Ф» ( РПЗУ128-256 Кбит), «Кремень – 4», «Кремень – 41», «Кремень – 5», «Кремень – 4С», направленных на повышение информационной емкости, эксплуатационных и технических характеристик.

Учитывая, что в основном все эти разработки были направлены на применение БИС в аппаратуре специального назначения, где их работа предусматривалась в большом температурном диапазоне (-600 - + 600 С), повышенных циклоустойчивсти и времени хранения информации точность проектирования БИС этого класса была очень высокой.

На основе научно технического задела по этой тематике в 1993-94 г.г. были проведены ОКР «Контакт – 1» и «Контакт -4» по разработке БИС для бытовой техники в т.ч. телевизионных приемников.

Основной вклад в развитие РПЗУ с электрической перезаписью информации внесли Хцынский Н.И., Забродина О.Н., Прокопенко А.М., Хоружий А.А., Куриленко С.В., Груданов Н.Б., Троценко Ю.П., Бережной В.Н., Тильс А.А., Бондаренко В.А., Тарасенко В.А.., Сидорчук В.П., Алексеева Ю.А., Трофимов В.Л., Ковалёв Л.Г., Панасюк Л.Е., Тарасенко Г.Н., Тальнова В.А., Ярандин В.А., Щеткин В.Н., Рыжкова В.В., Буй В.Б., Гуменюк А.П., Мацкевич В.М., Ловейко В.Н., Клименко А.С., Кизяк А.Ю.

С развитием тематики БИС РПЗУ назрела необходимость очередных структурных изменений в отделе.

В 1977 г. задачей лаборатории №282 стала исследование и разработка БИС РПЗУ на основе многослойных диэлектриков SiO2 - Si3N4.(нитридная технология).

Начальником лаборатории стал Чекалкин В.П. – талантливый инженер и незаурядный человек. (Бывший начальник этой лаборатории Цымбал А.А. был назначен начальником отдела, в котором были объединены лаборатории – разработчики топологии и фотошаблонов).


Сотрудники лаборатории №282. Начальник лаборатории Юхименко Ю.А.

Первые исследовательские проработки по этому направлению были проведены в лаборатории Ярового С.И. в 1976-77 г.г. Ключевой фигурой по этим работам был ведущий инженер Невядомский В.И., который немного позже одним из первых защитил кандидатскую диссертацию по проблематике МНОП-РПЗУ.

В 1977 г. коллективом лаборатории №283 была успешно сдана ОКР «Курган 1» - БИС МНОП РПЗУ информационной емкостью 1Кбит, совместимая по уровням напряжения с ТТЛ ИС.

В 1979 г. коллективом уже новой 282-й лаборатории была успешно выполнена и сдана Госкомиссии ОКР «Курган -2» - РПЗУ на основе МНОП-структур с электрической перезаписью информации информационной емкостью 4 Кбит.

Развитием этой работы была ОКР «Курган – «С», направленная на создание МНОП БИС РПЗУ для аппаратуры специального назначения с повышенными эксплуатационными характеристиками и расширенным диапазоном рабочих температур.

Эта БИС была первой в Союзе, на основе которой был создан широкий класс аппаратуры специального назначения (информационные командные пункты, радиолокаторы для обнаружения низколетящих целей, бортовое навигационное оборудование с привязкой к географическим координатам местности, целый ряд радиостанций, где в качестве синтезатора часто использовались МНОП РПЗУ и другие).

В серийном производстве БИС шла сложно, учитывая высокие требования к электрофизическим параметрам запоминающих элементов. Несмотря на это технологами и инженерно-техническими специалистами завода «Квазар» и цеха № была достигнута стабильность в выпуске этих изделий и поставке аппаратурным предприятиям многих отраслей.

Развитием работ по МНОП РПЗУ явилась успешная сдача Госкомиссии ОКР по созданию БИС информационной емкостью 16 Кбит.

Наращиванию информационной емкости МНОП РПЗУ была посвящена НИР «Курган – 5» - исследование конструктивно-технологических вопросов и разработка элементной базы БИС МНОП РПЗУ (1982 г.).

В 1983 г. была успешно сдана ОКР «Курган – 4С» - МНОП РПЗУ информационной емкостью 16 Кбит для спецаппаратуры. И уже в 1984 г. – ОКР «Курган – 6» - МНОП РПЗУ информационной емкостью 64 Кбит.

В последовавших за этими «Курганами» решались такие задачи:

- НИР «Курган -7»-исследование и разработка элементной базы для создания СБИС МНОП РПЗУ емкостью 128-256 Кбит с электрической перезаписью информации. Работа сдана Госкомиссии в 1985 г.;

- ОКР «Курган – Д» - совершенствование технологии и конструкции БИС МНОП РПЗУ емкостью 16 Кбит (1986 г). Благодаря применению новых знаний, полученных в предшествующие годы, работ позволила резко увеличить процент выхода годных БИС в серийном производстве и стабилизировать эксплуатационные характеристики БИС.

- ОКР «Курган – 10» (год окончания – 1989 г.) – МНОП РПЗУ информационной емкостью 256 Кбит. Разработка такого же РПЗУ для спецаппаратуры была принята Госкомиссией в 1993 г. (ОКР «Курган -4С»);

- НИР «Курган – 11» - исследование путей создания и элементной базы для МНОП РПЗУ информационной емкостью 512 Кбит - 1Мбит.

К сожалению, этот период был не лучшим для завода «Квазар». Уже тень разрухи преследовала серийные цеха. И эти разработки в серию не пошли.

Имея большой научно-технический и практический опыт в области МНОП РПЗУ коллектив под руководством Юхименко Ю.А. (он сменил Чекалкина В.П.

после его неожиданного ухода из жизни) в последующие годы провел работы по разработке МНОП ИС по заказу ПО «Хартрон» (г. Харьков) для бесконтактных электронных карт (применение на АЗС).

За большой вклад в разработки БИС МНОП РПЗУ, творческий подход, целеустремленность и результаты в работе следует отметить первого начальника лаборатории Чекалкина В.П., начальника лаборатории Юхименко Ю.А., Невядомского В.И., Корниенко М.И., Крутикова С.С., Стиканова В.Е., Исаеву (Кравец) С.Н., Гусеву Т.Г., Капровскую Л.В., Третьяка М.А., Педченко Л.С., Хцынского Н.И., Прокопенко А.М., Забродину О.Н., Бережного В.Н., Цеменко Н.Г., Бондаренко В.А., Тарасенко В.А., Радугина А.И., Ярового С.И., Бондарчука В.Н., Кравец С.Н., Невядомского В.И., Голтвянского Ю.В., Дариевича Ю.С., Омельченко В.С. Троценко Ю.П., Деменина С.Н.

По мере усложнения разработок технологические нормы проектирования с учетом физических особенностей работы элементной базы БИС РПЗУ возникла острая необходимость увеличения объема работ по электрофизическому и математическому моделированию элементной базы РПЗУ с параллельным переходом на новые средства вычислительной техники.

Для решения этой задачи в 1984 году была создана лаборатория №286.

Начальником этой лаборатории был назначен молодой к.т.н. Груданов Н.Б.

Обсуждение перспективных разработок с молодыми учёными отдела В короткое время был сформирован коллектив в основном из молодых ученых.

По своей инициативе в эту лабораторию перешел к.т.н. старший научный сотрудник Кривцов В.В., имевший богатый опыт в автоматизации проектирования БИС, отлично знавший и владевший техническими средствами, имевший фундаментальные знания в области математики и электрофизики.

Уже в 1987 году были успешно сданы две принципиально новые работы - НИР «Кратер – 4» - исследование и разработка операционной части экспериментальной многотерминальной системы автоматизированного физико технологического, электрофизического и схемотехнического проектирования элементной базы РПЗУ (научный руководитель Кривцов В.В.);

- ОКР «Кратер -2» - разработка двумерной электрофизической модели элемента памяти с «плавающим» затвором на «горячих» носителях (главный конструктор Груданов Н.Б.).

Сотрудники лаборатории №286. Начальник лаборатории Груданов Н.Б.

Эти работы стали основополагающими и со временем получили дальнейшее развитие.

НИР «Карбас -2» (научный руководитель Сидоренко В.П) и ОКР «Кратер - 6»

(главный конструктор Груданов Н.Б.) были посвящены разработкам электрофизических моделей МНОП элементов памяти и разработке двумерной структурной модели элементной базы БИС (РПЗУ) (закончены в 1988-89 г.г.).

Разработанные модели стали незаменимым инструментом для разработчиков других лабораторий отдела.

Большой вклад в выполнение этих работ внесли Груданов Н.Б., Невзоров В.Б., Береговой В.И., Савицкий В.Е., Верейкина М.Б., Кривцов В.В., Романовский С.Л., Дидюк В.В., Алексеева О.В., Самкова С.И, Галька Л.В., Алексеев Ю.А., Гром В.П., Чугаева Т.В., Смирнова Т.А., Прокофьева А.П., Лисица Л.Н.

С учетом больших наработок в области элементной базы БИС РПЗУ и совершенствовании моделировании, что резко сокращало сроки разработок, начальником лаборатории Грудановым Н.Б было предложено открыть в отделе новое направление БИС ПЛИС (программируемые логические интегральные схемы).

Эти схемы позже пришли на смену БМК (базовым матричным кристаллам) и дали универсальный инструмент разработчикам аппаратуры.

Для усиления работ по проектированию ПЛИС и связи с заказчиками к этим работам была подключена ведущий инженер Лисица Л.Н., которая успешно справилась с поставленными задачами.

За период 1989-1991 годы был проведен ряд НИОКР – «Конвой - 1», «Конвой 1Ф», «Конвой -2Ф», «Клипер – 3» - по исследованию и разработке БИС ПЛИС на основе элементов памяти с УФ стиранием информации и на статических элементах памяти ОЗУ. Были получены экспериментальные образцы: ПЛИС с УФ стиранием информации с 600вентилями, ПЛИС на статических элементах памяти с вентилями. Образцы были переданы многим заказчикам, прошли экспериментальную проверку при разработке радиоэлектронной аппаратуры.

Но в эти годы на заводе «Квазар» резко сокращалось производство БИС, уходили квалифицированные специалисты из технических служб и цехов. Поэтому производство данного класса БИС не было начато.

В связи с ростом объема работ по разработкам БИС РПЗУ с УФ стиранием группа Солода А.Г. лаборатории №283 в 1977 году была преобразована в лабораторию ПЗУ с широким спектром применения. Для укомплектования лаборатории в отделе нужно было сделать структурные преобразования с перемещение ведущих специалистов в этот коллектив. Ядро коллектива составили Копытов А.М., Высочина С.В., Лисица Л.Н., Животовский В.М., Киреев В.О., Мерхалев С.Г., Кириченко М.Ю., Хоменко А.Ф.и другие.

Сотрудники лаборатории № 281. Начальник лаборатории Солод А.Г.

За период 1979-1989 годы этой лабораторией были выполнены 13 НИОКР по разработке БИС ПЗУ информационной емкостью от 16 Кбит до 1 Мбит, в том числе разработки в интересах Генерального заказчика (Министерства обороны).

К 90-м годам уровень интеграции в БИС ПЗУ достиг более 1 миллиона МДП транзисторов на кристалле с плотностью более 25 000 транзисторов на 1 мм 2.

Принципиально по новому были решены вопросы топологической компоновки БИС ПЗУ с введением Х-образных элементов памяти, что резко сократило активный размер кристалла СБИС.

Новым в развитии БИС ПЗУ явилось введение финишного программирования по предложению Ярандина В.А. (зам. главного конструктора по технологии во всех разработках БИС ПЗУ).

Этим же коллективом был проведен ряд работ по 32 – разрядным микропроцессорам с транспьютерной организацией (НИР «Кронос», «Кронос -1», «Кронос 3). О них - отдельно в этой книге.

Важным звеном в деятельности отдела №280 была лаборатория исследований, измерений и технических средств БИС РПЗУ (начальник лаборатории Тарасенко Г.А.). Имея классическое базовое образование, экспериментальный подход и «золотые» руки Тарасенко Г.А. за короткое время создал коллектив разработчиков единомышленников в области измерений элементной базы и контрольно измерительной аппаратуры (КИА) для БИС. Комплексы КИА «Вишня», «Вахта», тестеры 013,021, 03 (разработанный в НИИ) послужили основой для организации исследований и измерений БИС РПЗУ. Ведущие инженеры Ворон А.А., Безшапкин Н.В., Золотарев Ю.М., Крутиков С.С., инженеры, техники-измерители Москаленко В.Д., Попович Л.В. Мехед И.Б., Ренкис А.М., Пашковская Е.П., Кушниренко Е.В.


стали основой коллектива лаборатории и внесли значительный вклад в разработки отдела.

Сотрудники лаборатории №287 Начальник лаборатории Тарасенко Г.А На всех этапах выполнения НИОКР надежно работала группа планово экономического и материально-технического обеспечения разработок: ведущий инженер-экономист Станиславская Г.И., ведущий инженер Болгарчук В.Л., инженер Титенко А.Г., техники Перепелицына Л.И., Куликова В.И., Давиденко Н.Ф. и другие.

Успехи работы тематических лабораторий во многом зависели от слаженной работы этой группы, ее преданности и ответственного отношения к выполнению порученных заданий. Ветеран отдела и НИИ Станиславская Г.И.и в настоящее время успешно обеспечивает планово-экономическое сопровождение разработок НИИ и отдела.

Группа планово-экономического, материально-технического и информационного обеспечения разработок Научно-техническое и информационное обеспечение разработок с 1982 по 1993 годы бессменно осуществляла инженер Прокофьева А.П. Разработчики отдела искренне благодарны этому чуткому и внимательнейшему человеку за большую помощь в получении научной и практически ценной информации по всем направлениям разработок отдела.

Практически все НИОКР отдела по конструктивно-топологическому проектированию прошли через лабораторию Бондаренко В.А. отдела №170. Смена технических средств проектирования, изменения технологии БИС требовали поистине универсальных подходов к разработке топологии кристалла БИС ЗУ. Эти задачи успешно решали разработчики этой лаборатории – ведущие инженеры Сидорчук В.Н., Жерихин А.Г, Тарасенко В.А., старшие инженеры Чугаева Т.И. и другие.

Весомый вклад в разработки БИС РПЗУ внесли Тильс А.А., Ткаченко Ю.И., Балай Б.А., Зубенко В.И. и другие.

Начиная с 90 - х отдел выполнял разработки в новых направлениях электронной техники, результаты которых частично отражены в последней части этой книг.

Достойную оценку своей работы отдел получил в дни, когда он отмечал свое десятилетие в июне 1984 года. В актовый зал НИИ наш коллектив пришли поздравить все руководители структурных подразделений и их сотрудники.

Руководство института представлял уважаемый ученый и человек Кролевец К.М..

Руководство объединения - главный инженер Болдырев В.П. Было сказано много добрых слов в адрес наших сотрудников, высказаны пожелания на будущее.

Петин Ю.А., ученый секретарь НИИ в те годы: «Здесь следует рассказать о роли работ отдела, которую он сыграл в осуществлении Киевским НИИ микроприборов функций головного института по одному из направлений в микроэлектронике. Об этом автор «Записок Главного конструктора» умолчал.

Напомню, в 1972 году приказом Министра электронной промышленности СССР Шокина А.И. (№46 от 22.02.72 г.) Киевский НИИ микроприборов НИИ был определен головным по направлению БИС энергонезависимых и постоянных запоминающих устройств. Главным конструктором направления в отрасли был назначен начальник отдела 280 Сидоренко В.П.

Высокая ответственность НИИ за результаты работы по направлению предопределила и значение работ отдела 280 для НИИ и Объединения.

Во-первых, по научно-техническим достижениям КНИИМП должен быть и был лидером в отрасли. На начальника и научных лидеров отдела возлагались теперь и новые задачи: анализ тенденций в развитии этого класса изделий зарубежными фирмами, разработка и представление в Научный Центр (г.

Зеленоград) прогноза развития БИС РПЗУ и ПЗУ в стране, предложений в комплексно-целевую отраслевую программу «Память» с перечнем новых разработок (с учетом предложений предприятий-заказчиков) и обеспечения их выполнения, возможного распределения работ между предприятиями. Не должны были оставаться без внимания главного конструктора направления и специалистов нашего НИИ работы НИИФПП (г.Зеленоград) и НИИ «Восток» (г.Новосибирск), проводивших работы в этой области, и исследования институтов АН СССР и АН УССР в области создания и исследования тонких и сверхтонких пленок.

Во вторых, необходимо было решать многие вопросы и в обеспечении потребности различных отраслей промышленности страны в этих изделиях.

До экономического кризиса Объединение «Кристалл» было основным (а по большинству и единственным) их поставщиком в СССР».

Сотрудники отдела с руководителями подразделений НИИ, института и объединении после торжественного собрания О научном уровне работ отдела и реальной ценности для электронной промышленности СССР его разработок свидетельствуют такие факты. За период - от создания схемотехнической лаборатории разработок МОП БИС в 1969 году по 1990 год коллективом лаборатории, а затем отдела выполнено 256 НИОКР, разработано и внедрено в крупносерийное производство на заводах отрасли 157 изделий (ИС и БИС) различных классов и типономиналов практически для всех отраслей народнохозяйственного комплекса страны и специального назначения.

По тематике отдела сотрудники НИИ и отдела подготовили и успешно защитили более 20 диссертаций на соискание ученой степени кандидата технических наук.

За этот же период учеными и специалистами отдела было опубликовано свыше 500 научных статей в периодических научно-технических журналах и сборника СССР и Украины.

Систематически принимали участие во Всесоюзных научно-технических конференциях.

Один раз в два года ГОНТИ с участием сотрудников отдела, ученого секретаря НИИ организовывал проведение на базе нашего института (как головного в отрасли по энергонезависимым запоминающим устройствам) научно-технические конференции «Опыт разработки и внедрения БИС ЗУ». В работе конференций кроме сотрудников нашего института принимали участие и специалисты других НИИ и предприятий МЭП, аппаратурных отраслей промышленности. Это давало возможность оценить уровень наших разработок и сформулировать перспективные задачи для будущих НИОКР. Издавались тезисы докладов, представленных на конференции.

Сотрудниками отдела получено свыше 1000 авторских свидетельств на изобретения. Каждый второй сотрудник отдела стал активным изобретателем. Двоим сотрудникам Солоду А.Г. и Сидоренко В.П. присвоено Почетное звание «Заслуженный изобретатель Украины». Это звание вручалось в Верховном Свете Украины в торжественной обстановке. Лауреатом премии ВОИР СССР стала ведущий инженер отдела Высочина С.В.

Активную работу по организации рационализаторской и изобретательской работы в отделе проводил Зуб П.Н., который и сам был изобретателем. Благодаря его деятельности отдел на протяжении всего периода отдел в этом был лидером среди подразделений НИИ.

Сегодня вспоминая 70 - 89 годы - период дружной работы отделов НИИ и цехов завода в успешном решении поставленных перед институтом задач, я считаю свои долгом вернуться к именам тех людей, которые обеспечили наш успех и были названы в моем докладе о 10 - летии отдела 280. Их надо знать и помнить. Мне кажется лучший путь для этого - опубликовать доклад в этих «Записках». Здесь не только имена специалистов и руководителей и оценка их вклада в общее дело, но и наше отношение к ним в годы расцвета института. В нем отражен и дух того времени. В нем можно встретить для молодого поколения непонятные сокращения «т.», «тов.». Это значит – товарищ. В нашей работе мы были действительно товарищами. То, что во многих случаях употребляется слово «изделие» вместо «интегральная схема» и не раскрывается суть многих разработок, а даются только условные названия, - это дань режиму секретности, в котором работал институт в те годы. Публикация этого доклада показывает на примере отдела 280 масштабность тех работ, которые проводились в институте при разработке интегральных схем.

Отдел 280. Победитель социалистического соревнования «За научно-технический прогресс» в Объединении «Дорогие товарищи, друзья!

Сегодня мы собрались в этом зале по случаю 10-летия образования отдела 280.

Свой юбилей коллектив отдела встречает новыми трудовыми достижениями.

Успешно выполнен план I квартала 1984 года, есть полная гарантия выполнения плана II квартала.

Главным 10 летней деятельности отдела 280 является создание коллектива разработчиков изделий электронной техники, прошедшего путь от первых гибридных интегральных схем до самых современных СБИС, и состоящего из квалифицированных специалистов, обладающих огромным опытом.

За 10 летний период коллективом отдела выполнено 70 ОКР и НИР, разработано и внедрено в серийное производство 80 изделий, в том числе изделия массового выпуска серий К172, 178, К 145, К 144, 186, 505, К 568, К1601, К 543, К 573 и др.

По выполненным темам опубликовано более 140 научных работ, получено авторских свидетельств на изобретения, из них в серийное производство внедрено 36 с экономическим эффектом более 2,5 млн. руб. Подано и внедрено в производство рационализаторских предложений. Получено 6 медалей и 3 диплома ВДНХ, 13 дипломов НТО РЭС им. А.С.Попова.

По тематике отдела подготовлены и защищены кандидатские диссертации тов.

Золотаревским В.И. в 1975 г., тов. Грудановым Н.Б. в 1982 году, тов. Невядомским В.И. в 1984 г. Многие квалифицированные специалисты занимаются в аспирантуре без отрыва от производства.

Существенный вклад в изобретательскую и рационализаторскую работу НИИ вносят заслуженный изобретатель УССР тов. Солод А.Г., лауреат премии ВОИР среди женщин тов. Высочина С.В., лучшие изобретатели НИИ т.т. Золотаревский В.И., Копытов А.М., Сирота А.Я., Прокофьев Ю.В. и другие, лучшие рационализавторы отдела Зуб П.Н., Корниенко М.И.,Семенович Е.И., Крутиков С.С., Безшапкин Н.В., Копытов А.М., Хцынский Н.И., Прокопенко А.М., Вощинкин А.Ф.

21 сотрудник отдела – лауреаты всесоюзных конкурсов НТО РЭС им. А.С.Попова.

Участвуя в социалистическом соревновании за лучшую постановку изобретательской и рационализаторской работы среди отделов НИИ, отдел 280 занимал I место 14 раз по изобретательству и 12 раз по рационализации.

Все наши успехи в умах и сердцах нашего «Золотого фонда» - таких людей, как Яровой С.И., Хцынский Н.И., работающих в НИИ с 1963 г., и 30 сотрудников, из которых был образован отдел, прошедших вместе с ним его славный путь. Это т.т. Сирота А.Я., Солод А.Г., Золотаревский В.И., Семенович Е.И., Безшапкин Н.В., Прокофьев Ю.В., Копытов А.М., Крутиков С.С., Зуб П.Н., Животовский В.М., Василенко Г.В., Куликова В.И., Кандыба Г.С., Лисица Л.Н., Груданов Н.Б., Кравец С.Н., Калитенко В.Ф., Тальнова В.А., Дедикова В.М., Вощинкин А.Ф., Хоружий А.А., Куриленко С.В., Невядомский В.И., Гусева Т.Г., Капровская Л.В., Третьяк М.А., Юхименко Ю.А., Покровский Е.Н., Высочина С.В., Мерхалев С.Г.

В отделе работают три Ветерана ПО «Кристалл».

Сотрудники отдела награждены правительственными наградами: орденами – человека, медалями – 8 человек. Награждены знаками «Победитель соцсоревнования» - человека, «Ударник пятилетки» - 12 человек. Заносились на Доску Почета НИИ – 8 человек, в Книгу Почета НИИ – 2 человек, на Аллею Славы ПО «Кристалл» - 5 человек, в Книгу Почета ПО «Кристалл» - 5 человек.

В 1980 г. за высокие показатели, достигнутые в социалистическом соревновании по повышению эффективности производства и качества работы, высокую культуру производства, активную работу по коммунистическому воспитанию трудящихся коллективу отдела 280 присвоено звание «Образцовый коллектив». В апреле 1982 г. – звание «Коллектив коммунистического труда», а в декабре 1982 г. - почетное звание «Коллектив имени 60-летия образования СССР».

Свои первые шаги в разработке полупроводниковых интегральных схем коллектив отдела 280 начал еще в составе отдела 150 (лаборатория №158) в 1968 г. В мае 1969 г.

лаборатория 158 в полном составе была переведена в технологический отдел №190 для расширения фронта работ и комплексного решения разработки схемотехники и технологии ИС и БИС на основе МДП-транзисторов.

Следует отметить, что это было первое схемотехническое подразделение в составе технологического отдела. Мы радушно были приняты коллегами-технологами, коллектив которых возглавлял опытный специалист Верницкий Юрий Александрович.

Я не ошибусь, если скажу, что те времена трогательно и с большой теплотой вспоминают все схемотехники и технологи, которые вместе делали первые шаги большого дела – развития схемотехники и технологии МДП ИС и БИС.

Если брать этапные работы, выполненные коллективом отдела, то можно отметить, прежде всего,1969 год, когда коллектив в составе: Зеленевская Е.А., Цымбал А.А., Хцынский Н.И., Безшапкин Н.В., Москалевский А.И., Ножницкий А.Г., Крутиков С.С., Копытов А.М., Аверьянов Н., Прокофьев Ю.В., Проценко Л.В., Тальнова В.А., Шельпук Г.Д, Ткаченко Ю.И. провели разработку изделий серии 147 (ОКР «Компонент») Выполнение этой работы вселило надежду на то, что полупроводниковые интегральные схемы можно разрабатывать, и будущее за нами.

Потом появляется уникальное изделие «Маневр», в котором требовалось разработать ряд БИС ЗУ и устройств коммутации. В разработке этих изделий приняли непосредственное участие т.т. Хцынский Н.И., Смирнов В.Н., Куриленко С.В., Максимов А.Н., Тальнова В.А., Безшакин Н.В., Яровой С.И., Солод А.Г., Золотаревский В.И., Ткачук А.Д., Невядомский В.И., Калитенко В.Ф.

В результате этих работ появились ИС ПЗУ емкостью 1 Кбит, ОЗУ емкостью Кбит.

Вместе с разработкой БИС росли и кадры, которые могли самостоятельно вести разработки и вносить свой вклад в становление отечественной микроэлектроники.

Разработкой изделий 1971 г. типа «Кобра», в которой приняли участие т.т.

Кибальчич В.И., Зеленевская Е.А., Яровой С.И., Петин Ю.А., Кондратьев Н.В., Солод А.Г., Высочина С.С., Верницкий Ю.А., Ножницкий А.Г., Шаталова Г.С., Щеткин В.Н., Шельпук Г.Д., Бондаренко В.А., и «Кант» - разработчики т.т. Сирота А.Я., Таякин Ю.В., Прокофьев Ю.В., Копытов А.М., Третьякова Р.И., Мацкевич Г.Г., Верницкий Ю.А., Алексеев Ю.А., Шельпук Г.Д., Ткаченко Ю.И. фактически завершился первый этап в жизни коллектива, показавший, что он готов к большим делам.

И вот знаменитый «Катамаран», в котором при участии т.т. Сироты А.Я.

Таякина Ю.В., Прокофьева Ю.В., Копытова А.М., Москалевского А.И., Смирнова В.Н., Скрипки В.И., Шельпука Г.Д. Ткаченко Ю.И., Борисёнка О.В., Мельниченко А.М. и др. были разработаны первые БИС для ЭКВМ «Электроника 4-71». ОКР «Катамаран» - то не только этап в развитии микроэлектроники.

В результате выполнения этой ОКР в отрасли были созданы базовая схемотехника, технология и первая ЭКВМ «Электроника 4-71». По этому комплексу работали такие наши ветераны, как зам. главного инженера НИИ Саватьев В.А. (в части конструкции ЭКВМ) ученый секретарь НИИ Петин Ю.А. – руководитель разработки базовой технологии, начальник «чистой комнаты» Гайворонский И.П.- создатель первого замкнутого производства МДП БИС, начальник ПДО Хилько С.А. (в то время- начальник серийного цеха)- зам. главного конструктора по производству, начальник отдела Остроброд Н.Л., который проявил себя не только как руководитель коллектива, но и как технический специалист по комплексному подходу к разработке и изготовлению КИА и КИО.

Возглавлял ОКР «Катамаран» генеральный директор Моралёв С.А.

На протяжении всей работы было полное взаимопонимание отделов разработчиков и производственных цехов.

Созданная в результате ОКР «Катамаран» базовая технология и схемотехника ещё долгое время служила целям разработок и производства.

На этой базовой технологии также была разработана интегральная схема генератора импульсного питания БИС, которая явилась основой разработок ряда ИС генераторов. Разработчики – т.т. Яровой С.И., Солод А.Г., Высочина С.В., Треьякова Р.И., Дедикова В.М., Вощинкин А.Ф., Пырля И.Н., Москалевский А.И., Мисюра А.В., Шельпук Г.Д., Бондаренко В.А.

В это же время были проведены исследовательские работы по созданию интегральных схем нейроноподобных элементов, на базе которых предполагалось моделирование процессов живых организмов. Разработчики – т.т. Солод А.Г., Бочко В.Д., Мерхалев С.Г., Ярандин В.А., Бондаренко В.А.

Потом был «Кант-1» (1973 г.), в котором разработано 11 типов интегральных схем. В том, что эти массовые изделия увидели свет, большая заслуга т.т. Петина Ю.А., Цымбала А.А., Витренко С.С., Лисицы Л.Н., Хцынского Н.И., Тальновой В.А., Мацкевича Г.Г., Смирнова В.Н., Бондаренко В.А.

Разработкой изделий «Радикал-К» - разработчики т.т. Липовецкий Г.П., Семенович Е.И., Сивобород В.П., Алексеев Ю.А., Калитенко В.Ф., Бондаренко В.А., Шельпук Г.Д. – закончился второй этап в жизни коллектива лаборатории.

Коллектив был подготовлен для самостоятельной большой работы.

С целью усиления и расширения фронта работ в области создания МДП ИС и БИС 24 июня 1974 г. приказом №702 был создан отдел 280. Во главе лабораторий и групп становятся опытные разработчики т.т. Сирота А.Я., Цымбал А.А., Яровой С.И., Хцынский Н.И., Солод А.Г., Золотаревский В.И.

Большую помощь в организации и становлении отдела оказали главный инженер НИИ Кролевец К.М. и зам. главного инженера НИИ т. Кибальчич В.И.

Следует отметить, что эти руководители по-деловому и систематически оказывали и техническую помощь.

Я не припомню ни одной разработки того времени, где не было инженерной помощи и практических советов К.М.Кролевца. За это ему большое человеческое спасибо от меня лично и благодарность всего коллектива.

Значительную помощь в организации планирования научных разработок на всех этапах работы отдела оказывал ППО НИИ во главе с Кондратенко М.Ф.

Боеспособный коллектив приступает к разработке целого комплекса ИС ЗУ различных классов, коммутаторов и генераторов импульсного питания ИС.

Первые серийноспособные ИС ЗУ, которые выпускаются по настоящее время, были созданы в результате выполнения ОКР «Квазар-1», «Квазар -1М», «Квазар-4», «Квазар 4М» (1974,1975 г.г.) - разработчики т.т. Хцынский Н.И., Чекалкин В.П., Калитенко В.Ф., Яровой С.И., Радугин А.И., Смирнов В.Н., Тильс А.А.. Чугаева Т.В., Жерихин А.Г., Костюк В.Д., Балай Б.А.;

ОКР «Крыло -1,2» (1977 г.) – разработчики т.т. Чекалкин В.П., Троценко Ю.П., Корниенко М.И., Юхименко Ю.А., Лосев В.В., Витренко С.С., Лисица Л.Н., Тильс А.А., Чугаева Т.В., Бондаренко В.А., Смирнова Т.А.

В результате проведения в 1974-1977 г.г. совместно с отделом 260 НИР и ОКР «Курс», «Клин», «Клин – К» - разработчики т.т. Сирота А.Я., Таякин Ю.В., Прокофьев Ю.В., Копытов А.М., Москалевский А.И., Мисюра А.В., Шельпук Г.Д., Ткаченко Ю.И., Мельниченко А..- были разработаны большие интегральные схемы для однокристальных ЭКВМ «Электроника - Б3-09М», «Электроника - Б3-14М» и первой в СССР программируемой ЭКВМ «Электроника Б3-21».

В 1976 г., 1978 г. были успешно выполнены ОКРы «Колонна» и «Колонна-1» разработчики т.т. Семенович Е.И., Зуб П.Н., Алексеев Ю.А., Шельпук Г.Д., Бондаренко В.А.. Третьяк М.А.

Принципиально новое направление, основанное на сложнейших физико технологических принципах, было начато в ОКР «Крыло-ПЗ» и «Курган-2», «Курган-2С», «Курган-4», «Курган-4С» (1979-1983 г.г.). Это направление возглавил т. Чекалкин В.П.

совместно с ведущими специалистами т.т. Юхименко Ю.А., Корниенко М.И., Невядомским В.И., Крутиковым С.С., Дариевичем Ю.С., Мельник Г.К., Тарасенко В.А., Тильсом А.А., Троценко Ю.П., Костюком В.Д, Бережным В.Н., Омельченко В.С.

Успешное развитие получили разработки в области ПЗУ коллективом разработчиков, которых возглавляет т. Солод А.Г. Это ОКР «Комета 2, 2С», «Комета 8», «Комета 10, 10С» и др. Большой вклад в работы по этому направлению внесли т.т.

Копытов А.М., Лисица Л.Н., Высочина С.В., Буй В.Б., Мерхалев С.Г, Животовский В.М., Тильс А.А., Жерихин А.Г.. Король В.П., Кононенко Ю.Г., Ярандин В.А., Сидорчук В.Н., Розанова М.А., Федулов В.В., Василенко А.П., Суздальцев В.



Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 || 10 | 11 |   ...   | 18 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.