авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 | 2 ||

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ЛЭТИ» им. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА) ...»

-- [ Страница 3 ] --

2. 2. - n, 10 см 1. (а) 1. 0. 0. EС, эВ 0.0 (б) x=0. -0. nonpolar semipolar (1011) polar -0. 70 80 90 100 110 120 x, нм Рисунок 4.23 – Рассчитанный наблюдаемый профиль носителей заряда (а) и рассчитанный профиль дна зоны проводимости (б) в гетероструктуре с КЯ In0.05Ga0.95N/GaN для полярной, полуполярной и неполярной кристаллографии ческих ориентаций.

Несимметричный энергетический профиль полярной гетероструктуры имеет результатом сильную асимметрию наблюдаемого концентрационного профиля носителей заряда. В соответствии с модификацией энергии дна зоны проводимости, наблюдаемый концентрационный профиль носителей заряда КЯ, находящейся в поляризованном состоянии, демонстрирует отсутствие обеднения с одной стороны КЯ и расширенную обедненную область – с другой. Как видно из рисунка 4.24, при вольт-фарадном профилировании КЯ в поляризованном состоянии концентрационный профиль смещается в сторону перекоса энергетического профиля КЯ. Однако, вследствие малой ширины КЯ смещение профиля концентрации не превышает половины толщины ямы, поэтому можно сделать вывод о том, что при профилировании КЯ InGaN/GaN судить о присутствии поляризованного состояния можно прежде всего по форме областей обеднения вокруг КЯ, а сдвиг концентрационного профиля тонкой квантовой ямы является малоинформативным.

Гетероструктура, находящаяся в полуполярном состоянии, имеет наблюдаемый концентрационный профиль носителей заряда, схожий с профилем неполярного образца, хотя профиль энергии дна зоны проводимости имеет противоположный перекос. В связи с этим встает вопрос о зависимости результата вольт-фарадного профилирования от направления распространения расширяющейся ООЗ или от направления пьезоэлектрического поля. Этот вопрос будет рассмотрен далее.

На рисунке 4.24 представлено дно зоны проводимости для гетероструктур с составами x = 0.05, 0.10 и 0.15. Рост содержания InN ведет к увеличению разрыва зоны проводимости и, как следствие к большей концентрации носителей заряда в КЯ. При этом появляется ярко выраженная область обеднения на первом гетеропереходе, и увеличивается протяженность области обеднения второго гетероперехода, несмотря на рост напряженности электрического поля, обусловленного поляризованным состоянием.

Проводился численный эксперимент по вольт-фарадному профилированию описанной выше структуры с КЯ In0.05Ga0.95N/GaN. Было проведено два типа исследований. В первом случае барьер Шоттки был расположен со стороны положительно заряженной плоскости поляризации, а во втором – со стороны отрицательно заряженной.

10. - n, 10 см (а) 1. 0. x=0. 0.4 x=0. x=0. 0. EС, эВ (б) 0. -0. -0. 70 80 90 100 110 120 x, нм Рисунок 4.24 – Расcчитанный наблюдаемый профиль носителей заряда (а) и рассчитанный профиль дна зоны проводимости (б) в гетероструктуре с КЯ InxGa1-xN/GaN для составов x = 0.05, 0.10, 0.15.

3. 2. - 2. n, 10 см (а) 1. 1. 0. 0. EС, эВ 0.0 (б) -0. x=0. -0. 70 80 90 100 110 120 x, нм Рисунок 4.25 Моделируемые наблюдаемые концентрационные профили носителей заряда в структуре с КЯ In0.05Ga0.95N/GaN, полученные при сканировании со стороны отрицательного (сплошная линия) и положительного (пунктирная линия) интерфейсов (а). Рассчитанный профиль дна зоны проводимости (б).

Таким образом, сканирование границей области объемного заряда начиналось либо с одной, либо с другой стороны от КЯ. Энергетическая диаграмма КЯ и полученные наблюдаемые профили концентрации основных носителей заряда показаны на рисунке 4.25. Наблюдаемые концентрационные профили носителей заряда оказываются существенно различными. В том случае, когда профилирование осуществляется со стороны положительно заряженного поляризованным состоянием интерфейса, наблюдается ярко выраженная асимметрия профиля – область обеднения очень мала по сравнению с областью обеднения, расположенной со стороны отрицательно заряженного интерфейса.

Профилирование со стороны отрицательно заряженного интерфейса не дает столь сильного искажения концентрационного профиля, делая его по форме близким к профилю КЯ в неполярном состоянии. Стоит отметить, что амплитуды концентрационных профилей при сканирующих проходах с разных сторон значительно отличаются.

Наблюдаемое отличие концентрационных профилей объясняется, прежде всего, действием высокого потенциального барьера на отрицательно заряженном интерфейсе. Этот барьер при вольт-фарадном сканировании задерживает электроны, выдавливаемые внешним полем со стороны контакта Шоттки.

Задержанные электроны, в свою очередь, препятствуют появлению области объемного заряда перед КЯ.

Интерпретация выводов, полученных при проведении численного эксперимента, применима для анализа вольт-фарадного профилирования полуполярных гетероструктур с различным направлением вектора поляризации.

Иными словами, вольт-фарадное профилирование двух аналогичных образцов, выращенных в различных кристаллографических направлениях и имеющих близкие по величине, но разные по направлениям встроенные электрические поля, будет показывать сильно отличающиеся, не являющиеся зеркально симметричными, концентрационные профили носителей заряда.

Выводы по главе 4:

1. Методами вольт-фарадных характеристик в широком диапазоне температур исследованы гетероструктуры с тремя туннельно-несвязанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs различного состава. Проведена обработка измерений, в ходе которой исключен тренд, обусловленный токами утечки при обратных напряжениях более -8В, и построены концентрационные профили носителей заряда.

2. С помощью подгонки моделируемого концентрационного профиля к экспериментальному определены разрывы зон для трех КЯ исследуемого образца (EC1…3: 170, 128, 90 мэВ). Рассчитан энергетический профиль дна зоны проводимости.

3. Интегрированием наблюдаемых концентрационных профилей основных носителей заряда по координате рассчитан накопленный в квантовых ямах заряд и построены зависимости накопленного заряда от температуры. При падении температуры до определенного значения заряд в КЯ начинает уменьшаться. Обнаружено, что центральная КЯ начинает опустошаться при более высокой температуре, чем крайние.

4. В ходе анализа температурной зависимости количества накопленного в системе квантовых ям заряда проведено моделирование гипотетической структуры, аналогичной исследуемой, но с одинаковым составом КЯ.

Ширина барьеров и концентрация легирующей примеси в ходе моделирования изменялись в диапазонах 80…150 нм и 3·1016…3·1017 см-3, соответственно. Моделирование проводилось для широкого диапазона температур. Расчет показал, что взаимодействие зарядов в туннельно несвязанных КЯ усиливается при уменьшении концентрации легирующей примеси или уменьшении ширины барьеров и слабо зависит от температуры.

Наблюдаемое электростатическое взаимодействие выражается в малом (неэффективном с точки зрения работы прибора) заполнение центральных КЯ системы МКЯ. Проявление данного эффекта не зависит от наличия или отсутствия поляризационных эффектов в слоях структуры, что подтверждается нашими экспериментальными исследованиями готовых светоизлучающих гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ.

5. Даны рекомендации по дизайну активной области светоизлучающих структур, позволяющие реализовать оптимальное заполнение КЯ. В том случае, если необходимо использование в активной области светоизлучающего прибора нескольких КЯ, следует размещать их парами.

Область объемного заряда от одной пары КЯ не должна перекрываться с областью объемного заряда другой пары.

6. С изменением температуры 70…50 К концентрационный профиль носителей заряда, полученный из экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с КЯ InGaAs/GaAs, показал сдвиг пика, соответствующего КЯ с составом x = 0.22 на 40 нм при частоте 2 МГц.

7. В ходе анализа поведения концентрационного профиля при низких температурах проведен расчет положения уровней размерного квантования и уровня Ферми в зависимости от температуры. Показано, что уровень Ферми превышает первый уровень размерного квантования (ассоциируемый с КЯ с составом x = 0.22) на 3/2 kT при температуре 70 К;

ниже этой температуры уровень квантования начинает приобретать характер глубокого уровня при высоких частотах тестового сигнала. В таком случае время эмиссии электронов с уровня размерного квантования не является пренебрежимо малой величиной по сравнению с полупериодом вынуждающего сигнала. Это приводит к зависимости ширины ООЗ от частоты. Данное поведение уровней размерного квантования приводит к нарушению приближения квазистатики, которое лежит в основе традиционной интерпретации C-V характеристик, это необходимо учитывать при проведении вольт-фарадных исследований.

8. Проведено моделирование концентрационного профиля свободных носителей заряда в двойной гетероструктуре GaN/In0.09Ga0.91N/GaN, выращенной в направлении [0001] и экспериментально исследованной в [87].

Моделирование показало некоторое расхождение с экспериментом, что объясняется возможным различием параметров экспериментальной и реальной структур.

9. На основе самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера проведен расчет зонной диаграммы модельного образца с двойной гетероструктурой GaN/In0.05Ga0.95N/GaN, выращенного в направлении [0001].

Проведено моделирование наблюдаемого профиля свободных носителей заряда по структуре. Расчеты показывают хорошее согласование с результатами аналогичных исследований [89].

10. Проведено численное моделирование вольт-фарадных характеристик полупроводниковых гетероструктур с КЯ InGaN/GaN шириной 3 нм, ориентированных в полярном, неполярном и полуполярном направлениях.

Проанализирована эволюция наблюдаемого концентрационного профиля носителей заряда и положения дна зоны проводимости с изменением кристаллографической ориентации структуры.

11. Выявлена особенность вольт-фарадного профилирования полуполярных структур с КЯ, заключающаяся в том, что при инверсии направлении вектора поляризации в КЯ вид полученных концентрационных профилей носителей заряда не является зеркально симметричным. Этот факт необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых гетероструктур, а также при их исследовании методами спектроскопии адмиттанса.

Заключение В работе рассмотрены условия возникновения спонтанного и пьезоэлектрического поляризованных состояний в слоях гетероструктур InGaN/GaN и негативное влияние такого состояния на работу светоизлучающих приборов. По литературным источникам выявлено, что выращивание структур на основе III-нитридов в различных кристаллографических направлениях является наиболее эффективным способом устранения нежелательных встроенных полей.

Для расчета напряженности встроенных электрических полей, обусловленных спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, создано программное обеспечение, позволяющее проводить расчет нормальной составляющей напряженности электрического поля в упругонапряженных слоях твердых растворов и барьерах InGaN/GaN в зависимости от состава раствора и кристаллографического направления роста слоев.

Экспериментальные исследования гетероструктур проводились методами вольт-фарадных характеристик. В качестве основного измерительного комплекса использовалась модернизированная в рамках данной работы автоматизированная установка адмиттансной спектроскопии.

Расширение аналитических возможностей методик спектроскопии адмиттанса достигнуто за счет совместного использования экспериментальных методов и методов моделирования. Создано программное обеспечение для моделирования дна зоны проводимости структур с МКЯ с учетом поляризованного состояния слоев. Программа позволяет рассчитывать вольт фарадные характеристики и наблюдаемый концентрационный профиль основных носителей заряда.

Проведено моделирование профиля дна зоны проводимости и потолка валентной зоны для гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN различного состава, толщины слоя КЯ и кристаллографической ориентации кристалла.

Полученные энергетические профили использованы для расчета вероятностей межзонных переходов E1-HH1, на основе которых, показаны преимущества роста структур в неполярных и полуполярных кристаллографических направлениях.

Проведены комплексные вольт-фарадные исследования гетероструктур с тремя КЯ различного состава InxGa1-xAs/GaAs (xКЯ1=0.22, xКЯ2=0.16, xКЯ3=0,11) в диапазоне температур 10…300 K и частот тестового сигнала 20 кГц … 2 МГц.

Для исчерпывающего анализа полученных данных проведен расчет электронного спектра исследуемых структур.

Показано, что в системе множественных квантовых ям, в том числе и туннельно несвязанных, существует сильное электростатическое взаимодействие зарядов, имеющее следствием неэффективное заполнение центральных КЯ.

Эффект усиливается при уменьшении концентрации легирующей примеси или уменьшении ширины барьеров и, как показано, слабо зависит от температуры.

Наличие эффекта не зависит от присутствия поляризованного состояния в слоях и проявляется в гетероструктурах на основе III-нитридов, что подтверждено экспериментально.

Концентрационный профиль свободных носителей заряда, полученный из неквазистатических вольт-фарадных измерений образцов с КЯ InGaAs/GaAs показывает сильный сдвиг пика глубокой КЯ (x=0.22) по координате с понижением температуры. Детальное изучение поведения концентрационного профиля и поведения рассчитанных уровней размерного квантования и уровня Ферми с изменением температуры показывает, что модификация профиля происходит вследствие изменения характера уровня квантования из мелкого в глубокий.

Проведено моделирование вольт-фарадных характеристик реальных и тестовых двойных гетероструктур и КЯ InGaN/GaN. Показано, что при инверсии направления вектора встроенного электрического поля в КЯ имеет место сильная асимметрия наблюдаемых концентрационных профилей основных носителей заряда, что может быть использовано для количественного анализа встроенных в гетероструктуру полей методом ВФХ.

Список условных обозначений a, c – Постоянная кристаллической решетки Полярная ось в AIIIN с – C – Барьерная емкость полупроводника Cij – Константы упругости – Вектор индукции электрического поля D dij – Пьезоэлектрические модули – Вектор напряженности электрического поля E Ea – Энергия активации носителей заряда EC – Энергия дна зоны проводимости EC – Величина разрыва зоны проводимости Ed – Глубина залегания донорной примеси EF – Энергия уровня Ферми Eg – Ширина запрещенной зоны полупроводника Ei – Энергия уровня квантования EV – Энергия потолка валентной зоны EV – Величина разрыва валентной зоны e – Заряд электрона en – Скорость эмиссии электрона eij – Составляющие пьезоэлектрического тензора G – Активная проводимость полупроводниковой структуры ћ – Постоянная Планка – Вектор плотности тока J k – Постоянная Больцмана LD – Дебаевская длина экранирования m* – Эффективная масса электрона в полупроводнике n – Концентрация свободных электронов Na – Концентрация акцепторов NC – Эффективная плотность состояний в зоне проводимости Nd – Концентрация доноров Na – Концентрация акцепторов – Концентрация ионизованных доноров Nd NT – Концентрация глубоких ловушек p – Концентрация дырок – Вектор поляризации P PSP – Вектор спонтанной поляризации PPZ – Вектор пьезоэлектрической поляризации – Радиус-Вектор координаты r S – Площадь p-n перехода или контакта Шоттки T – Абсолютная температура U – Потенциальная энергия – Вектор полной проводимости Y w – Ширина области объемного заряда полупроводника – Плотность объемного заряда – Электростатический потенциал 0 – Диэлектрическая проницаемость вакуума – Статическая диэлектрическая проницаемость m – Параметр несоответствия кристаллической решетки ij – Компоненты тензора упругости – Подвижность носителей заряда – Поверхностная плотность заряда на гетеропереходе – Волновая функция электрона – Круговая частота ВФХ – Вольт-фарадная характеристика КЯ – Квантовая яма Список литературы [1] Piprek J. Nitride Semiconductor Devices Principles and Simulation / Edited by Joachim Piprek. WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2007. – 497 p.

[2] Speck J.S. Nonpolar and semipolar group III nitride-based materials / Speck J.S.

Chichibu S.F. // MRS Bulletin. – 2009. – Vol. 32. – P. 304-212.

[3] Takeuchi T. Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect / Takeuchi T., Wetzel. C., Yamaguchi S., Sakaki H., Amano H., Akasaki I. // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 73 – P. 1691 1693.

[4] Nakamura S. Nonpolar and semipolar III-nitride light-emitting diodes: achievements and challenges / Nakamura S., DenBaars S.P., Mishra U.K. // IEEE Trans. on El.

Dev. – 2010. – Vol. 57. – P. 88-100.

[5] Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса / Зубков В.И. – СПб.: Изд-во «Элмор», 2007. – 220с.

[6] Pankove J. I., Miller E. A., Berkeyheiser J. E. // RCA Rev. – 1971. Vol. 32. – P.

383.

[7] Amano H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer / Amano H., Sawaki N., Akasaki I. Toyoda. T. // Appl.

Phys. Lett. – 1986. – Vol. 48 – P. 353.

[8] Nakamura S. GaN Growth Using GaN Buffer Layer / Nakamura S. // Jpn. J. Appl.

Phys. – 1991. – Part 2 – Vol. 30. – P. L1705-L1707.

[9] Khan M. A. High electron mobility transistor based on a GaNAlxGa1-xN heterojunction / Khan M. A., Bhattarai A., Kuznia J. N. Olson D. T. // Appl. Phys.

Lett. – 1993. – Vol. 63. – P. 1214-1215.

[10] Amano H. P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI) / Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki.

I. Jpn. // J. Appl. Phys. – 1989 – Part 1. – Vol. 28. – P. 2112.

[11] Nakamura S. Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films / Nakamura S., Mukai T., Senoh M. Iwasa. N. // Jpn. J. Appl. Phys. – 1992. – Part – Vol. 31. – P. L139-L142.

[12] Nakamura S. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes / Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T. // Jpn.

J. Appl. Phys. – 1996. – Vol. 35. – P. L74-L76.

[13] URL: www.nichia.com [14] Nakamura S. Candelaclass highbrightness InGaN/AlGaN doubleheterostructure bluelightemitting diodes / Nakamura S., Mukai T., Senoh. M. // Appl. Phys. Lett.

– 1994. – Vol. 64. – P. 1687.

[15] Bernardini F. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides / Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. // Phys. Rev. – 1997. – Vol. B 56. – P.

R10024-R10027.

[16] King-Smith R. D. Theory of polarization of crystalline solids // King-Smith R. D., Vanderbilt D. // Phys. Rev. – 1993. – Vol. B 47. – P. 1651-1654.

[17] Akasaki I. Monemar B. A. /MRS Symposia Proceedings. 1997. - Vol. – 449. P.

923.

[18] Bernardini F. Macroscopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions / Bernardini F., Fiorentini V. // Phys. Rev. – 1998. – Vol. B 57. – P. R9427–R9430.

[19] Perdew J. P. Unified Theory of Exchange and Correlation Beyond the Local Density Approximation, in Electronic Structure of Solids ’91/ Edited by P. Ziesche and H. Eschrig. Akademie Verlag, Berlin, 1991. - p. 11-20.

[20] Bernardini F. Accurate calculation of polarization-related quantities in semiconductors / Bernardini F., Fiorentini V. and D. Vanderbilt // Phys. Rev. – 2001. – Vol. B 63. – P. 193201-193204.

[21] Bernardini F. First-principles calculation of the piezoelectric tensor d of III–V nitrides / Bernardini F., Fiorentini V. // Appl. Phys. Lett. – 2002 – Vol. 80. – P.

4145-4147.

[22] Lawniczak-Jablonska K. Electronic states in valence and conduction bands of group-III nitrides: Experiment and theory / Lawniczak-Jablonska K., Suski T., Gorczyca I., Christensen N. E., Attenkofer K. E., Perera R. C. C., Gullikson E.M., Underwood J. H., Ederer D. L., Liliental Weber Z. // Phys. Rev. – 2000. – Vol. B 61 – P. 16623–16632.

[23] Deger C. Sound velocity of AlxGa1xN thin films obtained by surface acoustic wave measurements / Deger C., Born E., Angerer H., Ambacher O., Stutzmann M., Hornsteiner J., Riha E., Fischerauer G. // Appl. Phys. Lett. – 1998. – Vol. 72. – P.

2400.

[24] Sheleg A.U. Determination of elastic constants of hexagonal crystals from measured values of dynamic atomic displacements / Sheleg A.U., Savastenko V.A.

// Inorg. Mater. – 1979. - Vol. 15. P. – 1257-1260.

[25] Zoroddu A. First-principles prediction of structure, energetics, formation enthalpy, elastic constants, polarization, and piezoelectric constants of AlN, GaN, and InN:

Comparison of local and gradient-corrected density-functional theory / Zoroddu A., Bernardini F., Ruggerone P. and Fiorentini V. // Phys. Rev. - 2001.- Vol.B 64.

– P.045208-045213.

[26] Vanderbilt D. Berry-phase theory of proper piezoelectric response / Vanderbilt D // J.

Phys. Chem. Solids. – 2000. – Vol. 61. P. – 147-151.

[27] Ambacher O. Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures / Ambacher O., Foutz B., Smart J., Shealy J. R., Weimann N. G., Chu K., Murphy M., Sierakowski A. J., Schaff W. J., Eastman L. F., Dimitrov R., Mitchell A., Stutzmann M., J. // Appl. Phys. – 2000. – Vol. 87. – P. 334-344.


[28] Eickhoff M., Schalwig J.,Steinhoff G., Weidemann O., Grgens L., Neuberger R., Hermann M., Baur B., Mller G., Ambacher O., Stutzmann M. // Phys. Stat. Sol.

C. – 2003. – Vol. 6. – P. 1908.

[29] Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. // Phys. Rev. Lett. – 1997. – Vol.79. – P.3958.

[30] Electronic dielectric constants of insulators calculated by the polarization method / Bernardini F., Fiorentini V. // Phys. Rev. – 1998. – Vol. B 58. P. 15292–15295.

[31] Waltereit P. Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes / Waltereit P., Brandt O., Trampert A., Grahn H. T., Menniger J., Ramsteiner M., Reiche M., Ploog K.H. // Nature. – 2000. – Vol. 406.

– P. 865-868.

[32] Waltereit P. Growth of m-plane GaN(11-00): a way to evade electrical polarization in nitrides / Waltereit P., Brandt O., Ramsteiner M., Trampert A., Grahn H. T., Menniger J., Reiche M., Uecker R., Reiche P., Ploog K. H. // Phys. Stat. Sol. – 2000. – Vol. (a) 180. № 1. – P. 133-138.

[33] Park S.-H. Crystal-orientation effects on the piezoelectric field and electronic properties of strained wurtzite semiconductors / Park S.-H., Shun-Lien Chuang // Phys. Rev. – 1999. – Vol. B 59. P. 4725–4737.

[34] Sun D. Strain-Generated Internal Fields in Pseudomorphic (In, Ga)As/GaAs Quantum Well Structures on {11l} GaAs Substrates / Sun D., Towe E. // Jpn. J. of Appl. Phys. – 1994. – Vol. 33. Part 1. №. 1B. – P. 702–708.

[35] Takeuchi T. Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells / Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 39. – P.413-416.

[36] Park S.-H. Crystal orientation dependence of many-body optical gain in wurtzite GaN/AlGaN quantum-well lasers / Park S.-H., Chuang S.-L. // Semicond. Sci.

Technol. – 2002. – Vol.17. – P.686.

[37] Romanov A.E. Strain-induced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers / Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. – 2006. – Vol. 100(2). – P. 023522-023522-10.

[38] Slotboom J. W. Computer-aided two-dimensional analysis of bipolar transistors / Slotboom J. W. // IEEE Trans. Electron. Devices. – 1973. – Vol.20. – P. 669.

[39] Pinto M.R. PISCES II: Poisson and continuity equation solver / Pinto M.R., Rafferty C.S., Dutton R.W. // The board of Trustees of the Leland Stanford Junior University. – 1984.

[40] Бахвалов, Н.С. Численные методы / Бахвалов Н.С. – М. Наука, 1975.

[41] Vasileska D. Computational Electronics / Vasileska D., Goodnick S.M. – USA:

Morgan & Claypool, 2006.

[42] Blood, P. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states / Blood P., Orton J.W. – Academic Press, London, 1992. – 692 p.

[43] Берман, Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников / Берман Л.С. – Л.: Наука, 1972. – 104 с.

[44] Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / Lang D.V. // J. of Appl. Phys. – 1974. – Vol. 47. № 7. – P.

3023-3032.

[45] Соломонов, А.В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов: монография. / А.В. Соломонов. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2000. – 134 с.

[46] Кучерова, О.В. Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса / Кучерова О.В., Зубков В.И., Цвелев Е.О., Яковлев И.Н., Соломонов А.В.// Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 2010 – Т.76, №3 – С. 24- [47] Oldham W.G. Admittance of p-n junctions containing traps / Oldham W.G., Naik S.S. // - Solid State Electronics – 1972. – Vol. 15. – P. 1085–1096.

[48] Schmalz, K. Characterization of Si/Si1-xGex/Si quantum wells by space-charge spectroscopy / K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rcker, H.G. Grimmeiss, H.

Frankenfeld, W. Mehr, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl // Phys. Rev. B. – 1994.

– Vol. 50. – N 19. – P. 14287-14301.

[49] Об определении параметров глубоких центров в полупроводниках по спектрам НЕСГУ / Зубков В.И., Соломонов А.В., Тодоров М.Т. // ФТП. – 1987.– Т. 21.– N 9.– С. 1734-1736.


[50] Zubkov, V.I. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. // J. of Physics: Condens. Matter. – 2005. – Vol. 17.

– P. 2435-2442.

[51] Зубков В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs1-xPx / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // ФТП. – 1989. – т.23, вып.1. – с.64-67.

[52] Kapteyn, C.M.A. Electron escape from InAs quantum dots / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff F., Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. – 1999. – Vol. 60, N 20. – P. 14265-14268.

[53] Зубков В.И. Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек / Зубков В.И., Шулгунова И.С., Соломонов А.В., Geller M., Marent A., Bimberg D., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М. // Изв. РАН. Сер. физическая – 2007. – т. 71. № 1. – с. 111.

[54] Кузнецова, А.Н. Характеризация квантоворазмерных структур наноэлектроники неразрушающими методами адмиттанса / А.Н. Кузнецова, О.В. Кучерова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

– 2008. – № 2. – С. 7-13.

[55] Зубков, В. И. Взаимодействие квантовых ям InGaAs/GaAs с дельта легированными слоями / В. И. Зубков, А. В. Кудрин, О. В. Кучерова, Ю. А.

Данилов, Б. Н. Звонков // X Российская конференция по физике полупроводников, г. Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011 г. – Нижний Новгород, 2011. – С. 57.

[56] Зубков, В.И. Разработки ресурсного центра СПбГЭТУ для диагностики промышленных гетероструктур для синих, белых и зеленых светодиодов / В.И. Зубков, О.В. Кучерова, А.В. Соломонов, И.Н. Яковлев // 8-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия:

структуры и приборы», г. Санкт-Петербург, 26-28 мая 2011 г. – Санкт Петербург, 2011. - С.121- [57] Кучерова, О.В. Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса / О.В. Кучерова, В.И. Зубков // Материалы III Всероссийской конференции по наноматериалам «Нано-2009», г.

Екатеринбург, 20-24 апреля 2009 г. – Екатеринбург, 2009. – С. 567-569.

[58] McMahon, H.O. A New Low-Temperature Gas Expansion Cycle [Текст] / H.O.

McMahon, W.A. Gifford // Advances in Cryogenic Engineering 5. – New York:

Plenum Press, Inc, 1960. – Vol.5 – P.354-372.

[59] Петровская А.Н. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 К / Петровская А.Н., Зубков В.И. // ФТП. – 2009. – Т. 43. Вып. 10. - С. 1368-1373.

[60] Барановский М.В. Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами // Барановский М.В., Глинский Г.Ф., Миронова М.С. // ФТП – 2013. – Т. 47. №1. – С.60-64.

[61] Яковлев И.Н. Комплексные измерения распределения электрофизических параметров светоизлучающих структур по пластине диаметром 2” на криогенной зондовой станции / Яковлев И.Н., Зубков В.И., Кучерова О.В., Черкасова В.Н. // 9-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алю-миния: структуры и приборы», г. Москва, 13-15 июня 2013 г. – Москва, 2013. – С.184- [62] Яковлев И.Н. Измерение электрофизических параметров светоизлучающих структур на криогенной зондовой станции / И.Н. Яковлев, В.И. Зубков, О.В.

Кучерова, В.Н. Черкасова // Конференция молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники», г. Санкт-Петербург, «ЦНИИ «Электрон». 3-4 апреля 2013 г.

[63] Agilent Technologies Impedance Measurements Handbook: A guide to Measurement Technology and Techniques, Agilent, [64] Управление автоматизированной системой измерения спектров адмиттанса полупроводников в зависимости от температуры, частоты и приложенного смещения (Автоматизация измерителя адмиттанса): Свид-во о регистрации программы для ЭВМ. Рос. Федерация / Кучерова О.В., Зубков В.И., Петровская А.Н., Яковлев И.Н.;

заявитель и правообладатель СПбГЭТУ. ¬ №2010615375;

выд. 20.08.2010.

[65] Тревис, Дж. LabVIEW для всех / Тревис Дж. // М.: ДМК Пресс;

ПриборКомплект, 2005.

[66] Питер Б. LabVIEW: стиль программирования // М.: ДМК Пресс;

2009.

[67] Зубков, В.И. Технология виртуальных инструментов в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2001. – 66 с.

[68] Способ определения параметров полупроводниковых структур [Текст]: пат.

Рос. Федерация: МПК G 01 R 31/26 / Зубков В.И., Кучерова О.В., Яковлев И.Н.;

заявитель и патентообладатель СПбГЭТУ. ¬ № 2010125595/28;

заявл.

22.06.2010;

выд. 25.05.2011.

[69] Зубков, В.И. Автоматизированная установка для емкостных исследований полупроводников на базе МЦЕ-13АМ / Зубков В.И., Соломонов А.В. // Изв.

ЛЭТИ. – 1986. – Вып. 365. – С. 97-100.

[70] URL: http://sine.ni.com/nips/cds/view/p/lang/ru/nid/ [71] URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/E3640-90001.pdf [72] URL: http://mntl.illinois.edu/equipment/docs/agilent34401auserguide.pdf [73] Tyagi A. High brightness violet InGaN/GaN light emitting diodes on semipolar (1011) bulk GaN substrates / Tyagi A., Zhong H., Fellows N.N., Iza M., Speck J.S., DenBaars S.P., Nakamura S. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2007. – Vol. 46. – P.

L129-L131.

[74] Nye J. F. Physical Properties of Crystals / Nye J. F. – New York.: Oxford University Press, 1985. – 329 p.

[75] Christmas U. M. E. Calculation of electric field and optical transitions in InGaN/GaN quantum wells / Christmas U. M. E., Andreev A. D., Faux D. A. // J.

Appl. Phys. – 2005. – Vol.98. – P.073522.

[76] Park S.H. Crystal orientation effects on electronic properties of wurtzite InGaN/GaN quantum wells // Park S.H. J. Appl. Phys. – 2002. – Vol.91. – P.9904.

[77] http://gss-tcad.sourceforge.net/gss_ug_en.pdf [78] Pinto M.R. PISCES II: Poisson and continuity equation solver / Pinto M.R., Rafferty C.S., Dutton R.W. – USA, U.S. Army Research Office, 1984.

[79] Stern F. Electron energy levels in GaAs-Ga1xAlxAs heterojunctions / Stern F., Das Sarma S. // Phys. Rev. B. – 1984. – Vol. 30(2). – P. 840-848.

[80] Шик, А.Я. Физика низкоразмерных систем / Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. – СПб.: Наука, 2001. – 160 с.

[81] Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices / Sze S.M., Ng K.K. – New Jersey.:

John Wiley & Sons, 2007. – 832 p.

[82] Harrison P. Quantum Wells, Wires and Dots: Theoretical and Computational Physics of Semiconductor Nanostructures / Harrison P. – New Jersey.: John Wiley & Sons, 2009. – 564 p.

[83] Zubkov, V.I. Determination of band offsets in strained InGaAs/GaAs quantum wells by C-V-profiling and Schrdinger-Poisson self-consistent simulation / Zubkov V.I., Melnik M.A., Solomonov A.V., Tsvelev E.O., Bugge F., Weyers M., Trnkle G. // Phys. Rev. B. – 2004. – Vol. 70, N 7. – 075312 (1-8).

[84] Зубков, В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона / Зубков В.И. // ФТП. – 2006. – Т. 40, В. 10. – С. 1236.

[85] Ермачихин А.В. Анализ аномального заполнения множественных квантовых ям в системе InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса / Ермачихин А.В., Зубков В.И., Кучерова О.В., Литвинов В.Г., Черкасова В.Н., Яковлев И.Н. // XI Российская конференция по физике полупроводников, г. Санкт Петербург, 16-20 сентября 2013 г. – Санкт-Петербург, 2013. – С. 431.

[86] Берман, Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полу проводниках / Берман Л.С., Лебедев А.А. – Л.: Наука, 1981. – 176 с.

[87] Zhang H. Measurement of polarization charge and conduction-band offset at InxGa1-xN/GaN heterojunction interface / Zhang H., Miller E.J., Yu E.T. // Appl.

Phys. Lett. – 2004. – Vol. 84. – P. 4644.

[88] Band bowing and band alignment in InGaN alloys / Moses P.G., Van de Walle C.G. // Appl. Phys. Lett. – 2010. – Vol. 96. – P. 021908.

[89] Hurni C.A. Capacitance-voltage profiling on polar III-nitride heterostructures / Hurni C.A., Kroemer H., Mishra U.K. Speck J.S. // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol.

112. – P. 083704.



Pages:     | 1 | 2 ||
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.