авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 |

«Отчет о самообследовании МИЭТ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт ...»

-- [ Страница 5 ] --

1103–1108.

Vol.300. – Popov A.I. The longitudinal Zeeman effect in terbium molibdate. JMMM. 1 pp. e422– 7 2 e425.

Vol.43. – Domain Structure and Electrical Properties of Gd- and №1. – pp.

Loginov B.A. Inorganic Materials. 1 8 3 Tm- Doped Lithium Niobate Single Crystals.

68–72.

Vol. 84. – Infrared absorption by polar optical phonons in a CdS № 3. – pр.

Gavrilov S.A. nanocrystal array consisting of quantum dots and quan- JETP Letters. 1 6 1 tum wires. 1090–6487.

Vol. 42. – On the Feasibility of Investigation of Some Defect and High Energy № 6. – pp.

Timoshenkov S.P. Porous Systems by Means of Positron Annihilation 1 9 3 Chemistry.

Spectroscopy. 478–484.

Vol. 2. – Journal of Surface.

№1. – рр.

Timoshenkov S.P. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 1 8 3 Investigation.

92–97.

Journal of Surface In Vol. 2, №.

Study of Radiation Damage in Quartz Single Crystals vestigation. X-ray, Syn Timoshenkov S.P. 1 4, pp. 518– 8 3 Irradiated With Protons. chrotron and Neutron 526.

Techniques.

5th Int. Conf. "Porous March 12– Semiconductors- 17, Gavrilov S. Thermal properties of CdS/Al2O3 nanostructures. 1 7 1 Barcelona, – Science and Technolo gy" (PSST-2006). pp. 1–01.

Отчет о самообследовании МИЭТ Vol. 84. – The role of phase-matching and nanocrystal-size effects Gavrilov S.A. in three-wave mixing and CARS processes in porous Appl. Phys. 1 pp. 303– 10 2 gallium phosphide. 308.

Vol. 203. – Charge selective contact on ultra-thin №. 5. – pp.

Gavrilov S. In(OH)xSy/Pb(OH)xSyheterostructure prepared by SI- Phys. Stat. Sol. 1 9 1 LAR. 1024–1029.

Т.416. – Псевдодвойникование в La2CaF8 и проблема струк Максимов С.К. Доклады РАН. №1. – С. 2 1 1 турной организации нестехиометрических фаз.

– 46.

Калибровочные параметры зондирующей иглы маг- Т.76. – №9.

Журнал технической Горячев А.В. нитно-силового микроскопа в поле тестирующей – С. 115– 2 2 2 физики.

токовой петли. 119.

Деформация пластин алю-миния, стекла и кремния Вып. №3. – Тимошенков С.П. Журнал общей химии. 2 3 2 при сорбции паров воды. С. 427–432.

Т.133. – Журнал эксперимен Обменное взаимодействие и спиновые состояния в Вып. 4(10).

Попов А.И. тальной и теоретиче- 2 2 2 магнитном молекулярном нанокластере V15. – С. 697– ской физики.

705.

Коллапс резонансов в полу-проводниковых гетеро- Журнал эксперимен- Т.134. – Горбацевич А.А. структурах как переход с нарушением симметрии в тальной и теоретиче- Вып. 2. – С.

1 3 3 открытой квантовой системе. ской физики. 338–353.

Известия РАН. Серия Т.71. – №1.

Копаев Ю.В. Сверхпроводимость отталкивающихся частиц. 2 2 1 физическая. – С. 6 – 11.

Отчет о самообследовании МИЭТ Т.70. – № 4.

Автоэмиссионная структура на основе кремния с Известия РАН. Серия Еремченко Д.В. – С. 569 2 2 2 оксидным покрытием. Физическая.

570.

Т.82. – №6.

Журнал физической Пашинкин А.С. Теплоемкость твердого селенида сурьмы Sb2Se3. – С. 1173– 2 3 3 химии.

1174.

Факторы, определяющие температуру плавления Журнал физической №11. – С.

Гаврилов С.А. 2 5 4 тонких пленок Cu и Ni на инертных поверхностях. химии. 80.

Стандартная энтропия и тепло-емкость твердого тел- Журнал физической Т.80. – С.

Пашинкин А.С. 2 3 3 лурида олова. химии. 1522– 1523.

Т.36. – №1.

Горбацевич А.А. Волноводная наноэлектроника. Микроэлектроника. 2 2 2 – С. 3–16.

К вопросу о роли глубоких энергетических центров в №5. – С.

Ильичев Э.А. компенсации примесей в полуизолирующем арсени- Микроэлектроника. 2 3 3 337–343.

де галлия.

Стохастическая модель разрушения волокнистых Вестник Южного на- Т.2. – № 3.

Бардушкин В.В. 2 4 3 композитов. учного центра РАН. – С. 3-7.

Энергетический подход при моделировании форми Вестник Южного на- Т.4. – № 3.

Бардушкин В.В. рования текстуры в поликристаллах под влиянием 2 5 3 учного центра РАН. – С. 3–8.

внешних напряжений.

Отчет о самообследовании МИЭТ Т.43. – № 5.

Механизм наноструктурирования Ca1-xLaxF2+x со Неорганические мате Максимов С.К. – С. 626– 2 2 2 структурой на основе CaF2. риалы.

631.

Т.44. – Теплоемкость твердых растворов Bi2Te2,88Se0,12 (n- Неорганические мате Штерн Ю.И. №10. – С.

2 4 4 типа) и Bi0,52Sb1,48Te3 (p-типа). риалы.

1057-1061.

Письма в Журнал экс- Т.84. – «Темная материя» в кристаллах: объекты, невидимые Горбацевич А.А. периментальной тех- Вып. 11. – 2 1 1 в низкоэнергетическом рассеянии электронов.

нической физики. С. 708–713.

Т.32. – Тепловой эффект на аноде при автоэлектронной Письма в Журнал тех Неволин В.К. Вып. 23. – 2 1 1 эмиссии с катода. нической физики.

С. 7-10.

Письма в Журнал экс- Т.88. – Влияние тепловых флуктуаций на автоколебания Попков А.Ф. периментальной тех- Вып. 8. – С.

2 2 2 спинов в микроволновом наногенераторе.

нической физики. 624–628.

Т.44. – №8.

Упорядочение и двойникование в нестехиометриче- Неорганические мате Максимов С.К. – С. 1007– 2 2 2 ской фазе CayLa1-yF3-y. риалы.

1013.

Зеркальный нестинг и электрон-дырочная асиммет- Т.86. – №6.

Письма в Журнал тех Капаев В.В. рия при сверхпроводящем спаривающем отталкива- – С. 462– 2 3 2 нической физики нии. 469.

Журнал эксперимен- Т.132. – Дважды упорядоченное сверхпроводящее состояние Копаев Ю.В. тальной и теоретиче- №4(10). – 1 3 1 в допированном антиферромагнетике.

ской физики. С. 831–843.

Отчет о самообследовании МИЭТ Журнал эксперимен- Т.131. – Влияние магнитного поля на зонный эффект Яна Попов А.И. тальной и теоретиче- №6. – С.

1 4 3 Теллера в проводящем ферромагнетике.

ской физики. 1081–1089.

Т.81. – Технология и исследование пористых оксидных пле- Журнал прикладной Штерн Ю.И. Вып.4. – С.

2 1 1 нок на сплавах алюминия. химии.

546–549.

Т.78. – Трансмиссионная томография пропорциональных Журнал технической Терещенко С.А. Вып. 5. – С.

2 1 1 рассеивающих сред. физики.

69–75.

Т.36. – № 4.

Модель полевого транзистора с затвором Шоттки в Шмелев С.С. Микроэлектроника. – С. 243 – 2 4 3 диодном включении.

254.

Исследование обратных ВАХ гетероструктурного Т.36. – № 5.

Шмелев С.С. полевого транзистора с затвором Шоттки в диодном Микроэлектроника. – С. 472– 2 3 2 включении. 478.

Т.42 – №6.

Неорганические мате Пашинкин А.С. Теплоемкость моноселенида олова. – С. 659– 2 4 4 риалы.

661.

Т.88. – №9.

Ориентационная поляризация молекулярных жидко- Письма в Журнал тех Поярков К.Б. – С. 686– 2 3 2 стей при контакте с кристаллами алмаза. нической физики 687.

Шум вида 1/f в транзисторах со структурой металл Радиотехника и элек- №6. – С.

Жигальский Г.П. диэлектрик-полупроводник с разным типом прово- 2 3 3 троника. 751–756.

димости канала и топологическими размерами.

Отчет о самообследовании МИЭТ Исследование параметров глубоких центров в детек- Т.52. – Радиотехника и элек Жигальский Г.П. торах заряженных частиц и рентгеновского излуче- №10. – С.

2 5 2 троника.

ния на основе Al/i-GaAs. 1–6.

Автоматизация построения центроидных структур Радиотехника и элек- №12. – Лобская И.В. при проектировании топологии прецизионных эле- 2 1 1 троника. С.49 – 54.

ментов аналоговых микросхем.

Теплоемкость теллурида кадмия при высоких темпе- Теплофизика высоких Т.44. – №5.

Пашинкин А.С. 2 4 4 ратурах. температур. – С. 1-9.

Т.178. – С купратным багажом к комнатнотемпературной Успехи физических Копаев Ю.В. Вып. 2. – С.

2 3 2 сверхпроводимости. наук.

202–210.

Т.48. – Кинетика процесса плавления-диспергирования тон Гаврилов С.А. Физика твердого тела. Вып. 1. – С.

1 4 3 ких пленок меди.

172–178.

Т.49. Кинетика процесса плавления-диспергирования тон Гаврилов С.А. Физика твердого тела. Вып.1. – С.

1 4 3 ких пленок меди.

172–178.

Т.49. – Исследование влияния процесса геттерирования ар Ильичев Э.А. Физика твердого тела. Вып. 2. – С.

1 4 2 сенида галлия на атомную структуру.

213–215.

Температурная зависимость электрического сопро №9. – С. 5– Бобринецкий И.И. тивления структур на основе углеродных нанотрубок Датчики и системы. 2 1 1 11.

в атмосферных условиях.

Отчет о самообследовании МИЭТ Интегральный метод исследования текстур нанораз- Заводская лаборато Т.74. – № 1.

Максимов С.К. мерных кристаллитов в колонне электронного мик- рия. Диагностика ма- 2 1 1 – С. 23–34.

роскопа (обобщающая статья). териалов.

Заводская лаборато Методика исследования тепло- и электрофизических Т.74. – №6.

Штерн Ю.И. рия. Диагностика ма- 2 1 1 свойств материалов. – С. 32– териалов.

Заводская лаборато- Т.74. – Методика исследования температурного коэффици Штерн Ю.И. рия. Диагностика ма- №11. – С.

2 1 1 ента линейного расширения материалов.

териалов. 37–39.

Разбаланс потенциалов двухколлекторного лате- Измерительная техни- №8. – C.

Поломошнов С.А. 2 3 3 рального биполярного магнитотранзистора. ка. 57–61.

Позитронная аннигиляционная спектроскопия в №1. – С.

Прокопьев Е.П. Инженерная физика. 2 3 1 ИТЭФ. 33–39.

Ограничитель интенсивности лазерного излучения Квантовая электрони- №3. – С.

Подгаецкий В.М. 2 5 3 на основе полиметиновых красителей. ка. 274– Получение объмных нанокомпозиций на основе Т.37. – №9.

Квантовая электрони Подгаецкий В.М. водного раствора альбумина под действием лазерно- – С. 801– 2 4 3 ка.

го излучения. 803.

Экспериментальное определение коэффициентов №4. – С.

Селищев С.В. рассеяния и поглощения излучения в однородном Медицинская техника. 2 4 4 17– слое сильнорассеивающей биологической среды.

Отчет о самообследовании МИЭТ Мониторинг содержания лития и тяжелых металлов №1. – Хаханина Т.И. в питьевой воде методом инверсионной вольтампе- Медицинская техника. 2 3 3 С.38–40.

рометрии.

Влияние изменения относительной влажности окру Нано- и микросистем- №10. – С.

Неволин В.К. жающей среды на транспортные свойства структур 2 5 3 ная техника. 31–34.

на основе углеродных нанотрубок.

Влияние сорбции паров спирта на проводимость Нано- и микосистем- №5. – С.

Неволин В.К. 2 3 3 структур на основе углеродных нанотрубок. ная техника. 29–33.

Методы проектирования и калибровки микроэлек Нано- и микросистем- №7. – С.

Сауров А.Н. тронных пьезорезистивных преобразователей уско- 2 6 6 ная техника. 45–48.

рения.

Концептуализация маршрута проектирования мик- Нано- и микросистем- №5. – С. 8– Матюшкин И.В. 2 4 2 ромеханических систем с пьезоэлементами. ная техника. 14.

Разработка конструкции и технологии изготовления Нано- и микросистем- №8. – С. 9– Матюшкин И.В. микросистем на основе кремния и тонких пленок 2 4 2 ная техника. 16.

пьезокерамики.

Разработка моделей полупроводниковых приборов с Нано- и микросистем- №8. – С. 3– Зайцев Н.А. 2 2 2 использованием программ. ная техника. 8.

Контроль изгиба консоли многозондового кантиле- Нано- и микросистем- №10. – C.

Попков А.Ф. 2 6 3 вера методом токового разогрева. ная техника. 17–22.

Отчет о самообследовании МИЭТ Методы проектирования и калибровки микроэлек Нано- и микросистем- №7. – С.

Сауров А.Н. тронных пьезорезистивных преобразователей уско- 2 6 6 ная техника. 45–48.

рения.

Применение нитевидных первичных преобразовате- Нано- и микросистем- №1. – С.

Тимофеев В.Н. 2 3 3 лей в термоконвективных газовых расходомерах. ная техника. 39–43.

Некоторые результаты освоения и совершенствова Нано- и микросистем- №3. – С.

Дягилев В.В. ния производства кристаллов кремниевых инте- 2 4 4 ная техника. 17–22.

гральных тензопреобразователей.

Исследование и разработка микровакуумного триода Нано- и микросистем- №5. – С.

Зайцев Н.А. 2 4 3 на основе полевой эмиссии. ная техника. 59–65.

Исследование и разработка микроэлектромеханичес- Нано- и микросистем- №6. – С.

Зайцев Н.А. 2 4 3 кого реле на основе пьезо-электрических пленок. ная техника. 58–62.

Конструктивно-технологическая оптимизация инте- Нано- и микросистем- №3. – С.

Амеличев В.В. 2 4 4 гральных преобразователей физических величин. ная техника. 14–17.

Физико-механические характеристики нитевидных Нано- и микросистем- №4. – С.

Тимофеев В.Н. первичных термопреобразователей в газовых расхо- 2 4 4 ная техника. 65–69.

допарах.

Позитроника и нанотехнологии: определение радиу №3(15). – Тимошенков С.П. сов нанообъектов пустоты в пористом кремнии и Нанотехника. 2 5 3 C. 82–84.

кремнии, облученном протонами.

Отчет о самообследовании МИЭТ Исследование автоэмиссионных свойств углеродных Нано- и микросистем- №6. – С.

Петрухин Г.Н. 2 6 2 нанотрубок на опаловых матрицах. ная техника. 10–13.

Анализ разброса физико-технических параметров Нано- и микросистем- №1. – С.

Зайцев Н.А. 2 2 2 полупроводниковых приборов. ная техника. 48–53.

Моделирование виброрезонансных наноэлементов Нано- и микросистем- №2. – С. 8– Сауров А.Н. 2 3 3 для сверхчувствительных устройств контроля массы. ная техника. 12.

Моделирование, динамический и прочностной ана- Нано- и микросистем- №1. – С.

Сауров А.Н. 2 3 3 лиз инерционных чувствительных наноэлементов. ная техника. 34–38.

Нано- и микросистем- №9. – С. 2– Герасименко Н.Н. Радиационная стойкость наноструктур. 2 2 2 ная техника. 11.

Первые макеты функциональных элементов угле- №2(6). – С.

Неволин В.К. Нанотехника. 2 1 1 родной наноэлектроники. 9–13.

Приборы и системы.

Григорашвили №9. – C. 7– Локатор источников слабых магнитных полей. Управление, кон- 2 3 3 Ю.Е. 11.

троль, диагностика.

Исследование структурных, оптических и электри- Перспективные мате- №4. – С.

Логинов Б.А. 2 5 2 чес-ких свойств органических полупроводников. риалы. 10–15.

Отчет о самообследовании МИЭТ Ультрадисперстные алмазы: исследование морфоло Перспективные мате- №6. – С.

Логинов Б.А. гии комплексов «наночастицы-белки» методом ска- 2 6 2 риалы. 15–19.

нирующей зондовой микроскопии.

Эволюция структуры и свойства ВТСП - покрытий Перспективные мате- №12. – С.

Ичкитидзе Л.П. 2 6 1 после холодной прокатки и термообработки. риалы. 17–27.

Влияние уровня развития технологических процес- Приборы и системы.

№2. – С.

Тимошенков С.П. сов на геометрические параметры изготавливаемых Управление, кон- 2 5 4 60–63.

элементов МЭМС. троль, диагностика.

Особенности проектирования и изготовления чувст- Приборы и системы.

№5. – С.

Тимошенков С.П. вительного элемента микромеханического акселеро- Управление, кон- 2 5 5 35–37.

метра. троль, диагностика.

Особенности зависимостей барьерной емкости диода №4. – С.

Гундырев В.Б. Прикладная физика. 2 4 4 от напряжения смещения и температуры. 114–119.

Технология прецизионного монтажа кристаллов Проектирование и №1. – С.

Погалов А.И. микросхем при изготовлении плоских бесконтакт- технология электрон- 2 3 3 57–61.

ных идентификаторов. ных средств.

Сканер для сверхвысоковакуумного низкотемпера- Приборы и техника №3. – С.

Логинов Б.А. 2 5 1 турного сканирующего туннельного микроскопа. эксперимента. 148–149.

Особенности получения наноструктурированного Российские нанотех- №1–2. – С.

Гаврилов С.А. 2 3 3 анодного оксида алюминия. нологии. 223–227.

Отчет о самообследовании МИЭТ Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнеч Российские нанотех- №1–2.– С.

Шерченков А.А. ных элементов с очень тонким абсорбирующим сло- 2 4 4 нологии. – 228–232.

ем.

Т.2.

Сенсорные свойства структур на основе углеродных Российские нанотех Бобринецкий И.И. – № 5–6.

2 1 1 нанотрубок. нологии.

– С. 90–94.

Фрактальные методы анализа степени упорядочен- Российские нанотех- № 1–2. – С.

Герасименко Н.Н. 2 2 2 ности наноструктур. нологии. 136–139.

Контроль параметров дискретных наноразмерных Российские нанотех- № 3–4. – С.

Герасименко Н.Н. 2 5 3 структур. нологии. 130–133.

Т.3. – № 3 Учебно-исследовательский нанотехнологический Российские нанотех Неволин В.К. 4. – С. 173– 2 5 5 комплекс. нологии.

175.

Известия высших Колебательные процессы в нанокристаллах CdS, учебных заведений. №3. – С.

Гаврилов С.А. CdSe, и ZnSe: установление корреляции между гео- 2 3 1 Материалы электрон- 32–38.

метрической формой и оптическими свойствами.

ной техники.

Известия высших Метод получения квантово-размерных структур ин- учебных заведений. №4.– С.

Павлова Л.М. 2 3 2 конгруэнтным испарением сплавов. Материалы электрон- 47– ной техники.

Релаксация упругих напряжений в процессе форми- Известия высших рования квантовых точек в Si-Ge-структурах, изго- учебных заведений. №3. – С.

Болотов И.Н. 2 5 1 товленных с применением ионной имплантации и Материалы электрон- 64– фотонного отжига. ной техники.

Отчет о самообследовании МИЭТ Учет пространственной неоднородности распределе- Известия высших №3. – С. 3– Королев М.А. ния ловушек при моделировании КНИ МОП- учебных заведений. 2 3 3 структур. Электроника.

Известия высших Нанотехнологии на основе анодных оксидных мате- №5. – С.

Гаврилов С.А. учебных заведений. 2 4 4 риалов. 93–98.

Электроника.

Известия высших Метод эффективной массы и поверхностные состоя- №5. – С.

Горбацевич А.А. учебных заведений. 2 2 2 ния. 11–15.

Электроника.

Исследование кинетики начального этапа высоко- Известия высших №2. – С. 5– Зайцев Н.А. температурного окисления кремния в сухом кисло- учебных заведений. 2 2 2 9.

роде. Электроника.

Известия высших Исследование шума вида 1/f в МДП транзисторах с №6. – С.

Жигальский Г.П. учебных заведений. 2 3 3 разным типом проводимости канала. 13–19.

Электроника.

Особенности технологического процесса очистки Известия высших №4. – Ковалев А.А. полупроводнико-вых структур на основе электро- учебных заведений. 2 1 1 С.13–17.

химического синтеза и рекуперации растворов. Электроника.

Известия высших Интерферометрические волоконно-оптические гиро- №5. – С.

Коркишко Ю.Н. учебных заведений. 2 9 6 скопы с замкнутым контуром обратной связи. 45–60.

Электроника.

Известия высших Особенности технологии изготовления кантилеве- №6. – С.

Раскин А.А. учебных заведений. 2 3 3 ров. 92–93.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Травление кремния методом переменной модуляци- №4. – С. 8– Мочалов А.И. учебных заведений. 2 3 3 еи газов SF6 и C4F8. 12.

Электроника.

Синтез полупроводниковых нитевидных нанокри- Известия высших №1. – С.

Гаврилов С.А. сталлов методом импульсного электрохимического учебных заведений. 2 2 2 31–35.

осаждения с дальнейшей сульфидизацией. Электроника.

Известия высших Теплоемкость антимонидов алюминия, галлия, ин- №5. – С.

Пашинкин А.С. учебных заведений. 2 3 3 дия. 94–95.

Электроника.

Известия высших Григорашвили Метод локации источников слабых магнитных по- №2. – С.

учебных заведений. 2 3 3 Ю.Е. лей. 37–41.

Электроника.

Известия высших Упорядоченная фаза La2CaF8 с модифицированной №4. – С. 3– Максимов С.К. учебных заведений. 2 1 1 структурой тисонита. 7.

Электроника.

Механизм наноструктурирования нестехиометриче- Известия высших №5. – С.

Максимов С.К. ских фторидов Ba1 учебных заведений. 2 1 1 83–92.

решеткой на основе CaF2. Электроника.

Известия высших Двухволновая рентгеновская рефлектометрия пленок №5. – С.

Герасименко Н.Н. учебных заведений. 2 5 3 металлов и силицидов металлов на кремнии. 27–34.

Электроника.

Технологические аспекты получения тонкопленоч- Известия высших №1. – С. 9– Батюня Л.П. ных структур для высокотемпературных сверхпро- учебных заведений. 2 1 1 12.

водников. Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Состояние и перспективы развития технологии Известия высших №5. – С.

Тимошенков В.П. кремниевых гетеропереходных биполярных транзи- учебных заведений. 2 1 1 19–26.

сторов для СВЧ применений. Электроника.

Известия высших Исследование сложнопрофильных микрообъектов №1. – С.

Сауров А.Н. учебных заведений. 2 5 5 методами атомной силовой микроскопии. 85–86.

Электроника.

Неоднородность примеси в полупроводниковых кри- Известия высших №6. – С. 3– Гончаров В.А. сталлах, выращенных в космических условиях мето- учебных заведений. 2 3 2 10.

дами направленной кристаллизации. Электроника.

Известия высших Реле на основе МЭМС с электростатическим прин- №4. – С.

Тимошенков С.П. учебных заведений. 2 5 5 ципом управления. 44–50.

Электроника.

Известия высших Шум вида 1/f в МОП транзисторах с разным типом №3. – С.

Жигальский Г.П. учебных заведений. 2 4 4 проводимости канала при температурах 300 и 77 K. 81–82.

Электроника.

Исследование нелинейности вольтамперных харак- Известия высших №5. – С.

Жигальский Г.П. теристик тонких пленок меди и никеля импульсным учебных заведений. 2 5 5 84–85.

методом. Электроника.

Известия высших Исследование углеродного наноматериала методами №4. – С. 3– Неволин В.К. учебных заведений. 2 4 4 атомно-силовой и электронной микроскопии. 6.

Электроника.

Известия высших Формализация задачи построения центроидных № 1. – С.

Лобская И.В. учебных заведений. 2 1 1 структур в прецизионных аналоговых микросхемах. 49–54.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Моделирование процессов интеграции ИК- №1. – С.

Уздовский В.В. учебных заведений. 2 3 3 фотоприемников и КМОП- мультиплексора. 28–35.

Электроника.

Моделирование и оптимизация КМОП структуры Известия высших для вертикально интегрированных в нее однокон- №6. – С.

Уздовский В.В. учебных заведений. 2 3 3 тактных фотодетекторов с разделением цветов види- 18–24.

Электроника.

мого спектрального диапазона.

Известия высших Исследование физико-химических свойств стекло- № 2. – С.

Ильяшева Е.В. учебных заведений. 2 1 1 видных материалов системы СrO-Al2O3-B2O3. 16–20.

Электроника.

Известия высших Катодно-плазменная металлизация тканых материа- № 3. – С.

Бобринецкий И.И. учебных заведений. 2 2 2 лов. 73–74.

Электроника.

Известия высших Исследование и моделирование температуры плав- №1. – С.

Гаврилов С.А. учебных заведений. 2 5 5 ления малоразмерных систем. 15–21.

Электроника.

Феноменологическое описание процесса дисперги- Известия высших №2. – С.

Гаврилов С.А. рования на капли тонких пленок кремния толщиной учебных заведений. 2 5 5 21–28.

8-60 нм. на инертной поверхности Al2O3. Электроника.

Известия высших Исследование свойств наноразмерных пленок тита- № 5. – С.

Рощин В.М. учебных заведений. 2 4 4 ната-цирконата свинца. 3–7.

Электроника.

Известия высших Локальное травление кремния с использованием по- №1. – C.

Белов А.Н. учебных заведений. 2 1 1 ристого оксида алюминия в качестве твердой маски. 11–14.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Распределение зарядовых состояний в щели подвиж- №4. – С. 7– Шерченков А.А. учебных заведений. 2 2 2 ности a-Si:H. 14.

Электроника.

Известия высших №5. – С.

Пашинкин А.С. Теплоемкость теллурида висмута. учебных заведений. 2 3 3 80–81.

Электроника.

Известия высших Исследование напряженно-деформированного со- № 5. – С.

Погалов А.И. учебных заведений. 2 4 4 стояния материалов гибких шлейфов. 13–17.

Электроника.

Фаза La2CaF8 со структурой, производной от LaF3 и Известия высших № 3. – С.

Максимов С.К. проблема структурной организации нестехиометри- учебных заведений. 2 2 2 3–11.

ческих фаз. Электроника.

Известия высших Исследование углеродного наноматериала методами №.4. – C.

Неволин В.К. учебных заведений. 2 4 4 атомно-силовой и электронной микроскопии. 3–6.

Электроника.

Известия высших Рентгеновская рефлектометрия кремния, импланти- №3. – С.

Герасименко Н.Н. учебных заведений. 2 6 4 рованного фтором. 70–72.

Электроника.

Известия высших Особенности формирования фоторезистивных пле- №6. – С.

Тимошенков С.П. учебных заведений. 2 3 3 нок на подложках некруглой формы. 71–74.

Электроника.

Известия высших Численное моделирование и оптимизация площади №6. – С.

Ключников А.С. учебных заведений. 2 1 1 мощного ДМОП-транзистора. 79–80.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Двумерное моделирование субмикронных МОП- №3. – С.

Уздовский В.В. учебных заведений. 2 3 3 транзисторов в охлаждаемых ИК-фотоприемниках. 36–42.

Электроника.

Специальная диаграмма Вороного для построения Известия высших №4. – С.

Малинаускас К.К. графа ограничений в задачах топологического про- учебных заведений. 2 1 1 21–27.

ектирования СБИС. Электроника.

Экспериментальное исследование временных рас Известия высших пределений коротких лазерных импульсов после №1. – С.

Терещенко С.А. учебных заведений. 2 4 4 прохождения однородного слоя сильнорассеиваю- 72–80.

Электроника.

щей биологической среды.

Исследование и моделирование термопрочности Известия высших №5. – С.

Погалов А.И. пластиковых бесконтактных идентификационных учебных заведений. 2 5 4 18– карт. Электроника.

Известия высших Формирование нанометровых слоев фокусирован- №3. – C.

Лосев В.В. учебных заведений. 2 3 3 ным ионным пучком. 63–67.

Электроника.

Исследование тепловых эффектов и явлений самора- Известия высших №2. – С.

Крупкина Т.Ю. зогрева в планарных силовых МОП транзисторах учебных заведений. 2 4 4 52–57.

КНИ-типа. Электроника.

Автоматизация проектирования библиотек стандарт- Известия высших №4. – С.

Путря М.Г. ных элементов на основе параметризованных ячеек в учебных заведений. 2 4 4 31–35.

САПР Cadence. Электроника.

Известия высших Построение цифровых схем на основе элементов №1. – С.

Крупкина Т.Ю. учебных заведений. 2 3 3 конденсаторно-транзисторного типа. 56–61.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Квазибезотражательные потенциалы в полупровод- №2. – С. 3– Горбацевич А.А. учебных заведений. 2 3 3 никовых наногетероструктурах 13.

Электроника.

Известия высших Оптимизация геометрии структуры арсенидгалиевых №3. – С.

Ильичев Э.А. учебных заведений. 2 3 3 детекторов с учетом рекомбинационных потерь. 52–57.

Электроника.

Объмный альбуминовый композит на основе нанот- Известия высших №5. – С.

Неволин В.К. рубок получаемый действием напрерывного лазер- учебных заведений. 2 7 5 33–40.

ного излучения. Электроника.

Известия высших Применение компиляцион-ного подхода к моделиро- №4. – С.

Булах Д.А. учебных заведений. 2 1 1 ва-нию аналоговых схем 26–30.

Электроника.

Известия высших Методы логико-временного анализа заказных блоков №5. – С.

Гаврилов С.В. учебных заведений. 2 3 2 СБИС. 41–50.

Электроника.

Известия высших Методы логико-временного анализа цифровых №6. – С.

Гаврилов С.В. учебных заведений. 2 3 3 СБИС с учетом эффектов деградации транзисторов. 30–40.

Электроника.

Расчет конструктивных параметров и электрического Известия высших №1. – С.

Уздовский В.В. потенциала трехдиодной вертикально интегрирован- учебных заведений. 2 3 3 35–43.

ной спектрально-селективной фотоячейки Электроника.

Анализ процессов фоторелаксации и фотоэлектриче- Известия высших №3. – С.

Уздовский В.В. ских характеристик трехдиодной вертикально интег- учебных заведений. 2 3 3 38–45.

рированной спектрально-селективной фотоячейки. Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Фотоэлектрические процессы в пятидиодной верти- Известия высших №4. – С.

Уздовский В.В. кально интегрированной спектрально-селективной учебных заведений. 2 3 3 10–16.

фотоячейки. Электроника.

Известия высших Инжекционные фотодиоды на основе низкоомных №4. – С.

Лосев В.В. учебных заведений. 2 1 1 монокристаллов ZnS. 17–22.

Электроника.

Известия высших Емкостная методика сканирующей зондовой микро- №6. – С.

Лосев В.В. учебных заведений. 2 2 2 скопии в атмосфере воздуха. 80–82.

Электроника.

Известия высших Исследование влияния модификации поверхности №4. – С.

Вернер В.Д. учебных заведений. 2 3 3 микрорезонаторов на их частотные свойства. 55–61.

Электроника.

Известия высших Теория электропроводности неоднородных материа- №1. – С. 3– Лавров И.В. учебных заведений. 2 1 1 лов с текстурой. 9.

Электроника.

Исследование состава материалов на основе функ- Известия высших №2. – С.

Шутова Р.Ф. циональных стекол для изготовления толстопленоч- учебных заведений. 2 3 3 43–48.

ных терморезистивных датчиков Электроника.

Применение инверсионной вольтамперометрии для Известия высших №1. – С.

Хаханина Т.И. контроля содержания микропримесей в синтетие- учебных заведений. 2 2 2 79–83.

ском сапфире. Электроника.

Метод измерения точки росы, основанный на эффек- Известия высших №5. – С.

Кострицкий С.М. те изменения коэффициента отражения от скола во- учебных заведений. 2 4 4 74–78.

локна. Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Исследование напряженно-деформированного со- №6. – С. 8– Погалов А.И. учебных заведений. 2 6 3 стояния СВЧ МДП-диодов. 14.

Электроника.

Особенности движения заряженных частиц в ВЧ- Известия высших №4. – С.

Мальцев А.В. поле при амплитудной модуляции питающего на- учебных заведений. 2 1 1 22–25.

пряжения квадрупольного фильтра масс. Электроника.

Известия высших Проблемы текстурированности в нанотехнологии. №3. – С.

Максимов С.К. учебных заведений. 2 2 2 Контроль текстур. 49– Электроника.

Особенности, методика и преимущества интеграль Известия высших ного метода исследования текстур наноразмерных №3. – С.

Максимов С.К. учебных заведений. 2 1 1 кристаллитов в электронной микроскопии. I. Физи- 85– Электроника.

ческие основы метода.

Особенности, методика и преимущества интеграль Известия высших ного метода исследования текстур наноразмерных №4. – С.

Максимов С.К. учебных заведений. 2 1 1 кристаллитов в электронной микроскопии. II. Прак- 47–54.

Электроника.

тическая реализация метода.

Прецизионный истоковый повторитель с малым Известия высших Старосельский №1. – С.

входным током на полевых транзисторах с управ- учебных заведений. 2 2 2 В.И. 43–48.

ляющим барьерным контактом. Электроника.

Исследование прохождения оптического излучения Известия высших №5. – С.

Терещенко С.А. через многослойные рассеивающие среды в прибли- учебных заведений. 2 3 3 79–83.

жении "рассеяние прямо назад". Электроника.

Известия высших Объемный альбуминовый композит на основе нанот- №5. – С.

Неволин В.К. учебных заведений. 2 8 5 рубок, получаемый действием лазерного излучения. 33–40.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Исследование электрофизических свойств и опреде- Известия высших №2. – С.

Штерн Ю.И. ление механизмов тепло- и электропроводности в учебных заведений. 2 1 1 73–77.

термоэлектрических материалах на основе Bi2Te3. Электроника.

Известия высших Технология герметизации термоэлектрических мо- №4. – С.

Штерн Ю.И. учебных заведений. 2 1 1 дулей. 53–56.

Электроника.

Известия высших Эффективные характеристики и анизотропия упру- учебных заведений.

№2. – С.

Бардушкин В.В. гих свойств трехфазного композита с ориентирован- Северо-Кавказский 2 4 3 89–92.

ными неизометричными включениями. регион. Технические науки.

Влияние размеров кристаллитов на эффективные №1. – С. 5– Бардушкин В.В. Вестник РГУПС. 2 5 3 упругие характеристики нано-поликристаллов. 8.

О моноазимутальных решениях уравнения Ландау- Т.5. – Вып Нелинейная динами Островская Н.В. Лифшица для ферромагнетика с одноосной анизо- 3. – С. 201– 2 1 1 ка.

тропией. 208.

Оборонный комплекс научно-техническому Оптимизация конструкции самосовмещенных сило- – 2006. – прогрессу России:

Крупкина Т.Ю. вых МОП-транзисторов методами приборно- №2. – С.

2 4 4 Межотр. науч.-техн.

технологического моделирования. 33–36.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2006. – Особенности изготовления самоформируемых СВЧ прогрессу России:

Сауров А.Н. №1. – С.

2 4 4 транзисторных структур на кремнии (2 часть). Межотр. науч.-техн.

44–49.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно-техническому К теории стохастических процессов в молекулярных прогрессу России: №2. – С.

Иванов Е.Н. 2 1 1 кристаллах. Межотр. науч.-техн. 61–63.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому Внутреннее напряженно-деформированное состоя- – 2006. – прогрессу России:

Бардушкин В.В. ние в двухкомпонентном нетекстурированном ком- №2. – С.

2 3 3 Межотр. науч.-техн.

позите. 24–28.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2006. – Моделирование и прочностной анализ гибких шлей- прогрессу России:

Погалов А.И. №1. – С.

2 4 4 фов. Межотр. науч.-техн.

49–54.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Выбор рационального типа гибкой связи для транс- – 2006. – прогрессу России:

Гребенкин В.З. портирующих пассиковых агрегатов микроэлектро- №4. – С.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

ники. 28–32.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому Расчет параметров чувствительного элемента мик- – 2007. – прогрессу России:

Тимошенков С.П. ромеханического гироскопа вибрационного типа с №3. – С.

2 3 3 Межотр. науч.-техн.

заданным диапазоном измеряемых скоростей. 54–57.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому Динамика чувствительного элемента микромехани- – 2007. – прогрессу России:

Тимошенков С.П. ческого гироскопа на равномерно вращающемся ос- №3. – С.

2 3 3 Межотр. науч.-техн.

новании. 58–61.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – прогрессу России:

Тимошенков С.П. Изготовление роторного узла микродвигателя. №3. – С.

2 3 3 Межотр. науч.-техн.

92–95.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Термопрочность микросоединений бескорпусных прогрессу России:

Погалов А.И. №1. – С.

2 4 4 ИС бесконтактных идентификаторов. Межотр. науч.-техн.

38–42.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому Оптимизация методов нанесения износостойких и – 2007. – прогрессу России:

Гусев В.В. антифрикционных покрытий, работающих при высо- №2. – С.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

ких удельных нагрузках. 22–27.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Моделирование и прочностной анализ многокри- прогрессу России:

Погалов А.И. №2. – С.

2 4 4 стального модуля в трехмерном исполнении. Межотр. науч.-техн.

46–51.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Разработка микромеханического реле с электроста- прогрессу России:

Тимошенков С.П. №1. – С.

2 5 5 тическим принципом управления. Межотр. науч.-техн.

16–20.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс Определение времени срабатывания биморфного научно-техническому – 2007. – балочного актюатора с V-образными канавками, за- прогрессу России:

Гусев В.В. №1. – С.

2 2 2 полненными полиимидом на базе тепловых расчетов Межотр. науч.-техн.

49–54.

процессов нагрева и охлаждения балки. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Термопрочность микросоединений бескорпусных прогрессу России:

Погалов А.И. №1. – С.

2 4 4 ИС бесконтактных идентификаторов. Межотр. науч.-техн.

38–42.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Теория диэлектрической проницаемости композици- прогрессу России:

Иванов Е.Н. №1. – С.

2 2 2 онных материалов с текстурой (часть 1). Межотр. науч.-техн.

73–78.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Теория диэлектрической проницаемости композици- прогрессу России:

Иванов Е.Н. №2. – С.

2 2 2 онных материалов с текстурой (часть 2). Межотр. науч.-техн.

20–22.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – прогрессу России:

Иванов Е.Н. Ещ о проблеме случайных блужданий. №3. – С.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

101–105.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – К теории стохастических процессов в конденсиро- прогрессу России:

Иванов Е.Н. №1. – С.

2 2 2 ванных средах. Межотр. науч.-техн.

60–68.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Двухмассовый пьезорезистивный микроакселеро- прогрессу России:

Погалов А.И. №2. – С.

2 3 3 метр. Межотр. науч.-техн.

100–104.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно-техническому – 2007. – Моделирование, динамический и прочностной ана- прогрессу России:

Погалов А.И. №2. – С.

2 3 3 лизы пьезорезистивных микросенсоров ускорения. Межотр. науч.-техн.

105–111.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно-техническому Применение смешанного моделирования в процессе – 2007. – прогрессу России:

Погалов А.И. разработки интегрального тензопреобразователя ус- №4. – С.

2 5 5 Межотр. науч.-техн.

корения. 36–40.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2007. – Установка эпитаксиального наращивания для инди- прогрессу России:

Тимофеев В.Н. №1. – С.

2 5 3 видуальной обработки подложек большого диаметра. Межотр. науч.-техн.

43–50.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс Сравнительные испытания на износоустойчивость научно- техническому – 2007. – комбинированных лент применительно к условиям прогрессу России:

Гребенкин В.З. №1. – С.

2 2 2 эксплуатации пассиковых агрегатов для производст- Межотр. науч.-техн.

21–29.

ва ИЭТ. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс Аналитическая оценка интенсивности генерации научно- техническому – 2007. – загрязняющих частиц при установке и съеме транс- прогрессу России:

Гребенкин В.З. №3. – С.

2 2 2 портирующих объектов в пассиковом агрегате про- Межотр. науч.-техн.

61–65.

изводства ИЭТ. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Характеристики газового потока в щелевом реакторе – 2007. – прогрессу России:

Тимофеев В.Н. эпитаксиального наращивания одиночных подложек №3. – С.

2 4 3 Межотр. науч.-техн.

большого диаметра. 96–100.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Методы и средства атомно-силовой микроскопии в Текстильная промыш- №1-2. – С.

Бобринецкий И.И. исследованиях волокнистого сырья и продукции тек- 2 1 1 ленность. 9–15.

стильной промышленности.

Технология производства углеродных нанотрубок Химическая техноло- Т.8. – №2. – Неволин В.К. методом каталитического пиролиза этанола из газо- 2 3 3 гия. С. 58–62.

вой фазы этанола.

Пористая структура нефте- и металлосорбентов на Химия растительного №5. – С.

Логинов Б.А. основе карбамидных поро-пластов, модифицирован- 2 6 2 сырья. 50–52.

ных продуктами переработ-ки растительного сырья Экологический вест ник научных центров О методе моделирования текстурообразования в по- №2. – С.

Бардушкин В.В. Черноморского эко- 2 5 5 ликристаллах при различных внешних напряжениях. 33–36.

номического сотруд ничества (ЧЭС).

Чувствительные элементы МЭМС: технология опре- Электроника: Наука, №1. – С.

Тимошенков С.П. 2 3 3 деляет параметры. Технология, Бизнес. 66–69.

Вопросы атомной науки и техники. Се- Вып.2. – С.

Тимошенков С.П. Свойства атома позитрония в кварце. 2 9 4 рия: Физика ядерных 10 – 15.

реакторов.

Журнал эксперимен- Т.103. – Полярные оптические фононы в полупроводниковых Гаврилов С.А. тальной и теоретиче- Вып. 6(12).

1 5 1 нанокристаллах CdS.

ской физики. – С. 1–10.

Исследование позитронных состояний и нанообъек- Журнал эксперимен- Т.133. – Тимошенков С.П. тов в монокристаллах кварца, облученных протона- тальной и теоретиче- Вып.4. – C.

1 8 3 ми. Атом позитрония в кварце. ской физики. 723–734.

Отчет о самообследовании МИЭТ Микроструктура и ионная проводимость перовскито- Неорганические мате- Т.43. – № 9.

Логинов Б.А. 2 6 2 подобных твердых растворов (La1/2Li1/3+x)TiO3. риалы. – С. 1–6.

Доменная структура и электрофизические характе Неорганические мате- Т.43. – №1.

Логинов Б.А. ристики монокристаллов ниобата лития, легирован- 2 7 2 риалы. – С. 74–79.

ного Gd или Tm.

Относительная рентгеновская рефлектометрия дис- Письма в Журнал тех- Вып. 5. – С.

Герасименко Н.Н. 2 5 2 кретных слоистых структур. нической физики 87–94.

Поверхность. Рентге О роли спиновой поляризации электронов в эффекте новские, синхротрон- №5. – С. 3– Логинов Б.А. 2 5 2 инжекционного ГМС в системе Ni-полимер-Cu. ные и нейтронные 38.

исследования.

Управление заселенностью верхней рабочей подзоны Т.42. – Физика и техника по Капаев В.В. электрическим полем в структурах с асимметричны- Вып. 7. – С.

2 6 3 лупроводников.

ми барьерами для униполярного лазера. 856–863.

Фазовый переход первого рода в окрестности струк турного перехода Ян–Теллеровского типа в калий– Т.48. – Попов А.И. диспрозиевом вольфрамате, индуцированный поле- Физика твердого тела. Вып. 8. – С.

1 7 3 вой перенормировкой и размягчением упругих мо- 1467–1473.

дулей.

Исследование ударной микроструктуры на поверх Физика и химия обра- №2. – С.

Логинов Б.А. ности медной пластины, экспонировавшейся в от- 2 5 3 ботки материалов. 28–31.

крытом космосе.

Чувствительность структур на основе сеток пучков №9. – С.

Неволин В.К. углеродных нанотрубок, к изменению концентрации Датчики и системы. 2 5 3 58–63.

аммиака в атмосфере.

Отчет о самообследовании МИЭТ Гетерогенная триплеттриплетная аннигиляция моле- Т.74. – №2.

Журнал прикладной Логинов Б.А. кул эритрозина и антрацена на фрактальной поверх- – С. 205– 2 5 2 спектроскопии.

ности анодирован-ного алюминия. 210.

Исследование пористого кремния методом пози- Химия высоких энер- Т.41. – №1.

Гаврилов С.А. 1 9 5 тронной аннигиляционной спектроскопии. гий. – С. 1–6.

Поглощение ИК излучения полярными оптическими Письма в Журнал экс- Т.84. – Гаврилов С.А. фононами нанокристаллов CdS, состоящем из кван- периментальной тех- Вып.3. – С.

2 7 1 товых точек и квантовых нитей. нической физики. 152–155.

Поверхность. Рентге Исследование радиационных нарушений в монокри- новские, синхротрон- №7. – С.

Тимошенков С.П. 2 9 4 сталлах кварца, облученных протонами. ные и нейтронные 10–18.

излучения.

Поверхность. Рентге Термализация позитронов и атома позитрония в по- новские, синхротрон- №2. – С.

Тимошенков С.П. 2 8 2 лу-проводниках и ионных кристаллах. ные и нейтронные 15–20.

излучения.

О возможности исследования некоторых дефектных Т.42. – № 6.

Химия высоких энер Тимошенков С.П. и пористых систем методом позитронной аннигиля- – С. 528– 1 9 3 гий.

ционной спектроскопии. 535.

Активные полимерные волокна с органическими Квантовая электрони- Т.36. – № Подгаецкий В.М. красителями. Генерация и усиление когерентного 2 8 2 ка. 11.

излучения.

Новый тип наноструктуры в композитных Si – C Неорганические мате- №6. – С.

Беспалов В.А. 2 12 4 электродах для литий-ионных аккумуляторов. риалы. 44–48.

Отчет о самообследовании МИЭТ P-i-n-структуры на основе высокоомного геттериро Письма в Журнал тех- Т.32. – Ильичев Э.А. ванного арсенида галлия для детекторов alpha – 2 14 5 нической физики. Вып. 22.

частиц.

Возможные синергетические подходы к проблемам №9. – С.

Тимошенков С.П. Материаловедение 2 13 6 современного материаловедения наноматериалов 44–52.

Перспективы использования цельнометаллических и композитных мембран из сплавов палладия для по- Перспективные мате- №3. – С.

Мочалов З.А. 2 8 2 лучения особочистого водорода в промышленном риалы. 210–216.

масштабе.

Nonlocal electrodynamics of fluxons and nonlinear Vol. 73. – Alfimov G.L. plasma oscillations in a distributed Josephson junction Physical Review B. 1 2 2 pp. 214512.

with electrodes of arbitrary thickness.

Nonlinear modes for the Gross–Pitaevskii equation—a Nonlinearity. Institute pp. 2075– Alfimov G. L. 1 2 1 demonstrative computation approach. of Physics. 2092.

A 79. – Stability of two-dimensional radial exited states of a art.033622, Zezyulin D.A. Physical Review: 1 1 1 (2009). – Bose-Einstein condensate in an harmonic trap.

p.

V. 22, art.

Nonlocal electrodynamics of Josephson vortices in su- Superconductor Science Alfimov G. L. 1 3 1 (2009). – perconducting circuits. and Technology.

p.

Vol. 78. – Stability of excited states of a Bose-Einstein condensate Alfimov G.L. Physical Review A. 1 4 2 in an anharmonic trap. pp. 013606.

Отчет о самообследовании МИЭТ №1. – pp.

TRACE MODE Data Center: efficient solution of indus Kravchenko I.V. Control Engineering. 1 1 1 trial control quidance. 52–59.

May 26-28.

– pp. 568 Barinov V.V. The Advanced Boost Circuit for MOS Analog Switch. IEEE ICCSC 2008. 1 3 3 571.

Vol. 6. – № 2. – pp.

Kolpakov R. New Algorithms for Text Fingerprinting. J. Discret. Algorithms. 1 2 1 243–255.

June 16–19.

Krouglov Yu.V. Low power PN synchronization technique. ICT 2008 1 3 3 – pp. 1–5.

Proceedings of Vol. 5029. – Kolpakov R. Searching for Gapped Palindromes. CPM'08. Lecture Notes 1 2 1 pp. 18–30.

in Computer Science.

Proceedings of IEEE May 18 – Region 8 Eurocon Con 23, 2009. – Linearly constrained adaptive arrays based on a quadrat Djigan V.I. ference (Saint Peters- 1 1 1 ic constant modulus criterion P. 1408– burg Electrotechnical 1415.

University) Proceedings of the 7-th IEEE East-West Design September & Test Symposium 18 – 21, Applied library of lattice adaptive filters for nonstatio Djigan V.I. (EWDTS) (Moscow 1 1 1 2009. – P.

nary signal processing State Institute of Elec 87–92.

tronics and Mathemat ics).

Отчет о самообследовании МИЭТ Networked embedded and control system – 2009. – P.

Optimization of Digital Wireless Transceiver Embedded Barinov V.V. technologies: European 1 4 4 System Built on Xilinx FPGA. 90–93.

and Russian R&D co operation.

6th International Conf.

on Information Tech Ternary Concatenated Codes with QAM-9 Modulation nology: New Genera- April 27– Kuznetsov V. S. 1 1 1 tions. ITNG 2009. – 2009. – Р. 3.

and Their Possibilities.

Las Vegas, NV, USA, April 27–29 2009.

2009 IEEE Internation al Conference on Con – 2009. – P.

The ideal representations, rocks and realities of statistical Trojanovski V.M. trol Applications. IEEE 1 2 2 methods’ identification. 1472–1476.

Catalog № CFP09CCA CDR.

– Vol. 410.

– No. 51. – Theoretical Computer Kolpakov R. Searching for gapped palindromes. 1 2 2 Science. P. 5299– 5382.

Proceedings of 15th International Sympo – Vol.

sium on String 5280. – P.

Kolpakov R. Faster Text Fingerprinting Processing and Infor- 1 2 1 mational Retrieval, Lec- 15– 26.

ture Notes in Computer Science.

Vol. 4263. – A Leader Election Protocol for Timed Asynchronous Springer: Lecture Notes pp. 877 – Ilushechkina L. 1 3 1 Distributed Systems. in Computer Science.

886.

Rome, Italy, Quasi-optimal signal processing in ground forward scat- IEEE Radar May 26-30.

Cherniakov M. 1 4 4 – pp. 2044– tering radar. Conference.

2049.

Отчет о самообследовании МИЭТ Rome, Italy, Vegetation clutter spectral properties in VHF/UHF bis- IEEE Radar May 26-30.

Cherniakov M. 1 4 4 – pp. 1466– tatic Doppler radar. Conference.

1471.

Adelaide, Australia, 2 The Concept of a Forward Scattering Micro-Sensors International Cherniakov M. 1 7 3 Radar Network for Situational Awareness. Conference on Radar. September.


– pp. 171– 176.

Amsterdam, The Nether Automatic Target Classication in a Low Frequency European Microwave lands, 27- Cherniakov M. 1 6 2 FSR Network. Week 2008. October 2008. – pp.

68–71.

Т.408. – Численное решение сверхжестких дифференциаль Альшин А.Б. Доклады РАН. №4. – С. 1– 2 4 2 но-алгебраических систем.

5.

Т.410. – Альшина Е.А. Квадратуры от функций с особенностями. Доклады РАН. №1. – С. 1– 2 4 2 4.

Журнал вычислитель Численная диагностика разрушения решений псев- Т.46. – № 7.

Альшин А.Б. ной математики и ма- 2 2 2 допараболических уравнений. – С. 1205.

тематической физики.

Журнал вычислитель Разрешимость задачи Неймана для одного соболев- Т.46. – № 7.

Альшин А.Б. ной математики и ма- 2 2 1 ского псевдопараболического уравнения. – С. 1207.

тематической физики.

Отчет о самообследовании МИЭТ Схемы Розенброка с комплексными коэффициента- Журнал вычислитель- Т.46. – №8.

Альшина Е.А. ми для жестких идифференциально-алгебраических ной математики и ма- – С. 1410– 2 4 2 систем. тематической физики. 1431.

Оптимальные параметры явных схем Рунге-Кутты Математическое мо- Т.18. – № 2.

Альшина Е.А. 2 3 1 невысоких порядков. делирование. – С. 61–71.

Прецизионная ротационно-инвариантная параметри- Математическое мо- Т.20. – №1.

Альшина Е.А. 2 4 1 зация кривой. делирование. – С. 16–28.

Фундаментальная и Т.12. – №8.

Условия регулярности полугруппы изотонных пре Кожухов И.Б. прикладная математи- – С. 97– 2 2 2 образований счетных цепей.

ка. 104.

Т.80. – Вып О сходимости линейных средних рядов Якоби в точ- Математические за Кальней С.Г. 2. – С. 193– 1 1 1 ках Лебега в случае полуцелых. метки.

203.

Т.19. – Периодические свойства простейшего 2-линейного Дискретная математи Козлитин О.А. Вып. 3. – С.

2 1 1 регистра сдвига. ка.

51–78.

Т.19. – Свойства выходной последовательности простейше- Дискретная математи Козлитин О.А. Вып. 4. – C.

2 1 1 го самоуправляемого 2-линейного регистра сдвига. ка.

70–96.

Сложные колебания в индуктивной трехточечной Т.51. – Радиотехника и элек Петров Б.Е. схеме двухконтурного автогенератора на полевом №11. – С.

2 2 2 троника.

транзисторе. 9–16.

Отчет о самообследовании МИЭТ Аналитические оценки топологических характери Т.53. – № 6.

стик области сложных нерегулярных колебаний в Радиотехника и элек Петров Б.Е. – С. 686– 2 1 1 пространстве параметров двухконтурного автогене- троника.

701.

ратора.

Асимптотическая оценка сложности метода ветвей и Т.32. – С.

Колпаков Р.М. границ с ветвлением по дробной переменной для Труды ИСА РАН. 2 2 1 109–136.

задачи о ранце.

Верхняя и нижняя оценки трудоемкости метода вет- Т.32. – С.

Колпаков Р.М. Труды ИСА РАН. 2 2 1 вей и границ для задачи о ранце. 137–158.

Т.62. – О полугруппах изотонных преобразований частично Успехи математиче- Вып. Кожухов И.Б. 2 2 2 упорядоченных множеств. ских наук. (377). – С.

155–157.

Применение СМ-алгоритма аффинных проекций с №10. – С.

Плетнева И.Д. линейными ограничениями для адаптивной фильт- Антенны. 2 2 2 14–24.

рации сигналов в антенной решетке.

Методические основы выбора средств защиты ин Вопросы защиты ин формации на базе алгоритмов дискретного програм- №2. – С.

Гагарина Л.Г. формации: Межотр. 2 3 3 мирования для создания информационного храни- 23–25.

научно-техн. журнал.

лища данных.

Применение шифрования информации для обеспече- Вопросы защиты ин №2. – С.

Гагарина Л.Г. ния информационной безопасности в системе дис- формации: Межотр. 2 4 4 27–32.

танционного обеспечения. научно-техн. журнал.

Разработка программного обеспечения для защиты Вопросы защиты ин №3. – С.

Гагарина Л.Г. информационной подсистемы антенного поста от формации: Межотр. 2 2 2 33–38.

физических воздействий научно-техн. журнал.

Отчет о самообследовании МИЭТ Линейно ограниченная фильтрация сигналов в адап №6. – С. 2– Плетнева И.Д. тивной антенной решетке для систем цифровой свя- Телекоммуникации. 2 2 2 9.

зи.

Серия ЭВТ.

Глобальный коммутатор для многоядерного процес- Вопросы радиоэлек Путря Ф.М. – Вып 3. – 2 2 2 сора с несимметричным доступом к памяти. троники.

С. 28–39.

Информационно Предварительное сглаживание информации в борто- измерительные и №12. – С.

Крыликов О.Н. 2 1 1 вых фазометрических системах управления. управляющие систе- 4.

мы.

Линейно-ограниченный нормализованный алгоритм по критерию наименьшего среднего квадратичного Информационные №10. – С.

Плетнева И.Д. 2 2 2 отклонения для цифровой адаптивной антенной ре- технологии. 68–74.

шетки.

Теоретические основы методики интеллектуального Информационные №8(144). – Гагарина Л.Г. 2 3 3 тестирования. технологии. С. 64–70.

Развитие оптической интроскопии в медицинском №1. – С. 4– Селищев С.В. Медицинская техника. 2 4 4 приборостроении. 9.

Экспериментальный дефибриллятор с программи- №1. – С. 9– Селищев С.В. Медицинская техника. 2 4 4 руемой формой импульса. 13.

Исследование фаз сна по ЭЭГ человека на основе №1. – С.

Селищев С.В. Медицинская техника. 2 3 3 скрытых моделей Маркова. 24– Отчет о самообследовании МИЭТ №1. – С.

Селищев С.В. Нейрокомпьютерный интерфейс на основе Р300. Медицинская техника. 2 3 3 28– Использование основного тона и формантного ана- №1. – С.

Селищев С.В. Медицинская техника. 2 3 3 лиза в задачах голосовой биометрии. 32–37.

Неинвазивные методы измерения уровня глюкозы в №1. – С.

Селищев С.В. Медицинская техника. 2 2 2 крови. 40–48.

Экспериментальное исследование оптических харак- №2. – С. 5– Селищев С.В. Медицинская техника. 2 5 5 теристик однородной сильнорассеивающей среды. 10.

Органические красители в лазерной хирургии хря- №2. – С.

Подгаецкий В.М. Медицинская техника. 2 4 2 щевых тканей. 20–29.

Моделирование процесса массопереноса в гемодиа- №6 (252). – Селищев С.В. Медицинская техника. 2 3 2 лизаторе. С. 31–35.

Совместное использование методов бизнес модели Моделирование и рования и объектно-ориентированной методологии Т.13. – №1.

Игнатова И.Г. анализ информацион- 2 2 2 при проектировании профилированного пользова- – С. 9–13.

ных систем.

тельского интерфейса.

Программный комплекс для моделирования катод №2. – С.

Федирко В.А. ного микроузла с полупроводниковым автоэмитте- Прикладная физика. 2 2 2 48– ром.

Отчет о самообследовании МИЭТ Поиск электронных устройств перехвата информа №1. – С.

Хорев А.А. ции с использованием индикаторов (детекторов) Специальная техника. 2 1 1 50–59.

электромагнитного поля.

В фазе нового подъема (Итоги 11-й ежегодной кон Технологии и средст- №2. – С.

Ширяев А.М. ференции операторов и пользователей сетей спутни- 2 1 1 ва связи. 27–30.

ковой связи и вещания Российской Федерации).

Диалектика спроса и предложения в космической Технологии и средст- №2 (59). – Ширяев А.М. 2 1 1 связи. ва связи. С. 128–132.

Беспроводные сети передачи данных с разных точек Технологии и средст- №3 (60). – Ширяев А.М. 2 1 1 зрения. ва связи. С.19–23.

Традиционные телекомы, IP-коммуникации и корпо- Технологии и средст- №6 (63). – Ширяев А.М. 2 1 1 ративные сети в поисках общего знаменателя. ва связи. С. 105–109.

Опасность и "возможность" (итоги конференции по Технологии и средст- №6. – С.

Ширяев А.М. 2 1 1 спутниковой связи) ва связи. 15–20.

Возможность оптимизации конструкции микросбор- Технологии приборо- №1(17). – Коротков А.А. 2 2 1 ки по эффекту от принимаемых решений. строения. С. 65.

Связь коэффициента выхода годных и наджности Технологии приборо- №3(19). – Сипета Р.В. 2 2 1 для интегральных схем. строения. С. 47.

Отчет о самообследовании МИЭТ Процессно-ориентированный реинжиниринг функ Технологии приборо- №1(21). – Гулидов Д.Н. ционально структурной организации деятельности 2 3 3 строения. С. 67–71.

государственных органов исполнительной власти.

Функционально-итерационный подход к проектиро ванию СМК. Эволюция объектов итерактивности Технологии приборо- №1(21). – Гулидов Д.Н. при переходе к модели функционально- 2 4 4 строения. С. 35– ориентированного проектирования систем менедж мента качества.

Функционально-итерационный подход к проектиро Технологии приборо- №1(21). – Гулидов Д.Н. ванию СМК. Обоснование применимости ФИП к 2 3 3 строения. С. 43– проектированию производственных СМК.

Использование моделей ARIS при разработке функ Технологии приборо- №1(21). – Гулидов Д.Н. ционально ориентированных информационных сис- 2 4 4 строения. С. 48–55.

тем.

Об использовании контекстного векторного кванто Цифровая обработка №2. – С.

Умняшкин С.В. вания в области дискретных вейвлетпреобразований 2 3 3 сигналов. 11–14.

для компрессии изображений.

Анализ корреляционных характеристик расширяю- №3. – С. 2– Баринов В.В. Электросвязь. 2 3 3 щих ансамблей. 3.

Метод оценки величин масштабирования, поворота и Миргородский №4. – С. 1– сдвига сцены с использованием объектов бинаризи- Электросвязь. 2 1 1 А.Ю. 2.

рованных изображений.

Численная оценка параметров поворота и сдвига №4. – С. 3– Казеннов Г.Г. Электросвязь. 2 2 2 изображений. 4.

Отчет о самообследовании МИЭТ Цифровое автоматическое управление временем экс №6. – С.

Манохин Г.А. позиции и балансом белого в матричных приемниках Электросвязь. 2 1 1 16–17.

цветного изображения.

Однокристальный контроллер обработки видео ин- №6. – С.

Манохин Г.А. Электросвязь. 2 1 1 формации со сжатием изображения. 20–22.

Аналого-цифровой преобразователь для цифрового №8. – С.

Адамов Ю.Ф. Электросвязь. 2 4 2 телевидения. 36–38.

Известия высших №11. – С.


Ерзакова Н.А. Асимптотически правильные отображения. учебных заведений. 2 1 1 17–21.

Математика.

Методология оценки эффективности работы автома Известия высших тизированной информационно-поисковой системы №2. – С.

Гагарина Л.Г. учебных заведений. 2 2 2 на основе интегральных критериев уровня качества 42–46.

Электроника.

поиска.

Известия высших Обнаружение импульсного сигнала с применением №1. – С.

Переверзев А.Л. учебных заведений. 2 1 1 медианной фильтрации. 36–40.

Электроника.

Известия высших Излучающая апертура АФАР Ku-диапазона для №1. – С.

Чистюхин В.В. учебных заведений. 2 1 1 приема спутникового ТВ. 41–46.

Электроника.

Известия высших Пространственное подавление помех на базе цифро- №2. – С.

Чистюхин В.В. учебных заведений. 2 4 4 вой антенной решетки. 64–70.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Мобильные АФАР для приема сигнала спутникового №3. – С.

Чистюхин В.В. учебных заведений. 2 5 4 телевидения. 54–60.

Электроника.

Алгоритм сжатия изображений на основе контекст- Известия высших №6. – С.

Умняшкин С.В. ного скалярно-векторного квантования в области учебных заведений. 2 3 3 86–88.

дискретного вейвлет-преобразования. Электроника.

Известия высших Структура координатной системы контроля движу- №3. – С.

Демкин В.И. учебных заведений. 2 3 3 щихся объектов. 82–84.

Электроника.

Интегрированные устройства цифрового сопряжения Известия высших №6. – C.

Янчук Е.Е. мультиплексирования и каналообразования для ра- учебных заведений. 2 1 1 65–72.

диорелейных линий связи. Электроника.

Известия высших Анализ возможности повышения достоверности те- №1. – C.

Янчук Е.Е. учебных заведений. 2 1 1 лесигнализации в радиорелейных линиях связи. 65–71.

Электроника.

Известия высших Оценка качества речепреобразования в низкоскоро- №5. – С.

Лупин С.А. учебных заведений. 2 2 2 стных вокодерах на этапах проектирования. 45–52.

Электроника.

Известия высших Система биометрической идентификации по локаль- №2. – С.

Сотников А.В. учебных заведений. 2 2 2 ным особенностям отпечатков пальцев. 60–67.

Электроника.

Известия высших Комбинированный метод моделирования сложных №1. – С.

Круглов Ю.В. учебных заведений. 2 3 3 дискретных схем. 41–48.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Пакет программ для анализа вероятностно- №4. – С.

Гагарина Л.Г. учебных заведений. 2 2 2 временных характеристик сетей GPRS. 58–64.

Электроника.

Известия высших Эвристические алгоритмы контурной сегментации №4. – С.

Колдаев В.Д. учебных заведений. 2 1 1 изображений. 70–75.

Электроника.

Известия высших Влияние технологических факторов на спектр резо- №3. – С.

Гуреев А.В. учебных заведений. 2 2 2 натора круглого сечения. 75–76.

Электроника.

Параметрическая оптимизация систем автоматиче- Известия высших №4. – С.

Дубовой Н.Д. ского регулирования с термическим объектом при учебных заведений. 2 2 2 85–86.

изодромном управлении. Электроника.

Известия высших Система управления соотношениями скоростей №5. – С.

Дубовой Н.Д. учебных заведений. 2 2 2 двухкоординатного шагового привода. 90–92.

Электроника.

Известия высших Математическая модель системы управления квази- №4. – C.

Портнов Е.М. учебных заведений. 2 2 2 стационарными логистическими потоками. 51–57.

Электроника.

Известия высших Метод формирования целевых Web-интерфейсов для №4. – С.

Игнатова И.Г. учебных заведений. 2 2 2 работы с информационными ресурсами. 65–70.

Электроника.

Известия высших Аппаратная реализация одномерного медианного №1. – С.

Переверзев А.Л. учебных заведений. 2 1 1 фильтра с модульной архитектурой. 68–73.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Формализация процессов интеграции информацион- №3. – С.

Лупин С.А. учебных заведений. 2 3 3 ных систем на основе теории множеств. 68– Электроника.

Идентификация параметров функционирования Известия высших №5. – С.

Терентьев А.И. сложных технических систем на основе априорной учебных заведений. 2 1 1 56–62.

информации и результатов испытаний. Электроника.

Известия высших Особенности проектирования цифровых антенных №4. – С.

Лялин К.С. учебных заведений. 2 3 3 решеток. 36–41.

Электроника.

Исследование алгоритма множественного доступа с Известия высших №6. – С.

Чиркунова Ж.В. пространственным разделением каналов в системе с учебных заведений. 2 3 3 52–57.

цифровой антенной решеткой. Электроника.

Методика автоматизированного анализа документи- Известия высших №3. – С.

Слюсарь В.В. рования информации в системах поддержки приня- учебных заведений. 2 3 3 81–85.

тия решений. Электроника.

Известия высших Генератор гаусовских импульсов для сверхшироко- №4. – С.

Гуреев А.В. учебных заведений. 2 2 2 полосных приемопередатчиков. 74–75.

Электроника.

Известия высших О роли компетентностного подхода в обеспечении №2. – С.

Акулнок М.В. учебных заведений. 2 3 3 качества профессионального образования. 85–89.

Электроника.

Известия высших Функционально-итерационное проектирование №1. – С.

Гулидов Д.Н. учебных заведений. 2 4 4 СМК, соответствующей ГОСТ Р ИСО 9001:2001. 84–86.

Электроника.

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших Лепестковый датчик угловых координат солнечной №4. – С.

Батырев Е.В. учебных заведений. 2 2 1 энергетической установки. 72–73.

Электроника.

Известия высших Симулятор многоядерной вычислительной системы №2. – С.

Кучинский А.С. учебных заведений. 2 2 1 и примеры его применения. 72–77.

Электроника.

Законодательная и №3. – С.

Чуйко В.Г. Цена точности калибровок на исходном эталоне. прикладная метроло- 2 1 1 53–56.

гия.

Законодательная и Проблемы поверки импортных "интеллектуальных №5. – С.

Чуйко В.Г. прикладная метроло- 2 1 1 радиоэлектронных средств измерений". 39–42.

гия.

Метрологические рекомендации по применению по- Законодательная и №1. – С.

Дойников А.С. нятий «погрешность» и «неопределенность» в раз- прикладная метроло- 2 1 1 43–46.

личных метрологических задачах. гия.

Законодательная и Интервальный метод обработки результатов измере- №1. – С.

Никулин В.Б. прикладная метроло- 2 2 2 ний. 20–23.

гия.

Законодательная и Неопределенность и нечеткость множества (FS) в №2. – С.

Никулин В.Б. прикладная метроло- 2 1 1 теории измерений. 59–61.

гия.

Адаптивные алгоритмы оптимизации протокола об- Естественные и тех- №4. – С. 2– Овчаренко Б.С. 2 1 1 мена данными. нические науки. 3.

Отчет о самообследовании МИЭТ Разработка алгоритмов обеспечения инвариантности Естественные и тех- №4 - С. 4– Овчаренко Б.С. параметров системы управления относительно 2 1 1 нические науки 5.

внешних дестабилизирующих факторов.

Автоматизированный многофункциональный опера Естественные и тех- №1 (21). – Янчук Е.Е. торский сервисный Контакт-центр на базе АМКЦ 2 1 1 нические науки C. 187–188.

РИССА.

Радиооборудование приема-передачи данных "Рисса- Естественные и тех- №4 (24). – Янчук Е.Е. 2 1 1 ЦС/В". нические науки С. 197.

Естественные и тех- №1 (21). – Янчук Е.Е. Системы широкополосного радиодоступа. 2 1 1 нические науки C. 191.

Многофункциональное устройство IPFone-MCL для Естественные и тех- №4 (24). – Янчук Е.Е. мультиплексирования, каналообразования и комму- 2 1 1 нические науки C. 196.

тации в системах радиосвязи.

Концепция построения многофункциональной плат- Естественные и тех- №4 (24). – Янчук Е.Е. 2 1 1 формы для систем радиодоступа. нические науки C. 195.

О представлении банковских услуг на основе приме- Естественные и тех- №4. – С.

Баин А.М. 2 1 1 нения информационных систем. нические науки 67.

Применение процессов реинжиниринга при внедре Естественные и тех- №6. – С.

Баин А.М. нии информационных компьютерных технологий в 2 1 1 нические науки 54.

банковской области.

Отчет о самообследовании МИЭТ О построении структурной схемы систем поддержки Естественные и тех- №6. – С.

Баин А.М. принятия решений, ориентированных на банковскую 2 1 1 нические науки 89.

деятельность.

Особенности информационного обеспечения банков- Естественные и тех- №6. – С.

Баин А.М. 2 1 1 ских компьютерных технологий. нические науки 90.

Реализация метода вычисления с двойной разрядной Естественные и тех- №2. – С.

Бажанов Б.И. 2 2 1 сеткой в аналого-цифровом структурном базисе. нические науки. 418–421.

Уменьшение времени выполнения арифметической Естественные и тех- №2. – С.

Бажанов Е.И. операции деления в аналого-цифровом вычислитель- 2 2 1 нические науки. 422–428.

ном устройстве.

Особенности наследования таблиц при разработке программного обеспечения web-представительства Сидорова- отдела практики и трудоустройства в инструмен- Естественные и тех- №3. – С.

2 4 4 Виснадул Б.Д. тальной среде системы мониторинга учреждения нические науки. 344–345.

высшего профессионального образования примене ние определяемых пользова Сидоров- Алгоритм распознавания штрихкодов: бинаризация Естественные и тех- №3. – C.

2 1 1 Виснадул С.В. изображений. нические науки. 326.

Формализация задачи полнотекстового поиска ин- Естественные и тех- №3. – C.

Портнов Е.М. 2 2 1 формации в структурированных базах знаний. нические науки. 325.

Отчет о самообследовании МИЭТ Алгоритм видео-компрессии на основе дискретного Естественные и тех- №5. – С.

Умняшкин С.В. вейвлет-преобразования с трехслойной схемой коди- 2 3 3 нические науки. 78–84.

рования векторов движения.

Кодирование с предсказанием в модифицированной Естественные и тех- №5. – С.

Земсков В.Н. 2 2 2 системе сжатия методом ДИКМ. нические науки. 69–73.

Оборонный комплекс научно- техническому Концептуальный подход к проблемам построения – 2006. – прогрессу России:

Гагарина Л.Г. автоматизированных систем управления производст- №1. – С.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

вом. 11–17.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Методика разработки автоматизированных систем с – 2006. – прогрессу России:

Гагарина Л.Г. использованием интегрированных инструменталь- №1. – С.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

ных средств. 21–24.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2006. – Организация обмена информацией в системах прогрессу России:

Лисов О.И. №2. – С.

2 3 2 управления принятием решения. Межотр. науч.-техн.

30–37.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2006. – Управление состоянием распределенных техниче- прогрессу России:

Зимнович Р.В. №2. – С.

2 3 2 ских систем. Межотр. науч.-техн.

25–30.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс Применение методики дифференцированной диагно- научно- техническому – 2006. – стики и интегральной оценки качества учебного прогрессу России:

Гагарина Л.Г. №2. – С.

2 2 2 процесса при подготовке специалистов электронной Межотр. науч.-техн.

36–40.

техники. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2006. – Проблемы организации сетевого взаимодействия в прогрессу России:

Чумаченко П.Ю. №3. – С.

2 1 1 учебно-методическом комплексе. Межотр. науч.-техн.

31–35.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Концептуальный подход к созданию автоматизиро- – 2006. – прогрессу России:

Гагарина Л.Г. ванной системы по коммерческому учету энергоре- №3. – С.

2 4 4 Межотр. науч.-техн.

сурсов в области применения электроники. 28–32.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Особенности разработки программного обеспечения – 2006. – прогрессу России:

Гагарина Л.Г. для автоматизации технологического процесса про- №4. – С.

2 3 3 Межотр. науч.-техн.

изводства продукции различной номенклатуры. 21–24.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Модель распределения ресурсов между подразделе- – 2006. – прогрессу России:

Гагарина Л.Г. ниями предприятия при условии неоднородности №4. – С.

2 3 2 Межотр. науч.-техн.

затрат. 13–17.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Качество подготовки в вузе специалистов для элек- – 2006. – Никифорова- прогрессу России:

тронной промышленности. СМК: Системный и про- №2. – С.

2 4 4 Денисова С.Н. Межотр. науч.-техн.

цессный подходы. 71–76.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно- техническому – 2006. – Цифровая синхронизация работы оборудования ра- прогрессу России:

Панасенко П.В. №4. – С.

2 2 2 диорелейных станций. Межотр. науч.-техн.

69–74.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Математическая модель каналов телеуправления и – 2006. – прогрессу России:

Панасенко П.В. телесигнализации систем обслуживания радиорелей- №4. – C.

2 2 2 Межотр. науч.-техн.

ных станций. 74–77.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс Принципы организации и методы построения храни- научно- техническому – 2007. – лища данных на основе системного анализа инфор- прогрессу России:

Маклакова Т.Н. №4. – С.

2 1 1 мации в распределенных сетевых структурах и сре- Межотр. науч.-техн.

31–34.

дах. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2007. – Характеристики распределенных систем и их клас- прогрессу России:

Гагарина Л.Г. №4. – С.

2 2 2 сификация Межотр. науч.-техн.

34–36.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2007. – Системный подход к анализу контурной сегмента- прогрессу России:

Колдаев В.Д. №4. – С.

2 1 1 ции изображений. Межотр. науч.-техн.

60–63.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому – 2007. – Концепция создания приборов и оборудования для прогрессу России:

Штерн Ю.И. №2. – C.

2 1 1 температурных исследований. Межотр. науч.-техн.

96–99.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Отчет о самообследовании МИЭТ Оборонный комплекс научно- техническому Влияние параметров электропитания на эффектив- прогрессу России: №3. – C.

Штерн Ю.И. 2 4 4 ность термоэлектрических систем. Межотр. науч.-техн. 84–92.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс Использование программных средств пакета научно- техническому MATLAB 7.0 для расчета и визуализации траектории прогрессу России: №2. – С.

Каракеян В.И. 2 3 3 и условий стабильности движения заряженной час- Межотр. науч.-техн. 68–72.

тицы в квадрупольном поле. журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Оборонный комплекс научно- техническому Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код прогрессу России: №3. – С.

Тимошенков В.П. 2 2 2 Межотр. науч.-техн.

RZ. 73–80.

журнал. - М: ФГУП "ВИМИ".

Масс-спектрометр для мониторинга окружающей Экология и промыш- №7. – С.

Каракеян В.И. 2 4 4 среды. ленность России. 16–17.

Исследование опознания задуманных букв и слов по Российский физиоло №2. – С.

Карловский Д.В. волне Р300 вызванного потенциала мозга человека с гический журнал им. 2 7 2 141–150.

помощью нейрокомпьютерного интерфейса. И.М. Сеченова.

Позитроника и нанотехнологии: возможности изуче- – 2009. – Т.

ния нанообъектов в материалах и наноматериалах 72. – №10.– Тимошенков С.П. Ядерная физика. 2 7 2 методом позитронной аннигиляционной спектроско- C. 1730– пии. 1739.

Позитроника и нанотехнологии: Определение разме ров нанообъектов в пористых системах, наномате- Заводская лаборато- – 2009. – Т.

Тимошенков С.П. риалах и некоторых дефектных материалах методом рия. Диагностика ма- 75. – №6. – 2 4 2 позитронной аннигиляционной спектроскопии (об- териалов. С. 27–36.

зор).

Отчет о самообследовании МИЭТ Известия высших – 2009. – Исследование характеристик плазмохимического Путря М.Г. учебных заведений. №3. – С. 7– 2 5 3 реактора с плоским Индуктором.

Электроника. 11.

Моделирование напряженно–деформированного со- Известия высших – 2009. – Погалов А.И. стояния материалов бескорпусных многовыводных учебных заведений. №4. – С. 3– 2 4 4 интегральных схем с шариковыми выводами. Электроника. 8.

Известия высших – 2009. – Сверхширокополосные фильтры на поверхностных Тимошенков С.П. учебных заведений. №5(79). – 2 3 1 акустических волнах высокой прямоугольности.

Электроника. С. 70–76.

Известия высших – 2009. – Разработка и исследование схемы емкостного преоб Тимошенков С.П. учебных заведений. №6(80). – 2 3 3 разователя линейных ускорений.

Электроника. С. 79–80.

Поверхность. Рентге Определение радиусов нанообъектов в пористых – 2009. – новские, Синхротрон Тимошенков С.П. системах и некоторых дефектных материалах мето- №12. – С.

2 4 2 ные и нейтронные дом позитронной аннигиляционной спектроскопии. 24–32.

исследования.

– 2009. – № Микромеханические акселерометры: моделирование Электроника: Наука, Бойко А.Н. 8. – С. 100– 2 3 3 элементов конструкции и изготовление. Технология, Бизнес.

104.

– 2009. – Т.

Электрофорез в задачах очистки, сепарирования и Российские нанотех Неволин В.К. 4. – № 1-2.

2 4 4 интеграции углеродных нанотрубок нологии.

– С. 62–66.

Использование метода диэлектрофореза при форми- – 2009. – № Нано- и микросистем Бобринецкий И.И. ровании интегральных структур на основе углерод- 2. – С. 10– 2 1 1 ная техника.

ных нанотрубок 13.

Отчет о самообследовании МИЭТ – 2009. – Т.

Методы параллельной интеграции углеродных на 38. – № 5.

Бобринецкий И.И. нотрубок при формировании функциональных уст- Микроэлектроника. 2 1 1 – C. 353– ройств микроэлектроники и сенсорной техники 360.

– 2009. – Т.

Внутризонная лазерная спектроскопия для иденти- 35. – Вып.

Неволин В.К. Письма в ЖТФ. 2 3 3 фикации наносред 17. – С. 34– 40.

Нанопрофилирование кремния с использованием Известия высших – 2009. – № Белов А.Н. твердой маски оксида алюминия и комбинированно- учебных заведений. 2. – С. 39– 2 5 2 го «сухого» травления. Электроника. 42.

Повышение производи-тельности реконфигурируе- Известия высших – 2009. – № Артамонов Д.С. мых однородных вычисли-тельных сред методом учебных заведений. 5. – С. 50– 2 2 2 поддержки альтернативных вычислений. Электроника. 56.

Исследование особеннос-тей роста нанокристаллов Известия высших – 2009. – № Гаврилов С.А. оксида цинка из водных растворов для создания учебных заведений. 2. – С. 35– 2 4 4 тонкопленочных солнечных элементов. Электроника. 38.

Известия высших – 2009. – № Исследование шума вида 1/f в наноразмерных плен Гаврилов С.А. учебных заведений. 6(80) – С.

2 7 7 ках золота.

Электроника. 37–43.

– 2009. – № Анизотропные магниторезистивные датчики магнит- Автоматика и телеме Сауров А.Н. 6. – С. 141– 2 8 2 ного поля и тока. ханика.

152.

Тонкопленочные анизотропные магниторезистивные – 2009. – № Сауров А.Н. Датчики и системы. 2 8 2 наноэлементы для систем контроля. 8. – С. 2–4.

Отчет о самообследовании МИЭТ – 2009. – Т.



Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.