авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ БИБЛИОТЕКА РОССИИ

КОНФЕРЕНЦИИ, КНИГИ, ПОСОБИЯ, НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ

<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |
-- [ Страница 1 ] --

0 Ф Е Д ЕРА ЛЬН О Е А Г ЕН Т СТВ О П О О БР АЗ О В АН И Ю Р О С СИ Й С КО Й Ф Е Д ЕРА Ц И И

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

МОСКОВСКИЙ

ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(государственный университет)

КАТАЛОГ ПРОГРАММ

ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ

И ПЕРЕПОДГОТОВКИ КАДРОВ

на 2009 год

Центр повышения квалификации

и переподготовки кадров МИФИ Москва - 2008 Составители: Ганат С.А., Тимощенко Г.И.

Подписано в печать 14.10.2008 Формат 60х84 1/8 Печатных листов 33 Тираж 500 экз. Изд. номер 013-3 Заказ № 310 Отпечатано в типографии МИФИ Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Типография МИФИ. 11509, Москва, Каширское шоссе, ПРЕДИСЛОВИЕ В данном каталоге собрано около 200 программ повышения квалификации и переподготовки кадров, разработанных в Московском инженерно-физическом институте.

Программы рассчитаны на специалистов:

- занимающихся материаловедением (в том числе реакторным), конструированием ядерных реакторов и получением, изготовлением, модификацией материалов и элементов конструкций ЯЭУ, а также эксплуатацией ЯЭУ;

- работающих в области обеспечения физической защиты от действия ядерных установок и источников ионизирующих излучений;

- работающих в сфере нанотехнологий и получения наноматериалов;

- занимающихся международным сотрудничеством (бизнесом) в области высоких технологий, в том числе в ядерной энергетике, при разработке ядерных технологий и материалов;

- связанных с реализацией инновационных проектов в области высоких технологий;

- использующих компьютерные методы проектирования, конструирования и электронного документооборота;

- использующих и внедряющих современные информационные технологии в работе предприятий;

- занятых обеспечением информационной безопасности предприятий, компьютерных сетей и автоматизированных систем, а также комплексной защиты объектов информатизации.

Описание программ содержит: цель, целевую аудиторию, краткое содержание курса и форму контроля. Там же указана длительность обучения, ведущий преподаватель и контактное лицо (с телефоном и электронным адресом), к которому можно обратиться для уточнения деталей содержания программы. Более подробные утвержденные варианты программ хранятся на кафедрах.

Курсы повышения квалификации могут быть рекомендованы: руководителям разного уровня, инженерам и технологам, менеджерам, программистам, научным сотрудникам и другим специалистам, желающим повысить свою квалификацию в МИФИ (например, аспирантам, преподавателям школ, лицеев, техникумов, вузов).

Программы в каталоге систематизированы по кафедрам. Для удобства пользования создан тематический указатель, в котором выделены разделы:

«Инновационные технологии в атомной отрасли», «Нанотехнологии», «Информационные технологии в промышленности и управлении», «Общепрофессиональная инженерно-физическая подготовка», «Экономика в промышленности и управлении», «Программы общетеоретической подготовки».

ПЕРЕЧЕНЬ РАЗДЕЛОВ количество программ Инновационные технологии в атомной отрасли Подготовка управленческо-технического персонала для ядерной отрасли Современные ядерные технологии Ядерная и радиационная безопасность Современные проблемы ядерной физики Информационные технологии в ядерной отрасли Электроника в ядерной отрасли Нанотехнологии Наноматериалы и нанотехнологии Информационные технологии в промышленности и управлении Информационные системы Компьютерные технологии Инженерное проектирование Общепрофессиональная инженерно-физическая подготовка Электроника – общие вопросы Современная физика и математика Экономика в промышленности и управлении Бухгалтерский учет и финансы Бизнес и менеджмент Инновационные технологии в управлении и экономике Экономика и организация строительства Программы общетеоретической подготовки Повышение квалификации преподавателей Иностранный язык ДОКУМЕНТЫ ОБ ОБРАЗОВАНИИ, выдаваемые слушателям по окончании обучения на курсах повышения квалификации и переподготовки в МИФИ По завершении обучения проводится аттестация слушателей.

Форма итоговой аттестации указана в аннотации каждой программы.

По результатам аттестации выдаются следующие документы:

Объем учебной программы Выдаваемый документ До 72 учебных часов Сертификаты о краткосрочном повышении квалификации в МИФИ От 72 до 100 учебных часов Удостоверения о краткосрочном повышении квалификации государственного образца Свыше 100 учебных часов Свидетельство о повышении квалификации государственного образца Свыше 500 учебных часов Диплом о профессиональной переподготовке государственного образца ИСТОРИЧЕСКАЯ СПРАВКА 23 ноября - подписано Постановление Совнаркома СССР об образовании Московского механического института боеприпасов (ММИБ) Здание в Москве на ул. Кирова, 1945 – ММИБ переименован в Московский механический институт (ММИ).

1947 – открыты советы по защите кандидатских и докторских диссертаций.

1951 – в институте сосредоточена вся подготовка инженеров физиков, в него переведены инженерно-физические факультеты других вузов.

1952 – созданы отделения и филиалы института в закрытых городах Министерства атомной промышленности.

1953 – переименован в Московский инженерно-физический институт (МИФИ).

Вступил в строй исследовательский ядерный реактор ИРТ МИФИ, первый в истории высшей школы.

МИФИ.

1967 – награжден орденом Трудового Красного Знамени.

1993 – переименован в Московский государственный инженерно физический институт (технический университет).

2003 – переименован в Московский инженерно-физический институт (государственный университет) 7.10.2008 – Указ Президента РФ «О реализации пилотного проекта по созданию национальных исследовательских университетов»:

«…Принять предложение Правительства Российской Федерации о реализации пилотного проекта по созданию Национального исследовательского ядерного университета на базе государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский инженерно-физический институт (государственный университет)»…»

В настоящее время МИФИ –.

базовое высшее учебное заведение атомной промышленности России, предназначенное для подготовки инженеров: физиков, математиков, системотехников - инженеров исследователей, обладающих глубокими знаниями физико-математических дисциплин в сочетании с серьезной инженерной подготовкой Ректор МИФИ Стриханов Михаил Николаевич профессор, доктор физ-мат.наук, член Совета при Президенте Российской Федерации по науке, технологиям и образованию.

«… Потребность реального сектора экономики в квалифицированных кадрах очень высока, страна развивается, и нужны кадры высокой квалификации в разных отраслях…", - сказал Виктор Алексеевич Зубков на заседании правительства, посвященном планам Минобрнауки (2008).

Выдающиеся ученые, участвовавшие в основании и развитии МИФИ Руководитель атомного проекта СССР Игорь Васильевич Курчатов В МИФИ работало шесть лауреатов Нобелевской премии:

Н.Г. Басов (выпускник МИФИ), А.Д. Сахаров, Н.Н. Семенов, И.Е. Тамм, И.М. Франк, П.А.Черенков МИНИСТРЫ АТОМНОЙ ОТРАСЛИ – ВЫПУСКНИКИ МИФИ Л.Д. Рябев В.Н. Михайлов А.Ю. Румянцев За последние десятилетия действительными членами и членами корреспондентами Российской Академии наук стали многие выпускники МИФИ 8 Заявление Президента РФ В. Путина и Президента США Дж. Буша от 03.07.2007 года:

преисполнены решимости занять активную позицию в «Мы предоставлении преимуществ мирного использования атомной энергии широкому кругу заинтересованных государств, в особенности развивающихся стран, при наличии понимания, что будет решаться общая задача – предотвращение распространения ядерного оружия».

Из выступления Президента Российской Федерации Д.А.Медведева «Наше совещание проходит в одном из ведущих высших учебных заведений страны – в Московском инженерно-физическом институте. Этот выбор не случаен: здесь сложились многолетние и устойчивые традиции научного новаторства. И современную миссию МИФИ обозначают как инновационную:

как в подготовке специалистов, так и в научно-исследовательской деятельности».

Из выступления ректора МИФИ М.Н.Стриханова «МИФИ является высшим учебным заведением по подготовке специалистов ядерного физического и ядерного инженерного направлений, а также специалистов в области высоких технологий, стратегического управления, современных информационных технологий. Изначально он был сформирован и функционирует как инновационный исследовательский университет, интегрированный в научно производственную инфраструктуру отрасли.

Существенной особенностью МИФИ является то, что, с одной стороны, это – образовательное учреждение, а с другой – научный и ядерный объект, осуществляющий подготовку соответствующих специалистов по критическим технологиям, выполняющий конструкторские и научные работы с использованием радиоактивных материалов, эксплуатирующий ядерные и радиационные установки.

В настоящее время Министерством образования и науки России, госкорпорацией «Росатом» и Московским инженерно-физическим институтом проводятся работы по созданию сетевого образовательного холдинга с условным названием «Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ».

Целью создания такого холдинга является кадровое обеспечение атомной отрасли, инновационное комплексное социально-экономическое развитие региона на основе интеграции науки, образования, производства»

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ О МИФИ Профессорско-преподавательский состав МИФИ – 936 чел., из них имеют ученую степень: доктора наук – 149 чел, кандидата наук – 501 чел. Имеют ученое звание: профессор – 130 чел., доцент – 334 чел.

В учебно-научный комплекс МИФИ входят 57 зданий и сооружений на территории 19 га по Каширскому шоссе, 31. Общая площадь учебно-лабораторных зданий - более 96000 м2.

МИФИ обладает рядом уникальных установок:

- исследовательский ядерный реактор с мощностью 2,5 МВт;

- нейтринный водный детектор НЕВОД с черенковским детектором объемом 2000 м3 и координатным детектором высокого пространственного и углового разрешения площадью 70 м2;

- комплекс ускорительных установок для ускорения электронов и ионов с возможностью глубокой перестройки характеристик пучков без ухудшения качества и уникальной системой компрессии энергии ВЧ-поля.

В МИФИ создана и активно используется в учебном процессе новая информационная среда обучения, базирующаяся на информационно вычислительной сети (ИВС) университета и новых информационных технологиях.

Сеть охватывает все учебные и производственные корпуса университета, корпуса общежития и физико-математический лицей. Сеть работает со скоростью 100 и 10 Мбит/с, использует технологию Internet, имеет выход во внешнюю оптоволоконную линию связи и через нее в Internet. Используются различные формы компьютерной поддержки учебного процесса (электронные учебники, компьютерные лабораторные работы, тренажеры и т.п.). В ИВС университета работают более 1000 компьютеров.

Функционируют более 40 учебных компьютерных и дисплейных классов, половина из которых является сетевыми с выходом в Internet. Представлены наиболее распространенные операционные системы и основные типы вычислительной техники, включающие персональные компьютеры, мощные рабочие станции, информационные и вычислительные серверы. В библиотеке МИФИ имеется электронный читальный зал, позволяющий работать со всеми видами электронных информационных ресурсов с выходом в Internet. На базе сети функционирует главный Web-сервер МИФИ и более 15 Web-сайтов кафедр университета.

Университет располагает собственным издательско-полиграфическим центром. Выпуск печатной продукции ориентирован, в первую очередь, на учебную, научную и методическую литературу. В МИФИ выходит своя многотиражная газета Инженер-физик.

История создания, становления и развития университета представлена в Музее МИФИ.

МИФИ – крупный научный центр, в котором представлены следующие научные школы:

1. Быстропротекающие процессы.

2. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы.

3. Линейные ускорители заряженных частиц.

4. Радиационная безопасность.

5. СВЧ электроника больших мощностей.

6. Материаловедение ядерно-энергетических установок.

7. Кинетика и критерии разрушения твердых тел.

8. Информационная безопасность.

9. Теплофизика ядерных реакторов и физических энергетических установок.

10. Математическое моделирование физических процессов.

11. Теоретическое исследование фундаментальных проблем поведения квантовых систем в полях излучения.

12. Лазерная спектроскопия.

13. Физико-математические основы и кадровое обеспечение ядерно энергетических установок.

В соответствии с решением Ученого совета университета основными направлениями научных исследований считаются:

1. Общая физика и астрономия.

2. Ядерная физика.

3. Физико-химия и технология неорганических материалов.

4. Информатика, вычислительная техника, автоматизация.

5. Медицинская физика и техника.

6. Информационные технологии и электроника.

7. Производственные технологии.

8. Новые материалы и химические продукты 9. Топливо и энергетика.

10. Экология и рациональное природопользование МИФИ имеет широкие учебно-научные связи со многими зарубежными университетами и исследовательскими центрами. В МИФИ обучаются иностранные студенты и аспиранты (120-140 чел) из 12 стран, не считая СНГ.

КОНТАКТЫ телефон e-mail Ректор (495) 324-33-84 rector@mephi.ru профессор, д.ф.м.н. (495) 324-97- Михаил Николаевич Стриханов Центр Повышения cpkp@mephi.ru квалификации и переподготовки кадров (ЦПКП) Начальник ЦПКП (495) 324-05-08;

Галина Иосифовна gitimoshchenko@mephi.ru Тимощенко Заместитель начальника (495) 323-94-97 saganat@mephi.ru ЦПКП Светлана Александровна Ганат Справочная МИФИ (495) 324-87- Заявки на обучение направлять в электронном виде в Центр повышения квалификации и переподготовки (ЦПКП) МИФИ на адрес:

cpkp@mephi.ru.

Образец заявки размещен на сайте: www.cpkp.mephi.ru Адрес: 115409, Москва, Каширское ш., д. 31, МИФИ, комната К-615.

Проезд: станция метро «Каширская», первый вагон из центра, далее авт. 738, 95, 280, 117, 298, тр. 71. до остановки «МИФИ» (1 ост).

Схема проезда Карта МИФИ ТЕМАТИЧЕСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ 1. ИННОВАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В АТОМНОЙ ОТРАСЛИ Подготовка управленческо-технического стр АП персонала для ядерной отрасли Переподготовка эксплуатационного персонала исследовательских АП ядерных реакторов. Поддержание квалификации заместителя руководителя АП05008 (руководителя подразделения по физической защите) объекта использования атомной энергии АП13031 Безопасность ядерных атомных станций АП18030 Управление качеством в атомной промышленности Инновационные методы переподготовки кадров отрасли с АП применением E-Learning Управление персоналом на предприятиях отрасли:

АП компетентностный подход. Управление мотивацией Управление человеческими ресурсами в отрасли: отечественный и АП международный опыт. АЯ Современные ядерные технологии АЯ05004 Практическая спектрометрия ядерных излучений Физические методы и установки активного контроля ядерных АЯ материалов АЯ05009 Технологии ядерного топливного цикла: проблемы и пути решения АЯ09033 Методы диагностики состояния реакторных материалов Перспективные структурно-фазовые состояния и свойства сплавов АЯ циркония для больших выгораний Малоактивируемые жаропрочные стали и сплавы для ядерной и АЯ термоядерной энергетики АЯ09036 Физические основы радиационного материаловедения Применение современных ядерно-физических методов для АЯ мониторинга реакторных материалов и элементов конструкций ЯЭУ Применение современных ядерно-физических методов для АЯ мониторинга реакторных материалов АЯ10044 Ядерная и атомно-молекулярные технологии Методы разделения урановых и неурановых изотопов (Современное АЯ состояние и перспективы развития) Расчетные и экспериментальные методы обоснования АЯ13032 теплогидравлических характеристик ядерных энергетических установок нового поколения. Современная ускорительная техника и ее роль в решении проблем АЯ ядерной и термоядерной энергетики и нанотехнологий Измерения вибраций и вибродиагностика механического АЯ оборудования объектов атомной энергетики Методы проектирования и испытаний радиационно-стойкой АЯ микроэлектронной элементной базы Технологические аспекты нераспространения АЯ АБ Ядерная и радиационная безопасность АБ01049 Безопасное обращение и захоронение радиоактивных отходов АБ01050 Безопасность ядерного топливного цикла АБ01051 Надежность оборудования атомных реакторов и управление риском Дозиметрическое обеспечение радиационной безопасности с учетом АБ последних рекомендаций МКРЗ и НКРЗ АБ01053 Радиоэкология АБ01054 Технико-экономические основы экологии АБ01055 Медико-биологические основы радиационной безопасности. АБ01056 Основы теории переноса и защита от ионизирующих излучений АБ02058 Вопросы безопасности ЯЭУ с реакторами ВВЭР-1000. АБ02059 Инновационное управление Оценка последствий не радиационных аварий на промышленных АБ предприятиях атомной отрасли Ядерная и радиационная безопасность при обращении с АБ отработанным ядерным топливом. Основы учета, контроля и физической защиты ядерных АБ материалов. Культура ядерной безопасности при обращении с ядерными АБ материалами. АБ24122 Приборное обеспечение радиационного контроля АБ43151 Основы информационной безопасности ядерных объектов АБ43152 Основы технической защиты ядерных объектов АБ43153 Основы физической защиты ядерных объектов Способы и средства обеспечения безопасности информации в АБ43154 ключевых системах информационной инфраструктуры (ОБИ в КСИИ) ядерных объектов Методы и средства контроля состояния противодействия АБ43155 техническим разведкам при защите ядерных объектов по требованиям безопасности информации Подсистемы обнаружения систем физической защиты ядерных АБ объектов Подсистемы контроля и управления доступом систем физической АБ защиты ядерных объектов Подсистемы телевизионного наблюдения систем физической АБ защиты ядерных объектов Применение методов физико-химического анализа для контроля АБ ядерной деятельности АФ Современные проблемы ядерной физики Основы ядерной физики, атомной энергетики и термоядерного АФ синтеза АФ07068 Прикладная ядерная космофизика. АФ07069 Основы ядерной физики АФ07070 Новые направления в физике атомного ядра и элементарных частиц АФ235193 Международное ядерное право (юридические аспекты) АФ235194 Научно-технические проблемы и международная кооперация в ядерной энергетике АФ235195 Роль ядерных технологий в развитии человечества АФ24121 Методы обработки результатов ядерно-физических измерений Ядерно-физические методы исследования кинетических явлений в АФ конденсированных средах АФ24125 Прикладная ядерная физика АФ27024 Локальные сети в атомной энергетике Система расчтного обеспечения эксплуатации АЭС с реакторами АЯ РБМК и ВВЭР Информационные технологии в ядерной АИ отрасли Методы обработки статистической информации в задачах контроля АИ ядерными энергетическими установками Технология разработки программных систем промышленного АИ контроля ответственных изделий ядерной техники Системы компьютерной микроскопии для промышленного контроля АИ46169 компонентов ТВЭЛов ядерных реакторов и др. материалов, изделий и полуфабрикатов АЭ Электроника в ядерной отрасли Имитационные методы испытаний изделий микроэлектроники на АЭ радиационную стойкость Радиационные эффекты в электронных изделиях при воздействии АЭ радиационных факторов космического пространства Радиационные эффекты в электронных изделиях при воздействии АЭ импульсного ионизирующего излучения Радиационные эффекты в изделиях твердотельной СВЧ – АЭ электроники при воздействии ионизирующих излучений 2.

НАНОТЕХНОЛОГИИ НТ Наноматериалы и нанотехнологии Физические основы методов исследования и контроля формирования НТ наноструктурированных материалов для атомной отрасли Датчики для измерения параметров радиации на основе микро- и НТ нанотехнологий НТ27026 Физические основы наноэлектроники НТ70178 Физические основы нанотехнологий 3. ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ И УПРАВЛЕНИИ ИС Информационные системы ИС17082 Метрология и стандартизация информационных технологий ИС17083 Проектирование информационных систем Процессы управления персоналом: среда Customer Relationship ИС management (CRM) ИС22112 Постреляционная СУБД CACHE Моделирование процессов управления и разработка корпоративных ИС информационных систем ИС22114 Введение в интеллектуальные системы и технологии Средства разработки программного обеспечения информационных ИС систем ИПИ-технологии как основа обеспечения конкурентоспособности ИС наукоемкой продукции Реинжиниринг действующих АСУ с учтом современных требований ИС ИПИ-технологий и стандартов серии ISO-9000 Использование современных инструментальных средств для ИС22118 управления данными о продукции (системы PDM – Product Data Management) ИС22119 Средства разработки программного обеспечения систем Документальные информационные ресурсы и системы управления ИС знаниями ИС28131 Методы и средства анализа данных Основы системного проектирования корпоративных ИС информационных и управленческих систем Системы управления жизненным циклом и менеджмент качества ИС наукоемкой продукции ИС29134 Современные методы прикладных информационных технологий ИС36147 Разработка баз данных в СУБД PostgreSQL с использованием JAVA Настройка и администрирование средств разграничения и контроля ИС42150 доступа, работа со штатными журналами регистрации событий операционных систем Windows 2000/XP Средства и технологии обеспечения безопасности СУБД Oracle и MS ИС SQL Server ИС44160 Безопасность информационных технологий ИС44161 Информационная безопасность открытых информационных систем Технология защиты информации от несанкционированного доступа ИС44162 в автоматизированных системах на основе СЗИ от НСД семейства АККОРД ИС44163 Виртуальные частные сети (на базе на базе комплексов ФПСУ-IP) ИС44164 Мониторинг безопасности в сетях ИС44165 Администраторы информационной безопасности Организационно-нормативное обеспечение электронного ИС документооборота ИС46167 Дистанционные технологии производственных видеосовещаний Расширенные возможности офисных прикладных программ в ИС практической деятельности малых и средних предприятий ИС544192 Управление информационными системами в бизнесе Управление проектами на базе программного комплекса ИС PRIMAVERA Методология и инструментарий ARIS для моделирования бизнес ИС процессов в организации ИК Компьютерные технологии ИК14019 Современные средства программирования Компьютерные технологии информационно-аналитической ИК деятельности ИК17080 Компьютерные технологии обучения. ИК22107 Программирование на языке Delphi в среде.NET ИК22108 Программирование на языке C++ в среде.NET ИК22109 Программирование на языке C# в среде.NET ИК22110 Знакомство с технологией ASP.NET ИК22111 Современные средства программирования Компьютерный практикум: решение практических задач в среде ИК MS.Office Набор и верстка научно-технических документов с помощью языка ИК разметки LaTeX. ИК31137 Пакеты автоматизации аналитических вычислений Maple и Maxima. ИК33138 Операционная система UNIX. Основы работы ИК33139 Администрирование ОC UNIX ИК33140 Программирование в ОC UNIX ИК34142 Инженерный пакет автоматизированного проектирования КОМПАС Современное состояние документации в сфере стандартизации, в том ИК числе для атомной отрасли ИК34144 Компьютерная графика (AutoCAD) ИК36145 Использование стандартной библиотеки C++ ИК36146 Работа с операционной системой UNIX ИК36148 Теоретические основы идентификации объектов и явлений ИП Инженерное проектирование Современные пакеты инженерного проектирования – основа ИП жизненного цикла изделия Разработка и реализация принципиальных схем и печатных плат в ИП системе Expedition PCB САПР Mentor Graphics Анализ и верификация проектов в САПР Mentor Graphics с ИП использованием IBIS-моделирования ИП22089 Проектирование изделий РЭА с помощью САПР OrCAD ИП22090 PSpice-моделирование с помощью САПР OrCAD ИП22091 Синтез схем ПЛИС ИП22092 VHDL-описание и реализация схем цифровых устройств HDL-проектирование и моделирование схем цифровых устройств ИП средствами САПР Mentor Graphics HDL-моделирование схем цифровых устройств средствами САПР ИП Mentor Graphics ИП22095 Схемы программирования и конфигурирования ПЛИС ИП22096 Цифровая обработка сигналов в ПЛИС FPGA ИП22097 Разработка устройств сопряжения с ПЭВМ PC AT Архитектура и программирование 8-разрядных микроконтроллеров ИП AVR ИП22099 Архитектура и программирование 32-разрядных процессоров ARM Проектирование систем сбора-обработки данных с учетом ИП обеспечения ЭМС и целостности сигналов ИП22101 Изучение функциональных возможностей PDM Step Suite ИП22102 Изучение функциональных возможностей PDM T-Flex Docs ИП22103 Освоение программных продуктов для офисного документооборота Модели, методы и алгоритмы планирования и управления цехового ИП уровня Методика обследования предприятия и функционального ИП22105 моделирования бизнес-процессов управления промышленными предприятиями Реализация структуры интегрированной базы данных предприятия в ИП среде ER-Win 4. ОБЩЕПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКАЯ ПОДГОТОВКА ФЭ Электроника – общие вопросы Автоматизированное проектирование современной цифровой ФЭ электронной аппаратуры Проектирование и программирование микропроцессорных систем ФЭ управления ФМ Современная физика и математика Исследование эффективности, надежности, сопутствующих рисков ФМ01057 методами математического моделирования в процессе анализа и синтеза сложных технических систем ФМ07071 Философия физики ФМ07072 Нейтронная физика ФМ07073 Ядерно-физические основы медицинской интроскопии. ФМ08074 Техника высоких напряжений. Масс-спектрометрические методы изотопного и элементного анализа ФМ (современное состояние и перспективы развития) Прикладная статистика и численные методы в обработке ФМ экспериментальных данных ФМ11076 Современные детекторы излучения. ФМ14020 Электромагнитная совместимость Современные средства автоматизации физического эксперимента.

ФМ Программно-аппаратный комплекс LabVIEW ФМ19086 Современные методы оценки качества воды ФМ26127 Цифровая обработка сигналов ФМ26128 Достижения и возможности сканирующей зондовой микроскопии ФМ26129 Электронные аналоговые фильтры ФМ37149 Технологические процессы лазерной обработки ФМ60174 Основы радиационной химии ФМ70179 Сверхпроводники в электроэнергетике и электротехнике 5. ЭКОНОМИКА В ПРОМЫШЛЕННОСТИ И УПРАВЛЕНИИ ЭБ Бухгалтерский учет и финансы ЭБ116187 Бюджетный учет в образовательных учреждениях. ЭБ116188 Сметное дело в строительстве Бухгалтерский управленческий учет и проблемы управления ЭБ производственными затратами. ЭБ63177 Анализ финансовой отчетности. ЭМ Бизнес и менеджмент Контроллинг (управленческий учет) как инструмент управления ЭМ предприятием. ЭМ02061 Принятие решений ЭМ03016 Строительство карьеры Компетенции и творческие решения в управлении и инженерной ЭМ деятельности Административная ответственность за нарушения бюджетного ЭМ законодательства. Управление интеллектуальной собственностью в системе ЭМ высокотехнологичного бизнеса Инновационный менеджмент и управление качеством на ЭМ предприятиях отрасли Модели, методы и алгоритмы планирования и управления ЭИ производством Инновационные технологии в управлении и ЭИ экономике Адаптивное структурно-параметрическое управление объектами ЭИ социальной сферы ЭИ24124 Ядерно-физические методы в нанотехнологиях ЭИ24126 Наносистемы и наноструктуры в современных технологиях ЭИ544190 Технологическое предпринимательство и управление инновациями Основы предпринимательской деятельности с использованием ЭИ программно-имитационной модели малого предприятия Инновационная экономика. Средства и методы ускорения ЭИ инновационных процессов. ЭС Экономика и организация строительства ЭС116185 Бухгалтерский учет в строительстве Сопровождение и согласование проектно-строительной ЭС документации на полном цикле возведения объекта. 6. ПРОГРАММЫ ОБЩЕТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ПОДГОТОВКИ ПК Повышение квалификации преподавателей ПК03015 Как работать, написать и защитить диссертацию в срок ПК06062 Методы преподавания курса общей физики. Раздел "Механика". Методы преподавания курса общей физики. Раздел "Молекулярная ПК физика. Основы статистической термодинамики". Методы преподавания курса общей физики. Раздел "Электричество и ПК магнетизм" ПК06065 Методы преподавания курса общей физики. Раздел "Волны. Оптика" Методы преподавания курса общей физики. Раздел "Атомная ПК физика" Методы и средства адаптивного тестирования уровня компетенций и ПК классификации обучаемых ПК19085 Семиотика образования Аттестация методик преподавания математики в школах, лицеях, ПК техникумах и подготовительных курсах Информационные технологии в экономике и управлении:

ПК71042 Информационное пространство преподавателя исследовательского ядерного университета. Подготовка электронных учебных материалов для ПК исследовательского ядерного университета. ПЯ Иностранный язык Базовый курс английского языка для делового и повседневного ПЯ общения. ПЯ50171 Спецкурс научно - технического английского языка Английский язык для специалистов в области информационных ПЯ технологий (IT) ПЯ62176 Английский язык в сфере делового общения КАФЕДРА «Теоретическая и экспериментальная физика реакторов» (№ 5) Историческая справка:

Кафедра № 5 была основана среди нескольких первых кафедр МИФИ в декабре 1945 года академиком Александром Ильичом Лейпунским, который и стал первым заведующим кафедрой. Инженеры-физики, подготовленные кафедрой, составили ядро физических лабораторий и отделов научно-исследовательских и проектных институтов, ведущих исследования и разработки в области ядерно энергетических технологий. Кафедра является головной в России по подготовке специалистов по специальностям «Ядерные реакторы и энергетические установки»

и «Безопасность и нераспространение ядерных материалов».

Основные направления деятельности:

- Математическая теория стационарных и нестационарных процессов в ядерных реакторах. Нейтронно-физические исследования и анализ безопасности действующих и перспективных ЯЭУ.

- Методы, программные комплексы и исследования по оптимизации ядерных реакторов.

- Перспективные топливные циклы ядерной энергетики и нераспространение ядерных материалов. Трансмутация радиоактивных отходов.

- Математические модели и программы для расчетного сопровождения эксплуатации ядерных реакторов различных типов.

- Мониторинг радиационноопасных изотопов в компонентах ЯЭУ и природных формациях.

- Методы обнаружения и контроля ядерных материалов.

- Методы измерения изотопного состава облученного ядерного топлива.

Количество представленных программ: Профессорско-преподавательский состав:

- профессоров – 7;

- доцентов – 13.

Материально-техническая база (учебно-научные лаборатории):

- Методы измерения излучений - Физика ядерных реакторов - Гамма, альфа и бета спектрометрия - Активные методы измерения и детектирования ядерных материалов - Методы учета и контроля ядерных материалов - Компьютеризированные системы учета и контроля ядерных материалов - Методы измерения ядерных материалов Сайт кафедры: www.nr.mephi.ru.

Заведующий кафедрой: Эдуард Феликсович Крючков, доцент, к.т.н.

Тел: (495)323-9242 Факс: 324-7026 e-mail: efk@mephi.ru Кафедра Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов (№5) Наименование курса: АП Переподготовка эксплуатационного персонала исследовательских ядерных реакторов.

Цель:

Повышение квалификации, освоение современных систем управления и защиты ИР эксплуатационным персоналом.

Целевая аудитория: эксплуатационный персонал, эксплуатирующий ИЯУ.

Содержание:

Основные принципы обеспечения безопасности ядерных установок.

Физические основы управления ядерным реактором.

Управление реактивностью, автоматическое регулирование контроль нейтронного потока и теплофизических параметров.

Нейтронно-физические расчеты исследовательского реактора.

Изменения и дополнения в нормативные документы ОИЭА.

Управление в аварийных ситуациях. Компьютерный симулятор.

Практические занятия на исследовательском реакторе ИРТ.

Длительность обучения: 148 часов Форма контроля: экзамен.

Ведущий преподаватель: Портнов Александр Алексеевич Контактное лицо: Портнов Александр Алексеевич, (495) 324-70- Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АЯ Система расчтного обеспечения эксплуатации АЭС с реакторами РБМК и ВВЭР.

Цель:

Обучение, поддержание квалификации и аттестация персонала АЭС с реакторами РБМК и ВВЭР, выполняющие нейтронно-физические расчеты.

Целевая аудитория: руководители и специалисты, обеспечивающие расчтное сопровождение эксплуатации АЭС с реакторами РБМК и ВВЭР.

Содержание:

Курс предусматривает проведение лекций, семинаров и практических занятий по разделам:

Теоретическое введение.

Основы ядерной физики.

Основы теории ядерных реакторов.

Современная технология реакторных расчтов. Нейтронные сечения.

Иерархия системы математического обеспечения эксплуатации реакторов РБМК и ВВЭР.

Место и назначение программного комплекса расчтной поддержки эксплуатации АЭС.

Теоретические основы построения математических моделей нейтронно ядерных и теплофизических процессов в активных зонах ядерных реакторов.

Обзор численных методов, реализованных в штатных и дополнительных программах матобеспечения эксплуатации АЭС.

Длительность обучения: две недели (72 часа).

Форма контроля: аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: профессор Щукин Н.В.

Преподаватели от МИФИ - 7 человек (кафедра 5, 13, 33).

Преподаватели от ВНИИАЭС, РНЦ КИ, НИКИЭТ, НТЦ ЯРБ – 11 человек.

Контактное лицо: Николай Васильевич Щукин, тел. 323-92-40.

Кафедра «Теоретическая и экспериментальная физика ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АБ Ядерная и радиационная безопасность при обращении с отработанным ядерным топливом.

Цель:

Ознакомить слушателей курса с существующими способами безопасного обращения с ядерными материалами на заключительных стадиях ядерного топливного цикла.

Целевая аудитория: специалисты, в области ядерной энергетики, имеющие отношение к ядерной и радиационной безопасности.

СОДЕРЖАНИЕ Концепция ядерной и радиационной безопасности в Российской Федерации.

Основные принципы и критерии ядерной и радиационной безопасности.

Нормы и правила ядерной безопасности.

Ядерные материалы.

Критические параметры ядерных материалов в различной форме.

Выгорание топлива.

Радиационные характеристики ОЯТ и их зависимость от выгорания и времени выдержки.

Хранилища ОЯТ.

Исходные события радиационных аварий в сухих и мокрых хранилищах.

Безопасность при транспортировке ОЯТ.

Переработка ОЯТ.

Длительность обучения 72 часа.

Форма контроля - практические занятия по последствиям различных ядерных и радиационных аварий.

Ведущий преподаватель – доцент Савандер В.И.

Контактное лицо: Владимир Игоревич Савандер, тел. (495) 323-92-42.

КАФЕДРА «Теоретическая и экспериментальная физика реакторов»

(№5) Наименование курса: АЯ Практическая спектрометрия ядерных излучений Цель:

Повышение квалификации инженеров и научных сотрудников, специализирующихся в области ядерной, реакторной и радиационной физики и техники, занимающихся спектрометрией ядерных излучений.

Целевая аудитория: специалисты, специализирующиеся в области ядерной, реакторной и радиационной физики и техники, которые могут не обладать достаточными знаниями в области спектрометрии и не иметь специального физического образования.

Содержание Физические основы альфа-, бета- и гамма-спектрометрии.

Детекторы ядерных излучений.

Электронный спектрометрический тракт.

Программы обработки спектров.

Источники погрешности измерений и их минимизация. Практические советы.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов самостоятельной работы по материалам представленным МИФИ и 36 часов ( неделя) очная форма обучения в институте, включающая 10 лекций и лабораторные работы.

Форма контроля: Обсуждение лекционного материала и результатов проведения лабораторных работ с использованием вопросника.

Ведущий преподаватель: профессор, д.ф.-м.н. Бушуев А.В.

Контактное лицо: Анатолий Васильевич Бушуев, тел. (495) 320-2510.

Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АБ Основы учета, контроля и физической защиты ядерных материалов.

Цель:

По окончании обучения слушатели освоят методы и технические средства обеспечения сохранности и достоверных знаний о ядерных материалах.

Целевая аудитория: руководители и специалисты предприятий ядерной отрасли, связанные и интересующиеся вопросами безопасного обращения с ядерными материалами.

Содержание:

Задачи и условия развития систем учета, контроля и физической защиты ядерных материалов (УК и ФЗ ЯМ) в контексте проблемы нераспространения ядерного оружия. Основные технологии, формы и потоки ядерных материалов, обращаемых в рамках ядерного топливного цикла.

Правовой базис и основные регулирующие документы, действующие в области УК и ФЗ ЯМ. Международные гарантии и их взаимосвязь с национальными программами гарантий нераспространения.

Основные понятия системы измеряемого материального баланса и компонентов системы УиК ЯМ на уровне предприятий. Статистическая природа данных о ядерных материалах. Автоматизация операций по учету и контролю материалов.

Государственная система УиК ЯМ в РФ. Подход категорированных гарантий и концепция эшелонированной защиты ядерных материалов. Потенциальные угрозы и модели вероятных нарушителей. Комплекс технических средств физической защиты (КТСФЗ).

Основные подсистемы КТСФЗ. Физические барьеры и организационная подсистема СФЗ. Общие принципы построения СФЗ.

Нормативное обеспечение процесса создания СФЗ. Анализ уязвимости ЯОО.

Оценка эффективности СФЗ. Оценка других показателей качества СФЗ.

Цели и формы интеграции учета, контроля и физической защиты.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа).

Форма контроля: аттестационные испытания.

Ведущие преподаватели: Преподаватели каф. 5 и 2.

Контактное лицо: Гераскин Н.И. тел. 323-92-42.

Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АБ Культура ядерной безопасности при обращении с ядерными материалами.

Цель:

По окончании обучения слушатели будут понимать важность человеческого фактора в обеспечении ядерной безопасности при обращении с ЯМ. Освоят методы предотвращения потенциальных проблем и происшествий, возникающих из-за человеческого фактора.

Программа обучения рассчитана на руководителей высшего и среднего звена предприятий ядерной отрасли.

СОДЕРЖАНИЕ Безопасное обращение с ядерными материалами (ЯМ) и проблема нераспространения ядерного оружия.

Человеческий фактор и безопасное обращение с ЯМ.

Внешние и внутренний угрозы для ядерно-опасных объектов.

Обеспечение сохранности и достоверных знаний о ЯМ.

Специфика деятельности по учету, контролю и физической защите ЯМ и ядерных установок.

Культура учета, контроля и физической защиты ЯМ.

Обучение персонала – обязательный элемент культуры безопасного обращения с ЯМ.

Оценка мотивации и управление персоналом на основе психологических методов.

Коммуникация – действенный инструмент достижения эффективной стратегии.

Профилактика конфликтов – важный элемент культуры безопасного обращения с ЯМ.

Современные информационные технологии – неотъемлемая составляющая культуры безопасного обращения с ЯМ.

Практический тренинг «Деловые ситуации".

Длительность обучения: 2 недели (72 часа, включая практические тренинги).

Форма контроля: компьютерные тесты.

Ведущие преподаватели: преподаватели каф.5 и НОУ «МИПК Атомэнерго»

Контактное лицо: Гераскин Н.И. тел. 323-92-42.

Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АЯ Физические методы и установки активного контроля ядерных материалов Цель:

Ознакомление с современным состоянием развития активных физических методов и установок, которые используются для решения проблемы нераспространения ядерных материалов и предотвращения возможных актов ядерного терроризма. При этом описываются преимущества активных методов перед пассивными при работе с различными типами ядерных материалов. Дается теоретическая основа активных методов контроля делящихся материалов, в которых используются стационарные и импульсные источники излучений. Основной целью курса является создание базы знаний, необходимой для работающих в области учета и контроля ядерных материалов, а также в организациях, связанных с проблемой их нераспространения.

Целевая аудитория: студенты старших курсов, специалисты, повышающие квалификацию.

Содержание:

В курсе изучаются физические основы, необходимые для развития методов и установок, препятствующих незаконному распространению ядерных материалов.

При этом основное внимание уделяется созданию устройств, работающих с внешними источниками ионизирующих излучений.

Особо рассматриваются импульсные нейтронные источники и связанные с этим вопросы нестационарного замедления нейтронов в различных средах.

Рассматриваются отечественные и зарубежные установки активного контроля делящихся материалов и технологии их реализации.

Длительность обучения: 72 часа.

Форма контроля: Зачет.

Ведущий преподаватель: проф. д.ф.-м.н. Ромоданов В.Л.

Контактное лицо: Ромоданов В.Л. тел: (495)323-92-43.

Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АП Поддержание квалификации заместителя руководителя (руководителя подразделения по физической защите) объекта использования атомной энергии Цель:

По окончании обучения слушатель получает знания об организации и деятельности подразделений физической защиты ядерных материалов, сведения о новых разработках и применении технических средств охраны на ядерно-опасных объектах.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на руководителей и ведущих специалистов, работающих в области физической защиты ядерных материалов на атомных станциях и других ядерно-опасных объектах.

СОДЕРЖАНИЕ Законодательная и нормативная база по организации физической защиты.

Управленческая деятельность служб безопасности ядерно-опасного объекта.

Обеспечение информационной безопасности в системах физической защиты атомных станций.

Антитеррористическая деятельность.

Культура ядерной безопасности.

Длительность обучения: 1 неделя (36 часов) – очная форма обучения в институте.

Форма контроля: итоговое тестирование.

Ведущий преподаватель: доцент Краснобородько А.А.

Контактное лицо: Николай Иванович Гераскин, тел (495)-323-42-92.

Кафедра «Теоретической и экспериментальной физики ядерных реакторов» (№5) Наименование курса: АЯ Технологии ядерного топливного цикла: проблемы и пути решения Цель:

По окончании обучения слушатель познакомится с современными технологиями ядерного топливного цикла (ЯТЦ), его основными проблемами и путях разрешения этих проблем.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на руководителей и специалистов, работающих и внедряющих современные средства управления.

СОДЕРЖАНИЕ Основные стадии открытого и замкнутого ЯТЦ.

Технологии добычи и первичной переработки урановой руды.

Технологии изотопного обогащения урана.

Эффективность и энергоемкость основных обогатительных технологий.

Технологии изготовления твэлов и ТВС на основе уранового и смешанного уран-плутониевого оксидного топлива.

Стратегии и технологии топливных перегрузок в ядерных реакторах.

Выдержка и транспортировка облученного ядерного топлива.

Технологии химической переработки облученного ядерного топлива.

Технологии переработки и захоронения радиоактивных отходов.

Проекты геологических хранилищ радиоактивных отходов.

Проблема защищенности ЯТЦ от неконтролируемого распространения расщепляющихся материалов. Возможности обезвреживания радиоактивных отходов.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов самостоятельной работы по материалам, предоставленным МИФИ, и 36 часов ( неделя) – очная форма обучения в институте.

Форма контроля: аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: профессор Шмелев А.Н.

Контактное лицо: Анатолий Николаевич Шмелев, тел. (495) 323-92-42.

Кафедра «Электроника» (№ 3) Историческая справка:

Кафедра электроники создана в 1949 году. Первый выпуск составил инженеров-физиков, в настоящее время выпуск дневного и вечернего отделений ежегодно составляет 60 - 70 специалистов. На кафедре действуют три учебных лаборатории.

Наши выпускники работают в ведущих научных и исследовательских центрах:

ЦНИИ МО, ЭНПО «СПЭЛС», ВНИИА, ВНИИТФА, ВНИИФТРИ, ИТЭФ, НИИИТ, НИИ системных исследований Российской Академии наук (РАН), НИИ ядерной физики МГУ, НИИ молекулярной электроники и АООТ Микрон, ОАО Ангстрем, НИИ космических исследований, НПО «Энергия», заводы Молния и им. Хруничева, CERN (Швейцария), Брукхейвен (США), DESY (Германия) и многих других.

Выпускники кафедры являются руководителями ряда ведущих научных организаций, например: Физико технический институт РАН - академик РАН Орликовский А.А.;

НИИ Автоматики Росатома - д.т.н., профессор Бармаков Ю.Н.;

ФГУП НИИМА Прогресс - д.т.н., профессор Немудров В.Г. и другие.

Основные направления деятельности:

Кафедра готовит специалистов, магистров и бакалавров по профилю специальности 140306 "Электроника и автоматика физических установок" по направлению подготовки 140300 "Ядерные физика и технологии", программа "Электроника физических установок".

Работы на кафедре с участием студентов:

- Специальная техника для космических, военных систем и радиационно стойких систем.

- Комплекты СБИС (сверхбольших интегральных схем) различного применения, в частности для международных физических экспериментов в CERN (Швейцария), DESY и GSI (Германия) и космических приложений.

- Аппаратура для медицинских приложений - позитронно-эмиссионных томографов и встраиваемых кардиостимуляторов.

Количество представленных программ: Профессорско-преподавательский состав:

- профессоров – 10;

- доцентов – 20.

Материально-техническая база:

Имеется лицензионное соглашение с компанией Mentor Graphics (США). В рамках соглашения с компанией Cadence (США) поставлены на кафедру электроники программные продукты суммарной коммерческой стоимостью около 5,5 млн. долларов. Оформлено полное членство (full membership) в европейской организации Europractice. Это обеспечивает доступ к передовым зарубежным технологиям.

Сайт кафедры: www.eldep.mephi.ru.

Заведующий кафедрой: Владимир Яковлевич Стенин, д.т.н., профессор/ Тел.324-32-95б e-mail: stenin@kaf3.mephi.ru.

Кафедра «Электроника» (№3) Наименование курса: ФЭ Автоматизированное проектирование современной цифровой электронной аппаратуры Цель:

По окончании курса слушатель ознакомится с методами и средствами автоматизированного проектирования современной цифровой электронной аппаратуры Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования электронных устройств Содержание Современная цифровая элементная база, основные особенности ПЛИС.

ПЛИС типа CPLD. ПЛИС типа FPGA. Обзор САПР для ПЛИС.

Особенности проектирования аппаратуры на ПЛИС.

Способы описания цифровой аппаратуры, краткое введение в VHDL.

Основные элементы языка VHDL.

Основы функционального моделирования.

Основы структурного моделирования.

Примеры описаний цифровых устройств на VHDL.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов лекций, 16 часов лабораторных занятий и 20 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: контрольное задание.

Ведущий преподаватель: доцент Калашников О.А.

Контактное лицо: Чумаков Александр Иннокентьевич, тел (495)-323-9034.

Кафедра «Электроника» (№3) Наименование курса: АЭ Имитационные методы испытаний изделий микроэлектроники на радиационную стойкость Цель:

По окончанию курса слушатель ознакомится с расчетно-экспериментальными методами оценки показателей радиационной стойкости изделий микроэлектроники.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования интегральных микросхем и разработки электронных устройств на их основе с учетом предъявляемых к ним требований по радиационной стойкости.

Содержание Методология имитационных методов испытаний.

Основные нормативные документы.

Лазерные имитационные методы.

Рентгеновские имитационные методы.

Имитационные методы испытаний на воздействие отдельных ядерных частиц.


Испытания на электрическую прочность.

Испытания в диапазоне температур.

Калибровочные испытания на моделирующих установках.

Аппаратно-программные средства проведения имитационных испытаний.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов лекций, 16 часов лабораторных занятий и 20 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: контрольное задание в форме проведения цикла испытаний Ведущий преподаватель: доцент Калашников О.А.

Контактное лицо: Чумаков Александр Иннокентьевич, тел (495)-323-9034.

Кафедра «Электроника» (№3) Наименование курса: АЭ Радиационные эффекты в электронных изделиях при воздействии радиационных факторов космического пространства Цель:

По окончанию курса слушатель ознакомится с основными радиационными эффектами в полупроводниковых изделиях и методам оценки показателей их радиационной стойкости при воздействии радиационных факторов космического пространства.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования интегральных микросхем и разработки электронной аппаратуры ракетно космической техники.

Содержание Радиационная обстановка космического пространства.

Основные радиационные эффекты в полупроводниковых элементах электроники.

Моделирование структурных повреждений от протонного излучения.

Дозовые эффекты.

Учет эффектов низкой интенсивности.

Эффекты от отдельных ядерных частиц.

Методы оценки показателей радиационной стойкости изделий микроэлектроники.

Методы обеспечения радиационной стойкости.

Прогнозирование показателей радиационной стойкости электронной аппаратуры космической аппаратов.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов лекций, 8 часов лабораторных занятий и 28 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: контрольное задание.

Ведущий преподаватель: профессор Чумаков А.И.

Контактное лицо: Чумаков Александр Иннокентьевич, тел (495)-323-9034.

Кафедра «Электроника» (№3) Наименование курса: АЭ Радиационные эффекты в электронных изделиях при воздействии импульсного ионизирующего излучения Цель:

По окончанию курса слушатель ознакомится с основными радиационными эффектами в полупроводниковых изделиях и методам оценки показателей их радиационной стойкости при воздействии импульсных ионизирующих излучений.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования интегральных микросхем и разработки электронной специального назначения.

Содержание Источники импульсного ионизирующего излучения.

Доминирующие радиационные эффекты в полупроводниковых элементах электроники.

Моделирование структурных повреждений.

Дозовые эффекты.

Объемные ионизационные эффекты.

Учет эффектов высокой интенсивности.

Типовые уровни радиационной стойкости изделий микроэлектроники различных технологий.

Методы оценки показателей радиационной стойкости изделий микроэлектроники.

Методы обеспечения радиационной стойкости.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов лекций, 8 часов лабораторных занятий и 28 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: контрольное задание.

Ведущий преподаватель: профессор Никифоров А.Ю.

Контактное лицо: Чумаков Александр Иннокентьевич, тел (495)-323-9034.

Кафедра «Электроника» (№3) Наименование курса: АЭ Радиационные эффекты в изделиях твердотельной СВЧ – электроники при воздействии ионизирующих излучений Цель:

По окончанию курса слушатель ознакомится с основными радиационными эффектами в полупроводниковых изделиях СВЧ электроники и методам оценки показателей их радиационной стойкости при воздействии ионизирующих излучений.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования СВЧ интегральных микросхем и разработки электронной специального назначения.

Содержание Базовые технологии твердотельной СВЧ электроники.

Доминирующие радиационные эффекты в элементах твердотельной СВЧ электроники.

Моделирование структурных повреждений.

Дозовые эффекты.

Объемные ионизационные эффекты.

Учет эффектов захвата носителей на глубокие уровни.

Типовые уровни радиационной стойкости изделий твердотельной СВЧ электроники различных технологий.

Методы оценки показателей радиационной стойкости изделий твердотельной СВЧ электроники.

Имитационные методы испытаний изделий твердотельной СВЧ электроники.

Методы обеспечения радиационной стойкости.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе 36 часов лекций, 8 часов лабораторных занятий и 28 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: контрольное задание.

Ведущий преподаватель: профессор Громов Д.В.

Контактное лицо: Чумаков Александр Иннокентьевич, тел (495)-323-9034.

Кафедра «Электроника» № Наименование курса: ПК Как работать, написать и защитить диссертацию в срок Цель:

Сформулировать основные положения, написать план диссертации, определиться с названием, основным научным и практическим результатом, сократить время работы.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на соискателей и аспирантов, желающих получить квалификацию кандидата наук.

Содержание Зачем Вам аспирантура? Формальные требования. Сам. Талант. Отличие. Что надо иметь в виду? Руководитель. Диссертация. Идеи. Свое и чужое. Новизна.

Когда новизна очевидна? Как подтвердить новизну? Эрудиция. Наука и техника развиваются гораздо быстрее, чем ты можешь это себе представить. Интеллект - это твое умение найти более тонкие отличия в очевидном, по сравнению с другими. Не заблуждайся. Есть более умные, хитрые, находчивые, удачливые, настойчивые, целеустремленные. Публикации. Если твою статью "отфутболили". Как публиковать материалы за границей. Учеба и стажировка за границей. Твои ученики.

Аспирантура - начало формирования своей команды. С кем ты дружишь? Чему можешь научиться у друзей? Признание коллег. "Нет пророка в своем отечестве".

Препоны и рогатки. Тебя замечают, когда начинаешь вылезать. Чему можно научиться самостоятельно? Внедрение. Проверка твоих коммуникационных способностей. Научись работать в коллективе. Правовые вопросы. Кому все это принадлежит? Оппоненты. Друзья твоего руководителя - твои друзья. Отзывы.

"Ничего слишком!" Реферат. С реферата начинается работа над диссертацией. Как относиться к критике. Правовые вопросы. Кому все это принадлежит? Защита.

Режиссура спектакля. Действующие лица и исполнители. Банкет. Здоровье. Любовь и аспирантура. Что можно сделать и чего не следует делать для любимой (любимого). Деньги и аспирантура. Гранты. Денег всегда не хватает.

Самопрограммирование. Твои формулы "Победы". Сетевой график выполнения аспирантской работы. Используй современные информационные технологии.

Бизнес- план диссертации. Аспирант - инвестор. Аспирант владелец бизнес процесса. Эссе. Если ты вторгаешься в чужую область интересов.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе – 36 часов аудиторных лекционных занятий;

36 часов участия в тренингах и самостоятельная работа.

Форма контроля: Креативная тетрадь – создание основных формулировок диссертации. План выступления на защите.

Ведущий преподаватель: профессор Кармазинский А.Н.

Контактное лицо: Андрей Николаевич Кармазинский, тел. 323-90-33.

Кафедра «Электроника» № Наименование курса: ЭМ Строительство карьеры Цель:

Разработать собственный план карьерного роста.

Целевая аудитория: студенты, выпускники вузов, молодые специалисты, амбициозные, желающие двигаться по служебной лестнице.

Содержание Управление собой - самоменеджмент (стратегия личной карьеры). Мои цели.

Мои возможности. Мой жизненный план. Мой уровень некомпетентности. Мои шаги в строительстве карьеры. Старт новой карьеры. Мое резюме. Ищу работу.

Пишу резюме. Готовлюсь к собеседованию при приеме на работу. Мои амбиции.

Мои мотивации. Роль на собеседовании. Выбираю правильную линию поведения.

Учусь отвечать на вопросы. Учусь задавать вопросы. Причины отказа в приеме на работу. Как себя вести, если приняли на новую работу. Мое время План на квартал, на месяц. на неделю, на день. Главное и второстепенное. Что мешает выполнить планы. Техника личной работы. Как использовать компьютер. Управление интеллектом и сознанием. Сила воображения. Аутотренинг. Нормальный сон.

Ускорение обучения. Прекрасное, активное настроение. Самопрограммирование.

Этапы карьерного роста. Знания, навыки, умения на рынке труда. Знаменитые КАРЬЕРИСТЫ. Ступени в карьере. Принцип Питера.

2.Управление в общении и коммуникациях - (стратегия достижения собственных целей). Проницательность. Типизация личностей. Невербальные проявления. Имидж. Преуспевающий и неудачник. Индивидуальность. Как распознавать, наблюдая. Качества личности. Проявления личности. Социально психологический профиль (портрет) личности. Манипулирование и маневрирование. Законы общения. Шкала отношений. Приемы манипулирования.

Модель взаимодействия в диалоге. Роли собеседников. Компромисс. Конфликт и управление конфликтом. Принятие решений. Последствия решений. Выпускное занятие. Круг Общения.

3. Стратегическое управление (менеджмент) в фирме (собственное дело).

Процесс менеджмента. Управленческие роли менеджера. Миссия, цели, задачи. Анализ среды.Внешняя среда. Непосредственное окружение. Внутренняя среда. SWOT анализ среды. (Strength - сила;

Weakness - слабость;

Opportunity возможности;

Treat - угрозы). Типология целей.

Постановка стратегических задач и планирование их решения. Стратегия и корпоративная культура. Типы организаций. Принятие решений.

Конкуренция. Стратегии конкурентной борьбы. Функции и задачи маркетинга. Жизненный цикл организации и организационные изменения. Бизнес планирование.


Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе – 36 часов аудиторных лекционных занятий;

36 часов участия в тренингах и самостоятельная работа.

Форма контроля: Креативная тетрадь – создание плана и разработка стратегии своей собственной карьеры.

Ведущий преподаватель: профессор Кармазинский А.Н.

Контактное лицо: Андрей Николаевич Кармазинский, тел. 323-90-33.

Кафедра «Электроника» № Наименование курса: ЭМ Компетенции и творческие решения в управлении и инженерной деятельности Цель:

Освоить методы и средства развития компетенций и стимулирования творческой деятельности в управлении и инженерной практике.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на руководящий и инженерный персонал, участвующий в творческой инновационной деятельности.

Содержание Творчество и инновации.

Проблемы управления творческой деятельностью персонала.

Понятие компетенции.

Классификация компетенций.

Факторы, влияющие на творческую деятельность и развитие компетенций.

Стимулирование и мотивации в инженерном творчестве.

Проблемы и задачи.

Подход к разработке концепций для разрешения проблем.

Методы и технологии стимулирования творческой деятельности.

Формы и методы развития креативного мышления.

Психологические барьеры в креативной деятельности.

Мозговой штурм.

Метод контрольных вопросов.

Метод метафор.

Метод ТРИЗ.

Морфологический метод.

Программные средства поддержки творческих решений.

Креативная личность и е особенности.

Тренинги для решения демонстрационных задач.

Совместная работа и анализ результатов.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа), в том числе – 36 часов аудиторных лекционных занятий;

36 часов участия в тренингах и самостоятельная работа.

Форма контроля: Креативная тетрадь – описание решения актуальной задачи одним из методов.

Ведущий преподаватель: профессор Кармазинский А.Н Контактное лицо: Андрей Николаевич Кармазинский тел. 323-90-33.

Кафедра «Электрофизические установки»

(№14) Историческая справка:

1948 - создание кафедры Электровакуумной физики в МЭИ. 1951 - перевод кафедры в Московский механический институт. 1953 – образование научной группы «Ускоритель». За прошедшие десятилетия кафедрой были созданы линейные ускорители электронов, ставшие основой свыше двадцати лабораторий НИИ Академии наук и ряда отраслевых министерств. Одним из итогов этих работ явилась Государственная премия СССР 1979 г. 1961 – создание при кафедре Студенческого конструкторско-исследовательского бюро, первого СКИБ в МИФИ.

1977 – на кафедре вступила в строй Лаборатория вычислительной техники на базе вычислительной машины ЕС-1010. 1984 – начало проектирования, разработки и создания линейного протонного ускорителя «Ураган-1» (комплексный дипломный проект студенческого объединения Ускоритель – «СТОБУС»). 2000 - научная школа «Физико-технические проблемы СВЧ-энергетики» стала победителем конкурса, объявленного РФФИ и Миннауки среди ведущих научных школ России.

Основные направления деятельности:

Физика пучков заряженных частиц и электрофизических установок;

СВЧ электроника и радиотехника ускорителей заряженных частиц и энергетика СВЧ;

Физическая электроника и вакуумная техника;

Электроника и информатика электрофизических установок.

Количество представленных программ: 3.

Профессорско-преподавательский состав:

- профессоров - 9;

- доцентов - 18;

- старших преподавателей – 3 и ассистент – 1.

Материально-техническая база:

- учебная и научно-исследовательская лаборатории СВЧ-энергетики;

- учебно-научная лаборатория СВЧ-электроники – Научно-образовательный центр CRDF TESLA;

- учебно-исследовательская лаборатория Физической электроники;

- учебная лаборатория вакуумной техники;

- учебный практикум Электронные системы ускорителей (лаборатории Физики электронных приборов, Микропроцессорных систем ускорителей, Радиофизических измерений);

- учебно-исследовательская лаборатория Мощной СВЧ-электроники;

- учебно-исследовательская лаборатория Вычислительной техники;

- учебная и научно-исследовательская лаборатория Динамики ускоряющих систем «Динус».

Сайт кафедры: www.ephd.ru Заведующий кафедрой: Андрей Николаевич Диденко, проф., д.ф.м.н.

Тел. 324-29-95, e-mail: andidenko@mephi.ru Кафедра «Электрофизические установки» (№14) Наименование курса: АЯ Современная ускорительная техника и ее роль в решении проблем ядерной и термоядерной энергетики и нанотехнологий Цель:

По окончании курса слушатели получат информацию о современном состоянии и перспективах развития ускорительной техники, а так же о ее использовании для решения как фундаментальных, так и прикладных задач.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на широкий круг руководителей и специалистов, связанных с ускорительно-радиационными технологиями или заинтересованных в их использовании в инновационных проектах.

Содержание История развития ускорительной техники;

Современные ускорители заряженных частиц в России и за рубежом;

Перспективные технологии и крупнейшие международные проекты;

Использование ускорителей в гибридной ядерной энергетике;

Ускорительные комплексы для решения проблем инерциального термоядерного синтеза;

Установки термоядерного синтеза: перспективы использования нейтральных пучков для нагрева плазмы;

Использование синхротронного излучения в нанотехнике и нанотехнологиях;

Методы получения и источники интенсивных пучков ионов для использования в наноэлектронике, ионной имплантации и модификации поверхности.

Методы получения и использования интенсивных электронных пучков для наноэлектроники (ускорители с рекуперацией энергии ERL, XFEL и др.).

Длительность обучения: 72 часа (2 недели).

Форма контроля: аттестационные испытания.

Ведущие преподаватели: Диденко Андрей Николаевич, чл.-корр. РАН, Собенин Николай Павлович, д.т.н., проф., Масунов Эдуард Сергеевич, д.ф.-м.н, проф.

Контактное лицо: Андрей Николаевич Диденко, (495)323-92-92, 323-90-52.

Кафедра «Электрофизические установки» (№14) Наименование курса: ИК Современные средства программирования Цель:

По окончании обучения слушатели получат обзорную информацию по широкому кругу современных средств программирования и навыки их использования.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на преподавательский состав учебных заведений.

Содержание Обзор современных средств программирования, раскрытие их сути, областей применения, возможностей и функционала.

Операционные системы.

Особенности работы с базами данных.

Создание программных средств для работы в компьютерных сетях.

Среды разработки приложений.

Языки программирования.

Длительность обучения: 72 часа (2 недели).

Форма контроля: аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: Воронцов Виктор Александрович.

Контактное лицо: Виктор Александрович Воронцов, (495)323-92-92.

Кафедра «Электрофизические установки» (№14) Наименование курса: ФМ Электромагнитная совместимость Цель:

Изучение электромагнитной обстановки и анализ электромагнитных помех для электронных систем ядерных и физических объектов;

изучение способов снижения уровня электромагнитных помех и создания стойких к помехам электронных систем.

Целевая аудитория: Специалисты по электронным системам ядерных и физических установок.

Содержание Основные физические принципы электромагнитной совместимости, источники, рецепторы и среды передачи электромагнитных помех.

Основы электродинамики и теории цепей, антенный эффект.

Классификация электромагнитных помех.

Механизмы передачи помех.

Паразитные эффекты в электронных системах.

Способы защиты от электромагнитных помех: заземление, фильтрация, экранирование, схемные способы подавления помех, монтаж электронных систем.

Длительность обучения: 72 часа, включая 8 часов практических занятий.

Формы контроля: зачет.

Ведущий преподаватель: доцент, к.т.н. Шуренков Владимир Васильевич.

Контактное лицо: Владимир Васильевич Шуренков, тел. (495) 324-8442.

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№ 27) Историческая справка:

Кафедра «Микроэлектроники» МИФИ создана в 1965 году профессором И.П.

Степаненко, с 1997 года кафедру возглавляет профессор В.С. Першенков. В году Кафедра «Микроэлектроники» была переименована в кафедру «Микро- и наноэлектроники»..

Основные направления деятельности:

Кафедра готовит инженеров-физиков по специальности 140306 «Автоматика и электроника физических установок». Выпускники кафедры высоко ценятся на рынке труда и большинство из них работает по основной специальности. На кафедре ведется активная научная работа по всем ключевым направ-лениям развития современной микро- и наноэлектроники: по созданию и применению систем на основе микропроцессоров и микроконтроллеров, по спектрометрии ионной подвижности (создание «искусственного носа»), работы в области надежности ИМС и влияния на нее ионизирующего излучения, по разработке IP-блоков для микроэлектрон-ного оборудования физических экспериментов (CERN, GSI) и исследования в области детектирования излучения (СВЧ, -частицы).

Количество представленных программ: 7.

Профессорско-преподавательский состав:

Профессоров – 7;

Доцентов – 15.

Материально-техническая база:

Кафедра располагает уникальной технологической лабораторией, позволяющей студентам на практике изучить основные этапы производства микросхем, и измерительной лабораторией, оснащенной новейшим измерительным оборудованием и программным обеспечением фирмы Agilent. На кафедре больше лет работают учебно-научные лаборатории, организованные фирмами Motorola и Cadence.

Сайт кафедры: www.micro.mephi.ru Заведующий кафедрой: Вячеслав Сергеевич Першенков, проф., д.т.н.

Тел.324-84-01;

e-mail: VSPershenkov@MEPHI.RU Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: НТ Датчики для измерения параметров радиации на основе микро- и нанотехнологий Цель:

Дать слушателям знания по физике работы, конструктивно-технологическим особенностям, техническим характеристикам и областям применения датчиков параметров радиации, изготовленных по микро- и нанотехнологиям.

Целевая аудитория:

Программа предназначена для руководителей и специалистов, работающих в областях создания и применения микроэлектронных измерительно информационных средств (микроприборов и микросистем) для измерения параметров ионизирующих излучений и радиационных потоков частиц.

Содержание:

Метрологические, эксплуатационные и экономические характеристики современных средств дозиметрии, радиометрии и спектрометрии.

Необратимые и обратимые радиационные эффекты в тврдых телах как физическая основа работы микроэлектронных датчиков параметров радиации.

Физические принципы работы, конструкции и технологии изготовления, технические характеристики и области применения датчиков параметров радиации, изготовленных по микро- и нанотехнологиям: дозиметры на основе микрорезисторов, биполярных транзисторах, МДП-конденсаторах, МДП– транзисторах и МНОП-транзисторах, оптоэлектронных элементах;

однородные и неоднородные полупроводниковые датчики энергии частиц, мощности и дозы излучений;

микрополосковые датчики для измерения координат и траекторий частиц.

Перспективы развития микроприборостроения в области измерений параметров ионизирующих излучений и радиационных потоков частиц.

Длительность обучения: 72 часа, в том числе: 36 часа – очная форма обучения в институте (лекции-семинары) и 36 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ.

Форма контроля: аттестационные испытания (с итоговым зачтом).

Ведущий преподаватель: доцент Подлепецкий Б.И.

Контактное лицо: Подлепецкий Борис Иванович, тел. 324-01-84, 323-91-90.

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: АП Инновационные методы переподготовки кадров отрасли с применением E-Learning Цель:

По окончании обучения слушатель изучит и освоит:

- методологию и основы современного дистанционного образования (ДО) с применением E-Learning 1.0, 1.3, 2.0;

- основы архитектуры систем LMS и LCMS;

- создание и дизайн электронных курсов (е-курсов) на учебных порталах, реализованных на платформе LMS Moodle;

- подготовку и настройку учебного и тестового (контрольного) контента для е курса на порталах реализованных на платформе LMS Moodle;

- подготовку отдельных учебных электронных модулей и элементов разных типов для е-курса: лекции, семинара, глоссария терминологии и др.

Целевая аудитория:

Программа рассчитана на руководителей и специалистов, использующих и внедряющих на АЭС инновационные методы технологий ДО для подготовки и переподготовки специалистов отрасли.

Содержание:

Обзор инновационных методов ДО и/или E-Learning. Основы архитектуры и методологии применения систем LMS и LCMS. Платформа LMS Moodle, особенности и примеры учебных порталов на ее основе. Создание, дизайн и настройка е-курса.

Создание и настройка учебного и тестового контента е-курса и его модулей и элементов. Управление учебным процессом.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа). В том числе 36 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ, а также дистанционно на учебном портале. 36 часов (1 неделя) – очная форма обучения в институте.

Формы контроля: домашние задания, тестирование на учебном портале, аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: доцент Лапшинский В.А.

Контактное лицо: Лапшинский Валерий Алексеевич, E-mail:

mvlwinster@gmail.com, сайт: www.valinfo.ru Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: ИК Компьютерный практикум: решение практических задач в среде MS.Office Цель:

По окончании обучения слушатель сможет:

- выполнять операции с файлами разных форматов в среде MS.Office;

- готовить профессионально оформленные документы разных типов: 1) тексты, включающие таблицы и деловую графику с использованием редактора текстов MS.Word;

2) таблицы в редакторе электронных таблиц MS.Excel;

4) презентации в редакторе презентаций MS.PowerPoint;

- обрабатывать числовые данные и моделировать проблемные ситуации с помощью MS.Excel;

- подготовить документы, соответствующие стандартам и ГОСтам;

- осуществлять совместную работу над документами. В том числе с применением электронной почты (mail.ru, yandex, gmail и др.) и форумов на платформах IPB и/или Moodle.

Целевая аудитория:

Программа рассчитана на руководителей и специалистов, которые имеют на своем рабочем столе персональный компьютер.

Содержание:

Технология подготовки документов в среде MS.Office. MS.Word. MS.Excel.

MS.PowerPoint.

Совместная работа над документами с применением электронной почты и форумов на платформах IPB и/или Moodle.

Современные стандарты и ГОСты на оформление документации.

Длительность обучения: 2 недели (72 часа). В том числе 36 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ, а также дистанционно на учебном портале. 36 часов (1 неделя) – очная форма обучения в институте.

Формы контроля: домашние задания, тестирование на учебном портале, аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: доцент Лапшинский В.А.

Контактное лицо: Лапшинский Валерий Алексеевич, E-mail: mvlwinster@gmail.com, сайт: www.valinfo.ru Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: АФ Локальные сети в атомной энергетике Цель:

По окончании обучения слушатель изучит и освоит:

- основы архитектуры локальных сетей, в частности, архитектуры и технологии Industrial Ethernet;

- методы применения и возможности сетевого оборудования: кабельной системы, сетевых карт, концентратов, коммутаторов и т.д.;

- методологию анализа и оценки корректного построения ЛВС.

Целевая аудитория:

Программа рассчитана на руководителей и специалистов, внедряющих на АЭС современные методы информационных технологий.

Содержание:

Основы архитектуры ЛВС Ethernet/Fast Ethernet/Gigabit Ethernet.

Особенности технологий Industrial Ethernet, EtherCAT и др.

Проблемы стандартизации технологий индустриальных сетей.

Архитектура, конструкция и функциональные возможности сетевого оборудования офисных и индустриальных локальных сетей: сетевых карт, концентратов, коммутаторов и т.д.

Методология построения, анализа и оценки корректности сетей на основе СКС.

Средства повышения надежности, безотказности и интеллектуальности сетевой структуры.

Комплекс аппаратно-программных средств системы управления ТПТС51 для АЭС (совместная разработка НИИ «Автоматика» и МИФИ).

Длительность обучения: 2 недели (72 часа). В том числе 36 часов самостоятельной работы по материалам, представленным МИФИ, а также дистанционно на учебном портале. 36 часов (1 неделя) – очная форма обучения в институте.

Формы контроля: домашние задания, тестирование на учебном портале, аттестационные испытания.

Ведущий преподаватель: доцент Лапшинский В.А.

Контактное лицо: Лапшинский Валерий Алексеевич, E-mail: mvlwinster@gmail.com, сайт: www.valinfo.ru Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: АЯ Методы проектирования и испытаний радиационно стойкой микроэлектронной элементной базы Цель:

Слушатель ознакомится с основными методами проектирования радиационно-стойкой элементной базы, методами испытаний и прогнозирования микроэлектронных компонентов в радиационном окружении.

Целевая аудитория:

Программа обучения рассчитана на специалистов в области проектирования радиационно-стойкой элементной базы, в том числе с проектными нормами менее 0.25-0.18 мкм, а также для специалистов в области обеспечения надежности функционирования микроэлектронных компонентов в условиях воздействия внешних ионизирующих факторов.

Содержание:

Виды и характеристики ионизирующих излучений. Общие вопросы обеспечения радиационной стойкости микроэлектронной элементной базы.

Физические механизмы деградации в интегральных элементах. Дозовые эффекты на схемном уровне.

Радиационные эффекты в элементах КМОП и биполярных технологий.

Методы моделирование радиационных эффектов в элементах КМОП технологий на физическом и схемотехническом уровне.

Одиночные радиационные эффекты (ОРЭ) от воздействия одиночных ионизирующих частиц космического пространства (тяжелые заряженные частицы, протоны, нейтроны).

Радиационные эффекты в технологиях «кремний-на-изоляторе». Переходные эффекты от воздействия импульсного ионизирующего излучения. Защелки (тиристорный эффект).

Конструктивные методы повышения стойкости СБИС к эффектам полной дозы. Конструктивные методы повышения стойкости СБИС к одиночным радиационным эффектам. Методы характеризации радиационной стойкости.

Разработка тестовых структур. Методы ускоренных испытаний. Методики прогнозирования. Радиационная стойкость и новые эффекты в перспективных наноэлектронных приборах.

Длительность обучения: 72 часа.

Форма контроля: аттестационное испытание.

Ведущий преподаватель: доцент Зебрев Г.И.

Контактное лицо: Геннадий Иванович Зебрев, (495)324-0184 (раб.).

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» (№27) Наименование курса: НТ Физические основы наноэлектроники Цель:



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |
 





 
© 2013 www.libed.ru - «Бесплатная библиотека научно-практических конференций»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.