авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 || 3 | 4 |

«КОМАНДУЮЩЕМУ РАКЕТНЫМИ ВОЙСКАМИ СТРАТЕГИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ ГЕНЕРАЛ-ЛЕЙТЕНАНТУ С.В. КАРАКАЕВУ ВОЕНАЧАЛЬНИКАМ, ВЕТЕРАНАМ, СЛУЖАЩИМ, УЧАЩИМ И УЧАЩИМСЯ ВОЕННОЙ АКАДЕМИИ РАКЕТНЫХ ...»

-- [ Страница 2 ] --

экономики, организации и за ее пределами пользуется научная школа эффективно технологии производства вооружения и специальной тех- сти применения вооружения.

ники;

материаловедения общего и специального;

воен- Научная школа управления повседневной деятельностью ной акмеологии. войск сформировалась и продолжает развиваться в недрах Школа организационно-методического обеспечения научно-педагогического коллектива кафедры управления научной деятельности объединяет ученых и специалистов, повседневной деятельностью подразделений и тылового системно исследующих различные аспекты управления во- обеспечения войск.

енной наукой. В структуре научных школ академии особое место за Одной из старейших и наиболее заслуженных в акаде- нимает уникальная школа военной акмеологии и педаго мии является научная школа ракетных топлив, взрывча- гики. Ее предметной областью является образователь тых веществ и средств пироавтоматики. Безусловно, звез- ный процесс в системах подготовки, переподготовки и дой первой величины в созвездии имен ученых школы явля- повышения квалификации командно-инженерных и научно ется выпускник и преподаватель академии, химик-органик, педагогических кадров.

академик АН России, генерал-лейтенант императорской ар- В 90-х годах XX века в академии формируется новое ком мии В.И. Ипатьев. плексное научное направление, содержание которого со С момента образования кафедры эксплуатации бе- ставляют сбор, систематизация, классификация и научное рет свое историческое начало научная школа эксплуата- описание наиболее существенных знаний в области воен ции ракетно-ядерного оружия, основателем которой был ной теории и практики в виде военных энциклопедиче М.И. Емелин. ских трудов.

Значителен вклад ученых академии в развитие отече- Важным подспорьем для дальнейшего развития науч ственной радиотехники. Зарождение радиотехнических ных школ академии является наличие в их составе зна научных школ началось в 40-х годах на базе создаваемых чительного количества ученых из числа высших офице соответствующих профильных кафедр. В 1960 году они бы- ров с большим опытом руководства крупными воинскими ли реорганизованы и составили основу нового факульте- формированиями и научно-педагогической деятельности.

та систем радиоуправления, радиоконтроля и телеметрии. Среди них доктора военных наук, профессора генерал Основателем не только в академии, но и в стране тео- полковники Н.Е. Соловцов – в недалеком прошлом ко рии и практики статистических измерений стал ученый мандующий РВСН, Ю.Ф. Кириллов – в прошлом началь с мировым именем, автор более 120 изобретений, доктор ник академии, В.В. Коробушин – первый вице-президент технических наук, профессор, заслуженный изобретатель Академии военных наук и руководитель секции научного РСФСР, почетный радист СССР, лауреат Государственной совета при Совете безопасности РФ, лауреат Ленинской премии СССР Г.Я. Мирский и Государственной премий;

В.Л. Захаров – в прошлом на Большой вклад в организацию телеметрического и ме- чальник академии, Р.В. Маркитан – бывший первый за трологического обеспечения внесла научная школа систем меститель начальника боевой подготовки РВСН;

док информационно-телеметрического и метрологического тор технических наук, профессор генерал-лейтенант обеспечения. И.В. Мещеряков – в прошлом начальник 50 ЦНИИ КС;

генерал-полковник В.А. Муравьев – в прошлом первый В недрах радиотехнического направления зародилась и заместитель главнокомандующего РВСН, А.В. Полицын научная школа военной эргономики. Ее основателем явля – бывший первый заместитель начальника Центра ется профессор полковник Ю.Г. Фокин.

Научные работы в интересах создания и совершенство- оперативно-стратегических исследований Генерального вания головных частей стратегических ракет возглавил за- штаба, кандидат технических наук генерал-лейтенант служенный деятель науки и техники РСФСР, доктор техни- Ю.С. Морсаков – бывший заместитель начальника Главного управления эксплуатации РВО и др.

ческих наук, профессор генерал-майор В.С. Сулаквелидзе.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), ЦВЕТ РОССИйСКОй НАУКИ Факультет православной культуры Военной академии РВСН имени Петра Великого Факультет православной культуры – это первое Еще одним таким выпускником является Высоко в Вооруженных силах РФ негосударственное преосвященнейший Александр, архиепископ Пермский учреждение дополнительного образования и Соликамский, участник Русско-японской войны, стар Министерства обороны РФ и Русской ший лейтенант Морского ведомства Анатолий Михайлович Православной Церкви. Толстопятов, окончивший по I разряду в 1912 году О н основан по инициативе командования акаде- Михайловскую артиллерийскую академию (Первую миро мии и поддержан 6 декабря 1995 года участниками вую войну он завершил в звании капитана 2-го ранга).

праздничного Патриаршего богослужения в Успенском Меня, как Предстоятеля Русской Православной Церкви, соборе Московского Кремля, посвященного 175-летию радует, что из нынешнего поколения воспитанников акаде академии. Основные цели деятельности факультета: мии и Ракетных войск многим знакомы имена:

удовлетворение высоких духовных и нравственных по- протоиерея Вячеслава Шестакова, настоятеля Пат требностей личного состава академии, укрепление риаршего подворья храмов в Зарядье и Китай-городе духовных и нравственных основ воинского служения Москвы, ризничего Патриарших соборов Московского Отечеству;

Кремля, полковника, кандидата технических наук, создание условий для формирования духовно-нрав- инженера-физика, старшего преподавателя академии, ственного состояния войск, способного надежно про- выпускника факультета православной культуры;

протоиерея Александра Миронова, настоятеля Пат тивостоять информационно-психологическим воздей ствиям противника, направленным на достижение им политических, экономических, военных и иных целей в условиях мирного и военного времени В декабре 2009 года, в канун 50-летия РВСН, Святейший Патриарх Московский и всея Руси Кирилл посетил Военную академию РВСН имени Петра Великого, где Святейший Владыка выступил перед командно-преподавательским составом, слушателями и курсантами учебного заведения.

Из выступления Святейшего Патриарха Московского и всея Руси Кирилла:

Искренне рад, что именно в Военной академии Петра Великого и Ракетных войсках стратегического назначе ния начал закладываться фундамент духовной жизни Вооруженных сил России. В основных соединениях РВСН в 2006 году по заключенным соглашениям о сотрудниче В понедельник Светлой седмицы Святейший стве с епархиальными управлениями было завершено стро Патриарх Кирилл совершил Божественную литургию ительство института епархиальных благочинных для ракет в Успенском соборе Московского Кремля по случаю ных соединений. Тем самым в РВСН уже отработана техно 13го выпуска факультета православной культуры логия и основа для введения на базе построенных храмов Военной академии РВСН имени Петра Великого.

института штатных дивизионных благочинных и полковых На богослужении присутствовали военачальники, священников, подчиненных им и архиереям епархий, на ка преподаватели, слушатели и выпускники нонической территории которых размещены позиционные факультета православной культуры Академии районы соединений и ракетных полков. РВСН имени Петра Великого.

Трудно переоценить вклад академии и Ракетных войск в укрепление могущества нашего государства. В числе вы- риаршего подворья храма Софии Премудрости Божией пускников академии немало выдающихся ученых, конструк- на Лубянке, полковника, выпускника командного фа торов и военачальников, чьим самоотверженным трудом и культета 1979 года;

священника Сергия Привалова, сотрудника Отде ратным подвигом создавалась научная и воинская слава академии, укреплялся духовно-нравственный, научный и ла Московского Патриархата по взаимодействию боевой потенциал Ракетных войск стратегического назна- с Вооруженными силами и правоохранительными чения, ядерного оружейного комплекса Вооруженных сил и учреждениями, подполковника, преподавателя акаде Космических войск России. Но есть среди выпускников и те, мии, выпускника инженерного факультета и факульте которых особо почитают академия и наша Церковь. та православной культуры.

Одним из таких выпускников является Высо ко- Все это позволяет надеяться, что Ракетные войска стра преосвященнейший Ювеналий, архиепископ Виленский и тегического назначения и Военная академия имени Петра Литовский, подпоручик Иоанн Андреевич Половцев, вос- Великого и впредь будут с честью и достоинством нести не питанник первых классов юнкеров и классов младших офи- легкое бремя воинского служения Отечеству и предначер церов Михайловского артиллерийского училища в 1841 – танную Богом миссию подготовки высококвалифицирован ных офицерских кадров для Вооруженных сил России.

1845 годах.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), 22 ЦВЕТ РОССИйСКОй НАУКИ 50 лет в одном строю с академией От имени Конструкторского бюро «Мотор» сердечно поздравляю командование, профессорско-преподавательский состав и слушателей Военной академии РВСН имени Петра Великого со 190-летием основания академии.

Алексей ВАРОЧКО, директор и главный конструктор филиала ФГУП «ЦЭНКИ» – «КБ «Мотор», доктор экономических наук Ученые, конструкторы и производственники потребности страны в оснащении ракетно-космических филиала ФГУП «ЦЭНКИ» – КБ «Мотор» комплексов транспортно-перегрузочными, транспортно благодарны старейшей в России установочными, изотермическими, транспортно-сты Военной академии РВСН имени Петра ковочными машинами и другими агрегатами.

Великого за многолетний совместный Этому способствовали крепкие связи предприя труд в деле обеспечения национальной тия с профильными ведущими вузами страны, в том чис безопасности государства. ле и с Военной академией РВСН имени Петра Великого, совместно с которыми был успешно решен ряд научно Т ворческое сотрудничество наших коллективов име- прикладных задач в сфере создания ракетной техники вы ет 50-летнюю историю и берет свое начало у истоков сокой надежности, безопасности и долговечности.

создания ракетно-космических комплексов. Так исторически сложилось, что над созданием С момента образования и по сегодняшний день КБ транспортно-технологического оборудования для ракетно «Мотор» спроектировано, изготовлено и введено в экс- космических комплексов работал еще один коллектив – плуатацию свыше 600 наименований машин и комплек- ОКБ «Вымпел», которое ведет свою историю от ОКБ-23, тов технологического оборудования в количестве бо- возглавляемого в то время генеральным конструктором лее 1300 единиц для 40 ракетно-космических систем. В.М. Мясищевым. В начале 1961 года ОКБ-23 было преоб Многие из них являются уникальными по своим техниче- разовано в филиал ОКБ-52, в структуре которого был орга ским решениям, которые стали определяющими в раз- низован комплекс наземного оборудования изделий ракет витии целого класса специальной техники и обеспечили ной техники. В 1963 году этот комплекс был выделен в от дельное предприятие, получившее название «Филиал № ОКБ-52 – ОКБ «Вымпел».

Справка За 47 лет на ОКБ «вымпел» создано более 1000 уни кальных агрегатов, систем и комплексов для ракетно космической техники и ракет стратегического назна чения. Предприятие участвовало в разработке ТПК для ракеты уР-100 (8К84). в последующем «вымпел» как го ловное предприятие по разработке стартовых комплек сов стратегических ракет с шахтными пусковыми уста новками (ШПу) разработал высокоавтоматизирован ные комплексы для ракет РС-10 и РС-18. ОКБ «вымпел»

являлось головным предприятием по переоборудова нию ШПу ракет РС-18 под новые универсальные раке ты «Тополь-М». в 2009 году Опытно-конструкторское бюро «вымпел» организационно вошло в состав феде рального государственного унитарного предприятия «Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры» и в 2010 году объединено с филиалом «Конструкторское бюро «Мотор».

Русский инженер, № 3-4 (26-27), ЦВЕТ РОССИйСКОй НАУКИ Начало активного научно-технического в составе БРК, выполненные совмест сотрудничества между предприятием но с Военной академией РВСН имени и академией связано с периодом соз- Петра Великого, дали результаты, по дания полигонных испытаний первых зволяющие создать в промышленности большегрузных ракетовозов, установ- комплексную программу развития техно щиков и изотермических транспортно- логий и проведения работ по продлению стыковочных машин, когда председате- сроков эксплуатации ПТО на долгосроч лем Государственной комиссии по испы- ную перспективу. Особую ценность пред таниям был назначен начальник Военной ставляют результаты исследований, про академии Ф.П. Тонких, а руководителями и веденных в рамках НИР, учеными акаде главными конструкторами КБ «Мотор» яв- мии Ю.С. Морсаковым, А.В. Майструком, лялись В.А. Рождов и Е.Ф. Степанов, а впо- Б.М. Степановым, А.И. Гневко.

следствии А.В. Титов. Другим важным направлением взаи Надежная эксплуатация ракет стала модействия является повышение уров возможной в результате успешного сов- ня специализации конструкторов пред местного решения конструкторским бю- приятия, преподавательского состава и ро и академией проблемы создания боль- выпускников академии при совместном шегрузных транспортно-технологических использовании учебно-методической агрегатов и агрегатов для оснащения и об- базы. На основании долгосрочного со служивания ракет на стартовых позициях глашения между командованием ака В результате совместных усилий в экс- демии и КБ «Мотор» преподаватель плуатацию поступили не только высокотех- ский состав и слушатели получили нологичные подъемно-транспортные агре- возможность углубленного изучения гаты, но и была отработана научно обосно- конструкторско-технологического про ванная методология их безопасной экс- цесса создания в промышленности но плуатации. Большой вклад в разработку вейших образцов наземного оборудова теории и практики применения указанных ния ракетных комплексов.

агрегатов внесли ученые кафедры эксплу- Для этих целей в КБ использует атации академии Л.И. Волков, В.С. Ере- ся учебный научно-производственный меев ский, В.В. Блаженков, А.И. Шнырь, комплекс «МАДИ-Мотор», созданный Е.Н. Се лезнев, В.С. Сту паков, М.И. и в 1984 году совместно с кафедрой тяга Н.М. Емелины и другие. чей и амфибийных машин Московского Многие созданные «Мотором» агрегаты автомобильно-дорожного института, ко и машины стали легендарными по надеж- торый обеспечивает подготовку инженер ности и продолжительности эксплуатации. ных кадров для конструкторских и произ Нельзя не отметить совместную рабо- водственных подразделений предприя ту академии и ОКБ «Вымпел» по вопросам тия. Занятия со слушателями академии стойкости создаваемых ракетных комплексов к воздействию проводят опытные конструкторы и производственники.

поражающих факторов, начатых еще в 1964 году при прове- В свою очередь, специалисты предприятия и студен дении взрывов большой мощности, а впоследствии с 1974 ты имеют возможность пополнить свои знания об услови года на Семипалатинском полигоне при проведении натур- ях эксплуатации создаваемой ими техники в составе ракет ных испытаний комплексов. Эти работы проводились с уча- ных комплексов, представленных в развернутом виде на стием профессора В.Г. Маликова, заведующего кафедрой учебно-тренировочной базе академии. Необходимо отме М.Ф. Самусенко, адъюнктов А.А. Крикунова и В.Г. Цыгичко и тить, что для поддержания в исправном состоянии техники будущего генерального директора и генерального конструк- этой базы предоставляются производственные возможно тора ОКБ «Вымпел» Д.К. Драгуна. сти КБ «Мотор».

В 70-е годы сложились тесные научно-производственные Не менее результативными являются и другие направ контакты с такими учеными академии, как Н.Ф. Гусев: с ним ления взаимодействия, такие как участие в работе научно проводились уточнения характеристик грунта. По вероят- технических советов, разработка перспективных методов ностной оценке характеристик систем амортизации тесно технического освидетельствования грузоподъемного обо работали с Н.Н. Пахомовым, а Б.А. Грошев был первым, кто рудования и т. д.

поставил вопросы динамики азимутального движения соо- Плодотворное сотрудничество крупнейшего в России ружений. В более поздний период работы этого направления научно-исследовательского центра в области военных и велись такими учеными, как Ю.П. Гавриков, М.В. Ефимов, технических наук – Военной академии РВСН имени Петра А.А. Сулоев. Именно тогда были заложены основы и созда- Великого и одного из ведущих предприятий по созданию ны системы амортизации уникально высокой надежности: за наземного оборудования ракетно-космических комп более чем 30 лет эксплуатации на объектах РВСН не было ни лексов – филиала ФГУП «ЦЭНКИ» – КБ «Мотор» будет и одного случая выхода из строя амортизаторов. в дальнейшем неуклонно развиваться и укрепляться с це Научно-исследовательские работы по обеспечению лью решения все более сложных задач развития ракетно космической отрасли.

длительной послегарантийной эксплуатации агрегатов Русский инженер, № 3-4 (26-27), бИзНЕС-ПАНОРАмА Прославленному центру военной науки и кузнице ракетных кадров страны – 190 лет 7 декабря 2010 года исполнилось 190 лет со дня основания Военной академии Ракетных войск стратегического назначения (РВСН) имени Петра Великого. Образованная в СанктПетербурге в 1820 году как Артиллерийское училище, а затем – Михайловское артиллерийское училище (1845 год), с 1938 года академия была переведена в Москву, где в 1953 году получила название «Артиллерийская инженерная академия им. Ф.Э. Дзержинского»

и в 1960 году вошла в состав РВСН. В 1998 году постановлением Правительства РФ реорганизована в Военную академию РВСН Владимир ДОЛБЕНКОВ, имени Петра Великого с филиалом в г. Кубинке.

генеральный директор В многофункциональные и генеральный конструктор 1945 году в академии был создан факультет ра ОАО «КБСМ»

кетного вооружения и начался выпуск инженеров- комплекты технологиче ракетчиков. Выпускники академии приняли актив- ского оборудования для ное участие в проектировании, испытаниях и эксплуатации производства машиностроительной продукции;

высоконадежное оборудование для атомной отрасли.

РК всех поколений. Воспитанники академии составили осно ву офицерского состава СЯС Отечества. Среди них такие ЦКБ-34 (КБСМ) с начала своей проектно-конс трук крупные военачальники, как Л.А. Говоров, К.С. Москаленко, торской деятельности занималось созданием артилле М.И. Неделин, М.Н. Чистяков, Н.Д. Яковлев, И.Д. Сергеев рийских систем для ВМФ (1947 – 1957 годы). Это обсто и многие другие. ятельство неизбежно заставляло интересоваться научны Военная академия РВСН им. Петра Великого как команд- ми достижениями академии в этой области и использо ное и политехническое высшее военное учебное заведение вать их в проектировании. Особенно тесные контакты меж и как крупный научный центр в области военной и техниче- ду инженерами-конструкторами ЦКБ-34 и академии стали ской науки является гордостью России. Академия внесла развиваться после 1960 года, когда ЦКБ-34 были поручены огромный вклад в развитие военного искусства и методо- работы по созданию стартовых комплексов (СК) шахтного логии создания высокоэффективных систем вооружения. типа для МБР тяжелого и среднего класса.

Вглядываясь в славный путь, который прошла Военная Для решения всей совокупности проблем, связанных орденов Ленина, Суворова и Октябрьской Революции с созданием этих высокозащищенных шахтных СК, был академия РВСН им. Петра Великого, и, сознавая тот не- привлечен широкий круг научных центров, включая инсти оценимый вклад, который она внесла в становление и туты АН СССР. В их числе была и Военная академия им.

развитие РВСН – ракетно-ядерного щита страны, хочет- Ф.Э. Дзержинского. С этого времени между КБСМ и акаде ся сердечно поздравить начальника академии генерал- мией установились самые тесные творческие связи.

майора Виктора Федорова, а также весь профессорско- В процессе решения сложных научных задач всегда чув преподавательский состав, ученых, конструкторов, инже- ствовалось влияние научной школы этого всеми уважае неров и учащихся со знаменательной датой – 190-летием мого учреждения. В разработанных совместно с акаде со дня основания академии! мией СК для МБР были применены перспективные ресур ОАО «КБСМ», созданное в 1945 году как Морское ар- сосберегающие технологии, обеспечившие значительное тиллерийское ЦКБ (позднее ЦКБ-34 и КБ средств механи- повышение модернизационного ресурса, что, в свою оче зации), с 1989 года носит название «Конструкторское бю- редь, позволило увеличить сроки эксплуатации БРК бо ро специального машиностроения» (КБСМ). За годы сво- лее чем в два раза.

его развития из послевоенного КБ в Ленинграде, ориенти- В начале 90-х годов открылось новое направление сотруд рованного на разработку отечественного корабельного и ничества специалистов КБСМ и академии в несколько нео берегового артиллерийского вооружения, КБСМ превра- жиданной сфере. Службой коменданта Московского Кремля тилось в мощную многопрофильную конструкторскую ор- группе ученых под руководством академика Е.И. Шемякина ганизацию с разветвленной структурой, которая сегодня было поручено провести обследование состояния сооруже входит в Концерн ПВО «Алмаз-Антей» и обеспечивает пол- ний на территории Кремля и восстановить колокола на коло ный цикл создания машиностроительных комплексов - от кольне Ивана Великого. Специалисты КБСМ спроектировали идеи до их вывода из эксплуатации и полной утилизации. подвески для колоколов, чей вес колебался от 100 до 1000 кг, Основные виды продукции ОАО «КБСМ»: изготовили и установили их вместе с колоколами на колоколь стартовые комплексы для РВСН, ПВО и ПРО;

ню. Комиссия по приемке, в которую входили специалисты наземная инфраструктура ракетно-космических комплексов;

акустики академии и главный звонарь России И.В. Коновалов, современное вооружение для ВМФ;

выдала положительное заключение.

оборудование для космических исследований и связи;

Таким образом, сотрудничество КБСМ с Академией эффективные грузоподъемные средства нового поколения;

РВСН всегда было разнообразным и продуктивным.

оборудование и подвижной состав для городского элек- Надеемся на его успешное продолжение и в будущем.

С праздником вас, дорогие друзья!

тротранспорта;

Русский инженер, № 3-4 (26-27), бИзНЕС-ПАНОРАмА Сколково – инноград XXI века в РСПП прошло заседание рабочей группы, где был обсужден формат участия бизнеса в проекте «Сколково»

Александр ШОХИН, В заседании приняли участие первый заместитель президент РСПП:

руководителя Администрации Президента РФ «Сколково интересен Владислав Сурков, президент РСПП Александр бизнесу как площад Шохин, президент Фонда развития Центра разработки и ка отработки новых мо коммерциализации новых технологий «Сколково» Виктор делей взаимодействия Вексельберг, члены рабочей группы РСПП по «Сколково», науки и производства, представители бизнеса и научного сообщества.

источник инноваций».

Открывая заседание, президент РСПП Александр Шохин заметил, что тема «Сколково» интересна бизнесу И четвертое – готовность работать в Сколково. Одно не только как проект, имеющий серьезную государствен- временно создать в России много центров разработки и ную поддержку, но и как площадка отработки новых моде- внедрения инноваций не получится, о чем свидетельствует лей взаимодействия науки и производства, источник ин- хотя бы опыт создания технопарков.

новаций, обсуждения насущных вопросов модернизации Владислав Сурков поддержал президента РСПП не российской экономики. Президент РСПП уточнил, что пе- обходимости тиражирования опыта и льготного режима ред участниками заседания стоит задача не только про- Сколково в регионах России. Он не исключил и создания вести презентацию проектов, но и выработать технологию филиалов Сколково в регионах с развитой академической взаимодействия участников проекта. инфраструктурой – например, в Новосибирске или Томске, но подчеркнул, что на первом этапе важнее сконцентриро Владислав СУРКОВ, вать усилия на базе Сколково.

первый заместитель В заключение своего выступления Владислав Сурков об руководителя ратился к бизнесу с призывом энергичнее вести модерниза Администрации цию производства и техническое переоснащение, поскольку Президента РФ: «на производственной базе середины прошлого века нельзя «От практиков и бизнес- создать продукт ХХI века».

менов мы хотели бы полу- В свою очередь, Виктор Вексельберг поделился с участ чать реальные проекты». никами совещания информацией о ходе строительства ин нограда. В его центре, по словам президента фонда, рас Владислав Сурков в своем выступлении обозначил че- положится университет с участием научных кластеров тыре главных принципа отбора проектов, претендующих Мичигана и Бостона, будут созданы центры поддержки на финансирование и реализацию в рамках иннограда стартапов с участием венчурного капитала. Важно, что Сколково. в Сколково откроются исследовательские подразделения Во-первых, это инновационный характер предложения. крупнейших корпораций – как наших, так и зарубежных.

Инновационная деятельность должна стать повседневной, Свое согласие на это уже дали Siemens, Nokia и другие пе включенной в производственный процесс. редовые компании.

Во-вторых, готовность бизнеса софинансировать проек- Участники заседания представили свои инновационные ты вместе с государством. проекты и предложили свое видение решения задачи нала В-третьих, в проекте должны участвовать российские ву- живания взаимодействия науки и бизнеса, а также созда ния научно-инновационной инфраструктуры.

зы и представители иностранной науки.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), 26 бИзНЕС-ПАНОРАмА Россия – Франция:

новые горизонты сотрудничества Руководитель Роскосмоса Анатолий Перминов награжден Президентом Французской Республики за большой вклад в создание ракетнокосмического комплекса в Гвианском космическом центре.

В соответствии с Указом Президента Французской Республики руково дителю Федерального космического агентства Анатолию Перминову присвоено звание офицера государственного ордена Почетного легиона. Посол Франции в Российской Федерации Жан де Глиниасти по здравил руководителя Роскосмоса с высокой наградой Франции за боль шой вклад в создание ракетно-космического комплекса в Гвианском кос мическом центре (ГКЦ).

Космодром Куру расположен во Французской Гвиане – крупнейшем Анатолий Николаевич Перминов. заморском департаменте Франции, расположенном на северо-востоке Компетентный руководитель и Южной Америки. На западе он граничит с Суринамом, на юге и востоке – талантливый организатор, отдавший с Бразилией. Космодром предназначен для вывода на орбиты геостацио более 40 лет развитию ракетно- нарных спутников. Благодаря расположению ГКЦ в экваториальной обла космической отрасли.

сти Земли российская ракета «Союз-СТ» сможет выводить на орбиты более После окончания в 1967 году Пермского тяжелые спутники, чем при запусках с космодромов Байконур и Плесецк.

вКИу проходил службу на различных Программа «Союз в Гвианском космическом центре» открывает России должностях в РвСН. в 1976 году, окончив и Евросоюзу новые горизонты в освоении космического пространства.

командный факультет вА им. Ф.Э.

Базовый контракт на создание наземного сегмента ракетно-космического Дзержинского, назначен на должность комплекса был подписан участниками проекта еще в апреле 2005 года.

заместителя командира ракетного полка, В соответствии с этой программой Федеральное космическое агентство прошел все ступени служебного роста до первого заместителя командующего является ответственным за выполнение программы «Союз в ГКЦ» с россий ракетной армии. ской стороны и координирует работу предприятий и организаций ракетно в 1991 году, по окончании академии космической промышленности.

Генерального штаба вС РФ, назначен На Европейское космическое агентство возложены функции заказчика и начальником 53 ГИП Минобороны (в руководителя программы, которая предоставляет комплекс «Союз» компа настоящее время космодром «Плесецк»).

нии «Арианеспас» для последующей его эксплуатации. Французское косми Под его непосредственным руководством ческое агентство выступает в качестве головного подрядчика по проекту и осуществлено более ста запусков КА и системным архитектором комплекса «Союз». В свою очередь, «Арианеспас»

учебно-боевых пусков МБР.

отвечает за поставку российского оборудования в ГКЦ, координацию и обе С августа 1993-го по сентябрь 1997 года спечение работ на этапе его создания, является оператором пусковых услуг проходил службу в центральном РН «Союз-СТ» на этапе эксплуатации.

аппарате РвСН. С сентября 1997 года начальник Главного штаба РвСН – первый Реализация проекта «Союз в ГКЦ» открывает новые горизонты сотруд заместитель главнокомандующего РвСН. ничества. Россия получает потенциальную возможность осуществлять кос С 28 марта 2001 года – командующий мические пуски с экватора, что позволит увеличить доставляемую на орби Космическими войсками. ту полезную нагрузку, а Европа, в дополнение к носителям тяжелого класса С 12 марта 2004 года – «Ариан-5» и легкого класса «Вега», получит «Союз» – самую надежную раке руководитель Федерального ту среднего класса, адаптированную к тропическому климату и соответству космического агентства. Доктор ющую всем требованиям безопасности.

технических наук, профессор.

Гвианский космический центр Куру Русский инженер, № 3-4 (26-27), бИзНЕС-ПАНОРАмА Молодежная политика В декабре 2010 года состоялось совместное заседа ние Комиссии по молодежной политике Союза ма шиностроителей России и Комиссии Общественной палаты Российской Федерации по вопросам модернизации промышленности, где были рассмотрены задачи участия молодежи в инновационных процессах страны.

Калуга – США:

Открывая заседание, председатель Комиссии по моло от диалога – к партнерству дежной политике Союза машиностроителей России, заме ститель председателя Комитета Государственной думы ФС РФ по науке и наукоемким технологиям Алексей Русских от Н метил, что цели и задачи комиссии направлены на реали- а территории индустриального парка «Росва» состоя зацию государственных планов по модернизации экономи- лась торжественная церемония открытия Калужского ки, а вовлечение и удержание молодежи на промышленных центра энергетических технологий американской предприятиях – основополагающий фактор в модернизаци- компании «Дженерал электрик».

онном развитии российской промышленности. Центр создан для сервисного обслуживания и ремонта Вице-президент Союза машиностроителей России, ру- энергетического оборудования, произведенного американ ководитель Комиссии Общественной палаты РФ по вопро- ской компанией GE Energy и работающего на электростан сам модернизации промышленности Владимир Гутенев циях нашей страны. На первом этапе в центре будет произ отметил, что все подразделения союза активно включи- водиться ремонт и обслуживание топливных форсунок газо лись в работу по реализации идей послания Президента вых турбин большой мощности, а в перспективе – текущий и России, и в первую очередь по линии молодежной полити- капитальный ремонт роторов газовых турбин и другие слож ки. Он выделил ряд регионов, с которыми союз ведет ак- нейшие операции.

тивную работу по реализации молодежных проектов. Это Анатолий АРТАМОНОВ, Тверская, Самарская, Свердловская области, Хабаровский губернатор Калужской области:

край, Республика Татарстан.

«Сотрудничество со всемирно Владимир ГУТЕНЕВ, известной компанией вице-президент Союза поможет Калужской области машиностроителей России: более активно внедрять «Мы уже взаимодействуем энергосберегающие и будем продолжать работу технологии. Опыт с отраслевыми молодежными «Дженерал Электрик» будет и общественными для нас бесценным».

организациями, а также с общественными советами В церемонии открытия участвовали губернатор Анатолий министерств и ведомств».

Артамонов, посол США в РФ Джон Байерли, вице-президент Бурную полемику среди собравшихся вызвал вопрос о GE, президент и главный исполнительный директор GE роли СМИ в профориентации молодежи. Как привлечь вни- Energy Джон Креницки, президент и главный исполнитель мание и поднять престиж профессии фрезеровщика, то- ный директор GE в России и странах СНГ Рон Поллет.

каря, инженера в глазах молодежи? С предложениями по «Россия является средоточием энергии и занимает цен этой теме выступил главный редактор первого молодеж- тральное место в нашей стратегии партнерства на долго ного телеканала Алексей Мещанский, который выразил го- срочную перспективу», – сказал в своем выступлении Джон товность телеканала к сотрудничеству с регионами и от- Креницки.

дельными предприятиями в вопросе пропаганды техниче- Посол США в РФ Джон Байерли отметил, что Калужская ских специальностей. область известна своим динамичным экономическим разви Все выступающие были единогласны в том, что необ- тием, и поблагодарил губернатора за создание комфортных ходима активизация деятельности молодежных органи- условий для бизнеса.

заций и поддержали главный проект наступающего года Американцы дали понять, что их пребывание в России – Международный молодежный промышленный форум – бизнесом не ограничивается. Они намерены способствовать 2011, которой пройдет в Иркутской области. подготовке квалифицированных местных специалистов.

Приятным сюрпризом стала передача компанией «Дженерал Электрик» Калужскому филиалу МГТУ им.

Баумана современного программного обеспечения.

В своем выступлении глава региона отметил, что сотруд ничество со всемирно известной компанией поможет обла сти более активно внедрять энергосберегающие технологии и что опыт «Дженерал Электрик» будет бесценным. Кроме того, это хороший шанс для молодых калужан начать трудо вую карьеру.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), 28 ИННОВАЦИИ В ПРОмЫШлЕННОСТИ Центр «Интербизнеспроект»

МАЛОГАБАРИТНАЯ ВОЗДУШНАЯ ТУРБОХОЛОДИЛЬНАЯ УСТАНОВКА Ц ентр «Интербизнеспроект» создал экологически чи стую малогабаритную воздушную турбохолодиль Полномочный представитель президента в ЦФО ную установку – ВТХУ, в которой высокооборотный Георгий ПОЛТАВЧЕНКО и руководитель Департамента электродвигатель вращается на газодинамических подшип- науки и промышленной политики г. Москвы никах со скоростью свыше 100 000 об/мин. Евгений БАЛАШОВ знакомятся с работой ВТХУ В России и за рубежом делались неоднократные по пытки создания воздушных турбохолодильных установок. температуры в изотермическом кузове авторефрижерато Однако разработчикам не удавалось решить проблемы соз- ра до плюсовых значений вместо минусовых (-20°С).

дания высокооборотного электродвигателя, высокочастот- Другой существенный недостаток фреоновых холо ного преобразователя частоты, работоспособного подшип- дильных установок – их чувствительность к тряске во вре никового узла, эффективного рекуперативного теплообмен- мя движения по автодорогам, ударам на стыках желез ника. В результате получали ВТХУ с низкой холодопроизво- нодорожных рельсов, морским штормовым нагрузкам.

дительностью, незначительным ресурсом, большим весом Результатом часто становится разгерметизация, при ко и габаритами, высоким уровнем шума и т.д. торой фреон вытекает из холодильной системы и она пе Президент РФ Д.А. Медведев и Председатель Прави- рестает захолаживать.

тельства РФ В.В. Путин неоднократно обращали внимание Подобные ситуации приводят к размораживанию про на необходимость найти решение проблемы низкотемпе- дуктов и, соответственно, их порче (нахождение мясомо ратурной транспортировки продуктов питания в сложных лочных и рыбных продуктов в плюсовых температурах вы дорожных условиях России. зывает процессы гниения). Получив в размороженном со Холодопроизводительность автомобильных фреоновых стоянии продукты, на складе их замораживают повторно.

установок напрямую зависит от скорости движения автомо- Известно, что неоднократная заморозка продуктов явля биля. В Москве проблема перевозки продуктов питания и ется недопустимой, так как отрицательно влияет на их био медикаментов усугубляется загруженностью транспортно- логические свойства. Поэтому проблема низкотемператур го движения, соответственно, при средней скорости авто- ной перевозки продуктов питания – это не только экономи мобиля 25 км/час холодопроизводительность фреоновых ческая, а главное – санитарно-эпидемиологическая про установок падает на 50–80%, что приводит к повышению блема, влияющая на здоровье человека.

Экологичные турбохолодильные установки для транс Воздушная турбохолодильная установка ВТХУ 3, порта с использованием воздуха в качестве хладоаген Параметры Величина Холодопроизводительность: окр. 1000 Вт темп. +25 °C, – 20 °C в камере Теплопроизводительность 2800 Вт Потребляемая мощность 4,4 кВт, 50 Гц 3ф х 380 В Хладоагент Воздух Вес 60 кг Шум 65 дБ Условия эксплуатации:

температура -45...+45 °C вибрация до 10g Габариты 420х360х Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИННОВАЦИИ В ПРОмЫШлЕННОСТИ та – это альтернатива парокомпрессионным холодильным или нагревающего оборудования в пищевой и перерабаты установкам с фреоновым хладоагентом. вающей промышленности, на транспорте, для кондициони ВТХУ обладает явным преимуществом по сравнению рования помещений, в медицине и т.п.

с существующими типами холодильных установок: хладо- Перспективным представляется производство ВТХУ агент – воздух, малые габариты и вес, значительный ре- Центра «Интербизнеспроект» для комплектования термо сурс, простота ремонта и технического обслуживания, боль- кузовов, которые можно устанавливать на шасси любого шой диапазон температур от +14°С до -28°С (при необхо- грузового автомобиля. Сегодня потребность в небольших димости до -120°С), возможность работы в стационарном автомобильных рефрижераторах составляет для Москвы и и передвижном вариантах при окружающей температуре Московской области 8000 единиц в год, а для России – бо от -45°С до +45°С. Габариты ВТХУ с холодопроизводитель- лее 25 тысяч авторефрижераторов в год.

ностью 1 кВт составляют 1100x360x420 мм, уровень шума Особый интерес представляет установка ВТХУ на 20-` и ~65 дБ, масса ~60 кг. 40-футовые универсальные рефрижераторные контейне Потребление электроэнергии ВТХУ на 30% меньше, ры. Использование этих универсальных рефрижераторных чем передвижными парокомпрессионными холодильны- контейнеров, которые могут перемещаться с морского на ми машинами аналогичной холодопроизводительности. сухопутный транспорт без перегрузки продуктов, позволит Стоимость ВТХУ соизмерима с ценой фреоновой установ- эффективно сохранять скоропортящийся товар. Масштаб ки сопоставимой мощности. производства подобных ВТХУ для рефрижераторных кон ВТХУ отличаются высокой надежностью эксплуатации тейнеров гигантский.В России дефицит подобных контей в дорожных условиях – при значительной тряске, вибраци- неров составляет около 100 тысяч единиц. В мире ежегодно ях, ударных нагрузках, простотой ремонта и технического производится более 200 тысяч рефрижераторных контейне обслуживания. Даже при разгерметизации ВТХУ сохраня- ров с фреоновыми холодильными агрегатами.

ет работоспособность, установка легко запускается заново. Использование воздушных турбохолодильных устано На базе разработанных Центром «Интербизнеспроект» вок вместо фреоновых позволит приступить к выполнению технических решений возможно создание ряда высокоэф- резолюции Венской конвенции (1985 г.) и Монреальского фективных ВТХУ мощностью от 3,5 кВт до 100 кВт, которые протокола (1987 г.) о прекращении использования фреона с целью сохранения озонового слоя атмосферы Земли.

можно использовать в качестве холодопроизводящего и/ Центр международных деловых проектов «Интербизнеспроект»

Адрес: 119019, Москва, ул. Новый Арбат, 21, этаж Тел.: (495) 6919932, факс: (495) Email:interbusproject@mail.ru Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ УДК 004. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ФЛИККЕР-ШУМОВОЙ ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКИ М.И. МАКОВИЙЧУК, А.Л. ЧАПКЕВИЧ, А.А. ЧАПКЕВИЧ, кандидат доктор технических наук, научный сотрудник кафедры физико-математических наук, Московский комитет «Физическая и коллоидная химия»

Ярославский филиал физико- по науке и технологиям, Российского государственного 121069, Москва, Борисоглебский технологического института РАН университета нефти и газа Е-mail: makoviychuk@rambler.ru переулок, д. 8, стр. 3 им. И.М. Губкина Е-mail:alch@mknt.ru Е-mail:chapkevich@mail.ru The presented work is dedicated to research and Представленная работа посвящена исследованиям development of the new techniques, allowing to eliminate и разработке новых методик, позволяющих устранять such a deficiency of existing solidstate gas sensor controls недостатки существующих твердотельных газовых as low sensitivity and selectivity. The authors suggest to сенсоров. Таких, например, как низкие чувствительность measure electrical fluctuations, arising in processes of и селективность. Это достигается путем применения adsorption/desorption of molecules by a sensitive surface новых материалов и технологий для их изготовления, of silicon sensor, as the basic identifying signal for analyzed цифровых способов обработки информации, специальных substances. The obtained data as well as new materials программных продуктов и измерения электрических and technologies, used for sensors manufacturing, digital флуктуаций, возникающих в процессах адсорбции/ processing of the electrical signals, special software десорбции молекул поверхностью газочувствительного products allowed to develop the new generation of слоя кремниевых сенсоров в качестве основного equipment and the technology for gas analysis.

идентифицирующего признака для анализируемых веществ. Рассматриваются различные варианты технологий изготовления газочувствительных слоев.

Ключевые слова: электрофлуктуационная Кey words: electrofluctuation spectrometry, gas analizer, спектрометрия, газоанализатор, твердотельный solid state gas sensor, flickernoise,electronic nose, gas газовый сенсор, фликкершум, электронный нос, sensitive layer, adsorption/desorption газочувствительный слой, адсорбция/ десорбция Сенсорный методконтроль газовой среды уже привели к созданию принципиально новых анализаторов имеет преимущества перед другими методами газовых и жидких сред, известных под емкими названиями – (массспектрография, газовая хроматография, «электронный нос» и «электронный язык». Интерес к этому но оптические методы измерений и пр.) более высоким вому типу устройств, базирующихся на принципах параллель быстродействием и отсутствием пробоподготовки, ной аналитики, особенно усилился в последние годы, что свя компактностью сенсора и, как следствие, зано с возможностью их широкого коммерческого применения в химической промышленности, биотехнологии, в контроле пи портативностью прибора.

щевых продуктов и напитков, косметики и парфюмерии, клини Вместо введения ческой диагностике и экологическом мониторинге и в других об Сенсорная техника во многом определяет развитие совре- ластях деятельности человека. Современные электронные но менного производства, обороны, безопасности, здравоохране- сы и языки представляют мультисенсорные устройства, сово ния и экологического благополучия. Различные виды сенсоров купность сложных сигналов которых интерпретируется с помо широко используются в технике, начиная с космической и ави- щью мощных программных средств и тем самым выдается ма ационной техники, атомной энергетики, различной оборонной тематический или визуальный образ композиции или ее состав.

техники, кончая широким кругом бытовой техники и среды оби- Типичная схема аналитического сенсора включает два прин тания человека. Прогресс во всех областях требует постоянно- ципиальных функциональных элемента: системы молекулярно го совершенствования сенсоров и сенсорной техники. Переход го распознавания (специфические кластеры или химические по техники на микро- и наноуровень открыл принципиально новые крытия, биоселективные мембраны, имеющие различные био возможности в создании сенсоров. логические структуры) и физического преобразователя сиг В 80-х годах XX века начались активные исследования но- нала (трансдьюсера), трансформирующего концентрацион вого типа аналитических и других инструментов, обеспечива- ный сигнал в электрический (рис. 1). Кроме этого, для считыва ющих информацию о физическом состоянии объектов, о со- ния, записи и обработки информации используются электрон ставе сред посредством анализа с использованием сенсор- ные системы и микропроцессорная вычислительная техника.

ных систем. Эти работы в мире ведутся широким фронтом и В качестве трансдьюсеров могут выступать электрохимические Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ преобразователи (электроды и полевые транзисторы), различ- реализации с высокой чувствительностью к структурным нару ного рода оптические преобразователи, гравитационные, ка- шениям и информативностью результатов измерений лориметрические, резонансные системы. Все системы моле- Метод ФШС включает адсорбционно-десорбционную кулярного распознавания можно комбинировать с различны- фликкер-шумовую спектроскопию (АДФШС) и дефектно ми трансдьюсерами. Это обеспечивает большое разнообразие примесную фликкер-шумовую спектроскопию (ДПФШС) [3].

различных типов аналитических сенсоров [1, 2]. Метод АДФШС использует адсорбцию и десорбцию адсор бированных частиц с поверхности полупроводника для изуче ния связи адсорбат – подложка, адсорбат – ионнолегирован ный слой – подложка.

Зависимость фликкер-шумовых характеристик от состава газовой фазы может быть использована для повышения селек тивности детектирования газов.

Принцип действия предлагаемых фликкер-шумовых газо вых сенсоров основан на анализе процесса интенсивного из менения шумовых характеристик в низкочастотном диапазоне, измеряемых на ионно-имплантированной Si структуре при ад сорбции на ее поверхности молекул различных газов.

Рис. 1. Схема химического сенсора. Для разработки прецизионной технологии фликкер шумовых газовых сенсоров в качестве диагностического ин Первой и весьма важной задачей газовой сенсорики явля- струментария (входной контроль – формирование партии пла ется создание пороговых сенсоров, реагирующих на превыше- стин с идентичными электрофизическими и фликкер-шумовыми ние допустимого содержания взрывоопасных и вредных для характеристиками и операционный контроль модифицирующих здоровья веществ. Следующей более сложной задачей явля- процессов при формировании структуры изделия) предлагает ется анализ состава атмосферы или газовых смесей. По су- ся использовать шумовую спектроскопию примесных уровней ти, речь идет о создании искусственного электронного носа. [4 – 6] и ДПФШС [7].

Требования к идеальному газовому сенсору: малая цена, ма- Спектр фликкер-шума в полупроводниковых материалах лые размеры, высокое отношение «сигнал/шум», простота и удобно описывать с помощью эмпирического соотношения:

надежность конструкции, обратимость реакции на газы, се лективность, нечувствительность к отравлению, быстродей ствие, совместимость с электроникой, температурная и вре (1) менная стабильность.

Этим требованиям наилучшим образом отвечают сенсоры на основе металлооксидных соединений, среди которых наи большее внимание привлекает двуокись олова SnO2. Свойство где SR(f) – спектральная плотность флуктуаций (СПФ) со SnO2 изменять свою проводимость при наличии в воздухе мо- противления R образца, лекул газов восстановителей и окислителей лежит в основе их работы. Однако данные сенсоры обладают общим недостат (2) ком – низкой селективностью. Это связано с самим физиче ским принципом работы, а именно с тем, что в качестве откли ка используется интегральная величина – электропроводность.

Различные газы могут приводить к одинаковым изменениям N = nWLt – полное число носителей заряда (НЗ) в образце;

электропроводности, и поэтому они становятся неразличимы. n – концентрация НЗ;

W, L, t – ширина, длина и толщина об Предлагается использовать в качестве отклика, генери- разца, соответственно;

m – подвижность НЗ;

q – заряд элек руемого газочувствительным слоем (ГЧС), характеристики трона. Параметр фликкер-шума ag характеризует интенсив фликкер-шума. Физическое обоснование идеи состоит в том, ность шума. Относительная спектральная плотность флуктуа ций (ОСПФ) S(f)SR(f)/R2, является функцией фактора ag и чис что механизм как фликкер-шума (его лоренцевская составля ющая), так и хемосорбция газа на поверхности полупроводни- ла носителей N.

ка в значительной мере определяются поверхностными элек- Для характеризации дефектной подсистемы структурно тронными состояниями, которые являются центрами захвата и неупорядоченных полупроводников целесообразно ввести ко рекомбинации носителей заряда. личественную меру, определяемую механизмами рассеяния Интерес к исследованию фликкер-шумовых процессов в по- НЗ, т. е. являющуюся функцией только m и ag = ag(m).

лупроводниковых газовых сенсорах вызван, в частности, необ- В качестве такой меры нами предложен параметр фликкер ходимостью повышения их селективности. Поэтому реальным шума bs(f), определяемый через ОСПФ слоевого сопротивле выходом настоящей работы являются также разработанные ме- ния rs:


тодики фликкер-шумовой спектроскопии, применение которых к газовым сенсорам, изготавливаемым промышленностью, даст (3) возможность расширить их функциональные возможности (в том числе и повышение их селективности).

Предлагаемый метод фликкер-шумовой спектроскопии Таким образом, принцип действия предлагаемой разработ (ФШС) сочетает в себе относительную простоту технической ки основан на установленном нами явлении изменения величин Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ 2. КНИ – ФЛИККЕР-ШУМОВЫЕ (на 11,5 порядка и более) фликкер-шумовых характеристик ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ ионно-имплантированной кремниевой структуры при адсорб ции на ее поверхности молекул различных газов. I. С целью увеличения чувствительности, селективности и стабильности рабочих характеристик фликкер-шумовых газо 1. ФЛИККЕР-ШУМОВЫЕ вых сенсоров предлагается в технологии их производства ис ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ пользовать КНИ-подложки.

КНИ-подложки обеспечивают полную электрическую изоля Объектом исследования являются фликкер-шумовые газо- цию отдельных приборов на чипе, что дает ряд преимуществ:

упрощение – полное устранение эффекта защелкивания;

вые сенсоры (ФШГС) (рис. 2), которые отличаются от традици онных сенсоров высокой селективной чувствительностью (на уменьшение числа операций за счет отсутствия изоляции 1,5 – 2 порядка выше) при идентификации состава окружаю- р-п-переходами, создаваемыми имплантацией (2-4 фото щей газовой среды [8]. литографические маски);

упрощение изоляции и умень Цель работы – разработка оригинальных подходов по уси- шение ее размеров в 3-5 раз;

сочетание многих функций лению адсорбционной способности (АС) поверхности кремния на одном чипе;

лучшие свойства – двух-, трехкратное увеличение быстро и аналитического обоснования методических и технологиче ских особенностей изготовления газочувствительных струк- действия и/или снижение энергопотребления при низком тур на основе кремния – фликкер-шумовых газовых сенсоров. напряжении;

работа при ультранизком напряжении пита В процессе работы установлено, что усиление АС поверх- ния (~5 В);

работа при высоких температурах вплоть до ности ФШГС и последующая регенерация его газочувстви- 500OС за счет уменьшения токов утечек переходов мень тельного слоя (т. е. очистка поверхности Si от адсорбтива и ших размеров;

больший выход годных изделий – меньшая площадь эле усиление АС очищенной поверхности) осуществляется в тех нологическом процессе при модифицирующем воздействии ментов и чипов снижает вероятность попадания ростово ускоренных ионов аргона на кремниевую подложку [9]. го дефекта в активную область;

повышенная надежность – больший иммунитет к воздей Исследованы причины деградации усиленной АС поверх ности и разработаны рекомендации по стабилизации харак- ствию космических частиц из-за малой области собира теристик АС поверхности ФШГС. С этой целью необходимо ния заряда.

изолировать газочувствительный слой от неконтролируемо- Технология КНИ – фликкер-шумовых газовых сенсоров (см.

го влияния как со стороны окружающей газовой среды (когда рис. 3) предполагает возможность использования низкоомного ФШГС находится в нерабочем положении), так и влияния со кремния (типа КЭФ-4,5) вместо особо чистого кремния марки стороны объема сенсора на его поверхность. БДМ, необходимого для базовой технологии ФШГС, что, есте ственно, намного дешевле. КНИ-структуры имеют также набор нестандартных свойств, которые могут привести либо к полной замене объемного кремния, либо поставить вопрос о широком использовании этих структур в будущей полупроводниковой ин дустрии. К таким свойствам относятся: эффект плавающего по тенциала, вызванный отсутствием проводимости между под ложкой и каналом МОП-транзистора (ФШГС на основе резисто ра или транзистора);

работа МОП-транзисторов с полным или частичным обеднением в зависимости от уровня легирования и толщины КНИ-слоя;

худший теплоотвод от переходов из-за теплового сопротивления диэлектрика.

Нами выполнен ряд экспериментальных работ, направлен Рис. 2. Тест-структура ФШГС. Серия №3. Контактные ных на исследование электрофизических и фликкер-шумовых площадки вынесены на обратную сторону Si пластины.

свойств приборного слоя КНИ-структур, сформированных Поэтому ФШГС помещается в вакуумированную методом ионной имплантации кислорода SIMOX-структур.

(P 1x10-3 Па) измерительную камеру. Тем самым отсекается Уникальным диагностирующим инструментом при разработке неконтролируемое влияние газовой среды на поверхность. физических основ SIMOX-технологии оказался метод дефектно При проведении мониторинга окружающей среды осущест- примесной фликкер-шумовой спектроскопии [11, 12].

вляется хронометрированный забор пробы в количестве, при котором значение давления в измерительной камере не вы ходит за пределы экспериментально установленного диапа зона 3x10-3Па  Р  1x103Па.

С другой стороны, для отсечения влияния объема полу проводника на его поверхность, точнее на стабильность уси ленной АС поверхности, предложено использовать фликкер шумовой газовый сенсор, в котором сформирована структура «кремний – на изоляторе» (КНИ) методом SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) – технологии, унифицированной под требования для разработки технологии изготовления КНИ – фликкер-шумовых газовых сенсоров [10]. Рис. 3. Тест-структура КНИ – ФШГС. Серия №4.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ В результате проведенных работ по оптимизации техно- уменьшить факторы радиационного и термического воздей логического процесса получены экземпляры совершенных ствия на кремниевую матрицу. Предлагается использовать:

высокоэнергетическую (Е ~ 1МэВ) реактивную ионную им SIMOX-структур с бездефектным малошумящим приборным слоем. плантацию через защитную термическую пленку SiO2.

комбинированную имплантацию ионов бора (или фосфо Разработаны технологические способы подавления дефек тообразования, повышения однородности SIMOX-структур по ра) и кислорода вместо имплантации только кислорода и площади пластины и улучшения их качества. тем самым формировать скрытый слой боросиликатно Отсутствие дефектов в приборном слое (ПС), а также вы- го или фосфоросиликатного стекла (БСС или ФСС) вме сокое качество барьерного оксида между ПС и подложкой сто слоя диоксида.

определило совершенство ПС и стабильность его электро- Изучение влияния предварительных, in situ и послеимплан физических и шумовых характеристик. Полученные значе- тационных термовоздействий в широком диапазоне темпера ния фликкер-шумовых характеристик ПС на 5 6 порядков ни- тур на поведение фликкер-шумовых характеристик формиру же, чем в базовой подложке. Повторные измерения через 1 емых КНИ-структур позволит оптимизировать факторы терми 8 месяцев подтвердили стабильность полученных значений ческого воздействия.

фликкер-шумовых характеристик ПС.

2.2. АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ИОННОГО СИНТЕЗА Поверхность полупроводника удивительным образом чув ствует, что происходит в глубине полупроводника. Так, АС по- Применяемое на практике значение дозы имплантируе мых ионов кислорода Ф = (1 2)x1018см-2 является величиной верхности оказывается чувствительной не только к примесям, размещенным на поверхности, но и к тому, какие примеси и эмпирической. Ее величина могла бы быть существенно ни в каких концентрациях внедрены в глубину полупроводника. же, если бы удалось осуществить зарождение и рост SiOx, x Вводя ничтожные количества примеси внутрь полупроводни- 2 в узком слое.

ка, можно изменить во много раз АС его поверхности. Увеличение дозы кислорода сверх стехиометрии, видимо, Основным преимуществом КНИ – ФШГС перед фликкер- не влияет на качество скрытого слоя, поскольку кислород спо шумовыми газовыми сенсорами является стабилизация уси- собен диффундировать сквозь SiOx к границам слоя и реаги ленной АС поверхности за счет перекрытия канала «объем – ровать там с Si. Однако рост дозы способствует накоплению поверхность». радиационных дефектов в ПС. При недостаточных Ф возмож Для конкретизации отдельных сортов адсорбированных мо- но образование диэлектрических слоев с включениями Si или лекул необходимо уменьшать геометрические размеры ГЧС слоев в виде отдельных выделений фазы в Si матрице.

[13]. Действительно, по мере уменьшения размера L активного Формирование SiO2 происходит при температуре облуче ния Ti 400 °С. Увеличение Ti выше обычно применяемого ди слоя в ФШГС объем этого слоя уменьшается пропорциональ апазона 400 600 °С способствует улучшению структуры от но L3, а поверхность – пропорционально L2. Это, естественно, приводит к увеличению «веса» поверхности (отношение по- секаемого слоя Si и в этом смысле облегчает послеимпланта верхность/объем возрастает пропорционально L-1) и ее влия- ционный отжиг формируемой SIMOX-структуры. Рост темпе ния на объемные процессы. ратуры в то же время ускоряет диффузию кислорода и может Таким образом, для улучшения характеристик ФШГС необ- привести к образованию неоднородных включений SiOx у по ходимо их изготавливать на КНИ-структурах с толщиной при- верхности ПС.

борного слоя t 0,1 мкм. Наряду с Ti величина плотности ионного тока ј играет клю чевую роль при формировании структур КНИ методом ионно 2.1. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ СТРУКТУР го синтеза. Если рост Ti способствует увеличению скорости «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» отжига и упорядочению решетки, то при Ti = const с ростом ј Одним из методов промышленного изготовления система сильно отклоняется от равновесия. Помимо влияния структур «кремний на изоляторе» (КНИ) является метод на структуру Si и синтезируемого диэлектрика увеличение ј SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Метод включает: приводит к весьма значительному перераспределению вне Имплантация ускоренных ионов кислорода в моно- дряемой примеси еще в процессе облучения. Для режимов Si. Режимы процесса: Е = 40 200 кэВ;


Ф = (1 2)x1018см-2. с большими плотностями ионного тока характерны и высокие Температура мишени Ti = 400 600°C. Ti, а атомы получают возможность диффундировать в Si еще до Высокотемпературный отжиг при Тотж = 1300 1400 °С в те- образования скрытого диэлектрического слоя.

чение 4 6 часов. С ростом энергии ионов, также как и при увеличении плот При этом формируется скрытый изоляционный слой тол- ности ионного тока, растет температура мишени и увеличива щиной 0,2 0,4 мкм. Толщина приборного слоя (ПС) поряд- ется полное число вводимых дефектов. В то же время очевид ка 0,1 мкм. ным достоинством высоких Е является возможность синтеза Технология SIMOX наряду с преимуществами обладает не- глубоко залегающих слоев диэлектрика.

которыми недостатками, основными из которых являются не- Как отмечалось выше, для формирования SIMOX-структур достаточно высокое качество ПС и высокая трудоемкость из- используются длительные высокотемпературные отжиги.

готовления изделий, что, естественно, сказывается на их сто- Растворение мелких преципитатов и стягивание импланти имости. В связи с этим возникает необходимость поиска пу- рованного кислорода с периферии распределений в единый тей по снижению дозы имплантации, длительности и темпе- сплошной слой позволяет использовать для синтеза субстехи ратуры термообработки. ометрические дозы. Стягивание лимитируется именно раство В следующем разделе решение данной задачи достигает- рением преципитатов, поскольку в Si при указанных Тотж коэф ся разработкой нескольких идей, реализация которых позволит фициент диффузии кислорода достаточно высок.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ Несмотря на предельно высокие Тотж, после традиционных 0,3 ат./ион, то при бомбардировке SiO2 – Si – структуры вели режимов имплантации (высокие j, Ti = 400 500°C), в отсечен- чина коэффициента распыления возрастает до значений 0, ном Si остаются до 108 109 см-2 дислокаций. При использо- 0,7 ат./ион. При этом следует принять во внимание, что про вании Ti = 600 675°C и отжига 1300 °С в течение 6 часов про- грамма TRIM не учитывает возможность протекания при им исходит уменьшение плотности дислокаций до величины 104 плантации реакций вида SiO2 SiO + O с последующей де 105 см-2. Уменьшить накопление дефектов можно периодиче- сорбцией с поверхности продуктов распада молекул диоксида скими высокотемпературными отжигами по мере набора до- кремния. А это означает, что реально коэффициент будет еще зы (в 2 или 3 этапа). больше и составит величину порядка единицы. Следовательно, Пути снижения радиационных и термических нагрузок при имплантации ионов кислорода средних энергий через на кремний при ионном синтезе лежат, прежде всего, в пра- пленку SiO2 последняя будет интенсивно стравливаться и про вильном выборе Ф, j и Ti. Традиционно используемый сейчас филь имплантируемых ионов будет непрерывно размываться, режим с разогревом мишени до Ti = 400 600°C за счет высо- что практически означает невозможность формирования вну ких j вряд ли оптимален. Для снижения термических нагрузок три Si узкого и резкого скрытого слоя. Увеличение энергии ио послеимплантационного отжига следует понизить j, а Ti увели- нов до 1 МэВ снижает коэффициент распыления до величины чить, используя дополнительный нагрев. Это уменьшит ско- порядка 0,06 ат./ион и позволяет формировать КНИ-структуру рость накопления дефектов в формируемой структуре и, сле- с пассивированной поверхностью Si.

довательно, позволит проводить затем менее жесткую термо Реактивная ионная имплантация обработку.

с термоциклированием в процессе набора дозы 2.3. НОВЫЕ ПОДХОДЫ Состояние поверхности полупроводника существенно Пассивация поверхности Si влияет на распределение внедренных ионов и дефектов, вво перед реактивной ионной имплантацией димых при имплантации. Это обусловлено рядом причин, но Перспективным направлением снижения радиационных основная та, что поверхность является стоком для дефектов нагрузок является имплантация кислорода в кремний, поверх- и примесных атомов. Поэтому на поверхности существует до ность которого защищена пленкой SiO2. При этом толщина ПС полнительный пик концентрации имплантируемой примеси, задается как энергией ионов 16O+, так и толщиной защитной причем его конкретные параметры очень сильно зависят как пленки SiO2. Кроме того, применение при имплантации за- от состояния поверхности (степени ее дефектности, наличия щитной пленки позволяет исключить еще ряд факторов, ока- пленки окисла, упругих механических напряжений и др.), так и зывающих негативное воздействие на формируемую КНИ- от режима имплантации (плотности потока имплантируемых структуру. В частности, при наборе больших доз возможно за- ионов, их энергии и массы).

грязнение поверхности Si мишени атомами металлов, входя- При отжиге может происходить сток примесей и дефектов щих в состав масок или систем формирования пучка. Так как на поверхность или, наоборот, их уход от поверхности в об эти атомы обычно быстро диффундируют при термообработ- ласть торможения ионов. Конкретная ситуация определяется ке, возможность их удаления путем стравливания пленки ди- многими факторами: режимами имплантации и отжига, состо оксида представляется весьма важной. Защитное покрытие янием поверхности, типом ионов и, наконец, наличием исход также исключает распыление рабочей поверхности и, следо- ных примесей и дефектов в подложке.

вательно, позволяет избежать развития микрорельефа в ме- Оптимизация режима послеимплантационного отжига тре стах выхода дефектов на поверхность. бует учета процессов перестройки структуры поверхности, С ростом энергии растет средний проецированный про- приповерхностной области и объема. При этом особое зна бег и заглубляется по отношению к исходной поверхности чение имеет специфика поверхностных процессов отжига.

максимум упругих потерь. В результате снижается роль об- В частности, оказалось, что поверхностные дефекты, более ратной диффузии и уменьшается коэффициент распыления, многочисленные, чем объемные, гораздо легче отжигаются, но что уменьшает размытие профиля имплантируемых ионов. при этом гораздо проще образуют комплекс, формируя дис Удаление максимума упругих потерь от поверхности позво- локации. Учитывая это, используются комбинированные ре ляет снизить температуру подогрева пластины. Так, для со- жимы отжига – многостадийный процесс, устраняющий спер хранения монокристалличности приповерхностного слоя да- ва поверхностные дефекты, лазерный с низкотемпературным же после доз Ф = 2x1018см-2 достаточен нагрев подложки до термическим и др. Сущность подхода состоит в том, чтобы Т = 150 200 °С. Кроме того, как было установлено нами ра- на первой стадии (например, при низкотемпературном тер нее [14, 15], вероятность появления трехмерных образований мическом отжиге) стимулировать процесс миграции дефек на поверхности SIMOX-структуры уменьшается с увеличени- тов к поверхности (или в ее определенные участки). На вто ем энергии имплантируемых ионов. В экспериментах, прове- рой (основной) стадии отжига эти участки уже будут являть денных при Е = 1 МэВ, трехмерные образования на поверхно- ся стоками для дефектов, возникающих в процессе отжига и сти кремния не наблюдались. дальнейшей термообработки.

Таким образом, при имплантации в систему SiO2 – Si пре- При создании поверхностных стоков необходимо учитывать имущества высокоэнергетичных ионов становятся неоспори- типы дефектов, их пространственную локализацию, наличие мыми. И главным фактором в этом случае является уменьше- внутренних полей упругих напряжений и ряд других факторов.

ние коэффициента распыления. Моделирование процесса рас- При неправильном выборе режима отжига возможен обратный пыления с помощью программы TRIM показывает, что если при процесс – миграция дефектов в те участки кристалла, на ко имплантации кислорода в кремний при энергиях 100 200 кэВ торых в дальнейшем предполагается изготовление прибор коэффициент распыления составляет величину порядка 0,1 ных структур, что повлечет за собой ухудшение их параметров.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ температура и время отжига – Тотж = 1100 °С, tотж = 5 мин.

Таким образом, для снижения дефектности в ПС рекоменду ется в процессе набора дозы чередовать имплантацию и отжиг. Предлагаемые варианты технологии КНИ обладают следу В работе [16] полная доза набиралась в 2 или 3 этапа, после каж- ющими преимуществами:

практически полное отсутствие оборванных связей дого следовали отжиги 1250°С. Плотность дислокаций удалось понизить на два порядка. Авторы [17] сообщили, что при двух- в скрытом изоляционном слое;

резко снижается термический бюджет процесса, т. к., ва ступенчатом наборе дозы с отжигами 1300 °С в течение 6 часов плотность дислокаций падает до значений ниже 105см-2. рьируя состав синтезируемого стекла, можно эффектив На основе проведенного анализа экспериментальных ре- но управлять температурой его размягчения;

меняя дозу ионов веществ-стеклообразователей, т. е. со зультатов предложен вариант технологии SIMOX – высоко энергетическая имплантация кислорода с термоциклирова- став стекла, можно плавно регулировать константы тер нием (в 2 или 3 этапа набора дозы) через защитную термиче- мического расширения, оптическую толщину скрытого скую пленку SiO2. изоляционного слоя и его другие физические свойства.

3. ФЛИККЕР-ШУМОВЫЕ ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ Физические основы SIMBOX и SIMPOXтехнологий С ПОЛНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Концентрация имплантированных атомов при дозах, ис пользуемых в КНИ-технологии, значительно превышает рав- Фундаментальной проблемой, имеющей непосредствен новесную во всем температурном диапазоне. Сильное пере- ное отношение к совершенствованию технологии изготов сыщение является основным фактором в образовании диэлек- ления сенсорной матрицы, является изоляция ее элементов.

трической фазы, а высокая температура способствует мигра- Радикальным технологическим средством является изоляция ции атомов и объединению их в оптимальные конфигурации. глубокими канавками. Такие канавки, имеющие окисные стенки Термодинамическое рассмотрение процессов зарождения и с диэлектрическими (SiO2) наполнителями, изолируют друг от роста диэлектрической фазы показывает, что на первом этапе друга элементы сенсорной матрицы (рис. 4, серия 5). Для ани происходит образование стабильных при данной температу- зотропного глубокого травления кремния используется высо ре зародышей, размеры которых превышают некоторый кри- коскоростной (vтр 4 мкм/мин) метод травления Si в двухста тический радиус RC [18]. дийном режиме – травления-пасивации (Бош-процесс) в плаз Зародыши с меньшими размерами распадаются, тог- ме SF6 + C4F8 [20].

да как большие интенсивно растут, поглощая малые заро дыши, что связано с уменьшением поверхностной энергии.

Коалесценция зародышей создает сплошной слой диэлек трика, который является аналогом зародыша квазибесконеч ного размера, поглощающего всевозможные зародыши ди электрической фазы в окрестностях растущего слоя.

Из расчетов [18] следует, что на процессы формирования второй фазы существенное влияние оказывают точечные де фекты и механические напряжения. Так, генерация вакансий способствует росту диэлектрической фазы, тогда как меж доузельные атомы увеличивают критический радиус RC и за- Рис.4. Тест-структура ФШГС с полной диэлектрической изоляцией (ПДИ-ФШГС). Серия №5.

медляют ее рост.

Снизить дозы и, тем самым, радиационные нагрузки мож Выводы но за счет создания узкого слоя искусственных центров преци питации. Таковыми могут быть примеси бора, фосфора, угле- Среди большого числа сенсоров различного типа рода, а также взаимно влияющие на преципитацию друг друга фликкер-шумовые газовые сенсоры обладают рядом преи кислород и азот. Предпочтительным для этой цели представ- муществ, а именно высокой чувствительностью, малыми га ляется использование бора или фосфора как хороших сте- баритами, небольшой стоимостью. Как было показано в ра клообразующих элементов, позволяющих создавать стекла боте [11], такие сенсоры обладают уникальной селективной с относительно низкой температурой текучести. Это позволя- чувствительностью к различным газам и их смесям, что по ет не только уменьшить дозу имплантации, но и снизить тер- зволяет расширять область их применения. Так, результаты мические нагрузки при послеимплантационном отжиге [19]. по измерению концентрации аммиака, образующегося в ре На основе проведенного анализа экспериментальных и те- зультате гидролиза креатинина в крови и моче человека, по оретических результатов предложены варианты технологии зволяют предложить новый метод для проведения биохими КНИ – SIMBOX (Separation by IMplanted Boron and OXygen) и ческого анализа.

SIMPOX (Separation by IMplanted Phosphorus and OXygen) – При протекании различных физиологических процессов высокоэнергетическая (Е 1 МэВ) последовательная ионная в организме человека образуются различные газы, по содер имплантация бора (или фосфора) и кислорода через защит- жанию которых можно судить о протекании того или иного за ную пленку SiO2. болевания. Концентрации этих газов ничтожно малы (десятые доли мг/м3), поэтому они могут быть определены только при Ориентировочные режимы:

доза ионов бора (или фосфора) – Ф = (1,5 8)x1016см-2;

помощи дорогостоящего и крупногабаритного оборудования.

доза ионов кислорода – Ф = (1 6)x1017см-2;

В то же время фликкер-шумовые газовые сенсоры позволя плотность ионного тока – j 20 мкА/см2;

ют измерять сверхнизкие концентрации, а газоанализаторы температура облучения – Тi = 150 200°C;

на их основе портативны и просты в использовании.

Русский инженер, № 3-4 (26-27), 36 ИНФОРмАЦИОННЫЕ ТЕХНОлОГИИ Таким образом, измерение спектральных шумовых ха- селективности к заданному газу для каждого элемента явля рактеристик показывает принципиальную возможность ется непростой задачей. Также необходимо обеспечить вы определения качественной природы газов, что недостижи- сокую стабильность характеристик каждого элемента в те мо обычными резистивными измерениями. чение срока эксплуатации.

Основным подходом к построению сенсорных систем, Если измерять сопротивление и спектральную плотность обладающих селективностью, является создание матриц флуктуаций сопротивления в широком частотном диапазо из сенсоров, каждый из которых имеет высокую чувстви- не (применяя метод АДФШС), то требование отличия ре тельность к какому-либо определенному газу. При этом ре- акций элементов на газы необязательно, т. к. отклик спек акция элемента сенсорной матрицы на «не свой» газ долж- тральной плотности на каждый сорт адсорбированных мо на быть минимальна. Откалибровав каждый сенсор на кон- лекул наблюдается на определенной частоте – частоте из центрацию газа, который он должен «чувствовать», можно лома лоренциана. Поэтому матричный элемент будет «чув получить систему, позволяющую определять состав газовой ствовать» столько сортов молекул, сколько будет идентифи среды для смеси определенных компонентов. цировано частот излома. Чем больше матричных элементов Такой матричный сенсор будет «чувствовать» столько (больше площадь ГЧС – больше адсорбированных молекул), тем интенсивнее будет фликкер-шумовой сигнал [11].

газов, сколько он имеет элементов. Получение высокой ЛИТЕРАТУРА 1. Джексон Р.Г. Новейшие датчики. – М.: Техносфера, 2007. – 384 с.

2. Эггинс Б. Химические и биологические сенсоры. – М.: Техносфера, 2005. – 336 с.

3. Маковийчук М.И. Классификация методов спектроскопии НЧ шумов в структурно-неупорядоченных полупроводниках. // Матери алы докладов Международного научно-методич. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых прибо рах». М.: МЭИ, 2008. – С. 66 – 69.

4. Шоблицкас З., Паленскис в. Шумовая спектроскопия примесных уровней и 1/f шум в высокоомных монокристаллах кремния. // Литовский физический сборник. – 1985. – Т.XXV, № 3. – С. 88 – 97.

5. лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Радио и связь. – 1990. – 296с.

6. Bosman G., Zijlstra R. J. J. Generation-recombination noise in p-type silicon. // Solid-State Electronics. – 1982. – V.25, No 1. – P. 273 – 280.

7. Маковийчук М.И. Фундаментальные и прикладные аспекты фликкер-шумовой спектроскопии неупорядоченных полупроводников:

ионно-имплантированный кремний. // Микроэлектроника. – 2000. – Т.29, № 4. – С. 247 – 265.

8. Маковийчук М.И. Фликкер-шумовой газовый сенсор – матричная ячейка мультисенсорной системы «E-nose». // Материалы докла дов Международного научно-технич. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МЭИ, 2007. – С. 137 – 142.

9. Маковийчук М.И. Разработка оригинальных подходов по увеличению адсорбционной способности поверхности кремниевых фликкер-шумовых газовых сенсоров радиационными воздействиями. // В кн.: Труды XVII Международного совещания «Радиацион ная физика твердого тела». (9 – 14 июля 2007г., Севастополь). М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2007 – С.153 – 161.

10. Маковийчук М.И. Разработка фликкер-шумового газового сенсора на базе структуры «кремний на изоляторе» // Труды XVIII Меж дународного совещания «Радиационная физика твердого тела». (7 – 12 июля 2008 г., Севастополь). – М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2008 – С.408 – 419.

11. Маковийчук М.И. Возможности спектроскопии низкочастотных шумов при разработке газовых сенсоров нового поколения. // Ми кроэлектроника. – 2008. – Т.37, №4. – С.258 – 269.

12. Маковийчук М.И. Фликкер-шумовая спектроскопия – диагностический инструмент технологии полупроводниковых наноструктур. // Труды XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (10 – 14 марта 2008 г., Нижний Новгород). Н.-Новгород:

ИФМ РАН, 2008 – Т.2. – С.329 – 330.

13. Makoviychuk M.I., Chapkevich A.A. Low frequency current noise in silicon microsensors: a new perspective on individual defects and flicker noise. // Proceed. Third Int. Workshop «Relaxed, Nonlinear and Acoustic Optical Processes;

Materials – Growth and Optical Properties» – RNAOPM-2006. (September 06 – 10, 2006, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press Vezha, 2006 – P.42 – 45.

14. Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Рекшинский в.А. Трехмерные образования на поверхности SIMOX-структур при высокотем пературном отжиге. // Микроэлектроника. – 1997 – T.26, №6. – С. 477 – 480.

15. Aminov M.K., Krivelevich S.A., Makoviychuk M.I., Parshin E.O., Pimanov S.Yu., Rekshinskii V.A. Development of 3D-formation on the surface of SIMOX-structures after high temperature treatment. // Proceed. Int. School-Conf. «Physical Problems in Material Science of Semiconductors». -Chernivtsi, Ukraine, 1995 – P.93.

16. Margail J., Stoemenos J., Jausand C., Bruel M. Reduced defect density in silicon-on-insulator structures formed by oxygen implantation in two steps. // Appl. Phys. Lett. – 1989. – V.54, No6. – P.526.

17. Hill D., Fraundorf P., Fraundorf G. The reduction of dislocation in oxygen implanted silicon-on-insulator layers by sequential implantation and annealing. // J. Apll. Phys. – 1988 – V.63, No10. – P.4933 – 4936.

18. Vanhellemont J., Claeys C. // J. Appl. Phys. – 1987 – V.62, No9. – P.3960.

19. Патент № 2193803 РФ, МКИ 7H01L21/76. – Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. / Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин е.О. – Опубл. 27.11.2002, Бюл.№33.

20. Amirov I.I., Morozov O.V., Izuimov M.O., Kalnov B.A., Orlykovsky A.A., Valiev K.A., «Plasmochemical etching of the deep silicon trenches for the MEMS elements formation»// Mikrosistemnaya technika. – 2004.– V.6. – P. 6 – 10.



Pages:     | 1 || 3 | 4 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.