авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||

«ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А.В. ...»

-- [ Страница 8 ] --

(structural similarity (SSIM) index) – методика измерения сходства двух изображений. Это где x и y – значение контрастности изображе полная референсная метрика: для измерения ний Х и Y соответственно;

качества обработанного изображения необхо С1 – константа, необходимая для исключения димо наличие исходного, не зашумленного изо ошибок, при значении близком к нулю.

бражения. Данная методика в отличие от PSNR и MSE учитывает особенности человеческого Значение показателя структурного сравне восприятия. ния рассчитывается по формуле:

Расчет показателя структурного сходства основан не на попиксельном сравнении изобра жений, а на сравнении блоков пикселей опреде- где:

ленного размера, как правило, 88 пикселей.

Сравнение происходит по трем компонентам:

сходности по яркости, по контрасту и структур- Подставляя значения выражений (7), (8) и ному сходству. Полученные значения объеди- (9) в выражение (4), получим формулу для вы няются в итоговый результат. Принцип измере- числения показателя структурного сходства:

ния показателя структурного сходства пред ставлен на рис. 1.

Значения констант С1 и С2 для выражения (11) находятся по следующим образом:

где К1 и К2 – константы равные 0,01 и 0,03 соот ветственно;

L – максимальное возможное значение, прини маемое пикселем (для 8-битных изображений L=255).

Результат измерения SSIM располагается в диапазоне от минус 1 до плюс 1, где SSIM= Рис.1. Схема измерения показателя структур- означает, что изображения идентичны.

ного сходства [4] Применение метрик MSE, PSNR и SSIM Итоговое значение показателя структурно- для оценки качества восстановления зашум го сходства представляет собой функцию ярко- ленного изображения сти, контрастности и структурной похожести: Оценим качество реставрации зашумлен ного изображения (рис.2) с помощью метрик PSNR, MSE и SSIM. Реставрация изображения, (4) проводилась при помощи вейвлет-анализа [2].

Вейвлеты – это математические функции, где S(x,y) – показатель структурного сходства;

позволяющие более эффективно проводить час l(x,y) – показатель сравнения яркости (интен тотный анализ сложных сигналов. В общем слу сивности);

чае анализ сигналов производится в плоскости c(x,y) – показатель сравнения контрастности;

вейвлет-коэффициенты (масштаб) – время – s(x,y) – показатель структурного сравнения.

уровень (Scale-Time-Amplitude). Вейвлет Вычисление средней интенсивности изо коэффициенты определяются интегральным бражения и значения контрастности проводится преобразованием сигнала. Вейвлет по формулам (5) и (6):

спектрограммы принципиально отличаются от обычных спектров Фурье тем, что являются бо лее информативными [5].

N – общее число пикселей в изображении, xi – значение интенсивности i пикселя.

Показатель сравнения интенсивности двух изображений рассчитывается по формуле:

а б Рис.2. Исходное (а) и зашумленное где µx и µy – значения средней интенсивности (б)теоретическое изображение краевой дисло изображений Х и Y соответственно;

кации в монокристалле 6H-SiC С1 – константа, необходимая для исключения Зашумление теоретического контраста прово ошибок, при значении близком к нулю.

дилось по методике, описанной в работе [6].

Реставрация зашумленного изображения прово- рактеристикой контрастную и структурную схо дилась вейвлетами dmey и sym8 с опорной об- жесть изображений.

ластью 480х90 и полосами фильтрации, ограни- Метрика MSE принимает максимальное ченными 8–3 уровнями декомпозиции. Резуль- значение – 262,6938, а PSNR минимальное зна таты обработки различными вейвлетами пред- чение – 23,9363 для изображения, восстанов ставлены на рис. 3, а вычислений оценки каче- ленного вейвлетом dmey summa (3–4). Значение ства по методикам MSE, PSNR и SSIM пред- SSIM минимально – 0,9276 для изображения, ставлены в таблице 1. восстановленного вейвлетом sym8 overlay (3–4).

Это также обусловлено тем, что алгоритм рас чета структурной схожести SSIM учитывает яркостную, контрастную и структурную схо жесть изображений, в то время как MSE и PSNR используют при вычислении только значение интенсивности (яркости) каждого отдельного пикселя.

Визуально (субъективно) оценить качество восстановления изображения очень сложно, однако метрики оценки качества объективно показывают наиболее и наименее качественно восстановленные изображения, и они для каж дой из метрик оказываются свои.

Методика оценки качества по структурной схожести изображений (SSIM) более эффектив на, чем статистические метрики PSNR и MSE.

Причиной тому служит особенность самой мет рики SSIM, при расчете которой учитываются яркостные, контрастные и структурные особен Рис. 3. Вейвлет-обработки зашумленного изо бражения для различных полос пропускания ности сравниваемых изображений.

фильтра Данный подход к оценке качества рестав Таблица 1. рации изображений дефектов структуры позво ляет получить дополнительную информацию о структурном совершенстве исследуемых моно кристаллов.

Литература 1. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А.

Рентгеновская дифракционная топография де фектов структуры в кристаллах на основе эф фекта Бормана. Великий Новгород: НовГУ им.

Ярослава Мудрого, 2006. 493 с.

2. Данильчук Л.Н., Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А. Цифровая обработка топографи ческих и поляризационно-оптических изобра жений дефектов структуры монокристаллов.

Великий Новгород: НовГУ им. Ярослава Муд рого, 2004. 227 с.

3. Avcibas I., Sankur B., and Sayood K. Statistical Метрика MSE принимает минимальное evaluation of image quality measures. J. Electronic значение 73,028 при сравнении исходного изо Imaging, 2002. P.206–223.

бражения и изображения, обработанного вейв 4. Wang Z., Bovik A., Sheikh H., Simoncelli E.

летом sym8 summa (3–8). При этом значение Image Quality Assessment: From Error Visibility to метрики PSNR при сравнении той же пары изо Structural Similarity. IEEE Trans. On Image Proc., бражений достигает максимума – 29,4959. Ос 2004. Vol.13, № 4.

новываясь на метриках MSE и PSNR, делаем 5. Misiti M., Misiti Y., Oppenheim G. MATLAB – вывод, что наиболее качественное восстановле ние исходного изображения осуществляется Wavelet Toolbox. User`s Guide. The MathWorks.

вейвлетом sym8 summa (3–8). С другой стороны 2009.

метрика SSIM оказалась максимальной – 0,9571 6. Ткаль В.А., Данильчук Л.Н., Дзюба И.В. Мо для изображения, восстановленного при помо- делирование теоретического контраста дефек щи вейвлета dmey summa (3–7). тов структуры различного типа с «зашумляю Такой результат вызван особенностью са- щими» факторами. Поверхность. Рентгеновские, мого алгоритма SSIM, так как он в отличие от синхротронные и нейтронные исследования.

MSE и PSNR учитывает наряду с яркостной ха- 2009. № 10. С. 59–65.

КОЛИЧЕСТВЕННАЯ ОЦЕНКА И СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЭФФЕКТИВНОСТИ МЕТОДИК ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В.А. Ткаль, Л.Н. Данильчук, М.Н. Петров, И.А. Жуковская Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университет сервиса и экономики 172025, Великий Новгород, ул. Кочетова, д. 29, корп. 3, Россия E-mail: Valery.Tkal@novsu.ru Повышая различными методами цифровой тального контраста монокристалла 6H-SiC, по обработки качество анализируемого экспери- лученного поляризационно-оптическим мето ментального контраста, устраняя основные за- дом, различными цифровыми методами и по шумляющие факторы (слабую контрастность пробуем по методике, описанной в работе [4], фоновую неоднородность и зернистость), за- количественно оценить эффективность цифро трудняющие регистрацию особенностей изо- вых методов. Исходный контраст монокристал бражений дефектов структуры, исследователь ла 6H-SiC хорошо изучен и является во многих всегда поставлен перед выбором методики, ко- работах данного авторского коллектива тесто торая дает более надежный и качественный ре- вым, на котором было апробировано большое зультат при минимальной потере полезной ин- количество цифровых методик и проведено их формации и искажении контраста [1,2]. Кроме визуальное, но не количественное сравнение.

этого важным является простота и экспресс- Для данного изображения характерна сильная ность цифровой обработки. При оцифровке изо- фоновая неоднородность, включая сильно за бражений и последующей их цифровой обра- свеченные и затемненные области, рис. 2,а.

ботке возможна потеря части информации.

В методе РТБ (топография на основе эф фекта Бормана) и поляризационно-оптического анализа изображения дефектов структуры пред ставляются в виде розеток интенсивности, вид, форма и количество лепестков которых зависят от типа дефекта и его расположения в объеме монокристалла. При обработке цифровыми ме тодиками на основе анализа яркостных характе ристик возможна потеря части низкочастотной информации и некоторых лепестков розеток.

При моделировании теоретического кон- а траста основных типов дефектов структуры и снятии профилей интенсивности установлено, что для микродефектов интенсивность розеток убывает от ядра к их периферии обратно про порционально квадрату расстояния, а для дис локаций – обратно пропорционально расстоя нию [3]. При использовании цифровых методов, основанных на анализе яркостных характери стик, получается контраст, для которого харак терна высокая бинарность и, как следствие, отличие экспериментальных профилей интен сивности от теоретических [1]. Что касается б цифровой обработки, основанной на дискретном вейвлет-анализе, то она дает более полное и без видимых потерь изображение дефектов струк туры. Контраст дефектов структуры и профили интенсивности в большей степени соответству ют теоретически рассчитанным по модифици рованным уравнениям Инденбома-Чамрова [3].

В качестве примера на рис. 1. представле ны исходное и обработанное различными циф ровыми методиками топографические изобра жения краевых дислокаций в монокристалле 6H-SiC, полученные методом РТБ. в Сравним результат обработки эксперимен- Рис. 1. Исходное (а) и обработанный различны ми цифровыми методами фрагмент топограм мы монокристалла 6H-SiC, содержащий изо- г бражения краевых дислокаций: б – методом на основе анализа яркостных характеристик, в – методом на основе дискретного вейвлет анализа (на базе вейвлета sym8) Проведем сравнение двух методик устра нения фоновой неоднородности.

Первая методика основана на дискретном вейвлет-анализе и детально описана в работе [5]. Суть ее заключается в следующем. д Рис. 2. Последовательность устранения фоно вой неоднородности поляризационно оптического контраста монокристалла 6H SiC: а – исходный;

б–д – последовательно эта пы цифровой обработки для 7 уровня декомпо зиции На первом этапе на всех уровнях деком позиции обнуляются детализирующие коэффи а циенты, работаем только с масштабными коэф фициентами. Подбирая оптимальный уровень декомпозиции, а это, как правило, последние уровни, получаем при реконструкции обрабо танное изображение, содержащее информацию только о фоновой неоднородности. Увеличение уровня декомпозиции приводит к потере высо кочастотных деталей изображения и преоблада нию НЧ информации, рис. 2, б.

На втором этапе проводим вычитание двух изображений друг из друга: первое – ис ходный экспериментальный контраст, второе – контраст, полученный на первом этапе. Полу б ченный разностный контраст (РК) для различ ных уровней декомпозиции содержит флуктуа цию интенсивности (элайзинг), зависящую от выбранного уровня декомпозиции, рис. 2,в.

На третьем этапе для устранения флук туации интенсивности применим к полученному РК гаусс-размытие, радиус гаусс-размытия со ставляет 40 пикселей, рис. 2,г. На практике Раз мытие подбирается экспериментально и состав ляет 2–80 пикселей.

На четвертом этапе строится результи рующий РК между размытым и РК, полученным на втором этапе. Для лучшего визуального вос в приятия результирующего контраста и лучшей в его детализации подбирается оптимальный ди намический диапазон, рис. 2,д.

Изображение, полученное по этой методи ке, имеет высокое качество с хорошей прора боткой основных деталей контраста. Время вейвлет-обработки составляет 8–10 секунд.

Суть второй методики подробно описана в работе [1], и включает в себя следующие эта пы.

1 этап. Исходное изображение (рис. 2,а) подвергается гаусс-размытию, которое зависит г от уровня фоновой неоднородности и подбира ется экспериментально. На практике радиус га- контраст, полученный после гаусс-размытия усс-размытия составляет 10–100 пикселей. При (рис. 3,а) по второй методике визуально очень этом на изображении, как и по первой методике, похожи. Сравнивая визуально между собой кон теряются все мелкие детали, относящиеся к де- трасты после коррекции динамического диапа фектам структуры, рис. 3,а зона, представленные на рис. 2,д и рис. 3,в, 2 этап. Строится разностный контраст ме- убеждаемся в том, что по качеству обработки жду размытым и исходным изображениями, рис. они отличаются друг от друга. РК, построенные 3,б;

для контрастов, представленных на рис. 2,б и рис. 3,а, а также рис. 2,д и рис. 3,в, не являются 3 этап. Проводится коррекция динамиче ского диапазона и сохранение изображения, рис. нулевыми, о чем свидетельствуют максималь 3,в. ные значения яркостных характеристик (ЯХ), Время цифровой обработки контраста по рис. 4. Для нулевого РК максимум ЯХ имеет данной методике составляет примерно 20–40 значение 440000, а для полученного – 40000.

сек. Для ЯХ по оси абсцисс отложена интенсивность в градациях серого цвета (0–255 для 8-битного изображения), а по оси ординат – количество пикселей, имеющих данную интенсивность.

а а б б 0 Рис. 4. Разностный контраст и яркостные ха рактеристики поляризационно-оптического контраста монокристалла 6H-SiC: а – нулевой РК и ЯХ для контраста после вейвлет обработки (рис. 2,б);

б – РК и ЯХ между кон трастами на рис. 3,а и рис. 2,б.

Аналогичная картина наблюдается и для РК и ЯХ между контрастами на рис. 2,д и рис.

в 3,в. Разностный контраст и яркостные характе ристики строились в программе «Image-Pro Plus Рис. 3. Последовательность устранения фоно 6.0».

вой неоднородности поляризационно Таким образом, лучшие результаты циф оптического контраста монокристалла 6H-SiC ровой обработки получаются при использова по второй методике: а – гаусс-размытие;

б – нии дискретного вейвлет-анализа – разновидно построение разностного контраста;

в – кор сти частотного анализа.

рекция динамического диапазона Тем не менее, в ряде случаев можно ус пешно использовать вторую методику, которая Визуально контраст после вейвлет обладает экспрессностью по сравнению с дру обработки (по первой методике), содержащий гими методами, основанными на анализе ярко только фоновую неоднородность (рис. 2,б), и стных характеристик, и программу «Image-Pro Plus 6.0». Данная методика обработки хорошо зарекомендовала себя при обработке изображе ний с различной фоновой неоднородностью.

Самым ответственным этапом в этом случае является подбор оптимального гаусс-размытия.

В тех случаях, когда требуется более тща тельная детализация экспериментального кон траста, формируемого дефектами структуры, предпочтение необходимо отдавать частотному вейвлет-анализу.

Литература 1. Данильчук Л.Н., Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А. Цифровая обработка топографи ческих и поляризационно-оптических изобра жений дефектов структуры монокристаллов.

Великий Новгород: НовГУ им. Ярослава Муд рого, 2004. 227 с.

2. Ткаль В.А., Окунев А.О., Емельянов Г.М., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Вейвлет-анализ топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристал лов. Великий Новгород: НовГУ им. Ярослава Мудрого, 2006. 397 с.

3. Данильчук Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А.

Рентгеновская дифракционная топография де фектов структуры в кристаллах на основе эф фекта Бормана. Великий Новгород: НовГУ им.

Ярослава Мудрого, 2006. 493 с.

4. Ткаль В.А., Петров М.Н. Количественная оценка эффективности вейвлет-обработки изо бражений дефектов структуры монокристаллов.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. № 5. – С.14– 20.

5. Ткаль В.А., Петров М.Н., Воронин Н.А., Дзю ба И.В. Устранение фоновой неоднородности экспериментального контраста дефектов струк туры монокристаллов. Поверхность. Рентгенов ские, синхротронные и нейтронные исследова ния. 2010. № 1. С. 30–37.

HARD X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY AS A NONDESTRUCTIVE DEPTH SENSITIVITY TECHNIQUE FOR CHEMICAL ANALYSIS OF NANO-LAYERD SYSTEMS E.O.Filatova1, A.A.Sokolov1, E.V.Ubyivovk1, M.Gorgoi2, and F.Schaefers St. Petersburg State University, St. Petersburg, 198504, Russia Helmholtz Zentrum Berlin fr Materialien und Energie (HZB-BESSY II), Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany feo@EF14131.spb.edu X-ray photoelectron spectroscopy is a electrons (VG Scienta R4000). All details about the technique commonly used nowadays for surface experimental set-up can be found in ref [2,3].

analysis. By measuring the electron kinetic energy The in-depth chemical analysis of the samples it is possible to measure the binding energies of by HAXPES was realized through the variation of various core electrons as well as those of the photoelectron emission angle at the fixed photon valence electrons involved in chemical bonding. energy allowing systematic modification of the The analysis of the both the photoelectron energies probing depth. As an example the Ti 2p and the intensity of each peak allows to carry out a photoelectron spectra from Ti/SiO2/Si system quantitative chemical analysis of the sample. X-ray recorded at different excitation energies and photoelectron spectroscopy of high kinetic energies different emission angles are shown in the fig.1.

(HAXPES) has an additional bonus of extended The analysis of all titanium core level spectra probing depth given by the large value of the shows that due to the strong oxidation of metallic photoelectron inelastic mean free path (IMPF), i titanium a thick TiO2 film is created on top of the Ti. As a result the sample can be presented as obtained by using hard x-rays as excitation TiO2{TiOx}Ti/SiO2/Si.

energies. Thus HAXPES is a non destructive depth A mathematical model taking into account the sensitive method where the bulk/interface peak areas of all investigated core levels was electronic properties can be accessed by suggested to determine the individual thickness of systematically changing the photoelectron’s layer stack. In the framework of this model the emission angle or/and its kinetic energy.

recursion formula for the intensity of an HAXPES In the case of a uniform overlayer-film of peak from an n-th layer was derived and can be thickness d, the intensity of photoelectrons emitted written as:

from the substrate, if effects of elastic scattering can be ignored, is given by:

dn di n Fn ( ) = Aexp ( ) n cn n n (1 e n cos ) e i cos (2) d i = i cos I = I 0e (1) where n denotes the layer number (where n= corresponds to upper layer);

n is the photoelectric where I0 is the intensity from the bare substrate cross-section of the material of the n-th layer;

n is (d=0), is the angle of emission of photoelectrons inelastic mean free path in the n-th layer;

n is an leaving the surface (with respect to the surface normal), and i is the IMFP for the electrons from orbital angular symmetry factor of the n-th layer;

cn is the atomic concentration on volume unit for the the overlayer material. If elastic scattering is taken n-th layer, c(z)=const for each layer;

dn is the into account the effective attenuation lengths (EAL) thickness of the n-th layer;

Aexp()=TAcos;

T is a L, should be used in Eq. (1) instead of the IMFP.

The EAL is a function of d and rather than simply geometrical function defined by the parameters of the experimental equipment;

A is the analyzed part an optical constant of the material like the IMPF.

Nevertheless the ratio L/i can be considered as of a sample.

In the case of discussed sample in the three constant for emission angles less than about 60° [1].

layer model the sum of all Ti2p doublet peaks This indicates that formula (1) can be used in (from Ti4+ to Ti0) corresponds to TiOx layer, Si4+2p further calculations for angles of emission smaller peaks correspond to SiO2 layer and Si02p peaks than 60°.

correspond to Si substrate. It was derived that the HAXPES experiments were performed using sample can be denoted as the layer stack the HIKE station at the KMC-1 beamline at the TiOx(13.3nm)/SiO2(0.5nm)/Si.

BESSY II synchrotron light source of the The individual thickness of the sample was Helmholtz-Zentrum Berlin. This experimental set also determined using the high resolution TEM up is equipped with a high resolution hemispherical (HRTEM) method. The measurements were carried electron analyzer optimized for high kinetic energy out with the Carl Zeiss Libra 200 FE 200 kEv equipment of Interdisciplinary Resource Center for On examples of studying the technologically Nanotechnology at St. Petersburg State University, important systems it will be shown that the Russia (http://nano.spbu.ru). Figure 2 demonstrates developed analytical method is suitable for the a high resolution TEM (HRTEM) result. To reduce analysis of both nm thin overlayers and the the possible errors associated with width gradients, interlayers formed at their interfaces. Potentialities the microscopic and spectral measurements were of HAXPES are analyzed and compared with well conducted at the same point on the sample. One can known High Resolution Transmission Electron see that the sample parameters extracted from Microscopy (HRTEM).

HAXPES correlate well with the HRTEM images.

(a) 4+ (b) 4+ Ti 2p3/2 Ti 2p3/ Eh=3010eV Eh=3010eV =5o =60o Intensity (arb. un.) Intensity (arb. un.) Ti 2p1/2 Ti 2p1/ 1+ Ti 2p3/ Ti 2p1/2 1+ Ti 2p1/ 1+ Ti 2p3/ 4+ 2+ Ti 2p1/2 Ti 2p 4+ Ti 2p1/2 Ti2+2p 2+ 1/ Ti 2p3/ 3+ 1/ Ti 2p1/2 1+ 3+ Ti 2p3/ Ti 2p1/ 3+ Ti 2p3/2 2+ Ti 2p3/ 3+ Ti 2p3/2 Ti 2p3/ 470 465 460 455 450 470 465 460 455 Binding Energy (eV) Binding Energy (eV) (d) 4+ (c) Ti 2p3/ Eh=800eV Eh=2010eV 4+ Ti 2p3/ =0o =60o Intensity (arb. un.) Intensity (arb. un.) Ti 2p1/ 1+ Ti 2p1/ 4+ 4+ Ti 2p1/2 Ti2+2p 3+ Ti 2p1/ Ti 2p3/ 1/ 3+ 2+ Ti 2p1/2 Ti 2p3/2 3+ Ti 2p1/ 1+ Ti 2p3/2 3+ Ti 2p3/ Ti 2p3/ 470 465 460 455 470 465 460 455 Binding Energy (eV) Binding Energy (eV) Figure 1. Measured and fitted Ti 2p photoelectron spectra from Ti/SiO2/Si recorded at different excitation energies and different emission angles. (a) E=3010 eV and 5°;

(b) E=3010 eV and 60°;

(c) E=2010 eV and 60°;

(d) E=800 eV and 0°.

Figure 2. High resolution TEM (HRTEM) of sample Ti/SiO2/Si Acknowledgements (HZB). Research supported by ISTC (project No.

3963). The Interdisciplinary Resource Center for Nanotechnology at St. Petersburg State University, The authors gratefully acknowledge the Russia is acknowledged for the TEM experiments.

assistance from the Helmholtz Zentrum Berlin References C.J. Powell and A. Jablonski, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A 601, 54 (2009).

[1] M. Gorgoi et al. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A 601, 48 (2009).

[2] F. Schaefers, M. Mertin and M. Gorgoi, Rev. Sci. Intrum 78, 123102 (2007).

[3] КОНФОКАЛЬНАЯ РЕНТГЕНОФЛЮОРЕНСЦЕНТНАЯ ТОМОГРАФИЯ:

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБЛАСТИ СБОРА СИГНАЛА ДЛЯ КОЛЛИМАТОРОВ ДВУХ ТИПОВ Я.Л. Шабельникова, М.В. Чукалина Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д.6.

janeshabeln@yandex.ru коллиматор, созданный методами Рентгеновская флуоресцентная микроэлектроники.

томография является уникальным Микроэлектронный коллиматор.

неразрушающим методом, популярность которого Коллиматор, созданный методами все больше растет. Действительно, этот микроэлектроники [4], представляет собой инструмент способен давать информацию о систему каналов в поглощающей матрице, распределении элементного состава объектов с направленных в одну точку – фокус коллиматора.

высоким пространственным разрешением (порядка микрометров), и позволяет регистрировать весьма низкие (порядка сотых долей процента) концентрации элементов [1, 2].

При проведении экспериментов по рентгенофлуоресцентной томографии в конфокальной схеме (рис. 1) исследуемый объект освещается пучком рентгеновских лучей (пучок может быть параллельным или сфокусированным).

Под их воздействием атомы образца испускают флуоресцентные кванты. Пересечение падающего пучка и фокального пятна коллиматора образует “фокальный объем”, которым сканируется образец. Флуоресцентное излучение, собираемое из объема, регистрируется в детекторе. По результатам обработки спектра зарегистрированного излучения рассчитывают концентрации элементов в данном объеме образца.

Рис.2. Микроэлектронный коллиматор:

фотография и схематическое представление (сверху) и пояснения к определению функции сбора коллиматора (снизу).

Рис.1. Схема эксперимента по конфокальной На рисунке: d1 - входной диаметр, d 0 - выходной томографии с применением капилляра в качестве диаметр, d - ширина канала, L - длина коллиматора [3].

Важной характеристикой коллиматора, коллиматора, используемого в конфокальной схеме, является d d1 - угол сбора коллиматора, область сбора сигнала: ее размер, форма, и L распределение интенсивности. В данной работе L - фокусное расстояние.

F = d рассматриваются два типа коллиматоров:

d 0 d поликапиллярный (поликапиллярная полулинза) и Определим:

Область сбора одного канала – совокупность точек пространства, излучение из которых может проходить через данный канал.

Угол сбора для данной точки рассматриваемой области сбора – угол, излучение из которого собирается в данный канал. Очевидно, вне области сбора, угол сбора равен нулю.

Основная часть излучения собирается коллиматором из области, являющейся пересечением областей сбора всех (ну, или большинства) каналов – фокального пятна.

Построив суммарное (для всех каналов) распределение угла сбора, получаем функцию сбора коллиматора, которая дает представление о размере, форме фокального пятна и распределении интенсивности в нем.

Область сбора канала, имеющего угол, ограничена прямыми наклона d d и y = tg + x + D.

y = tg x + D + d L L (Система координат ( x, y ), а также обозначения и D соответствуют рис.2. D - расстояние от Рис.3 Угол сбора одного канала начала координат до края канала на заднем торце микроэлектронного коллиматора.

коллиматора.) Угол сбора такого канала определяется как:

d L y x tg D d L, x ( x L).

d if y x tg + L + D ( y xtg + D + d );

d =, if ( y xtg + D + d ) ( y xtg + D );

x d L[ y x tg + D] L, x( x L) if y x tg () d + D + d ( y xtg + D ) L Моделирование проводилось для коллиматора, имеющего размеры d1 = 1.17mm, d0 = 4.13mm, L = 12.4mm и ширину канала d = 10 m. При этом угол сбора коллиматора 0.24, фокусное расстояние F = 4.8mm.

Пространственное распределение угла сбора для канала, имеющего угол наклона = 0.01, представлено на рис.3.

Функция сбора коллиматора моделировалась как суммарное распределение Рис.4. Функция сбора микроэлектронного угла сбора для 104 каналов. Угол наклона каналов коллиматора.

изменялся от min = = 0.12 до max = = 0. 2 Поликапиллярный коллиматор.

с шагом 0.023. Результат моделирования Поликапиллярный коллиматор представляет собой представлен на рис.4. конструкцию из плотно упакованных изогнутых стеклянных капилляров. На переднем торце коллиматора все капилляры направлены в одну точку—фокус коллиматора, а на заднем торце параллельны друг другу. Работа такого коллиматора основана на эффекте полного внешнего отражения (ПВО). Рентгеновские лучи, (2 c ), если{x, y} F попадающие на стенки капилляра под углом, меньшим, чем критический угол ПВО, испытывая y ( c )( x L) D, если{x, y} G;

многократные отражения, проходят через xL коллиматор.

= ( + c )( x L) + D + d y, если{x, y} E;

xL d если{x, y} H.

x L Рис.5. Поликапиллярный коллиматор:

схематическое представление (вверху) и пояснения к расчету функции сбора (внизу).

Рис.6. Угол сбора отдельного капилляра.

Существует ограничение на радиус кривизны капилляров, а именно: чтобы захват излучения капилляром был эффективным, радиус кривизны не должен быть меньше значения 2d. Если радиус кривизны капилляров Rc = c удовлетворяет этому условию, то можно считать, что захват излучения изогнутым капилляром происходит аналогично случаю прямого наклонного капилляра.

Область сбора капилляра, передний край которого имеет угол наклона, ограничена y = (tg + c )( x L) + D + d прямыми (a) и y = (tg c )( x L) + D (b). Прямые y = (tg c )( x L) + D + d (с) и y = (tg + c )( x L) + D (d) делят область сбора на F : ( y (c) y (d )), подобласти H : ( y (c) y (d )), G : ( y (a) y (c) y (d )) и E : ( y (b) y (c) y (d )) для каждой из которых своя зависимость угла сбора от координат: Рис.7. Функция сбора поликапиллярного коллиматора.

microfocus beamline: characteristics and possibilities При моделировании за основу был взят //Spectrochim. Acta Part B.—2004—V.59, N.533— поликапилляр, использованный в [1]. Его характеристики: d1 = 1.17mm, d 0 = 4.13mm, P.1637-1645.

[3]W. Malzer. 3D micro X-ray fluorescence analysis // L = 94.06mm, фокусное расстояние F = 4.8mm, The Rigaku Journal. –2006– V. 23 – P. 40-47.


угол сбора d1 = 0.24. Диаметр капилляра был [4] M. Chukalina, A. Simionovici, S. Zaitsev, C.J.

Vanegas. Quantitative comparison of X-ray F оценен как d = 10 m. fluorescence microtomography setups: Standard and confocal collimator apparatus// Spectrochim. Acta На рис.6 представлен угол сбора Part B.6-7. —2007 -- V 62. -- P544-548.

капилляра, имеющего угол наклона = 0.01, для c = 0. значения критического угла (Соответствует энергии ECuK = 8keV ). Функция сбора коллиматора моделировалась как суммарное распределение угла сбора для 118 каналов. Угол наклона каналов изменялся от min = = 0.12 до с равным шагом. Результат = = 0. max моделирования для c = 0.0037 представлен на рис.7.

В докладе будут представлены оценки продольного и поперечного размеров фокальных пятен для обоих типов коллиматоров, а также вид аналитической зависимости функций сбора коллиматоров.

В результате проделанных расчетов можно заключить, что функции сбора сигнала обоих коллиматоров имеют сходную зависимость от пространственных координат. Хотя, конечно, размер фокального пятна для каждого типа коллиматора определяет свой набор параметров. В частности, минимальный поперечный размер фокуса микроэлектронного коллиматора можно оценить как Dmin = d ( L + F ) = 14mkm. А для L поликапиллярного коллиматора Dmin = 2 F c = 35mkm для энергии ECuK = 8keV.

То есть, размер фокусного пятна поликапиллярного коллиматора зависит от критического угла ПВО, а значит, и от энергии флуоресцентных квантов ( c 30eV, где E - E энергия излучения).

Поэтому в рентгенофлуоресцентном анализе, когда с помощью поликапилляра регистрируется протяженный ( 1 20 keV ) энергетический спектр, особенно важно знать функцию сбора коллиматора, чтобы вносить поправки в регистрируемый спектр.

[1] L. Vincze, B. Vekemans, F. E. Brenker, G.

Falkenberg, K. Rickers, A. Somogyi, M. Kersten and F. Adams. Three-Dimensional Trace Element Analysis by Confocal X-ray Microfluorescence Imaging //Anal. Chem. – 2004—V.76—P. 6786– 6791.

[2] K. Janssens, K. Proost, G. Falkenberg. Confocal microscopic X-ray fluorescence at the Hasylab ВОЗМОЖНОСТИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ В ИССЛЕДОВАНИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И.Л.Шульпина 1, В.А. Козлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Политехническая ул., 26, Санкт-Петербург, Россия НПО «ФИД-Техника»

195220, Гжатская ул., 27, Санкт-Петербург, Россия e-mail: iren.shulpina@mail.ioffe.ru Монокристаллический кремний остается реализуемы наиболее полно. К таким наиболее сегодня основным материалом важным объектам кремниевой электроники в полупроводниковой электроники. На его основе первую очередь можно отнести высоковольтные изготовляется наиболее широкая гамма приборы современной силовой электроники.

приборных структур, начиная от приборов Именно такие структуры с толщинами активных слоев от 5 до 100 мкм и исследовались в данной силовой электроники и заканчивая структурами работе, рис.1.

для наноэлектроники. При этом технология получения слитков монокристаллического кремния и эпитаксиальных кремниевых структур постоянно совершенствуется для достижения более высокого структурного совершенства материала, уменьшения дефектности рабочих слоёв приборных структур и улучшения в конечном итоге параметров полупроводниковых приборов на основе кремния. Для анализа качества монокристаллического кремния, эпитаксиальных и диффузионных слоёв сегодня успешно используются методы рентгеновской дифракционной топографии (РДТ), [1]. Будучи неразрушающими по характеру воздействия на исследуемые образцы, методы РДТ позволяют выявлять и различать ростовые и технологические дефекты реальной структуры кристаллов, исследовать их распределения в слоях кристаллов, прослеживать их взаимодействия между собой и таким образом получать важную качественную и количественную информацию о природе и эволюции дефектов в технологическом процесса изготовления приборных структур. Такая информация позволяет оптимизировать подбор исходных материалов и технологических производственных режимов с целью уменьшения «критических» электрически-активных дефектов, в значительной степени определяющих надёжность и влияющих на качество современных кремниевых приборов [2].

Из-за относительно низкого поглощения рентгеновских лучей обычно используемого Рис.1 Сетка дислокаций несоответствия диапазона длин волн, а также прочностных в трехслойной эпитаксиальной структуре.

характеристик (твердости и динамических Сильно легированная подложка характеризуется свойств дислокаций) монокристаллический концентрационной неоднородностью кремний является удобным материалом для распределения примеси.

применения РДТ. Возможности РДТ в Метод Ланга, MoK, 220, двухсторонняя исследовании дефектов его реальной структуры фотопленка РТ-К.

достаточно большие. При этом для анализа методами РДТ наиболее подходят структуры Применялись проекционные методы Ланга и реальных приборов с «толстыми» активными Берга-Баретта-Ньюкирка в MoK для слоями, в которых возможности данных методов трансмиссионной геометрии и CuK для геометрии отражения, соответственно. - выявление «точечных» и протяженных Использовался набор отражений от разных дефектов в эпи-слоях, определение их атомных плоскостей. Дополнительно распределений по поверхности и объему, рис.3;

применялась методика получения стоп-кадров - оценка размеров дефектов, формулировка при регистрации сильно асимметричных предположений об их происхождении.

отражений в условиях, когда ширина падающего на образец пучка рентгеновских лучей Решение этих задач достигалось комплексным составляла от 1/3 до 1/5 толщины структуры. использованием методов РДТ. Ограничения в применении РДТ (шлифовка или защита Методика давала возможность уточнить нерабочей поверхности, изгиб образцов, высокая положение дефектов и границы эпитаксиального плотность дефектов) обходились за счет слоя по толщине структуры.

применения метода отражения вместо Решались следующие задачи:


- оценка качества отечественного прохождения, съемки образцов частями, монокристаллического БЗП-кремния в слитках и приготовлением косого шлифа с разными углами после шлифовки-полировки поверхностей наклона и т.д.

пластин в отношении достаточности удаления Работа иллюстрируется примерами решения нарушенного поверхностного слоя от следов конкретных задач средствами РДТ.

дисковой резки;

- оценка качества подложек для эпитаксиального роста и определение наличия в них дислокаций и других дефектов структуры;

- обнаружение и классификация дефектов, связанных с обдиркой боковой поверхности кремниевых слитков и пластин, а также степени их распространения в глубь кристалла, рис.2;

Рис.3. Особенности дислокационной структуры и «точечные» дефекты в эпитаксиальной структуре с толщиной эпитаксиального слоя мкм. Некоторые «точечные» дефекты лежат на Рис.2. Дефекты эпитаксиальной структуры следах глубоких царапин, оставшихся после вблизи боковой поверхности пластины.

полировки поверхности подложки.

Метод Ланга, MoK. 220.

Метод Ланга, MoK. 220.

- наличие изгиба пластин;

Масштаб всех топограмм один и тот же.

- обнаружение дефектов, связанных с длительной и высокотемпературной Работа иллюстрируется примерами решения (30-50 часов, 1250-1270С) диффузией примесей конкретных задач средствами РДТ.

Al и P с поверхности, оценка глубины проникновения дефектов в объём от поверхности [1] Боуэн Д.К., Таннер Б.К.

с высокой поверхностной концентрацией В ысокоразрешающая рентгеновская диффундирующей примеси;

дифрактометрия и топография. Санкт - определение влияния качества подложек на Петербург: Наука. 274 с. (2002).

совершенство эпитаксиальных структурное [2] International Autumn Meeting "Gettering and слоёв;

Defect Engineering in Semiconductor - определение положения границ Technology", Kittler, M., & Richter, H. (2010) эпитаксиальных слоев по толщине структур;

(Solid state phenomena;

vs.156-158. 592 p) (2010: Trans Tech Publications. 592p).

СПИСОК ОРГАНИЗАЦИЙ – УЧАСТНИКОВ СЕМИНАРА Институты Российской Академии Наук 1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Москва 2. НИЦ "Космическое материаловедение" Института кристаллографии РАН, Калуга 3. Центр синхротронного излучения, РНЦ «Курчатовский институт», Москва 4. Физико-технологический институт РАН, Москва 5. Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва 6. Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича, Москва 7. Российский фонд фундаментальных исследований, Москва 8. Институт ядерных исследований РАН, Москва 9. Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область 10. Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская область 11. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург 12. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск;

13. Отдел математики Коми НЦ УрО РАН, Сыктывкар 14. Институт спектроскопии РАН, Троицк, Московская область 15. Научно-исследовательский институт прецизионного приборостроения Космического агентства России, Москва-Великий Новгород 16. Российский Федеральный Ядерный центр-ВНИИТФ им. академика Забабахина, Снежинск, Челябинская область 17. Всероссийский институт технической физики, Снежинск, Челябинская область 18. Технологический институт сверхтвердых и углеродных материалов, Троицк 19. Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, Москва 20. Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Санкт-Петербург 21. Institute for Analytical Instrumentation, RAS, St. Petersburg 22. НИИ КМ «Прометей», Санкт-Петербург, 23. Институт мониторинга климатических и экологических проблем СО РАН, Томск 24. Институт металлоорганической химии имени Г.А. Разуваева РАН, Н. Новгород 25. Институт химии высокочистых веществ РАН, Н. Новгород 26. Научно-исследовательский физико-технический институт, Н. Новгород 27. Физический институт РАН, Москва Университеты России 1. Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик 2. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва 3. Московский государственный институт электронной техники, Москва-Зеленоград 4. Московский государственный институт электроники и математики, Москва 5. Московский институт стали и сплавов, Москва 6. Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург 7. Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород 8. Псковский государственный педагогический университет им. С.М. Кирова, Псков 9. Удмуртский государственный университет, Ижевск.

10. НИУ Московский государственный институт электронной техники, Москва-Зеленоград 11. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород 12. НИИ Ядерной физики МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва 13. Институт спектроскопии РАН, Троицк, Московская обл.

14. Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург 15. Коми педагогический институт, Сыктывкар, Россия 16. Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики Научно-производственные организации 1. ООО «Брукер», Москва, Россия 2. ООО «ПТЦ УралАлмазИнвест» Москва, Россия 3. ОАО Фомос-Материалс, Москва, Россия 4. Компания «Системы для микроскопии и анализа», Москва, Россия 5. АНО «Аналитика и высокие технологии», Москва, Россия 6. ЗАО «ТРИ Карбон», Москва, Россия 7. НПО «ФИД-Техника», Санкт-Петербург, Россия Редакции академических научных журналов Журнал «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования», г. Москва;

Журнал «Заводская лаборатория. Диагностика материалов», г. Москва;

Журнал « Письма в ЖТФ», г. Санкт-Петербург.

Зарубежные научные и учебные центра 1. Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАНУ, г. Киев, Украина 2. European XFEL.GmbH, Hamberg, Germany 3. X-Ray Pungs Laboratory”, Ереван Армения 4. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20036, USA 5. Artep Inc., 2922 Excelsior Springs Court, Ellicott City MD 21042, USA 6. Xradia Inc., 4385 Hopyard Road, Pleasanton CA 94588, USA 7. Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY? Hamburg, Germany 8. van ‚t Hoff Laboratory for Physical and Colloid Chemistry, Debye Institute, University of 9. Utrecht, Padualaan 8, 3508 TB Utrecht, The Netherlands 10. Институт прикладных проблем физики НАН Армении, Ереван 11. "Zwick GmbH & Co. KG", Ульм Германия 12.Institute of Photonics and Electronics, AS CR, Chaberska str. 57, Prague, Czech Republic 13. School of Chemical Engineering and Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin, P.R.China 14. Centre national de la recherche scientifique, France 15. Diamond Light Source, Didcot Oxfordshire OX11 0DE GB 16. Pohang University of Science and Technology, Pohang, Republic of Korea 17. Institut fr Festkrperphysik, Tehnische Universitt Dresden, D-01062 Dresden, Germany 18. Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, D-06099 Halle, Germany 19. BioNanotechnology and structure Formation Group, Max-Bergman Center of Biomaterials, Dresden University of Technology, D-01062 Dresden, Germany.

20. European Synchrotron Radiation Facility, 6 Rue Jules Horowitz, 38043 Grenoble, France 21. Helmholtz Zentrum Berlin fr Materialien und Energie (HZB-BESSY II), Albert-Einstein Strasse 15, 12489 Berlin, Germany АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ АВТОРОВ 1 Абросимов Н.В. 167 51 Закирова Р.М. 2 Авдюхина В.М. 22, 24 52 Золотов Д.А. 3 Айрапетян К.Т. 26 53 Иконников В.Б. 4 Акимова О.В. 24 54 Иржак Д.В. 77, 5 Акчурин М.Ш. 29 55 Казаков Д.В. 6 Алалыкин А.С. 31 56 Какшин А.Г. 7 Алалыкин С.С. 31 57 Калмыков А.Е. 8 Андреева М.А. 33 58 Калоян А.А. 9 Аргунова Т.С. 167 59 Каминский А.А. 10 Артюков И.А. 18 60 Карасев В.Ю. 11 Асадчиков В.Е. 36, 57, 73 61 Карпов А.В. 12 Афонин В.И. 38 62 Кириллов А.И 13 Безбах И.Ж. 140 63 Коваленко Е.С 14 Бессолов В.Н. 152 64 Кон В.Г. 15 Бланк В.Д. 136 65 Кожевников И.В. 36, 57, 86, 16 Боргардт Н.И. 100 66 Козлов В.А. 17 Буйлов А.Н. 40, 44, 48 67 Колосов С.И. 18 Бузанов О.А. 97 68 Коробейникова Е.Н. 19 Бузмаков А.В. 73 69 Коханчик Л.С. 20 Букреева И.Н. 18 70 Кочарян В.Р. 21 Бушуев В.А. 51, 54 71 Крылов П.Н. 22 Вартанянц И.А. 65, 67 72 Кугаенко О.М. 23 Васильев А.Л. 107 73 Кузнецов М.С. 24 Верозубова Г.А. 121, 124 74 Кукин В.Н. 25 Виноградов А.В. 18 75 Кукушкин С.А. 26 Вихляев Д.А. 38 76 Купенко И.И. 27 Власов В.Н. 140 77 Кютт Р.Н. 28 Волков В.В. 36 78 Лебедева Р.В. 29 Волков Ю.О. 36, 57 79 Левин И.С. 30 Волков Р.В. 100 80 Левонян Л.В. 31 Волошин А.Э. 73 81 Лобода Е.А. 32 Вялых Д.В. 118, 161 82 Ломов А.А. 29, 33 Гаврилов В.С. 38 83 Лукин К.Г. 175, 34 Гаврищук Е.М. 161 84 Максимов С.К. 110, 35 Гайнутдинов Р.В. 29 85 Максимов К. С. 110, 36 Гилёв О.Н. 150 86 Маргарян В.В. 37 Гладков П. 107 87 Мартюшов С.Ю. 38 Горай Л.И. 59 88 Машин Н.И. 39 Данильчук Л.Н. 40, 44, 48, 121, 89 Молодцов С.Л. 118, 40 Дембо К.А. 36 90 Мясоедов А.В. 41 Денисов В.Н. 136 91 Нагалюк С.С. 42 Дмитриенко В.Е. 127 92 Некипелов С.В. 118, 43 Дышеков А.А. 62 93 Новиков Д.В. 44 Дьячкова И.Г. 70 94 Новосёлова Е.Г. 45 Егоров В.Н. 97 95 Нореян С.Н. 96 Овчинникова Е.Н. 47 Ершов А.А. 116 97 Одинцова Е.Е. 48 Ефанов А.М. 65, 67 98 Окунев А.О. 40, 44, 48, 121, 49 Жуковская И.А. 175, 179, 182, 99 Орешко А.П. 50 Забродский А. Г. 167 100 Осипов А.В. 101 Петрова О.В. 118, 161 151 Бютье Г. 102 Петраков В.С. 97 152 Bluher A. 103 Петров М.Н. 175, 179, 182 153 Burkhardt A. 104 Петухов А. 67 154 Chun-Hui Yang 105 Петухов В.П. 130 155 Claustre L. 106 Потапов А.В. 38 156 Dronyak R. 107 Подурец К.М. 133 157 Feng Y. 108 Погорелый Д.К. 133 158 Gastrok Y. 109 Политов В.Ю. 150 159 Gorgoi M. 110 Поляков С.Н. 29, 136 160 Guillet S. 111 Плотицина О.А. 155 161 Gulden J. 112 Поздняков М.Л. 97 162 Нисбет Г. 113 Прохоров И.А. 140 163 Je J.H. 114 Пунегов В.И. 107, 142, 144, 147 164 Коллинз С.П. 115 Пхайко Н.А. 150 165 Kjornrattanawanich B. 116 Ратников В.В. 152 166 Kummer K. 117 Разов Е.Н. 161 167 Maslyuk V.V. 118 Ревкевич Г.П. 22, 24 168 Mancuso A.P. 119 Рощин Б.С. 36, 57 169 Massonnat J.-Y. 120 Рощупкин Д.В. 77, 155 170 Mertig I. 121 Самойлова Л. 51, 54 171 Mertig M. 122 Сафронов К.В. 38 172 Nohavica D. 123 Сахаров С.А. 97 173 Peverini L. 124 Серебряков Ю.А. 140 174 Roy J. 125 Сивков В.Н. 118, 161 175 Rommeveaux A. 126 Сивков Д.В. 158 176 Schaefers F. 127 Смирнов И.С. 70 177 Seely J.F. 128 Смирнова И.А. 164, 168 178 Singer A. 129 Соколов Н.С. 171 179 Sprung M. 130 Соколов А.А. 89, 186 180 Susini J. 131 Сорокин Л.М. 152, 167 181 Ubyivovk E.V. 132 Стащенко В.А. 121, 124 182 Vaerenbergh P.V. 133 Суворов Э.В. 164, 168 183 Vaxelaire N. 134 Сутурин С.М. 171 184 Weckert E. 135 Табачкова Н.Ю. 97 185 Zegenhagen J. 136 Терентьев С.А. 136 186 Ziegler E. 137 Тихонов А.М. 36, 138 Ткаль В.А. 175, 179, 182 187 Мезенцев А.Л. 139 Толстоухов П.А. 140 Трофимов А.Ю. 121, 141 Труни К.Г. 142 Туманова А.Н. 143 Уварова С.С. 144 Фахртдинов Р.Р. 77, 145 Филатова Е.О. 57, 89, 146 Фролов Д.А. 147 Чукалина М.В. 148 Шабельникова Я.Л. 149 Шульпина И.Л. 140, 150 Щеглов М.П. 103, Научное издание СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ДИФРАКЦИОННЫХ ДАННЫХ (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия) Сборник материалов и программа Пятого международного научного семинара 12–16 сентября 2011 года Составители:

Ткаль Валерий Алексеевич Материалы публикуются в авторской редакции.

Оригинал-макет подготовлен Кафедрой математических и естественнонаучных дисциплин Новгородского филиала Санкт Петербургского государственного университета сервиса и экономики Изд. лиц. ЛР № 020815 от 21.09. Подписано в печать 10.07.2011. Бумага офсетная. Формат 60 84 1/8.

Гарнитура Times New Roman. Печать офсетная.

Усл. печ. л. 9,4. Уч.-изд. л. 10,4. Тираж 130 экз. Заказ № Отпечатано в ЗАО «Новгородский технопарк», 173003, Великий Новгород, ул. Б. Санкт-петербургская, 41, Тел. (8162)

Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.