авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |
-- [ Страница 1 ] --

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И

ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А.В.

ШУБНИКОВА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА

НОВГОРОДСКИЙ ФИЛИАЛ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА

СЕРВИСА И ЭКОНОМИКИ

При поддержке РФФИ и ООО «Брукер»

СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ

АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия ) Сборник материалов и программа Пятого международного научного семинара 12 – 16 сентября 2011 года ВЕЛИКИЙ НОВГОРОД 2011 A.F. IOFFE PHYSICO-TECHNICAL INSTITUTE RAS INSTITUTE OF MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND HIGH PURITY MATERIALS RAS A.V. SHUBNIKOV INSTITUTE OF CRYSTALLOGRAPHY RAS M.V. LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY NOVGOROD BRANCH OF ST. PETERSBURG STATE UNIVERSITY OF SERVICE AND ECONOMY Supported by Russian Foundation for Basic Research and LTD «BRUKER»

MODERN METHODS OF DIFFRACTION DATA ANALYSIS (X-ray Topography, Diffractometry, Electron Microscopy) Programme and Materials of the 5 International Scientific Seminar 12 – 16 September, VELIKY NOVGOROD ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ РАН ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ РАН ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А.В. ШУБНИКОВА РАН МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА НОВГОРОДСКИЙ ФИЛИАЛ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА СЕРВИСА И ЭКОНОМИКИ При поддержке РФФИ и ООО «Брукер»

СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия) Сборник материалов и программа Пятого международного научного семинара 12 – 16 сентября 2011 года ВЕЛИКИЙ НОВГОРОД УДК 548.0:539.1:539.2:535 Печатается по решению С56 Программного и Организационного комитетов семинара Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия): сборник С материалов и программа Пятого международного научного семинара, 12–16 сентября 2011 г. / Состав.: В.А. Ткаль;

НФСПбГУСЭ. – Великий Новгород, 2011. – 200 с.

Материалы печатаются в авторской редакции ISBN 978-5-98769-087- Семинар проводится при финансовой поддержке РФФИ, грант № 11-02- УДК 548.0:539.1:539.2: ISBN 978-5-98769-087-1 © Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, © Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, © Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, © Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, © Новгородский филиал Санкт Петербургского государственного университета сервиса и экономики, © Авторы статей, ОГЛАВЛЕНИЕ Стр.

ПРОГРАММНЫЙ И ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТЫ СЕМИНАРА РЕКЛАМА ПРОДУКЦИИ ООО «БРУКЕР» ПРОГРАММА СЕМИНАРА ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ СПИСОК ОРГАНИЗАЦИЙ-УЧАСТНИКОВ СЕМИНАРА АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ АВТОРОВ ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ Бушуев В.А., МГУ – председатель 1.

Рощупкин Д.В., ИПТМ РАН – зам. председателя 2.

Данильчук Л.Н., НовГУ 3.

Кютт Р.Н., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН 4.

Молодкин В.Б., ин-т Металлофизики НАНУ, Украина 5.

Пунегов В.И., Коми НЦ УрО РАН 6.

Суворов Э.В., ИФТТ РАН 7.

ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТ Парфеньев Р.В., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН – 1.

сопредседатель Ткаль В.А., СПбГУСЭ – сопредседатель 2.

Донина И.А., СПбГУСЭ 3.

Мягкова Ю.А., СПбГУСЭ 4.

Окунев А.О., НовГУ 5.

РЕКЛАМА ПРОДУКЦИИ ООО «БРУКЕР»

СОВРЕМЕННЫЕ РЕНТГЕНОВСКИЕ ДИФРАКТОМЕТРЫ www.bruker-axs.ru Bruker AXS Дифрактометр высокого разрешения D8 DISCOVER Фазовый и структурный анализ твердых тел (порошки, поли- и монокристаллы) Исследование морфологии межслойных границ в многослойных структурах, с толщинами слоев вплоть до нескольких монослоев Изучение особенностей морфологии поверхности и приповерхностных слоев по глубине (от десятых долей нанометра) Изучение структурных превращений в твердых растворах ПРОГРАММА ПЯТОГО МЕЖДУНАРОДНОГО НАУЧНОГО СЕМИНАРА «СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (ТОПОГРАФИЯ, ДИФРАКТОМЕТРИЯ, ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ) и АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОПТИКИ»

Регистрация участников семинара и направление на по селение в гостиницу «Садко» проводится в конференц-зале Новгородского филиала Санкт-Петербургского государст венного университета сервиса и экономики (НФ СПбГУСЭ) 12 сентября 2011 года с 8.30 до 14.00 часов по адресу: Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3.

Заседания семинара проходят ежедневно с 14.00 до 19. часов в конференц-зале НФ СПбГУСЭ. В перерывах заседа ния организован Coffee-break.

Продолжительность устных докладов - 25 минут, крат ких сообщений – 15 минут.

Стендовые доклады вывешиваются участниками семинара 13 сентября в специально отведённых местах и снимаются сентября. Обсуждение стендовых докладов проводится в строго отведенное в программе время, а также с перерывах между уст ными докладами.

Программный и Организационный комитеты проводят конкурс докладов молодых учёных, возраст которых не пре вышает 35 лет.

Культурная программа включает в себя экскурсии по Великому Новгороду, Кремлю, окрестным монастырям, по сещение исторического музея, музея В.И. Поветкина.

Приём статей для рецензирования и опубликования в жур налах «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтрон ные исследования» и «Заводская лаборатория. Диагностика ма териалов» проводится Программным и Организационным коми тетами в период работы семинара. Решение о публикации статьи принимается Программным комитетом семинара и согласовыва ется с редакцией журнала. Статьи должны быть оформлены в со ответствии с требованиями журналов.

ПЕРВЫЙ ДЕНЬ Понедельник, 12 сентября 08.30-14.00 Регистрация участников и поселение в гостиницы 10.00-13.00 Автобусная экскурсия по Великому Новгороду 13.00-14.00 Обед Председатель: В.А. Ткаль 14.00-14.30 Открытие семинара Вступительное слово директора НФ СПбГУСЭ И.Р. Кормановской Вступительное слово председателя Программного комитета В.А. Бушуева Секция «Рентгеновская оптика»

14.30-15.00 Доклад 1. ВЛИЯНИЕ ДИФРАКЦИИ В КРИСТАЛЛАХ И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ НА СТАТИСТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОТРАЖЕННЫХ ИМПУЛЬСОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ЛАЗЕРА НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ В.А. Бушуев1, Л. Самойлова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия European XFEL GmbH, Notkestr 85, Hamburg 22607, Germany 15.00-15.30 Доклад 2. Orientation Determination Algorithm in Single Particle Coherent Imaging A. Efanov, I. Vartanyants, E. Weckert DESY, Notkestr. 85, D-22607 Hamburg, Germany 15.30-16.00 Перерыв Coffee-break Секция «Топография»

Председатель: И.А. Прохоров 16.00-16.30 Доклад 3. ДИФРАКЦИОННОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В МЕТОДАХ РЕНТГЕНОВСКОЙ СЕКЦИОННОЙ ТОПОГРАФИИ Э.В. Суворов, И.А. Смирнова Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская область, ул.

Акад. Ю.А.Осипьяна д. 16.30-17.00 Доклад 4. ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНТЕНСИВНОСТЬ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ГЕОМЕТРИИ БОРМАНА-ЛЕЕМАНА И.А. Смирнова, Э.В. Суворов Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Мос. обл., ул. Академика Осипьяна д.2, 142432, Россия 17.00-17.30 Доклад 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВНУТРЕННЕГО СТРОЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПО-ТОМОГРАФИИ Д.А. Золотов1, В.Е. Асадчиков1, А.В. Бузмаков1, А.Э. Волошин1, В.Ю. Карасев Учреждение Российской академии наук институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, 119333, г. Москва, Ленинский просп., ООО «ПТЦ УралАлмазИнвест» 121108, г. Москва, ул. Ивана Франко, д. 17.30-18.00 Перерыв Coffee-break Секция «Структурные исследования»

Председатель: Э.В. Суворов 18.00-18.30 Доклад 6. ТРЕХВОЛНОВАЯ ДИФРАКЦИЯ В СИЛЬНОНАРУШЕННЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ТИПА ВЮРЦИТА Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ РАН), 194021, г. С. Петербург, ул. Политехническая, д. 18.30-19.00 Доклад 7. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА И АКУСТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА Ca3TaGa3Si2O Д.В. Рощупкин, Д.В. Иржак, О.А. Плотицына, Р.Р. Фахртдинов Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия 19.00-19.30 Доклад 8. СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ В ПРОЦЕССЕ ДЕФОРМИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ М.Ш. Акчурин3, Р.В. Гайнутдинов, А.А. Каминский, И.И. Купенко, А.А. Ломов1, С.Н. Поляков Физико-технологический институт РАН, Нахимовский просп. д. 36/1, Москва, Россия Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Централь ная 7а, г.Троицк, Россия Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Ленинский просп. д.59, Москва, Россия ВТОРОЙ ДЕНЬ Вторник, 13 сентября 08.00-09.00 Завтрак 10.00-13.00 Участие в работе Третьей молодежной научной школы 10.00-13.00 Экскурсия по Новгородскому Кремлю и его окрестностям 13.00-14.00 обед Секция «Рентгеновская оптика»

Председатель: В.И. Пунегов 14.00-14.30 Доклад 9. 3D CXDI OF COLLOIDAL CRYSTALS – A WAY TO REACH ATOMIC RESOLUTION A. Efanov, J. Gulden, A.P. Mancuso, A. Singer, V. Berntov, A. Burkhardt, R.

Dronyak, M. Sprung, A. Petukhov, and I.A. Vartanyants DESY, Notkestr. 85, D-22607 Hamburg, Germany 14.30-15.00 Доклад 10. ИОННОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ АСФЕРИЧЕСКИХ ЗЕРКАЛ ДЛЯ НАНОФОКУСИРОВКИ ПУЧКОВ СИ И.В. Кожевников1, L. Peverini2, E. Ziegler2, A. Rommeveaux2, N. Vaxelaire2, P.V. Vaerenbergh2, L. Claustre2, S. Guillet2, J.-Y. Massonnat2, J. Susini Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия European Synchrotron Radiation Facility, BP 220, 38043, Grenoble Cedex, France 15.00-15.30 Доклад 11. CHARACTERIZATION OF ZONE PLATE PROPERTIES USING RIGOROUS CALCULATIONS AND MONOCHROMATIC SYNCHROTRON RADIATION IN THE 2 NM TO 20 NM WAVELENGTH RANGE L.I. Gorai, J.F. Seely, B. Kjornrattanawanich, Y. Feng Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нано технологий РАН (СПб АУ - НОЦНТ РАН), ул. Хлопина, 8/3, Санкт-Петербург, 194021, Россия 15.30-16.00 Перерыв Coffee-break Секция «Топография»

Председатель: Д.В. Рощупкин 16.00-16.30 Доклад 12. ВОЗМОЖНОСТИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ В ИССЛЕДОВАНИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И.Л. Шульпина1, В.А. Козлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Политехническая ул., 26, Санкт-Петербург, Россия НПО «ФИД-Техника»,195220, Гжатская ул., 27, Санкт-Петербург, Россия 16.30-17.00 Доклад 13. РЕНТГЕНОТОПОГРАФИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ, ВЫРАЩЕННЫХ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ ТЕРМОГРАВИТАЦИОННОЙ КОНВЕКЦИИ И.А. Прохоров1, И.Л. Шульпина2, Ю.А. Серебряков1, Е.Н. Коробейникова1, В.Н. Власов1, И.Ж. Безбах Филиал Учреждения Российской академии наук Института кристаллографии им. А.В.

Шубникова РАН НИЦ “Космическое материаловедение”, ул. Академическая, 8, Калуга, Россия Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе РАН 17.00-17.30 Доклад 14. ВОЗМОЖНОСТИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZnGeP А.О. Окунев1, Г.А. Верозубова2, Л.Н. Данильчук1, В.А. Стащенко1, А.Ю. Трофимов Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, ул. Б. Санкт Петербургская, 41, 173003 Великий Новгород, Россия Учреждение Российской академии наук Институт мониторинга климатических и эколо гических систем Сибирского отделения РАН, пр. Академический, 10/3, 634055 г. Томск, Россия 17.30-18.00 Перерыв Coffee-break Секция «Многослойные и латеральные структуры»

Председатель: М.А. Андреева 18.00-18.30 Доклад 15. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИЯ НА ПОРИСТОЙ СВЕРХРЕШЕТКЕ В.И. Пунегов Учреждение Российской академии наук Коми Научный Центр УрО РАН, 167982, Сык тывкар, Россия 18.30-19.00 Доклад 16. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР, СФОРМИРОВАННЫХ В Y-СРЕЗЕ КРИСТАЛЛА LiNbO3 МЕТОДОМ ПРЯМОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ Д.В. Иржак, Л.С. Коханчик, Д.В. Рощупкин, Р.Р. Фахртдинов Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН), г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 19.00-19.30 Доклад 17. РАСЧЕТ КРИВЫХ ДИФРАКЦИОННОГО ОТРАЖЕНИЯ ОТ ЛАТЕРАЛЬНО-ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР С.И. Колосов Отдел математики Коми НЦ УрО РАН 167001, г. Сыктывкар, ул. Коммунистическая, ТРЕТИЙ ДЕНЬ Среда, 14 сентября 08.00-09.00 Завтрак 10.00-13.00 Участие в работе Третьей молодежной научной школы 13.00-14.00 обед Секция «Многослойные и латеральные структуры»

Председатель: В.Е. Асадчиков 14.00-14.30 Доклад 18. ВЛИЯНИЕ МАЛЫХ МАГНИТНЫХ ДОБАВОК К ВОСПРИИМЧИВОСТИ НА ФОРМУ "МАГНИТНЫХ" МАКСИМУМОВ ПРИ ОТРАЖЕНИИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР М.А. Андреева, Е.Е. Одинцова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 14.30-15.00 Доклад 19. ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ МОДУЛИРОВАННЫХ ПОРИСТЫХ СТРУКТУР INP (001) МЕТОДОМ КАРТОГРАФИРОВАНИЯ ОБРАТНОГО ПРОСТРАНСТВА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ А.

А. Ломов, В.И. Пунегов1, А.Л. Васильев2, D. Nohavica3, P. Gladkov3, D. Novikov Физико-технологический институт РАН, Нахимовский просп., д. 36/1, Москва, Россия Коми научный центр УрО РАН, ул. Коммунистическая д. 24, Сыктывкар, Россия Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Ленинский просп. д.59, Москва, Россия Institute of Photonics and Electronics, AS CR, Chaberska str. 57, Prague, Czech Republic German Electron Synchrotron DESY, Hamburg, Germany 15.00-15.30 Доклад 20. КОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ НА СВЕРХРЕШЕТКЕ С ЛАТЕРАЛЬНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ КОМПОНЕНТНОГО СОСТАВА: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ Д.В. Казаков Отдел математики Коми НЦ УрО РАН 167001, г. Сыктывкар, ул. Коммунистическая, 15.30-16.00 Перерыв Coffee-break Секция «Структурные исследования»

Председатель: Р.Н. Кютт 16.00-16.30 Доклад 21. ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ПИРОУГЛЕРОДА И УГЛЕСИТАЛЛА С ПРИМЕНЕНИЕМ ФОКУСИРОВАННОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА В.Н. Кукин, Н.И. Боргардт, Р.В. Волков Московский государственный институт электронной техники (технический универси тет), Зеленоград 16.30-17.00 Доклад 22. СПЕЦИФИКА ИДЕНТИФИКАЦИИ СТРУКТУРЫ НАНОЧАСТИЦ С.К. Максимов, К.С. Максимов НИУ Московский институт электронной техники, 124498, Зеленоград, проезд 4806, д. 17.00-17.30 Доклад 23. ПЕРСПЕКТИВЫ КОНТРОЛЯ НАНОЧАСТИЦ МЕТОДАМИ РЭМ С.К. Максимов, К.С. Максимов НИУ Московский институт электронной техники, 124498, Зеленоград, проезд 4806, д. 17.30-18.00 Перерыв Coffee-break Секция «Структурные исследования»

Председатель: А.А. Ломов 18.00-18.20 Доклад 24. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИЗМЕНЕНИЯ МИКРОСТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ ЛАНТАН-ГАЛЛИЕВЫХ СИЛИКАТОВ ПОСЛЕ ЦИКЛИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ О.М. Кугаенко, В.С. Петраков1, Н.Ю. Табачкова1, С.С. Уварова1, О.А. Бузанов2, В.Н. Егоров2, С.А. Сахаров2, М.Л. Поздняков3, Й. Гастрок НИТУ «МИСиС», Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС».

18.20-18.40 Доклад 25. СТРУКТУРНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ ТИПА IIA С РЕКОРДНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С.Н. Поляков1,2, В.Н. Денисов2,3, М.А. Кузнецов2, С.Ю. Мартюшов2, С.А. Те рентьев2, В.Д. Бланк2, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Московская обл.

Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Московская обл.

18.40-19.00 Доклад 26. ASYMMETRIC RECONSTRUCTION IN EPITAXIAL CAF2/SI(001) UBMONOLAYER STUDIED BY LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION S.M. Suturin, N.S. Sokolov, J. Roy, J. Zegenhagen Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе, 194021, Санкт-Петербург, Политехни ческая ул., 19.00-19.20 Доклад 27. ВЛИЯНИЕ ГИДРИРОВАНИЯ И ДЛИТЕЛЬНОЙ РЕЛАКСАЦИИ НА ДИФФУЗИОННУЮ ПОДВИЖНОСТЬ АТОМОВ ИНДИЯ В ФОЛЬГАХ СПЛАВА Pd-In-Ru В.М. Авдюхина, О.В. Акимова, И.С. Левин, Г.П. Ревкевич Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия ЧЕТВЕРТЫЙ ДЕНЬ Четверг, 15 сентября 08.00-09.00 Завтрак 10.00-13.00 Участие в работе Третьей молодежной научной школы 10.00-13.00 Экскурсия по историческим окрестностям Великого Новгорода 13.00-14.00 обед Секция «Рентгеновская оптика»

Председатель: В.А. Бушуев 14.00-14.30 Доклад 28. INVERSE PROBLEM OF SOFT X-RAY REFLECTOMETRY:

RECONSTRUCTION OF ATOMIC CONCENTRATION PROFILES I.V. Kozhevnikov1, E.O. Filatova2, A.A. Sokolov Institute of Crystallography, Moscow, 119333, Russia St. Petersburg State University, St. Petersburg, 198504, Russia 14.30-15.00 Доклад 29. РЕФЛЕКТОМЕТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ ВОДЫ И КРЕМНЕЗОЛЯ В.Е. Асадчиков1, В.В. Волков1, Ю.О. Волков1, К.А. Дембо1, И.В. Кожевников1, Б.С. Рощин1, А.М. Тихонов2, Д.А. Фролов Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубнико ва, 119333, Москва, Ленинский пр-т, д. Учреждение Российской академии наук Институт физических проблем им. П.Л.Капицы РАН, 119334, Москва, ул. Косыгина 15.00-15.30 Доклад 30. ВЫХОД ИЗЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ВОЛНЫ, ГЕНЕРИРУЕМОЙ В ПРОЦЕССЕ РЕЗОНАНСНОГО КОГЕРЕНТНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ РЕЛЯТИВИСТСКИХ ИОНОВ В КРИСТАЛЛАХ В.П. Петухов НИИ Ядерной физики МГУ, 119991 Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 15.30-16.00 Перерыв Coffee-break Секция «Структурные исследования»

Председатель: Д.В. Иржак 16.00-16.30 Доклад 31. NEXAFS ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕДЕНИЯ ФУЛЛЕРИТА С60 ПРИ ГАЗОСТАТИЧЕСКОЙ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ В АРГОНЕ В.Н. Сивков1, С.В. Некипелов1, О.В. Петрова1, А.И. Кириллов2, Е.М. Гаврищук3, В.Б. Иконников3, Е.Н. Разов4, Д.В. Вялых5, С.Л. Молодцов Komi Science Center, Russian Academy of Science, Ural Division, Syktyvkar, 167982, Russia Институт металлоорганической химии имени Г.А. Разуваева РАН, Н. Новгород, Россия;

Институт химии высокочистых веществ РАН, Н. Новгород, Россия;

Научно-исследовательский физико-технический институт, Н. Новгород, Россия;

Institut fr Festkrperphysik, Tehnische Universitt Dresden, D-01062 Dresden, Germany 16.30-17.00 Доклад 32. ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЕ МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ И ОБ РАБОТКИ В РЕНТГЕНО-СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ А.С. Алалыкин, С.С Алалыкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов Удмуртский государственный университет, 426034, г. Ижевск, Университетская, 17.00-17.30 Доклад 33. МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА РЕСТАВРАЦИИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В.А. Ткаль, М.Н. Петров, К.Г. Лукин, И.А. Жуковская Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики 172025, Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3, Россия 17.30-18.00 Перерыв Coffee-break Секция «Структурные исследования»

Председатель: Н.И. Боргардт 18.00-18.20 Доклад 34. КРИТИЧЕСКИЙ КРОССОВЕР НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ ЖИДКОСТЬ – ЖИДКОСТЬ А.М. Тихонов Институт физических проблем РАН, 119334 Москва ул. Косыгина д. 18.20-18.40 Доклад 35. HARD X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY AS A NONDESTRUCTIVE DEPTH SENSITIVITY TECHNIQUE FOR CHEMICAL ANALYSIS OF NANO-LAYERD SYSTEMS E.O. Filatova1, A.A. Sokolov1, E.V. Ubyivovk1, M. Gorgoi2, F. Schaefers St. Petersburg State University, St. Petersburg, 198504, Russia Helmholtz Zentrum Berlin fr Materialien und Energie (HZB-BESSY II), Albert-Einstein Strasse 15, 12489 Berlin, Germany 18.40-19.00 Доклад 36. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО РАЗЛОЖЕНИЯ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СИЛ ОСЦИЛЛЯТОРОВ В РЕНТГЕНОВСКИХ СПЕКТРАХ ПОГЛОЩЕНИЯ ДВУМЕРНЫХ САМООРГАНИЗУЮЩИХСЯ ПРОТЕИНОВЫХ СТРУКТУР (S LAYER) С.В. Некипелов1, В.Н. Сивков2, О.В. Петрова2, K. Kummer3, V.V. Maslyuk4, A. Bluher5, I. Mertig4, M. Mertig5, Д.В. Вялых3, С.Л. Молодцов Коми педагогический институт, 167982, Сыктывкар, Коммунистическая, Коми научный центр УрО РАН, 167982, Сыктывкар, Institut fr Festkrperphysik, Tehnische Universitt Dresden, D-01062 Dresden, Germany Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, D-06099 Halle, Germany BioNanotechnology and structure Formation Group, Max-Bergman Center of Biomaterials, Dresden University of Technology, D-01062 Dresden, Germany 19.00-19.20 Доклад 37. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФРАКЦИИ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ НА МАССИВЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ЭЛЛИПСОИДАЛЬНОЙ ФОРМЫ Д.В. Сивков Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия ПЯТЫЙ ДЕНЬ Пятница, 16 сентября 08.00-09.00 Завтрак 10.00-13.00 Участие в работе Третьей молодежной научной школы 10.00-13.00 Экскурсия в музей В.И. Поветкина 13.00-14.00 обед Секция «Рентгеновская оптика»

Председатель: И.В. Кожевников 14.00-14.20 Доклад 38. СПЛИТТЕРЫ РЕНТГЕНОВСКИХ ИМПУЛЬСОВ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР В.А. Бушуев1, Л. Самойлова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия European XFEL GmbH, Notkestr 85, Hamburg 22607, Germany 14.20-14.40 Доклад 39. PECULIARITIES OF PHASE TRANSFORMATIONS IN FOILS ALLOY OF Pd-8, 3 at. % Y WITH LONG - TERM RELAXATION AFTER SATURATION WITH HYDROGEN THREE TIMES V.M. Avdyukhina, G.P Revkevich Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 14.40-15.00 Доклад 40. ОЦЕНКА ПАРАМЕТРОВ ПОЛНОПЕРЕБРАСЫВАЕМЫХ МОНОХРОМАТИЧЕСКИХ РЕНТГЕНОВСКИХ ПУЧКОВ К.Т. Айрапетян, С.Н. Нореян, В.В. Маргарян “X-Ray Pungs Laboratory”, Армения, Ереван, Вагаршян 15.00-15.20 Доклад 41. ТРАНСФОРМАЦИЯ ВОЛНОВОГО ПАКЕТА РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ДИФРАКЦИИ НА ДЕФОРМИРОВАННОЙ РЕШЕТКЕ В.Р. Кочарян, Л.В. Левонян, К.Г. Труни Институт прикладных проблем физики НАН Армении, Ереван 15.20-16.00 Перерыв Coffee-break Председатель: В.А. Бушуев 16.00-17.00 Закрытие семинара. Принятие решения.

19-00-22-00 Отъезд участников семинара.

СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ 1. А.Н. Буйлов, А.О. Окунев, Л.Н. Данильчук ИДЕНТИФИКАЦИЯ СМЕШАННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ ПО РОЗЕТКАМ КОНТРАСТА Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, ул. Б. Санкт-Петербургская, 41, 173003 Великий Новгород, Россия 2. А.Н. Буйлов, А.О. Окунев, Л.Н. Данильчук АНАЛИЗ КОНТРАСТА КРАЕВЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, ул. Б. Санкт Петербургская, 41, 173003 Великий Новгород, Россия 3. А.Н. Буйлов, А.О. Окунев, Л.Н. Данильчук ТОПОГРАФИЧЕСКИЙ КОНТРАСТ ОТ МИКРОДЕФЕКТОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, ул. Б. Санкт-Петербургская, 41, 173003 Великий Новгород, Россия 4. А.В. Виноградов, И.А.Артюков, И.Н. Букреева, Н.Л.Попов ФОРМИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ ОТРАЖАЮЩИХ ОБЪЕКТОВ ПРИ НАКЛОННОМ ОСВЕЩЕНИИ КОГЕРЕНТНЫМИ ПУЧКАМИ ФИАН, Физический институт РАН, 119991 Москва, Ленинский проспект 5. Д.А. Вихляев, В.И. Афонин, Д.С. Гаврилов, А.Г. Какшин, Е.А. Лобода, А.В. Потапов, К.В. Сафронов, П.А. Толстоухов ИССЛЕДОВАНИЕ ТОРМОЗНОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СУБПИКОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ УСТАНОВКЕ СОКОЛ-П ПРИ ИНТЕНСИВНОСТИ 1017 1019 ВТ/СМ РФЯЦ-ВНИИТФ, Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно – исследователь ский институт технической физики. 456770, Снежинск Челябинской области, а/я 245, Россия 6. Ю.О. Волков, И.В. Кожевников, Б.С. Рощин, А.Л. Мезенцев, Е.О. Филатова, В.Е. Асадчиков ИССЛЕДОВАНИЕ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА В СИСТЕМАХ HFO2/SI И TIO2/SI МЕТОДАМИ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ И РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ ИК РАН Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова 119333 г. Москва, Ленинский пр-т, 7. А.А. Дышеков МАТРИЧНЫЙ ВАРИАНТ НЕСТАНДАРТНОЙ ДИНАМИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ Кабардино-Балкарский государственный университет, 360004, Нальчик, ул. Чернышевского, 7. И.Г. Дьячкова, Е.Г. Новоселова, И.С. Смирнов ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ ГОУВПО Московский государственный институт электроники и математики (ТУ), г.Москва 9. А.В. Карпов ВЛИЯНИЕ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ПОГЛОЩЕНИЯ В УСЛОВИЯХ РАССЕЯНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ НА МНОГОСЛОЙНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ Отдел математики Коми НЦ УрО РАН 167001, г. Сыктывкар, ул. Коммунистическая, 10. Н. И. Машин, Р.В. Лебедева, А.Н. Туманова, А. А. Ершов НОВЫЙ ПОДХОД К ОПРЕДЕЛЕНИЮ МАССОВОГО КОЭФФИЦИЕНТА ПОГЛОЩЕНИЯ ПРИ РФА ТОНКИХ Ti/Co ПЛЕНОК Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегород ский государственный университет им. Н. И. Лобачевского», Н. И. Лобачевского, ННГУ им. Н. И. Лоба чевского, г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, д. 23, корп. 11. А.О. Окунев1, Г.А. Верозубова2, В.А. Стащенко1, Chun-Hui Yang3, А.Ю. Трофимов ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКОГО МЕТОДА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ZnGeP Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, ул. Б. Санкт-Петербургская, 41, 173003 Великий Новгород, Россия Учреждение Российской академии наук Институт мониторинга климатических и экологических систем Сибирского отделения РАН, пр. Академический, 10/3, 634055 г. Томск, Россия School of Chemical Engineering and Technology, Harbin Institute of Technology, 150001 Harbin, P.R.China 12. А.П. Орешко1, Е.Н. Овчинникова1, В.Е. Дмитриенко2, Г. Бютье3, С.П. Коллинз4, Г. Нисбет ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕСТРОЙКИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ ЗАПРЕЩЕННЫХ ОТРАЖЕНИЙ С ТЕМПЕРАТУРОЙ В ВЮРТЦИТАХ ZNO И GAN МГУ имени М.В.Ломоносова, физический факультет, 119991, г.Москва, Ленинские горы, ИК РАН имени А.В.Шубникова, 119333, г.Москва, Ленинский пр-т, Centre national de la recherche scientifique, France Diamond Light Source, Didcot Oxfordshire OX11 0DE GB 13. К.М.Подурец, Д.К.Погорелый, А.А.Калоян, Е.С.Коваленко, В.Г.Кон РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОМОГРАФИЯ НА СИНХРОТРОННОМ ИЗЛУЧЕНИИ С АБСОРБЦИОННЫМ И ФАЗОВЫМ КОНТРАСТОМ НИЦ «Курчатовский институт», Москва 14. Н.А. Пхайло, О.Н. Гилёв, М.В. Елисеев, В.Ю. Политов ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАТОРОВ МЯГКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ РФЯЦ-ВНИИТФ, Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно – исследователь ский институт технической физики. 456770, Снежинск Челябинской области, а/я 245, Россия 15. В.И. Пунегов БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК В СТАТИСТИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Учреждение Российской академии наук Коми Научный Центр УрО РАН, 167982, Сыктывкар, Россия 16. В.И. Пунегов РЕНТГЕНОАКУСТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНС В КРИСТАЛЛЕ, ПРОМОДУЛИРОВАННОМ ПОВЕРХНОСТНОЙ АКУСТИЧЕСКОЙ ВОЛНОЙ Учреждение Российской академии наук Коми Научный Центр УрО РАН, 167982, Сыктывкар, Россия 17. В.В. Ратников1, Л.М. Сорокин1, А.Е. Калмыков1, М.П. Щеглов1, С.С. Нагалюк1,С.А. Кукушкин2, В.Н. Бессолов1,А.В. Мясоедов СТРУКТУРНАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ СЛОЕВ GAN/ALN/SIC/SI(111) МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ И ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Политехническая 26, Россия Институт проблем машиноведения РАН, Большой пр. В.О., 61199178 Санкт-Петербург, Россия 18. Л.М. Сорокин, А.Г. Забродский, Т.С. Аргунова, Н.В. Абросимов, J. H. Je ИЗУЧЕНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛАХ SI:GE В СИНХРОТРОННОМ ИЗЛУЧЕНИИ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ РАН), 194021, г. С.-Петербург, ул. Политех ническая, д. 19. В.А. Ткаль, М.Н. Петров, К.Г. Лукин, И.А. Жуковская КОЛИЧЕСТВЕННАЯ ОЦЕНКА ОПТИМАЛЬНОСТИ ВЫБОРА ВЕЙВЛЕТ-ФУНКЦИИ ПРИ ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНО КРИСТАЛЛОВ Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики 172025, Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3, Россия 20. В.А. Ткаль, Л.Н. Данильчук, М.Н. Петров, И.А. Жуковская КОЛИЧЕСТВЕННАЯ ОЦЕНКА И СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЭФФЕКТИВНОСТИ МЕТОДИК ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики 172025, Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3, Россия Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого 21. Я.Л. Шабельникова, М.В. Чукалина КОНФОКАЛЬНАЯ РЕНТГЕНОФЛЮОРЕНСЦЕНТНАЯ ТОМОГРАФИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБЛАСТИ СБОРА СИГНАЛА ДЛЯ КОЛЛИМАТОРОВ ДВУХ ТИПОВ Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ PECULIARITIES OF PHASE TRANSFORMATIONS IN FOILS ALLOY OF Pd-8, 3 at. % Y WITH LONG - TERM RELAXATION AFTER SATURATION WITH HYDROGEN THREE TIMES V.M.Avdyukhina, G.P Revkevich M.V. Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics, Leninskie Gory, Moscow 119991, Russia vmaphys@gmail.com The unique ability of the alloys on the basis of Pd-8at.%Y-H and the phase, in which yttrium palladium, to pass with the high speed a large concentration is reduced to 4 at%. It is evident from quantity of hydrogen, led to the wide use of these (Fig.1) that the state of 840 hours of relaxation is alloys in the industry as the membranes for characterized by the presence of a large quantity of purification of hydrogen. In this case arose the need hydrogen, since the diffraction line, which relates to of a study of operating characteristics of the this state, is located substantially to the left, than in membranes, since under the action of hydrogen can the as-prepared state.

change not only dislocation structure, but also the redistribution of atoms, up to the phase transformations.

At present for the preparation of high-purity hydrogen from gas mixture some of the promising are the alloys of palladium with the rare-earth metals, namely, the system Pd-Y, whose ability to absorb hydrogen in a certain interval of yttrium concentrations is 2-3 times higher than in the alloys of system Pd-Ag and B1, used in industry at present. Furthermore, the alloying of palladium with yttrium atoms increases the strength characteristics of alloys, as a result of which should be expected an increase in the operating life.

However, in the systems Pd-Y after hydrogen saturation during long-term relaxation phase transformations can occur, since the large number of vacancies, which enter the matrix of alloy during the hydrogenation, and the large number of Fig.1. X-Ray diffraction maximum (200).

hydrogen atoms increases the diffusion mobility of ……………..……… – as-prepared state;

the atoms of components in these systems.

_ - 1 h after the third saturation;

This work is dedicated to the study of the ------- - 840 h after the third saturation.

nature of phase transformations observed in the Pd 8,3 at.%Y alloy in the form of foil 130 m thick after threefold hydrogen saturation during long- Further increase in the relaxation time led to term relaxation by the X-ray diffraction analysis. the fact that hydrogen leaves from the basic phase.

For the first time in alloy Pd-8,3 at.%Y, located So in the period 8400-13700 h. of relaxation the at a temperature hydrogen saturation near the two- hydrogen content nH/nPd-Y is 0,04 only. It is obvious phase region during long-term relaxation under that hydrogen must leave, also, the phase Pd7Y, but normal conditions after hydrogenation, observed the period of the lattice of this phase calculated phase transformations. In Fig.1 are represented the from the experiment even grows. A similar result diffraction patterns of line (200) of the studied alloy means that the peak, correspond to smaller after the third saturation electrolytic hydrogenation diffraction angles, belong to the phase Pd3Y, in for the different relaxation times. which practically there is no hydrogen. By the As we have established earlier, hydrogen additional confirmation of this is the fact that the saturation of palladium and alloys on its basis leads width of this peak for all states less than the width to the formation of a large quantity of vacancies, of basic peak, and it decreases almost twice with an and, increase in the relaxation time from 8400 to therefore, also to an increase in the diffusion h. (Fig.2).

constant of the components of alloy. Because of The presence of the peak correspond to the this during 850 h. at room temperature the alloy larger diffraction angles was identified we as the Pd-8,3 at.%Y is decomposed into three phases: phase, enriched hydrogen phase Pd7Y-H, -solid solution that in the as-prepared foil the irregular distribution of yttrium atoms is discovered, then after hydrogenation hydrogen atoms are moved into those regions, where yttrium concentration is above, and they are retained there longer, since yttrium have a higher affinity to hydrogen, than palladium.

The decomposition of initially single-phase foil into three phases occurs for 840 h after third saturation:

-solid solution Pd-Y-H, phase Pd7Y-H and the phase, depleted by yttrium. During long term relaxation the phase Pd7Y-H is decomposed and is formed the phase Pd3Y. This indicates the considerable growth of the diffusion constant of yttrium atoms in the alloy of palladium with hydrogen.

Work is executed at support of the grant of the Fig.2. Width change during long-term RFBR № 11-02-90442.

relaxation [1] Revkevich G.P., Mitkova М.М., Katsnelson depleted by yttrium. After calculating the period of А.А. // Vestn. Mosk. Univ., Ser.3, 1997, vol.38, the lattice of this phase, it was established that the N4, p. 27.

yttrium content is 4 at%, hydrogen content - 0,12.

[2] Avdyukhina V.М., Revkevich G.P., Since hydrogen leaves first of all the regions, Nazmutdinov А.Z., Burhanov G.S., Roshan N.R., depleted by yttrium, as a result of its higher affinity Kol`chugina N.B. // Poverhnost. Rentgenovskie, to yttrium atoms, than to palladium atoms, decrease sinhrotronnye i neitronnye issledovaniya, 2007, vol.

of the period of the phase, observed to the right of 10, p. 9.

basic peak, indicate of reduction in yttrium [3] Burhanov G.S., Gorina N.B., Kol`chugina N.B., concentration in it during long-term relaxation. So Roshan N.R. // Ros. Khim. Zh., 2006, vol. L4, p.

after 13000 h. relaxation, calculated period of the 36.

lattice of this phase became less than the period of [4] Sakamoto Y., Takao K., Flanagan T.V. // J.

the lattice of pure palladium. The obtained result Phys. Cond. Matter., 1994, N 6, p. 2321.

can be explained by the fact that as a result phase [5] Takao K., Sakomoto Y., Yoshido M. // J. Less transformations yttrium atoms left this phase, Common Metals, 1989, vol. 152, p. 115.

whereas high concentration of vacancies was [6]. Fukay Y. // J. Alloys and Comp., 2001, vol.

formed. Calculations showed that it reaches 6%.

321, p. 195.

[7] Doule V.L., Harris I.R. // Platinum Metals Conclusions Review, 1988, vol. 32, N3, p. 130.

[8] Yamaguchi S., Ohashi M., Kagitani T., Aoki Conducting for a long time the regular X-ray K., Ikeda S. // J. оf Alloys and Comp., 1997, vol.

diffraction studies of foils of alloy Pd-8,3 at.%Y 253-254, p. 308.

after their electrolytic hydrogenation let to [9] Revkevich G.P., Olemskoy А.I., Katsnelson formulate the following results. Nonmonotonic А.А., Mitkova М.М. // Vestn. Mosk. Univ, Ser.3, phase transformations are observed in the 1992, vol. 33, N2, p. 74.

investigated foils during long-term relaxation under normal conditions after hydrogenation. Considering ВЛИЯНИЕ ГИДРИРОВАНИЯ И ДЛИТЕЛЬНОЙ РЕЛАКСАЦИИ НА ДИФФУЗИОННУЮ ПОДВИЖНОСТЬ АТОМОВ ИНДИЯ В ФОЛЬГАХ СПЛАВА Pd-In-Ru В.М. Авдюхина, О.В. Акимова, И.С. Левин, Г.П. Ревкевич Физический факультет МГУ, 119992, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, МГУ, д.1, стр. vmaphys@gmail.com В работе приведены экспериментальные Pd-Ag и В1 [2]. Кроме того, эти сплавы имеют данные об изменении концентрации атомов высокие прочностные характеристики, что индия в фольгах сплава Pd-In-Ru после их должно положительно сказаться при электролитического гидрирования при эксплуатации мембран, изготовленных из них.

плотности тока 10 мА/см2 в течение 30 минут Поскольку механическая прочность мембраны, для различных времен релаксации. а в ряде случаев и ее водородопроницаемость, Важность и актуальность проведенного зависят от структурного состояния, то исследования связана с тем, что для получения становится очевидной важность изучения изменения структурного состояния мембраны в особо чистого (99,9999%) водорода (например, процессе ее работы, а также и во время простоя.

из промышленных газовых смесей) С этой целью в работе методом используются фильтры из сплавов палладия [1].

рентгеновской дифрактометрии проведено Однако чисто палладиевые фильтры достаточно иссследование изменений периода решетки и быстро выходят из строя. Добавление в величины упругих напряжений 50 мкм фольги палладий небольших присадок второго после ее сплава Pd-5.3ат.%In-0.5ат.%Ru компонента способствует увеличению гидрирования в процесе релаксации (вплоть до прочностных характеристик фильтров. Одними Н и ж н и й (б о л е е гл уб о ки й ) с л о й П олны й слой В е р х н и й (п р и п о в е р х н о ст н ы й ) с л о й 8,0 8, 7,6 7, С то р о н а В ат % С то р о н а А 7,2 7, 6,8 6, 6,4 6, 6,0 6, 5,6 5, исходная 1 00 ч 10 ч 5,2 5,2 концентрация и сход ная кон ц ен трац и я Н о м е р с о с то я н и я 4,8 4, Н о м е р с о с то я н и я 100 ч 25 ч 0 2 4 6 8 10 12 14 0 2 4 6 8 10 12 Ри с. 1 И зм ен ен и е к он ц ен трац ии атом ов и н ди я п о гл у би н е образц а со сторон ы н асы щ ен и я (А ) и со сторон ы, п роти в оп ол ож н ой н асы щ ен и ю (В ).

из перспективных, с точки зрения получения 8200 часов).

особочистого водорода, в настоящее время Использование в гониометрической схеме являются сплавы системы Pd-In-Ru, дифрактометра фокусировки по Бреггу способность которых поглощать водород в Брентано позволило установить концентрацию некотором интервале концентраций индия атомов индия на разных глубинах выше, чем у сплавов, уже используемых в исследованной фольги после ее гидрирования, промышленности, например, сплавов системы поскольку при такой схеме фокусировки объем областей когерентного рассеяния (ОКР), дифракционных максимумов исследованной участвующих в образовании любого фольги (Рис.2), т.е. к разбросу концентрации дифракционного максимума, остается атомов индия в ОКР всех ориентаций с обеих неизменным, тогда как глубина проникновения сторон фольги. Было установлено, что для этого рентгеновских лучей существенно зависит от времени релаксации фольги в нормальных угла дифракции. Так, например, 99% условиях после гидрирования концентрация интенсивности дифракционной линии (111) атомов индия в поверхностном слое (толщиной регистрируется от поверхностного слоя 6 мкм) повысилась с обеих сторон образца: со стороны насыщения она составила 5,7 ат.%, что образца, глубиной в 3 мкм, а линии (400) – от на 0,4 ат.% больше, чем в исходном состоянии, а слоя в 6 мкм.

с противоположной стороны - 5.6 ат.%, что на Проведенные исследования показали, что 0,6 ат.% больше, чем в исходном состоянии.

гидрирование приводит к образованию двух фаз, обогащенных водородом:

- фазы, Такое увеличение средней концентрации атомов индия с обеих сторон фольги содержащей количество водорода 0.35, и свидетельствует об увеличении диффузионной фазы с содержанием водорода 0.04.

подвижности атомов индия после гидрирования Было установлено, что в результате первых в процессе релаксации и их перемещении 500 часов релаксации после гидрирования преимущественно из глубины образца к фольги концентрация индия в ней повышается с поверхности. Причем, скорость перемещения обеих сторон образца (см. рис. 1). Так, в слое атомов индия имеет ориентационную толщиной в 3мкм со стороны насыщения зависимость.

концентрация индия составляет 6.5 ат.%, что на Также можно констатировать, что вся 1.2 ат.% больше, чем в исходном состоянии, а с совокупность полученных экспериментальных противоположной стороны – 6.8 ат.%, что на 1. данных свидетельствует не только о ат.% больше, чем в исходном состоянии.

существовании структурных превращений, но и Перераспределение индия по глубине образца о немонотонном характере структурной происходит еще в процессе насыщения его эволюции в фольге исследуемого сплава Pd-In водородом. При этом со стороны насыщения Ru после насыщения его водородом в процессе концентрация атомов индия уменьшается, а с релаксации. Подобный немонотонный характер противоположной стороны, наоборот, структурной эволюции был ранее и обнаружен и возрастает.

для других сплавов палладия [3,4].

Обнаружено, что в процессе релаксации со Т.о. установлено, что наблюдаемые в I I 101 102 103 104 105 106 101 102 103 104 105 106 Рис.2 Профиль дифракционной линии (400) до гидрирования и через 8200 часов стороны насыщения процесс перераспределения эксперименте изменения структурного атомов индия, начиная с 75 часов, идет в одном состояния фольг сплава Pd-In-Ru будут влиять направлении: из глубины образца к на их эксплуатационные характеристики при поверхности. С противоположной стороны получении особочистого водорода, поскольку движение индия на некоторых участках идет концентрация атомов индия существенно вглубь образца, а не к его поверхности. Процесс меняется по глубине образца после движения индия к поверхности образца явно гидрирования в процессе релаксации и эти изменения носят немонотонный характер.

замедляется с увеличением времени после Работа выполнена при поддержке гранта гидрирования.

На 500 часов релаксации наибольшая РФФИ № 11-02-90442-Укр_ф_а.

концентрация атомов индия наблюдается на [1] Водород в металлах. Под ред. Алефельда глубине (3-6) мкм с обеих сторон фольги, Г.И. и Фелкля М.: Мир. 1981. Т.2. 430с.

однако разница в его концентрации в [2] Бурханов Г.С., Н.Б. Горина, Н.Б.

приповерхностном слое (до 3 мкм) и более Кольчугина, Рошан Н.Р. // Рос. Хим. Журнал глубоком слое (3-6) мкм со стороны насыщения (Ж. Рос. Хим. Об-ва им. Д.И. Менделеева), 2006. № 4. С. 36.

составляет 0.3 ат.%, тогда как со стороны, [3] Chatter S.K., Halder S.K., Sen Gupta S.P. // противоположной насыщению, она составляет J. App. Phys. 1976. Vol.47. №2. P.411.

0.5 ат.% индия.

[4] Авдюхина В.М., Кацнельсон А.А., Ревкевич Длительная 8200 часовая релаксация привела Г.П. // Кристаллография. 1999. Т. 44. №1.С. 49.

к существенному увеличению ширины Оценка параметров полноперебрасываемых монохроматических рентгеновских пучков К.Т. Айрапетян1, С.Н. Нореян1, В.В. Маргарян “X-Ray Pungs Laboratory”, Армения, Ереван, Вагаршян E-mail:marg-vardan@yandex.ru, Как известно, при наличии внешних естественно, увеличивается интегральная воздействий [1] (температурный градиент, интенсивность отраженного пучка.

ультразвуковые колебания) в результате С другой стороны, увеличение толщины рассеивающего монокристалла приводит к отражения рентгеновских лучей от семейства увеличению интегральной интенсивности, атомных плоскостей (10-11) монокристалла SiO в геометрии Лауэ при определенных значениях поглощенной монокристаллом. Естественно этих воздействий наблюдается полная предположить, что в описанных условиях, переброска интенсивности первичного пучка от изменяя толщину рассеивающего направления прохождения в направление монокристалла, можно найти ту оптимальную отражения. Для изучения и выявления толщину, при которой абсолютная величина особенностей данного явления проведены полноперебрасываемого в направление многочисленные теоретические и отражения рентгеновского пучка будет экспериментальные исследования. Исследованы максимальной.

угловая и энергетическая дисперсии полностью Таким образом, предположим, что на перебрасываемых рентгеновских пучков [2-4]. В кристалл падает сферический пучок частности, в работе [5] показано, что угловая рентгеновского излучения с однородным ширина полностью перебрасываемого пучка распределением интенсивности, угловая ширина сильно зависит от толщины перебрасывающего которого равна. В этом случае интегральную монокристалла. интенсивность падающего пучка можно выразить следующим образом: I0 = k, где k В представленной работе более подробно исследована зависимость угловой ширины угловая плотность интенсивности луча в полностью перебрасываемого произвольном направлении внутри угловой монохроматического рентгеновского излучения апертуры. Угловую ширину от расстояния (L0) источник излучения– полноперебрасываемого пучка обозначим.

перебрасывающий монокристалл (исследуемый Она выражается следующей формулой:

образец), а также зависимость абсолютной d 2 t величины интенсивности монохроматического t tg () + d0 R рентгеновского излучения, дифрагированного от =, d направления падающего первичного пучка в L0 sin() + d направление отражения в геометрии Лауэ при наличии внешних воздействий (условие полной где t – толщина исследуемого переброски), от толщины рассеивающего монокристалла, R– радиус кривизны отражающих атомных плоскостей, – угол монокристалла. Как известно, угловая ширина рентгеновского пучка, полноперебрасываемого Брэгга, L 0 – расстояние источник–образец, d 0 – от первичного направления падения в межплоскостное расстояние, a d – мера направление отражения при наличии внешних воздействий, зависит как от толщины среднего изменения межплоскостного рассеивающего монокристалла (t) [5], так и от расстояния на единичном расстоянии. Tогда расстояния (L0) источник излучения - интегральная интенсивность рассеивающий монокристалл [6]. При полноперебрасываемого пучка будет равна фиксированном расстоянии (L0) источник d 2 t t tg () + излучения – рассеивающий монокристалл по R ( t ), d I = k e ( t ) мере увеличения толщины монокристалла =k e d угловая ширина полноперебрасываемого L0 sin() + d рентгеновского пучка линейно возрастает.

где µ - коэффициент линейного Из вышесказанного следует, что с поглощения. Последнее выражение принимает увеличением толщины рассеивающего максимальное значение при t = 1.

монокристалла увеличиваются размеры угловой области полной переброски из направления Рентгенооптическая схема эксперимента первичного пучка в направление отражения, и, представлена на рис.1.

обусловленного воздействием температурного градиента, можно представить в следующем виде:

t 2 (t 2 z ) Ux = 8R то есть, она зависит только от координаты z, где t -толщина кристалла, R - радиус кривизны отражающих атомных плоскостей.

Для анализа угловых ширин полностью Рис.1. Рентгенооптическая схема перебрасываемых рентгеновских пучков от направления прохождения в направление В ходе эксперимента для исследования отражения на фиксированных расстояниях (L1, зависимости абсолютной величины L2) источник излучения–исследуемый образец интегральной интенсивности сделаны численные расчеты для интенсивности полноперебрасываемого рентгеновского отраженного излучения в зависимости от угла излучения от толщины исследуемого отражения. На рис.3. приведены результаты монокристалла выбрана прямоугольная численных расчетов интенсивности отраженного плоскопараллельная пластина Х-среза рентгеновского излучения в зависимости от угла монокристалла кварца с размерами 20х20х3.5 отражения в режиме полной переброски для мм. Исследование проводилось для отражающих отражающих атомных плоскостей (10-11) атомных плоскостей (10-11) исследуемого монокристаллической пластинки x-среза кварца монокристалла. Варьированием толщины с толщиной t =0.61мм, находящихся исследуемого образца от 3.5 мм до 0.15мм с соответственно на расстояниях L1=20 см и шагом 100мкм, для каждой толщины снимали L2=120 см от источника рентгеновского зависимость абсолютной величины интегральной излучения. На рис.4. приведены результаты интенсивности перебрасываемого таких же численных расчетов для пластины x рентгеновского излучения от величины среза кварца с толщиной t =1.43мм. Для температурного градиента. Подробный анализ проведения численных расчетов использованы полученных результатов экспериментального следующие величины параметров падающего исследования показывает, что абсолютная излучения и рассеивающего монокристалла:

величина интегральной интенсивности • отражающие атомные плоскости - 10 1 полноперебрасываемого из первичного • угол Брэгга – Б= направления в направление отражения • длина волны МоКа1– =709. рентгеновского пучка достигает своего • межплоскостное расстояние – d =3. максимума при соблюдении условия: µt=1.

• Фурье амплитуды поляризуемости На рис.2 представлена зависимость h = 0.1 * 10 5, h = 0.5 *108.

абсолютной величины интегральной интенсивности полноперебрасываемого На представленных рисунках ярко рентгеновского излучения от произведения µt. выражена связь угловых ширин полностью Для обоснования полученных перебрасываемых рентгеновских пучков как от экспериментальных результатов решено толщины исследуемого образца, так и от уравнение Такаги и сделаны численные расчеты. расстояния источник рентгеновского излучения В проведенных экспериментальных – исследуемый образец. Как видно, с исследованиях функцию смещения увеличением расстояния источник – сформированного деформационного поля, рассеивающий монокристалл ширина полностью перебрасываемого от направления прохождения в направление отражения рентгеновского пучка уменьшается, что и хорошо согласуется с экспериментальными результатами.

-700 Проведены теоретические расчеты для оценки величины интегральной интенсивности перебрасываемого рентгеновского пучка от направления прохождения в направление отражения в режиме полной переброски.

На рис.5. приведены результаты расчетов зависимости интегральной интенсивности перебрасываемого рентгеновского пучка от толщины монокристалла кварца для отражающих атомных плоскостей (10-11) при условии полной переброски. Как видно из рис.5.

Рис.2. Зависимость интегральной максимальная интенсивность отраженного пучка интенсивности перебрасываемого получается при t 1, что подтверждает экспериментальные результаты. Результаты расходимость, энергетическая дисперсия) представленных исследований дают получаемых монохроматических рентгеновских возможность заранее оценить параметры пучков, исходя из геометрии эксперимента и (интегральная интенсивность, угловая параметров используемых монокристаллов.

I I 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.0003 0.0002 0.0001 0.0001 0.0002 0. ради 0.0003 0.0002 0.0001 0.0001 0.0002 0. рад I I 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.0003 0.0002 0.0001 0.0001 0.0002 0. 0.0003 0.0002 0.0001 0.0001 0.0002 0. б б рад ради Рис.4. Kривые углового распределения Рис.3. Kривые углового распределения относительной интенсивности излучения относительной интенсивности отраженного пучка при толщине кристалла излучения отраженного пучка при толщине кристалла t=1.43мм, для t=0.61мм, для расстояний источник–образец L1=20см (а) и L2 =120см (б) расстояний источник–образец L1=20см (а) и L2 =120см (б) Iотр ЛИТЕРАТУРА [1]. Мкртчян А. Р., Навасардян М. А., Мирзоян В. К.. Письма в ЖТФ, 1982, Т.8, В.11, С.677-680.А.Р. [2]. Мкртчян, Р.Г. Габриелян, А.А. Асланян и др.


Изв. АН Арм.ССР, Физика, 21, 297 (1986) [3]. М.А. Навасардян, В.К. Мирзоян, К.Т.

Айрапетян и др. Изв. АН Арм.ССР, Физика, 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0. t 21, 217 (1986) [4]. А.Р. Мкртчян, М.А. Навасардян, В.К. Рис.5. Зависимость интегральной Мирзоян. Изв. АН Арм.ССР, Физика, 21, 340 интенсивности перебрасываемого (1986) рентгеновского излучения от толщины [5]. С.Н. Нореян, В.К. Мирзоян, В.Р. Кочарян. кристалла Изв. НАН Армении, Физука, 39, 2, 124 (2004) [6]. Вардан Маргарян, Сероб Нореян, Карлен Айрапетян. Известия НАН Армения, Физика, Т45, №3, 2010, с. 215-220.

СТРУКТУРНЫЕ ПЕРЕСТРОЙКИ В ПРОЦЕССЕ ДЕФОРМИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ М.Ш. Акчурин, Р.В. Гайнутдинов, А.А. Каминский, И.И. Купенко, А.А. Ломов1, С.Н. Поляков Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Ленинский просп. д.59, Москва, Россия Физико-технологический институт РАН, Нахимовский просп. д. 36/1, Москва, Россия Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, г.Троицк, Россия E-mail: akchurin@ns.crys.ras.ru В последние годы заметно возрос интерес следствие, к гашению КЛ. В ЩГК, окиси к исследованию влияния сверхвысоких иттрия, окиси лютеция и некоторых других напряжений на физико-механические свойства кристаллах наблюдаемый контраст связан с материалов, особенно на структурные и увеличение интенсивности экситонной фазовые превращения в монокристаллических, люминесценции деформированных областей, аморфных и нанокристаллических объектах. что свидетельствует о более совершенной Ранее [1,2] нами было показано, что при структуре (уменьшение количества дефектов). В действии сосредоточенной нагрузки на изучаемых монокристаллах иттрий алюминиевого граната (Y3Al5O12), согласно монокристаллы различной твёрдости [3,4], наблюдаемое КЛ-излучение связано как с релаксация огромных напряжений под собственными точечными дефектами, (широкая индентором (порядка модуля сдвига) приводит к перестройке структуры с образованием бесструктурная полоса в УФ части спектра с нанокристаллического состояния. Следует максимумом ~ 320нм), так и с примесными отметить, что эти области заметно отличаются ионами неодима (система узких линий в от не деформированного монокристалла по видимой области с максимумами при =401, механическим и оптическим свойствам. Они и 550 нм). При наличии локального обладают более совершенной структурой концентратора напряжений (устье трещины) отдельных нанокристаллитов и повышенной удаётся выделить отдельные кристаллографически ориентированные светлые прочностью и твёрдостью. Вероятным лучи, которые диффузно рассеиваются на механизмом пластической деформации, расстояниях ~ 20мкм. Следует отметить, что осуществляющим развороты кристаллической соотношения интенсивностей излучения, структуры и сопряжения зерен, является связанных с собственными дефектами и ионами механическое двойникование.

неодима в светлых областях (лучах) заметно В настоящей работе методами микротвёрдости, растровой электронной и меняются по сравнению с недеформированным атомно-силовой микроскопии (РЭМ и АСМ), кристаллом за счет возрастания интенсивности рентгеновской дифрактометрии и топографии, и КЛ ионов неодима и уменьшения моделирования изучена роль процессов интенсивности излучения широкой двойникования на механические и структурные бесструктурной полосы. Детальный анализ Y3Al5O12. расположения светлых в КЛ областей на характеристики монокристаллов Показано, что двойникование монокристаллов основании исследования в интегральном КЛ под действием сосредоточенной нагрузки, изображении склерометрических розеток, приводит к релаксации напряжений в процессе нанесенных на разные плоскости иттрий роста кристаллов. Исследуемые образцы алюминиевого граната с угловым интервалом в деформировались при комнатной температуре 22.5° и послойным химическим травлением, алмазной пирамидкой Виккерса. позволил определить, что светлые лучи На РЭМ изображениях в режиме распространяются преимущественно в катодолюминесценции (КЛ) деформированных плоскости (111) и частично в (110). Основными образцов вблизи отпечатков и царапин направлениями их распространения являются наблюдаются области с повышенной [112] и иногда [110].

интенсивностью КЛ излучения. Контраст в Результаты недавних исследований образования лазерных изображении обусловлен возрастанием процессов интенсивности КЛ этих областей до 80%, при кристаллокерамик [5-7], в частности, на основе неизменности спектрального состава. При Y3Al5O12, показали, что вероятным механизмом малых нагрузках на индентор, светятся только пластической деформации, осуществляющим дно отпечатков и царапин. Превышение этих, развороты кристаллической структуры и характерных для каждого кристалла нагрузок сопряжения зерен, является механическое [2], приводит к разрушению кристаллической двойникование. Естественно полагать, что этот структуры, вплоть до аморфизации и, как механизм пластической деформации может проявиться и при воздействии сосредоточенной нагрузки на исследуемые монокристаллы, т.е.

наблюдаемое увеличение интенсивности КЛ деформированных областей связано с процессами двойникования. С одной стороны, двойникование приводит к повышению симметрии (появление новых элементов симметрии), а с другой, к возникновению дефекта (двойниковая граница). Но и в последнем случае появляется особенность, которая приводит к более совершенной структуре. Известно, что с уменьшением размера кристалла его структура становится более совершенной и заметно улучшаются механические характеристики, например, нитевидные кристаллы. Дефектам энергетически не выгодно зарождаться и находиться в малых объемах, и они локализуются на границах зерен. Но к Рис.2. Дифракционая топограмма тонкой двойниковой границе из соседних зерен пластинки граната (обратный контраст). Снято в притягиваются дефекты, создающие геометрии Лауэ без сканирования. Отражение напряжения противоположного знака, которые 044. Излучение MoК могут аннигилировать на границе. Поэтому структура отдельных зерен и границ в таких Проведённое исследование позволяет материалах более совершенна, т.е. двойниковая предположить, что двойникование является граница при своем перемещении эффективно основным механизмом релаксации вычищает кристалл от дефектов и сама не сверхвысоких напряжений при образовании и вносит заметных напряжений. Именно с более пластической деформации монокристаллов и совершенной структурой двойниковых прослоек могут приводить к более совершенной (уменьшение вероятности безизлучательных кристаллической структуре отдельных зёрен и переходов и интенсивности КЛ, связанных с повышению механических характеристик собственными дефектами) различными областей. Процесс деформированных обусловлено, в первую очередь, наблюдаемое двойникования может быть успешно увеличение интенсивности КЛ-излучения использован при изготовлении высоко деформированных областей монокристаллов прозрачных оптических керамик.

иттрий-алюминиевого граната (рис.1).

На рис.2 представлена рентгеновская Работа выполнена при финансовой топограмма, полученная в геометрии Лауэ от поддержке гранта РФФИ № 11-02-00250-а.

монокристалла Y3Al5O12 (110). Толщина пластины ~ 50мкм. Отражение 044. Излучение [1] Акчурин М.Ш., Галстян В.Г., Докл. АН CuК. Контраст в изображении обусловлен СССР, 252, № 4, 870 (1980).

дефектами, лежащими в плоскостях {111} и [2] Akchurin M.Sh., Regel V.R., Chem. Rev., 23, {110}. Следует заметить, что угол между 59 (1998).

двойниковыми прослойками (светлые линии на [3] Каминский А.А., Лазерные кристаллы., М.

рисунке) строго соответствует углу между Наука,1975, 256 с.

лучами, распространяющимися от устья [4] Акчурин М.Ш., Галстян В.Г., Регель В.Р., трещины, полученными в режиме РЭМ-КЛ при Рожанский В.Н., Поверхность. Физика. Химия.

деформировании кристаллов сосредоточенной Механика. №3, 119 (1983).

нагрузкой [7]. [5] Каминский А.А., Акчурин М.Ш., Гайнутдинов Р.В. и др., Кристаллография, 50.

№5, 935 (2005).

[6] Акчурин М.Ш., Гайнутдинов Р.В., Закалюкин Р.М., Каминский А.А., Докл. РАН, 415, №3, 1 (2007).

[7] Акчурин М.Ш., Гайнутдинов Р.В., Закалюкин Р.М., Каминский А.А., Поверхность.

Рентген., синхротрон. и нейтр. исслед., № 9, (2008).

Рис.1 Изображение царапины на Y3Al5O12:Nd3+ в лучах катодолюминесценции.

ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЕ МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ И ОБРАБОТКИ В РЕНТГЕНО-СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ А.С. Алалыкин, С.С Алалыкин, Р.М. Закирова, П.Н.Крылов Удмуртский государственный университет, 426034, г. Ижевск,Университетская, e-mail:ftt@udsu.ru В настоящее время интенсивно развиваются 4. Применение микроконтроллера для управ исследования различных наноструктурирован- ления и предварительной математической ных систем (ультрадисперсных порошков, нано- обработки.

композитных материалов, многослойных гете- 5. Применение алгоритма псевдореального роструктур и т.д.). Интерес к ним обусловлен времени и распределения параллельных за возможностью значительной модификации и дач, получаемых как от датчиков, так и от даже принципиального изменения свойств из- оператора.

вестных материалов при переходе в нанокри- 6. Значительное уменьшение размеров элек сталлическое состояние, новыми возможностя- троники и потребляемой мощности.

ми, которые открывают нанотехнологии в соз- 7. Применение помехоподавляющих схемо дании материалов и изделий из структурных технических решений.

элементов нанометрового размера. 8. Просмотра и наложение получаемого и от Основными методами исследования структу- снятого спектра.


ры материалов являются рентгенография, ска- 9. Комплексное восстановление профиля ди фракционного спектра различными метода нирующая и просвечивающая электронная мик ми: устранение шума, интерполяционное роскопия, малоугловое рентгеновское и ней разбиение, построение полиномиального и тронное рассеяние, атомно-силовая микроско вейвлет тренда, выделение и вычитание фо пия (АСМ).

новой кривой спектра.

Преимущество анализа с применением рент 10. Для разложения полученного спектра на геновских лучей заключается в том, что нераз составляющие применяется большое коли рушающий метод анализа, который позволяет определить фазовый состав, структуру, суб- чество методов: от методик подбора мо структурные характеристики. дельных функций до построения модельных Стандартное существующее оборудование, расчетов предполагаемых структур.

разработанное НПО «Буревестник», не позволя ет получить рентгено-диффрационные спектры Тестирование данного комплекса проводилась на эталонных образцах SiO2, эталонного вольф с достаточным разрешением дифракционных рама. Результаты сравнивались с другими мето линий от нановключений, в, частности, в нано дами математической обработки, в частности композитных пленках. Для этого требуется на комплексом PDWin, и литературными данными.

копление статистики от счетчика импульсов при Анализ показал, что программно получении спектра, предварительная и постма тематическая обработка полученных данных. аппаратный комплекс может быть использован Накопление необходимой статистики обычно для обработки и расчета дифракционных кар варьируется в диапазоне времен 100-600сек в тин, в том числе и нанокомпозитных тонких одной точке. Такие исследования на стандарт- пленок.

ным оборудовании НПО «Буревестник» невоз- Работа комплекса была опробирована при можны. В связи с этим авторами был разработан исследовании тонкопленочных нанокомпозит ных структур GaAs/SiO2, напыленные на раз программно-аппаратный комплекс, который личные подложки. Дифрактограммы наноком решает комплексную задачу, от технической позитных структур (рис.1) снимали на дифрак возможности такого измерения, до математиче тометре ДРОН-3.0, с интегрированным ком ской обработки полученных спектров. Кроме того, имеется возможность анализировать эти плексом, в интервале брэгговских углов от 20 до 70о с шагом 0.1о и временем экспозиции 40 с в данные и программным обеспечением НПО «Буревестник», имеющим большую базу мате- Fe–Ka излучении.

риалов с рентгеноструктурными рефлексами от различных материалов.

Основные преимущества этого комплекса:

1. Автоматизированное управление ренгенст руктурным аппаратом.

2. Практически неограниченное накопление статистики.

3. Анализ импульсов высокой частоты.

Под диаграммой находится таблица с указа нием параметров найденных компонент по столбцам:

1. номер компонент, указывающий порядок рассчитываемых компонент;

2. абсолютная интенсивность компоненты (для дублета – интенсивность Ka1 компоненты);

3. угол 2, показывающий центр тяжести компоненты (для дублета – от суммы Ka1 и Ka2 функции);

4. угол центра тяжести компоненты;

5. интегральная экспериментальная полуши рина компоненты (для дублета – от суммы Ka1 и Ka2 функции), при наличии эталона расчет производится по квадратичной зави Рис.1. Окно программы обработки спектров симости;

6. межплоскостное расстояние (для дублета – После предварительной математической рассчитанное по Ka1);

обработки спектров (восстановления профиля) 7. отношение интенсивностей Ka2/Ka1 компо применяется его разложение методом подбора нент (для монофункции выводится “–”);

модельной функции на основе функции псевдо- 8. интегральная интенсивность компоненты Фойгта как наиболее обобщенной функции из (для дублета – от суммы Ka1 и Ka2 функции);

подбираемых. Функция псевдо-Фойгта также 9. размер области когерентного рассеяния ОКР успешно применяется при расчете в программе (рассчитанный по формуле Шеррера– PDWin. Выделение максимума происходит ме- Селякова);

тодом последовательного вычитания подобран- 10. геометричекое уширение компоненты (рас ного максимума из существующего спектра. считанное по эталону).

Данный подход имеет несколько недостатков, Блок управления разложением предоставляет главным из которых является невозможность возможность выбора типа излучения трубки, на согласованного определения параметров макси- которой был снят спектр: Co, Fe, Cu, Cr.

мумов мультиплета при их перекрытии более Форм-фактор показывает долю вхождения чем на 20%. Однако он значительно упрощает функций Лоренца и Коши в функции псевдо построение математической модели для качест- Фойгта, максимальная степень функции Лорен венного анализа при последующем модельном ца – 4.

расчете. Таким образом, представленный комплекс Интерфейс программы для разложения на имеет значительные достоинства и преимущест компоненты состоит из окна для визуального ва при исследовании нанокомпозитных пленок.

наблюдения загруженного спектра, расклады ваемых модельных функций и таблицы найден ных дифракционных линий с их параметрами. В правой части окна программы располагается блок управления разложением, внизу – блок управления отображением соответствующих кривых. Также имеется информационная строка статуса.

На диаграмме анализируемого спектра ото бражаются следующие кривые:

1. исходный анализируемый спектр (черного цвета);

2. функции раскладываемых компонент (жел того цвета для монофункции или функции Ka1 компоненты дублета, красного цвета для функции Ka2 компоненты дублета);

3. центр дифракционной линии (желтого цвета для монофункции или функции Ka1 компоненты дублета, красного цвета для функции Ka2-компоненты дублета);

4. суммарный спектр, составленный из суммы разложенных функций компонент (белого цвета);

5. разностный спектр, полученный вычитани ем исходного и суммарного спектра (зелено го цвета).

Влияние малых магнитных добавок к восприимчивости на форму "магнитных" максимумов при отражении поляризованного рентгеновского излучения от многослойных структур Андреева М.А., Одинцова Е.Е.

МГУ им. Ломоносова, физический факультет, 119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы e-mail: katya.iney@gmail.com восприимчивости дают смещение «магнитных»

В случае мягкого рентгеновского излучения эффект преломления существенно сдвигает максимумов отражения от антиферромагнитной положение максимумов брэгговского отражения структуры:

по сравнению с положением, определяемым в Re m Im m sin 2 (n ) dyn = dyn = соответствии с формулой Вульфа-Брэгга m 2 (n)2 sin B cos B. (1) 2DsinB=n для периодических многослойных структур. По положению брэгговского максимума Выражение (1) не может объяснить изменение для разных энергий фотонов в области краев профиля «магнитного» максимума при двух типах поглощения для излучения правой и левой антиферромагнитного упорядочения (или знака круговой поляризации определяют спектральные круговой поляризации), как было отмечено и в [7], зависимости реальной части восприимчивости, поскольку оно квадратично по магнитной включая магнитные добавки [1-5]. В случае восприимчивости m.

жесткого рентгеновского излучения для решения такой задачи может быть использован сдвиг осцилляций Кизиха на угловой кривой отражения от магнитной пленки [6].

В недавно появившейся статье Valvidares с соавторами [7] представили результаты исследования периодической структуры [Co73Si27 (50 )/Si(30 )] методом XRMS (x-ray resonant magnetic scattering) с использованием мягкого рентгеновского излучения. Результаты измерений указывали на антиферромагнитное Рис. 1. Фрагмент кривой отражения межслойное упорядочения в этой системе. Это кругополяризованного излучения (С+) с энергией следовало из наличия на кривых отражения фотонов Eph= 778 эВ (L3 край поглощения Со) от излучения круговой поляризацией с энергией многослойной пленки [Co73Si27 (50 )/Si(30 )]10 в 778 эВ (L3-край поглощения Co) «магнитного» окрестности сверхструктурного максимума 5/2 из брэгговского максимума, отвечающего удвоению [7] для и для двух противоположных состояний магнитного периода по сравнению со структурным намагниченности пленки («Branch 1» и «Branch (рис. 1 соответствует рис. 3с в [7]). 2»). Вертикальная пунктирная линия отмечает Удивительным оказался тот факт, что положение номинального сверхструктурного пика профиль сверхструктурного брэгговского 5/2.

максимума существенно различался для двух В общем случае тензорная структура образцов, приготовленных под воздействием восприимчивости среды вблизи краев поглощения слабого внешнего магнитного поля, приложенного обуславливает перемешивание поляризаций при в двух противоположных направлениях отражении. В [8] при анализе энергетических Для физического объяснения этого эффекта авторы зависимостей смещения брэгговского максимума предложили учесть поправки к положению было показано, что перемешивание поляризаций брэгговского максимума, возникающие за счет уменьшает амплитуду смещений брэгговского магнитно-резонансного преломления («magnetic максимума на энергетической шкале. Однако для resonant-refraction corrections to the Bragg’s angle»).

сравнительно небольших углов скольжения Однако из общих соображений следует, что круговые поляризации все же можно положение брэгговского угла в рамках рассматривать как собственные поляризации кинематической теории в случае периодических задачи [9]. Моделирование рассматриваемой структур с антиферромагнитным межслойным задачи показывает (рис. 2), что смешивание упорядочением не должно зависеть от магнитных поляризаций не объясняет наблюдаемого «сдвига»

поправок к восприимчивости. В динамическом сверхструктурного брэгговского пика.

приближении магнитные поправки к Известно, что наличие нарушенного REFLECTIVITY* поверхностного слоя существенным образом 0. изменяет форму «идеального» брэгговского пика и даже может приводить к его раздвоению [12, 13].

0. REFLECTIVITY Амплитудный коэффициент отражения от 0. 15.2 15.6 16.0 16. периодической структуры с учетом отражения от 0.01 Glancing angle (deg) поверхности, которое не соответствует последующей периодичности, может быть записан 1E- как:

r1 + R N e 2i1 0 R= +, (2) 1E- 1 + r1R N e 2i 5 10 15 20 4 sin Glancing angle (deg) ( )F e 2i1 1 + e 2i + e 4i + e6i + K + e 2(N 1)i Рис. 2. Моделирование кривой отражения из работы [7], полученной на излучении правой где RN - амплитуда отражения периодической круговой поляризации с энергией фотонов Eph = многослойной пленкой, включающей в себя N 778 эВ (=1.5936 нм) для пленки [Co73Si27(50 )/ периодов, r1 - френелевский коэффициент Si(30 )]10. Сплошная линия – расчет по точной отражения от поверхности, F - структурная теории отражения [8, 10] (тензорный алгоритм), амплитуда для одного периода повторения.

пунктирная кривая – расчет на базе упрощенного Геометрическая прогрессия в (2) дает известную скалярного подхода, без учета перемешивания функцию Лауэ, собственных круговых поляризаций. Символы – 1 e 2i(N 1) sin 2 (N 1) эксперимент из [7]. Теоретические кривые = = LN 1 e 2i sin 2 ( ) приведены со сдвигом. На вставке: моделирование, (3) кривой отражения в окрестности «магнитного»

которая определяет положение и форму максимума 5/2 для правой (сплошная кривая) и брэгговского пика в идеальном случае.

левой (пунктир) поляризации излучения.

e 2i(N 1) в функции Лауэ Существенно, что фаза Вертикальная пунктирная линия отмечает быстро изменяется вблизи брэгговского номинальное положение «магнитного» пика 5/2.

максимума.

Для «магнитных» брэгговских максимумов Кривые отражения, рассчитанные по точной структурная амплитуда для удвоенного периода теории отражения [8, 10] (тензорный алгоритм, зависит только от магнитных добавок к программный пакет XRMR имеется в свободном восприимчивости F=Fm. Поверхностный слой доступе [10]) и на базе упрощенного скалярного обычно является немагнитным, так что первый подхода, не учитывающего перемешивание член в (2) дает Fe - немагнитную, опорную волну.

собственных круговых поляризаций, практически совпадают для углов вплоть до ~ 20о. Обе кривые Для интенсивности «магнитных» брэгговских максимумов в простейшем случае можно записать удовлетворительно описывают, а так же изменение формы 5/2-максимума при изменении типа I AF Bragg ~ Fe ± e2i1 Fm L N магнитного упорядочения (ср. вставку на рис. 2 с (4) рис. 1). При подгонке экспериментальной кривой в где знаки ± относятся к противоположным модели учитывалась неидеальность интерфейсов и состояниям намагниченности в пленке. В общем наличие поверхностного нарушенного слоя случае малая величина магнитного отражения Fm.

толщиной ~1.3 нм.

усиливается множителем LN, амплитуда отражения Мы предлагаем свое объяснение от поверхностного слоя Fe может оказаться особенностей формы «магнитных» брэгговских сравнимой с амплитудой второго члена в (4), так максимумов [11]. Очевидно, что изменение что их интерференция может быть ярко выражена.

направления намагниченности во всех магнитных В реальном эксперименте весьма сложно слоях изменяет фазу суммарной амплитуды предсказать относительную фазу между двумя магнитного отражения на. Для того, чтобы эта слагаемыми в (4), так как Fe и Fm так же фаза была наблюдаема, необходима «опорная»

комплексны. Если при точном угле Брэгга волна. Для брэгговских максимумов полуцелого относительный сдвиг фаз между слагаемыми в (4) порядка (n=1/2, 3/2, …) немагнитная амплитуда составляет /2, то форма брэгговского пика отражения от идеальной периодической структуры напоминает дисперсионную кривую. Она изменяет равна нулю. Тем не менее, реальные образцы свой наклон при изменении знака круговой обладают неисчезающей амплитудой отражения Fe поляризации (направлении намагниченности в при любом угле скольжения, что обусловлено слоях), что и наблюдалось для «магнитного»

нескомпенсированным отражением от подложки, максимума 5/2 в работе [7]. Если при точном угле от поверхности или буферных слоев.

Брэгга относительный сдвиг фаз, то вместо максимума получается провал, который отражении от поверхностного слоя (который преобразуется в максимум при изменении может иметь более сложную структуру), но и за направления намагниченности. Этот случай счет отражения от буферного слоя или подложки, соответствует «магнитному» максимуму 7/2 в [7]. которое мы ослабили в модельном расчете.

Наиболее простой способ изменить Таким образом, «сдвиг» сверхструктурного относительную фазу 2i1 между немагнитным и брэгговского максимума на кривых зеркального отражения от многослойных периодических магнитным вкладом в брэгговское отражение пленок с антиферромагнитным межслойным изменить толщину поверхностного слоя. Для упорядочением, который наблюдался в [7], в наглядной иллюстрации описываемого эффекта мы действительности провели расчеты для «магнитного» максимума 5/2, является дисперсионным немного адаптировав модельную структуру, изменениям формы брэгговского максимума, полученную при подгонке экспериментальной обусловленной интерференций магнитного и кривой из работы [7]. Для подавления слишком немагнитного вклада в структурную амплитуду выраженных осцилляций Кизиха, затмевающих рассеяния. Важно, что профиль такого брэгговский максимум, мы увеличили число сверхструктурного брэгговского максимума дает периодов структуры, и одновременно увеличили информацию об относительной фазе магнитного и плотность поверхностного нарушенного слоя для немагнитного вкладов в амплитуду отражения, что позволяет различить два состояния увеличения амплитуды Fe. Результаты расчетов антиферромагнитного упорядочения в пленке, как наглядно демонстрируют (рис. 3), что и сообщалось в [7]. Эта информация также интерференция немагнитного и магнитного отражения действительно приводит к эффективно работает на решение задачи наблюдаемым особенностям формы «магнитных» определения структуры (в том числе магнитной) брэгговских максимумов. пленки, которая всегда очень неоднозначна.

Именно правильная подгонка кривых рефлектометрии для двух круговых поляризаций dO=3.8 nm 0. излучения дает более надежные значения магнитных добавок к восприимчивости, чем их 0. B определение по положению брэгговских 0. максимумов, обладающих непростой формой.

REFLECTIVITY * 0. Работа выполнена при поддержке грантов 09-02 12207-офи_м, 09-02-01293-а, 10-02-00768-а dO=7.2 nm 0. [1] Andreeva M. et al., Journal of Magnetism and dO=10.8 nm 0. Magnetic Materials 300, e371 (2006).

0. [2] Hecker M. et al., Phys. Rev. B, 72, (2005).

0. [3] Sacchi M. et al., Phys. Rev. B, 57, 108 (1998).

dO=14.4 nm 0. [4] Sacchi M. et al., Phys. Rev. Lett., 81, (1998).

0. [5] Sve L. et al., Phys. Rev. B, 60, 9662 (1999).

0. 15.2 15.6 16.0 16. [6] Смехова А. Г. et al., Кристаллография, 55, Glancing angle (deg) (2010).

[7] Valvidares S. M. et al., Phys. Rev. B, 78, Рис. 3 Изменение формы «магнитного» максимума (2008).

5/2 при разных толщинах dO поверхностного слоя, [8] Andreeva M., Smekhova A., Appl. Surf. Sci., параметры периодической структуры 252, 5619 (2006).

фиксированы. Сплошные кривые – расчет для [9] Одинцова Е. Е., Андреева М. А., Поверхность, правой круговой поляризации, пунктирные – для 11, 46 (2010).

левой. Расчет для модельной структуры [10] http://kftt.phys.msu.ru/personalii/Andreeva/ [Co73Si27(50 )/Si(30 )]20/CoSi(dO). Вертикальный XRMR.zip.

штрих на верхнем рисунке отмечает несмещенное [11] Андреева М. А., Одинцова Е. Е., Письма в положение угла Брэгга от пленки без учета ЖЭТФ, 93, 78 (2011).

магнитных добавок к показателю преломления.

[12] А.Г. Смехова, Развитие метода резонансного Вертикальные точечные линии обозначают рентгеновского отражения вблизи L2,3 краев теоретическое положение угла Брэгга с учетом поглощения для исследования магнитных кинематического преломления.

мультислоев, канд. дисс., физич. ф-т МГУ (2006).

[13] Чуев М.А. et al., Письма ЖЭТФ, 85, 21 (2007).

В реальном эксперименте, безусловно, амплитуда Fe формируется не только при РЕФЛЕКТОМЕТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ ВОДЫ И КРЕМНЕЗОЛЯ В.Е. Асадчиков1, В.В. Волков1, Ю.О. Волков1, К.А. Дембо1, И.В. Кожевников1, Б.С. Рощин1, А.М. Тихонов2, Д.А. Фролов Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, 119333, Москва, Ленинский пр-т, д. 59.

Учреждение Российской академии наук Институт физических проблем им. П.Л.Капицы РАН, 119334, Москва, ул. Косыгина 2.

e-mail: ross@crys.ras.ru Кремнезоль (раствор наночастиц оксида Все измерения были проведены на длине кремния в воде) образует с воздухом волны 1.54, с использованием базового поляризованную границу раздела. Градиент рентгеновского дифрактометра с подвижной поверхностного потенциала в этой системе системой трубка-детектор [3].

возникает благодаря разнице в потенциалах сил На Рис. 2 представлены функции «электрического изображения» для катионов спектральной плотности мощности [4] Na+ и отрицательно заряженных наночастиц поверхностей воды и кремнезоля, рассчитанные (макроионов). Уникальность электрического по данным рентгеновского рассеяния в условиях двойного слоя на границе воздух-кремнезоль полного внешнего отражения. Интеграл состоит в том, что его ширина на порядок функции спектральной плотности мощности по больше, чем у слоев, обычно обсуждаемых в доступному диапазону пространственных частот (0,05 – 10 мкм-1) даёт эффективную литературе. Ширина этого слоя может достигать высоту шероховатости. Эта величина для значений 300 – 1000, что по порядку поверхности воды составляет 0,26 нм, а для величины соответствует дебаевской длине кремнезоля 0,57 нм. В ряде работ экранирования в растворе [1].



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.